JP3016922B2 - 合成樹脂製回路基板における導体パターンの形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、合成樹脂の射出成形に
よって形成するようにした回路基板の表面に、当該回路
基板に搭載した各種の電子部品の相互間を接続する回路
パターン、及びこれらを他の機器に対して接続するため
の端子電極パターンとを有する導体パターンを形成する
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、合成樹脂の射出成形によって形成
した回路基板の表面に対して、導体パターンを形成する
方法には、合成樹脂製の回路基板の表面に、フォトレジ
ストを塗布し、マスクを用いて露光・現像することによ
りパターニングし、無電解メッキ法により導体パターン
を形成する方法（フォトアディティブ法）と、無電解メ
ッキ用触媒を配合しない合成樹脂にて回路基板を射出成
形し、次いで、この回路基板に対して、無電解メッキ用
触媒を配合した合成樹脂にて、所定の導体パターン通り
の形状を有する導体パターン形成部を射出成形し、この
無電解メッキ用触媒を配合した合成樹脂製の導体パター
ン形成部の表面に、無電解メッキにて所定の導体パター
ンを形成する方法（２回成形法）とがある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前者のフォト
アディティブ法は、マスクを用いて紫外線照射によりパ
ターニングするため、導体パターンをファイン化できる
利点を有するが、その反面、垂直な面に対して導体パタ
ーンを形成することができず、換言すると、導体パター
ンを立体化することができないと言う問題がある。

【０００４】これに対して、後者の２回成形法は、導体
パターンを、無電解メッキ用触媒を配合しない合成樹脂
にて形成した回路基板に対して、無電解メッキ用触媒を
配合した合成樹脂にて所定の導体パターン通りの形状を
有する導体パターン形成部を射出成形することによって
形成するものであるから、垂直な面に対しても導体パタ
ーンを形成することができ、換言すると、導体パターン
の立体化に適合できる利点を有するが、その反面、導体
パターンの幅寸法には、合成樹脂の射出成形のために或
る寸法以下にすることができないので、導体パターンを
ファイン化することができないと言う問題があった。

【０００５】本発明は、これら、フォトアディティブ法
及び２回成形法が有する問題を解消した回路パターンの
形成方法を提供することを技術的課題とするものであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、トランジスター等の各種電子部品を搭
載する平面部と、当該平面部に対する立ち上がり部又は
垂れ下がり部とを備えた回路基板を合成樹脂の射出成形
によって形成し、該回路基板における平面部を、無電解
メッキ用触媒を配合した合成樹脂にて射出成形すると同
時に、前記回路基板における立ち上がり部又は垂れ下が
り部の表面に、無電解メッキ用触媒を配合した合成樹脂
製の端子電極パターン形成部を射出成形し、次いで、全
体に無電解メッキを施して、前記端子電極パターン部の
表面に、端子電極パターンを形成する一方、前記平面部
の表面に、フォトレジストを施し、マスクを用いて紫外
線照射によりパターニングして、回路パターンを形成す
ることにした。

【０００７】

【作 用】このようにすると、回路基板のうち平面部
に対する立ち上がり部又は垂れ下がり部の表面には、前
記従来の２回成形法によって、端子電極パターンを立体
的に形成することができる一方、前記回路基板のうちト
ランジスター等の各種電子部品を搭載する平面部には、
マスクのパターニングによって、回路パターンを、ファ
イン化して形成することができるのである。

【０００８】

【発明の効果】従って、本発明によると、回路基板のう
ち各種電子部品を搭載する平面部に、回路パターンをフ
ァイン化して形成することと、前記回路基板のうち前記
平面部に対する立ち上がり部又は垂れ下がり部の表面
に、外部への接続用の端子電極パターンを、立体的に形
成することとを同時に達成できる効果を有する。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の実施例を、図１及び図２に示
すように、ハイブリッド集積回路装置用の回路基板に対
して導体パターンを形成する場合について説明する。す
なわち、前記図１及び図２に示すハイブリッド集積回路
装置１は、合成樹脂の射出成形によって形成した回路基
板２の下面に、左右一対の脚部３を一体的に造形し、前
記回路基板１における平面部４の上面及び下面に、回路
パターン５，６を各々形成したのち、各種の電子部品
７，８を搭載する一方、前記両脚部３の表面に、外部へ
の接続用の端子電極パターン９を複数本ずつ形成したも
のである。

