JP3022126B2 - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JP3022126B2 JP3022126B2 JP35533193A JP35533193A JP3022126B2 JP 3022126 B2 JP3022126 B2 JP 3022126B2 JP 35533193 A JP35533193 A JP 35533193A JP 35533193 A JP35533193 A JP 35533193A JP 3022126 B2 JP3022126 B2 JP 3022126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- leads
- semiconductor device
- lead frame
- thermoplastic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子を搭載する半導体装置用リードフレームの製造方法
に関し、リードの変形不良を無くすと共に、生産性とワ
イヤボンディング性の向上を図った半導体装置用リード
フレームの製造方法に関する。
素子を搭載する半導体装置用リードフレームの製造方法
に関し、リードの変形不良を無くすと共に、生産性とワ
イヤボンディング性の向上を図った半導体装置用リード
フレームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置用リードフレームを
製造する場合、ケミカルホトエッチング、プレス等によ
って銅等の金属板に所定パターンの複数のリードを形成
することによって行われている。
製造する場合、ケミカルホトエッチング、プレス等によ
って銅等の金属板に所定パターンの複数のリードを形成
することによって行われている。
【０００３】図７には、上記した方法で得られた一般的
な半導体装置用リードフレームの構造が示されている。
ここで、複数のリードは、半導体素子（図示せず）と接
続されるインナーリード１と、周囲のフレーム（図示せ
ず）に支持されたアウターリード２より構成され、イン
ナーリード１とアウターリード２の境界部分における各
リード間にダムバー４が設けられている。また、最終的
にはインナーリード１にそれらを固定するためのポリイ
ミドフィルム３が接着される。
な半導体装置用リードフレームの構造が示されている。
ここで、複数のリードは、半導体素子（図示せず）と接
続されるインナーリード１と、周囲のフレーム（図示せ
ず）に支持されたアウターリード２より構成され、イン
ナーリード１とアウターリード２の境界部分における各
リード間にダムバー４が設けられている。また、最終的
にはインナーリード１にそれらを固定するためのポリイ
ミドフィルム３が接着される。
【０００４】ダムバー４は、図８に示すように、複数の
リードを形成するときにこれらと一体成形によって形成
され、図９に示すように、半導体素子を搭載後、リード
フレームをモールドレジン６で封止する際に、モールド
レジン６が各リード間を経てモールド金型５から流れ出
さないように各リード間を閉塞する役目を果たす。従っ
て、モールド成形を行った後、各リードを独立させるた
めに切り離される。
リードを形成するときにこれらと一体成形によって形成
され、図９に示すように、半導体素子を搭載後、リード
フレームをモールドレジン６で封止する際に、モールド
レジン６が各リード間を経てモールド金型５から流れ出
さないように各リード間を閉塞する役目を果たす。従っ
て、モールド成形を行った後、各リードを独立させるた
めに切り離される。
【０００５】また、ポリイミドフィルム３は、図１０に
示すように、インナーリード１の上部に接着剤によって
貼付けられている。この接着剤は一般に安価な熱硬化性
樹脂より成るものが用いられている。
示すように、インナーリード１の上部に接着剤によって
貼付けられている。この接着剤は一般に安価な熱硬化性
樹脂より成るものが用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置用リードフレームの製造方法によると、ダムバーを
各リードと一体成形によって形成しているため、前述し
たように、モールド成形を行った後、切り離さなければ
ならない。この切り離しは打抜き金型により行われる
が、最近になってロジック系ＩＣ用リードフレームのリ
ード数が多くなり、ピッチも０．５〜０．３ｍｍ程度と
小さくなってきているため、打抜き金型で加工を行うと
リードの曲がり，捩じれ等の変形不良が発生する。これ
を防ぐためには打抜き金型に高い精度が必要になるが、
精度が下がるとパンチの折れやダイとのかじりによる抜
き不良が発生する。また、高い精度を維持するために
は、メンテナンス等の煩雑な作業を要する等といった問
題が生じる。
装置用リードフレームの製造方法によると、ダムバーを
各リードと一体成形によって形成しているため、前述し
たように、モールド成形を行った後、切り離さなければ
ならない。この切り離しは打抜き金型により行われる
が、最近になってロジック系ＩＣ用リードフレームのリ
ード数が多くなり、ピッチも０．５〜０．３ｍｍ程度と
小さくなってきているため、打抜き金型で加工を行うと
リードの曲がり，捩じれ等の変形不良が発生する。これ
を防ぐためには打抜き金型に高い精度が必要になるが、
精度が下がるとパンチの折れやダイとのかじりによる抜
き不良が発生する。また、高い精度を維持するために
は、メンテナンス等の煩雑な作業を要する等といった問
題が生じる。
【０００７】また、インナーリード固定用のポリイミド
フィルムを熱硬化性接着剤を用いて接着しているため、
キュアが必要になると共にその時にアウトガスが発生す
るという問題がある他、そのアウトガスが原因で電流リ
ークを発生させたり、ワイヤボンディング性を低下させ
る等の問題がある。
フィルムを熱硬化性接着剤を用いて接着しているため、
キュアが必要になると共にその時にアウトガスが発生す
るという問題がある他、そのアウトガスが原因で電流リ
ークを発生させたり、ワイヤボンディング性を低下させ
る等の問題がある。
【０００８】従って、本発明の目的はキュア工程を不要
にできると共に電流リークの発生やワイヤボンディング
性の低下を防ぐことができ、且つ、リードの変形不良を
無くすと共に、リードの切り離し用打抜き金型に高い精
度を必要としない半導体装置用リードフレームの製造方
法を提供することである。
にできると共に電流リークの発生やワイヤボンディング
性の低下を防ぐことができ、且つ、リードの変形不良を
無くすと共に、リードの切り離し用打抜き金型に高い精
度を必要としない半導体装置用リードフレームの製造方
法を提供することである。
【０００９】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、金属板をケミカルホトエッチング、プレス等してイ
ンナーリードの先端が連結された複数のリードを所定の
パターンで形成し、複数のリードの間に熱可塑性樹脂で
ダムバーを形成し、前記ダムバーを形成した後に、前記
インナーリードの上面に熱可塑性樹脂でリード固定バー
を形成し、連結された前記インナーリードの先端を切り
離すようにした半導体装置用リードフレームの製造方法
を提供するものである。
み、金属板をケミカルホトエッチング、プレス等してイ
ンナーリードの先端が連結された複数のリードを所定の
パターンで形成し、複数のリードの間に熱可塑性樹脂で
ダムバーを形成し、前記ダムバーを形成した後に、前記
インナーリードの上面に熱可塑性樹脂でリード固定バー
を形成し、連結された前記インナーリードの先端を切り
離すようにした半導体装置用リードフレームの製造方法
を提供するものである。
【００１１】上記のように、複数のリード間に熱可塑性
樹脂でダムバーを形成し、さらに前記ダムバーを形成し
た後に、インナーリードの上面にリード固定バーを熱可
塑性樹脂で形成すると、キュア工程を不要にできると共
に電流リークの発生やワイヤボンディング性の低下を防
ぐことができる。
樹脂でダムバーを形成し、さらに前記ダムバーを形成し
た後に、インナーリードの上面にリード固定バーを熱可
塑性樹脂で形成すると、キュア工程を不要にできると共
に電流リークの発生やワイヤボンディング性の低下を防
ぐことができる。
【００１２】上記熱可塑性樹脂として、モールド温度の
温度領域においては１０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 以上の動的弾
性率を有し、且つ、モールド温度より高い温度領域にお
いては１０6 ポアズ以下の低い粘度を有する樹脂を用い
ることが好ましく、具体的にはポリイミド，ポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド等を用いること
が好ましい。すなわち、この樹脂はモールド温度付近の
２００℃程度までは硬く、モールド金型で成形圧力を支
えるだけの強度を有し、これを越える温度領域では軟化
して簡単に成形できる特性を有している。
温度領域においては１０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 以上の動的弾
性率を有し、且つ、モールド温度より高い温度領域にお
いては１０6 ポアズ以下の低い粘度を有する樹脂を用い
ることが好ましく、具体的にはポリイミド，ポリエーテ
ルアミド又はポリエーテルアミドイミド等を用いること
が好ましい。すなわち、この樹脂はモールド温度付近の
２００℃程度までは硬く、モールド金型で成形圧力を支
えるだけの強度を有し、これを越える温度領域では軟化
して簡単に成形できる特性を有している。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の半導体装置用リードフレーム
の製造方法について添付図面を参照しながら詳細に説明
する。
の製造方法について添付図面を参照しながら詳細に説明
する。
【００１４】図１から図６には、本発明の半導体装置用
リードフレームの製造方法の一実施例が示されている。
これらの図において、図７，図８，図１０と同一の部分
には同一の引用数字，符号を付したので重複する説明は
省略する。
リードフレームの製造方法の一実施例が示されている。