【００１０】前記回路基板１における左右一対の両脚部
３を、図３に示すように、無電解メッキ用触媒を配合し
ない合成樹脂の射出成形によって形成する。このとき、
両脚部３の表面うち前記端子電極パターン９に該当する
部分には、凹み溝１０を形成する。次いで、前記両脚部
３の間の部分に、図４〜図７に示すように、前記回路基
板２における平面部４を、無電解メッキ用触媒を配合し
た合成樹脂の射出成形によって形成する。このとき同時
に、無電解メッキ用触媒を配合した合成樹脂を、前記両
脚部３における各凹み溝１０内に充填することによっ
て、各凹み溝１０内に、無電解メッキ用触媒を配合した
合成樹脂製の端子電極パターン形成部１１を形成する。

【００１１】次に、前記回路基板２の全体に対して銅の
無電解メッキを施することにより、当該回路基板２のう
ち無電解メッキ用触媒を配合した合成樹脂製の部分の表
面に対して銅のメッキ層を形成する。そして、前記回路
基板２における平面部４の上面及び下面に、図８に示す
ように、フォトレジスト用のドライフィルム１２，１３
を貼付けし、次いで、このフォトレジスト用のドライフ
ィルム１２，１３に対して、前記回路パターン５，６と
同じ形状に打ち抜いたマスクを使用して露光・現像する
ことにより、図９に示すように、前記ドライフィルム１
２，１３に、前記回路パターン５，６の形状通りの抜き
窓１４を形成する。なお、ここにおけるフォトレジスト
は半田メッキレジストを言う。

【００１２】これが終わると、前記回路基板２は半田メ
ッキを施すのであり、この半田メッキにより、前記各端
子電極パターン形成部１１の表面、及び前記平面部４の
うち前記抜き窓１４内の部分には、銅メッキ層を介して
半田メッキ層が付着する。そこで、前記フォトレジスト
用のドライフィルム１２，１３を除去したのち、銅を溶
かすエッチング液に浸漬することによって、平面部４に
おける余分な銅メッキ層を除去することにより、図１０
に示すように、回路基板２における両脚部３の各々に、
端子電極パターン９を形成することができると共に、平
面部４の上下両面に、回路パターン５，６を形成するこ
とができるのである。

【００１３】なお、前記実施例は、回路基板２における
平面部４の全体を、無電解メッキ用触媒を配合した合成
樹脂製にした場合を示したが、本発明は、これに限ら
ず、前記平面部４における表面のみを、無電解メッキ用
触媒を配合した合成樹脂製にしても良いのである。ま
た、前記回路基板２は、以下に述べるようにすることに
より、多量生産することができる。

【００１４】すなわち、前記の構造を有する回路基板２
の複数個を、図１１に示すように、互いに一体的に連結
した状態で、無電解メッキ用触媒を配合しない合成樹脂
による射出成形と、無電解メッキ用触媒を配合した合成
樹脂による射出成形との２回成形によって形成し、その
全体に銅の無電解メッキを施したのち、上下両面に、フ
ォトレジスト用のドライフィルム１２，１３を、各回路
基板２について連続して貼着し、次いで、前記ドライフ
ィルム１２，１３に、回路パターン５，６と同じ形状の
抜き窓１４を露光・現像によって形成し、全体に半田メ
ッキを施し、前記ドライフィルム１２，１３を除去した
のち、銅を除くエッチングを施すことによって、前記各
回路基板２の各々に、回路パターン５，６と、端子電極
パターン９を形成する。

【００１５】そして、各絶縁基板２の各々に、各種の電
子部品７，８を搭載したのち、各回路基板２の間に刻設
したＶ溝型の筋目線１５，１６に沿って、各回路基板２
ごとにブレイクするものである。なお、前記実施例は、
回路基板２における下面に左右両側に脚部３を一体的に
造形して、この両脚部３に、端子電極パターン９を形成
したいわゆるデュアル型のハイブリッド集積回路装置１
に適用した場合を示したが、本発明は、これに限らず、
図１２に示すように、回路基板２における下面の周囲に
脚部３を一体的に造形し、この各脚部３の各々に端子電
極パターン９を形成したいわゆるクワッド型のハイブリ
ッド集積回路装置１ａに対しても同様にして適用できる
のである。