これらの図において、図７，図８，図１０と同一の部分
には同一の引用数字，符号を付したので重複する説明は
省略する。
【００１５】まず、図１において、厚さ０．２ｍｍの金
属板をケミカルホトエッチング、プレス等して、インナ
リード１の先端が連結部５で連結された複数のリードを
所定のパターンで形成し、連結部５は複数のリード（イ
ンナーリード１）と一体成形によって形成する。
属板をケミカルホトエッチング、プレス等して、インナ
リード１の先端が連結部５で連結された複数のリードを
所定のパターンで形成し、連結部５は複数のリード（イ
ンナーリード１）と一体成形によって形成する。
【００１６】次に、図２において、インナーリード１と
アウターリード２の境界部のリード間に熱可塑性樹脂の
ダムバー６を形成する。すなわち、図３に示すように、
厚さ０．２ｍｍ，幅０．５〜１．０ｍｍでリード間に埋
め込む。
アウターリード２の境界部のリード間に熱可塑性樹脂の
ダムバー６を形成する。すなわち、図３に示すように、
厚さ０．２ｍｍ，幅０．５〜１．０ｍｍでリード間に埋
め込む。
【００１７】また、ダムバー６の形成は、ディスペンサ
により熱可塑性樹脂をワニス状にして滴下し、これを１
００〜２００℃前後の温度で乾燥した後、更に、約２５
０℃のホットプレスで上下から加圧してリード間に熱可
塑性樹脂を流し込み、これを成形することによって行
う。
により熱可塑性樹脂をワニス状にして滴下し、これを１
００〜２００℃前後の温度で乾燥した後、更に、約２５
０℃のホットプレスで上下から加圧してリード間に熱可
塑性樹脂を流し込み、これを成形することによって行
う。
【００１８】熱可塑性樹脂としては、２００℃程度のモ
ールド温度領域においては１０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 以上の
動的弾性率を有し、且つ、モールド温度より高い温度領
域においては１０6 ポアズ以下の低い粘度を有する樹
脂、例えば、ポリイミド，ポリエーテルアミド又はポリ
エーテルアミドイミド等を用いることが好ましい。
ールド温度領域においては１０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 以上の
動的弾性率を有し、且つ、モールド温度より高い温度領
域においては１０6 ポアズ以下の低い粘度を有する樹
脂、例えば、ポリイミド，ポリエーテルアミド又はポリ
エーテルアミドイミド等を用いることが好ましい。
【００１９】続いて、図４において、インナーリード１
の上面に熱可塑性樹脂のリード固定バー７を形成する。
すなわち、図５に示すように、厚さ０．１〜０．５ｍ
ｍ，幅約０．５〜１．０ｍｍでインナーリード１上に形
成する。
の上面に熱可塑性樹脂のリード固定バー７を形成する。
すなわち、図５に示すように、厚さ０．１〜０．５ｍ
ｍ，幅約０．５〜１．０ｍｍでインナーリード１上に形
成する。
【００２０】また、リード固定バー７の形成は、前述し
たダムバー６の形成と同様、ディスペンサにより熱可塑
性樹脂をワニス状にして滴下し、これを１００〜２００
℃前後の温度で乾燥することによって行う。このリード
固定バー７がないと、ダムバー６だけでは後述するイン
ナーリード先端の連結部５の切り離しによって、インナ
ーリード先端部が変形するという問題がある。
たダムバー６の形成と同様、ディスペンサにより熱可塑
性樹脂をワニス状にして滴下し、これを１００〜２００
℃前後の温度で乾燥することによって行う。このリード
固定バー７がないと、ダムバー６だけでは後述するイン
ナーリード先端の連結部５の切り離しによって、インナ
ーリード先端部が変形するという問題がある。
【００２１】最後に、図６において、インナーリード１
の先端の連結部５を切除して、インナーリード１の連結
を切り離す。この切り離しは、打抜き金型を用いて略四
角形に一括して打ち抜いて行う。
の先端の連結部５を切除して、インナーリード１の連結
を切り離す。この切り離しは、打抜き金型を用いて略四
角形に一括して打ち抜いて行う。
【００２２】このように、予めインナーリードの先端を
連結し、このリード間にモールド温度領域で成形圧力に
耐え得る熱可塑性樹脂を用いてダムバーを形成したた
め、ダムバーを打抜き金型で切り離す必要がなくなり、
リードの曲がり，捩じれ等の変形不良を防ぐことができ
る。また、打抜き加工はインナーリードの先端を略四角
状に打ち抜くだけで良く、従って、高い打抜き精度を要
求されないので、パンチの折れやダイとのかじりによる
抜き不良がなくなると共に、メンテナンス等の煩雑な作
業を不要にすることができる。
連結し、このリード間にモールド温度領域で成形圧力に
耐え得る熱可塑性樹脂を用いてダムバーを形成したた
め、ダムバーを打抜き金型で切り離す必要がなくなり、
リードの曲がり，捩じれ等の変形不良を防ぐことができ
る。また、打抜き加工はインナーリードの先端を略四角
状に打ち抜くだけで良く、従って、高い打抜き精度を要
求されないので、パンチの折れやダイとのかじりによる
抜き不良がなくなると共に、メンテナンス等の煩雑な作
業を不要にすることができる。
【００２３】また、インナーリード上のリード固定用バ
ーは、熱可塑性樹脂によって形成しているため、熱硬化
性接着剤のようにキュア工程を行わずにすみ、その時の
アウトガスの発生も防ぐことができる。また、電流リー
クの発生やワイヤボンディング性の低下も防ぐことがで
きる。さらに、前記リード固定用バーはインナーリード
先端の連結部の切り離しに際して、インナーリード先端
部が変形するのを防止する。
ーは、熱可塑性樹脂によって形成しているため、熱硬化
性接着剤のようにキュア工程を行わずにすみ、その時の
アウトガスの発生も防ぐことができる。また、電流リー
クの発生やワイヤボンディング性の低下も防ぐことがで
きる。さらに、前記リード固定用バーはインナーリード
先端の連結部の切り離しに際して、インナーリード先端
部が変形するのを防止する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置用リードフレームの製造方法によると、金属板をケミ
カルホトエッチング、プレス等してインナーリードの先
端が連結された複数のリードを所定のパターンで形成
し、複数のリードの間に熱可塑性樹脂でダムバーを形成
し、前記ダムバーを形成した後に、前記インナーリード
の上面に熱可塑性樹脂でリード固定バーを形成し、連結
されたインナーリードの先端を切り離すようにしたた
め、前記ダムバーおよびリード固定バーのいずれにおい
ても、キュア工程を不要にできると共に電流リークの発
生やワイヤボンディング性の低下を防ぐことができ、且
つ、リードの変形不良を無くすと共に、打抜き金型に高
い精度を必要としなくなり、パンチの折れやダイとのか
じりによる抜き不良がなくなると共に、メンテナンス等
の煩雑な作業を不要にすることができる。
置用リードフレームの製造方法によると、金属板をケミ
カルホトエッチング、プレス等してインナーリードの先
端が連結された複数のリードを所定のパターンで形成
し、複数のリードの間に熱可塑性樹脂でダムバーを形成
し、前記ダムバーを形成した後に、前記インナーリード
の上面に熱可塑性樹脂でリード固定バーを形成し、連結
されたインナーリードの先端を切り離すようにしたた
め、前記ダムバーおよびリード固定バーのいずれにおい
ても、キュア工程を不要にできると共に電流リークの発
生やワイヤボンディング性の低下を防ぐことができ、且
つ、リードの変形不良を無くすと共に、打抜き金型に高
い精度を必要としなくなり、パンチの折れやダイとのか
じりによる抜き不良がなくなると共に、メンテナンス等
の煩雑な作業を不要にすることができる。
【００２５】
【図１】本発明の一実施例を示す平面図。
【図２】本発明の一実施例を示す平面図。
【図３】一実施例に係るダムバーを示す説明図。
【図４】本発明の一実施例を示す平面図。
【図５】一実施例に係るリード固定バーを示す説明図。
【図６】本発明の一実施例を示す平面図。
【図７】従来の半導体装置用リードフレームの製造方法
を示す説明図。
を示す説明図。
【図８】従来の半導体装置用リードフレームの製造方法
に係るダムバーを示す説明図。
に係るダムバーを示す説明図。
【図９】モールド成形時のダムバーの機能を示す断面
図。
図。
【図１０】従来の半導体装置用リードフレームの製造方
法に係るポリイミドフィルムを示す説明図。
法に係るポリイミドフィルムを示す説明図。
１ インナーリード ２ アウ
ターリード ３ ポリイミドフィルム ４ ダム
バー ５ 連結部 ６ ダム
バー ７ リード固定バー
ターリード ３ ポリイミドフィルム ４ ダム
バー ５ 連結部 ６ ダム
バー ７ リード固定バー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (3)
- 【請求項１】 金属板をケミカルホトエッチング、プレ
ス等してインナーリードの先端が連結された複数のリー
ドを所定のパターンで形成し、 前記複数のリードの間に熱可塑性樹脂でダムバーを形成
し、前記ダムバーを形成した後に、前記インナーリードの上
面に熱可塑性樹脂でリード固定バーを形成し、 連結された前記インナーリードの先端を切り離すことを
特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項２】 前記熱可塑性樹脂として、モールド温度
の温度領域においては１０ 7 ｄｙｎ／ｃｍ 2 以上の動的
弾性率を有し、且つ、モールド温度より高い温度領域に
おいては１０ 6 ポアズ以下の低い粘度を有する樹脂を用
いる構成の請求項１の半導体装置用リードフレームの製
造方法。 - 【請求項３】 前記熱可塑性樹脂として、ポリイミド、
ポリエーテルアミド又はポリエーテルアミドイミド等を