【００１６】そして、このクワッド型ハイブリッド集積
回路装置１ａにおいても、前記と同様に、回路基板２の
複数個を、図１３及び図１４に示すように、互いに一体
的に連結した状態で、無電解メッキ用触媒を配合しない
合成樹脂による射出成形と、無電解メッキ用触媒を配合
した合成樹脂による射出成形との２回成形によって形成
し、その全体に銅の無電解メッキを施したのち、上下両
面に、フォトレジスト用のドライフィルム１２，１３
を、各回路基板２について連続して貼着し、次いで、前
記ドライフィルム１２，１３に、回路パターン５，６と
同じ形状の抜き窓１４を露光・現像によって形成し、全
体に半田メッキを施し、前記ドライフィルム１２，１３
を除去したのち、銅を除くエッチングを施すことによっ
て、前記各回路基板２の各々に、回路パターン５，６
と、端子電極パターン９を形成し、次いで、各絶縁基板
２の各々に、各種の電子部品７，８を搭載したのち、各
回路基板２の間に刻設したＶ溝型の筋目線１５，１６に
沿って、各回路基板２ごとにブレイクすることにより、
多量生産できるのである。

【図面の簡単な説明】

【図１】デュアル型ハイブリッド集積回路装置を上面か
ら見たときの斜視図である。

【図２】デュアル型ハイブリッド集積回路装置を上面か
ら見たときの斜視図である。

【図３】回路基板における脚部を射出成形したときの斜
視図である。

【図４】回路基板における平面部を射出成形したときの
斜視図である。

【図５】図４のＶ−Ｖ視断面図である。

【図６】図４のVI−VI視断面図である。

【図７】図４のVII −VII 視断面図である。

【図８】回路基板における平面部にフォトレジスト用の
ドライフィルムを貼着したときの斜視図である。

【図９】前記フォトレジスト用のドライフィルムに回路
パターン用の抜き窓を形成したときの斜視図である。

【図１０】回路基板に回路パターンと端子電極パターン
とを形成した状態の斜視図である。

【図１１】デュアル型ハイブリッド集積回路装置に使用
する回路基板を一体的に形成した状態の斜視図である。

【図１２】クワッド型ハイブリッド集積回路装置を下面
から見たときの斜視図である。

【図１３】クワッド型ハイブリッド集積回路装置に使用
する回路基板を一体的に形成した状態の斜視図である。

【図１４】図１３のXIV −XIV 視拡大断面図である。

【符号の説明】

１，１ａ ハイブリッド集積回路装置 ２ 回路基板 ３ 脚部 ４ 回路基板の平面部 ５，６ 回路パターン ７，８ 電子部品 ９ 端子電極パターン １０ 凹み溝 １１ 端子電極パターン形成部 １２，１３ フォトレジスト用ドライフィルム １４ 回路パターン用抜き窓 １５，１６ ブレイク用のＶ溝型筋目線

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】トランジスター等の各種電子部品を搭載す
   る平面部と、当該平面部に対する立ち上がり部又は垂れ
   下がり部とを備えた回路基板を合成樹脂の射出成形によ
   って形成し、該回路基板における平面部を、無電解メッ
   キ用触媒を配合した合成樹脂にて射出成形すると同時
   に、前記回路基板における立ち上がり部又は垂れ下がり
   部の表面に、無電解メッキ用触媒を配合した合成樹脂製
   の端子電極パターン形成部を射出成形し、次いで、全体
   に無電解メッキを施して、前記端子電極パターン形成部
   の表面に、端子電極パターンを形成する一方、前記平面
   部の表面に、フォトレジストを施し、マスクを用いて紫
   外線照射によりパターニングして、回路パターンを形成
   することを特徴とする合成樹脂製回路基板における導体
   パターンの形成方法。