用いる構成の請求項１の半導体装置用リードフレームの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35533193A JP3022126B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35533193A JP3022126B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176670A JPH07176670A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3022126B2 true JP3022126B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=18443316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35533193A Expired - Fee Related JP3022126B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022126B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102071078B1 (ko) * | 2012-12-06 | 2020-01-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 멀티 칩 패키지 |
| JP6387824B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP35533193A patent/JP3022126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07176670A (ja) | 1995-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100462105B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치의 제조방법 | |
| JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US5837567A (en) | Lead frame and semiconductor device | |
| US20030003627A1 (en) | Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| JP2004273882A (ja) | モールド金型及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP3522177B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3022126B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
| JP2001024001A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びリードフレーム | |
| JP3047716B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS6030144A (ja) | 半導体装置用モ−ルド金型 | |
| JP3226015B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP2516712B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100250132B1 (ko) | 리드프레임 소성변형장치 및 그 방법 | |
| JP2865095B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH11345931A (ja) | リードフレームのテーピング方法およびテーピング装置 | |
| JPH05251619A (ja) | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000236033A (ja) | 半導体装置並びにその製造方法 | |
| JP2858943B2 (ja) | モールド金型 | |
| JPH06302635A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製法 | |
| JPH05218274A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03102859A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0738045A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2002100696A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03175661A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| KR19980020498A (ko) | 센터 본딩 패드를 갖는 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |