JP3013133B2 - 複合リ−ドフレ−ム - Google Patents
複合リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JP3013133B2 JP3013133B2 JP28193393A JP28193393A JP3013133B2 JP 3013133 B2 JP3013133 B2 JP 3013133B2 JP 28193393 A JP28193393 A JP 28193393A JP 28193393 A JP28193393 A JP 28193393A JP 3013133 B2 JP3013133 B2 JP 3013133B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- tip
- inner lead
- lead frame
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超多ピン半導体装置に好
適なリードフレームに関する。
適なリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、例えば半導体チップ（以
下 チップという）をリードフレームのパッドに搭載
し、チップ端子とインナーリードとを細いワイヤーで溶
接接続し、その後、樹脂やセラミック等で封入し製造さ
れる。
下 チップという）をリードフレームのパッドに搭載
し、チップ端子とインナーリードとを細いワイヤーで溶
接接続し、その後、樹脂やセラミック等で封入し製造さ
れる。
【０００３】半導体装置は周知のように電子機器の中枢
材で、その技術的進歩は目覚ましく、高集積化、小型化
および高速化等を要請されている。
材で、その技術的進歩は目覚ましく、高集積化、小型化
および高速化等を要請されている。
【０００４】半導体装置用リードフレームは例えば１６
０ピン以上のものがプレスあるいはエッチングで製造さ
れるようになっている。係る超多ピンではリ−ドのピッ
チおよび幅が狭くなり、なかでもインナーリード先端部
はピッチ、幅とも極めて微細となるからエッチングで製
造されることが多い。
０ピン以上のものがプレスあるいはエッチングで製造さ
れるようになっている。係る超多ピンではリ−ドのピッ
チおよび幅が狭くなり、なかでもインナーリード先端部
はピッチ、幅とも極めて微細となるからエッチングで製
造されることが多い。
【０００５】半導体装置はその機能を長期にわたって安
定して発揮でき信頼性が高いことを要請されている。一
方、超多ピン化した半導体装置はチップが高密度、高集
積であるから使用時の発熱が多くなる。これを放熱し温
度上昇を抑制しないと前記信頼性を維持することができ
なくなる。温度上昇を防止するのに例えば特開昭６２−
８４５４１号公報に記載されているように、チップを搭
載したパッドの下面に放熱板を設けるものがあり、使用
時の温度上昇が抑制される効果がある。
定して発揮でき信頼性が高いことを要請されている。一
方、超多ピン化した半導体装置はチップが高密度、高集
積であるから使用時の発熱が多くなる。これを放熱し温
度上昇を抑制しないと前記信頼性を維持することができ
なくなる。温度上昇を防止するのに例えば特開昭６２−
８４５４１号公報に記載されているように、チップを搭
載したパッドの下面に放熱板を設けるものがあり、使用
時の温度上昇が抑制される効果がある。
【０００６】ところで、超多ピンリードフレームはエッ
チングで製造されることが前述のように多いが、エッチ
ングではサイドエッチング現象がありリ−ド幅が狭くな
る。特にインナーリード先端部のリ−ド幅が狭まりワイ
ヤ−ボンディングが難しくなるので、これを避けるよう
に例えば特開平３−２８３６４４号公報に記載のように
素材金属板の板厚を部分的に薄くした後、該薄肉部分に
インナーリードあるいはインナーリード先端部を形成す
る所謂ハ−フエッチングにより、サイドエッチング現象
を減らしリ−ド幅の狭小化を防止している。
チングで製造されることが前述のように多いが、エッチ
ングではサイドエッチング現象がありリ−ド幅が狭くな
る。特にインナーリード先端部のリ−ド幅が狭まりワイ
ヤ−ボンディングが難しくなるので、これを避けるよう
に例えば特開平３−２８３６４４号公報に記載のように
素材金属板の板厚を部分的に薄くした後、該薄肉部分に
インナーリードあるいはインナーリード先端部を形成す
る所謂ハ−フエッチングにより、サイドエッチング現象
を減らしリ−ド幅の狭小化を防止している。
【０００７】
【この発明が解決しようとする課題】超多ピンのリード
フレームの製造には前記方法がそれなりの作用効果があ
るが、しかし、インナーリードあるいはインナーリード
先端部は板厚を薄くされ機械的強度が低下し変形し易く
なっている。このため例えばワイヤ−ボンディングの際
に前だれ、あるいはボンディング後に、ワイヤ−を切断
する際、その力がインナーリード先端部に掛かり曲がる
ことがある。
フレームの製造には前記方法がそれなりの作用効果があ
るが、しかし、インナーリードあるいはインナーリード
先端部は板厚を薄くされ機械的強度が低下し変形し易く
なっている。このため例えばワイヤ−ボンディングの際
に前だれ、あるいはボンディング後に、ワイヤ−を切断
する際、その力がインナーリード先端部に掛かり曲がる
ことがある。
【０００８】また、インナーリードあるいはインナーリ
ード先端部のリ−ド幅は前記ハ−フエッチングにより狭
小化が避けられているものの、例えば２００ピン以上の
超多ピンリードフレームではリ−ド幅を７０〜８０μｍ
確保することが難しく、ワイヤ−ボンディングを安定し
て高速にて行えるようするには更なる改良が必要であ
る。
ード先端部のリ−ド幅は前記ハ−フエッチングにより狭
小化が避けられているものの、例えば２００ピン以上の
超多ピンリードフレームではリ−ド幅を７０〜８０μｍ
確保することが難しく、ワイヤ−ボンディングを安定し
て高速にて行えるようするには更なる改良が必要であ
る。
【０００９】エッチングで薄肉化した部分は板面が荒れ
ていて微小な凹凸を呈している。このためワイヤ−ボン
ディングの際、溶接接続エネルギ−が散乱し接続不良を
起こすことがある。
ていて微小な凹凸を呈している。このためワイヤ−ボン
ディングの際、溶接接続エネルギ−が散乱し接続不良を
起こすことがある。
【００１０】本発明は例えば２００ピン以上の超多ピン
のリードフレームであっても、インナーリードに広幅域
が確保されワイヤ−ボンディングを安定して確実にで
き、また変形を生ぜず、さらに、使用時の温度上昇を防
止できる複合リードフレームを目的とする。
のリードフレームであっても、インナーリードに広幅域
が確保されワイヤ−ボンディングを安定して確実にで
き、また変形を生ぜず、さらに、使用時の温度上昇を防
止できる複合リードフレームを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、インナ
ーリード先端部の板厚を他の部分より薄くしたリードフ
レームにおいて、インナーリードの先端部を千鳥状に配
設するとともに当該先端部に広幅を形成し、前記インナ
ーリード先端部の薄肉部分に絶縁性の接着材を介在させ
て放熱板または別体のパッドを固着しインナーリードを
固定支持した複合リードフレームにある。
ーリード先端部の板厚を他の部分より薄くしたリードフ
レームにおいて、インナーリードの先端部を千鳥状に配
設するとともに当該先端部に広幅を形成し、前記インナ
ーリード先端部の薄肉部分に絶縁性の接着材を介在させ
て放熱板または別体のパッドを固着しインナーリードを
固定支持した複合リードフレームにある。
【００１２】
【作用】本発明は、インナーリード先端部は板厚を薄く
した箇所に形成されてリードピッチを微細にできたうえ
に、その先端部は千鳥状に配置しているので、当該先端
部にワイヤーボンディングゾーンを広幅として確保でき
る。前記インナーリード先端部を形成した薄肉部分に、
絶縁性の接着材を介在させ放熱板または別体のパッドを
設けているので、当該インナーリード先端部は固定補強
されワイヤーボンデイングの際、接続不良を生じること
なく安定して高速にて溶接接続できる。さらに熱放機能
も兼備し半導体装置の信頼性が高まる。
した箇所に形成されてリードピッチを微細にできたうえ
に、その先端部は千鳥状に配置しているので、当該先端
部にワイヤーボンディングゾーンを広幅として確保でき
る。前記インナーリード先端部を形成した薄肉部分に、
絶縁性の接着材を介在させ放熱板または別体のパッドを
設けているので、当該インナーリード先端部は固定補強
されワイヤーボンデイングの際、接続不良を生じること
なく安定して高速にて溶接接続できる。さらに熱放機能
も兼備し半導体装置の信頼性が高まる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明について１実施例に基いて図
面を参照して詳細に説明する。図面において、１はイン
ナーリードで、チップを搭載するパッド２の周りに設け
られている。該インナーリード１は図３に示すように素
材金属板３の板厚をエッチング、化学研磨、電解研磨等
で薄くした部分４に形成されている。
面を参照して詳細に説明する。図面において、１はイン
ナーリードで、チップを搭載するパッド２の周りに設け
られている。該インナーリード１は図３に示すように素
材金属板３の板厚をエッチング、化学研磨、電解研磨等
で薄くした部分４に形成されている。
【００１４】インナーリード１の先端域１ａは図２のよ
うに千鳥状に配設し、該先端域１ａには広幅を形成して
いる。前記千鳥状とすることでリ−ドピッチは狭くでき
て多ピン化を図ったうえで、ワイヤ−ボンディングゾ−
ンとなる前記先端域１ａに幅広を形成でき、例えば２０
０ピン以上のリードフレームでも８０〜１２０μｍ幅を
確保できる。
うに千鳥状に配設し、該先端域１ａには広幅を形成して
いる。前記千鳥状とすることでリ−ドピッチは狭くでき
て多ピン化を図ったうえで、ワイヤ−ボンディングゾ−
ンとなる前記先端域１ａに幅広を形成でき、例えば２０
０ピン以上のリードフレームでも８０〜１２０μｍ幅を
確保できる。
【００１５】この実施例ではインナーリード１の中間部
から先端部を薄肉化部分４に形成しているが、インナー
リード１の全体を形成するようにしてもよい。
から先端部を薄肉化部分４に形成しているが、インナー
リード１の全体を形成するようにしてもよい。
【００１６】５はアウターリードで、インナーリード１
が連なっている。６はダムバ−で、インナーリード１よ
り内方をその後、樹脂封止する際に樹脂が外側に流出す
るのを阻止するものである。
が連なっている。６はダムバ−で、インナーリード１よ
り内方をその後、樹脂封止する際に樹脂が外側に流出す
るのを阻止するものである。
【００１７】７はサポ−トバ−で前記パッド２を支持し
ている。８はサイドレ−ル、９はガイドホ−ルである。
ている。８はサイドレ−ル、９はガイドホ−ルである。
【００１８】このリードフレームＬの製造はすべてエッ
チング法てもよいし、インナーリード１あるいはインナ
ーリード先端部はエッチング法で、他のリードパターン
はプレス法で形成してもよい。
チング法てもよいし、インナーリード１あるいはインナ
ーリード先端部はエッチング法で、他のリードパターン
はプレス法で形成してもよい。
【００１９】ところで、パッド２にはチップ９が図４で
示すように搭載され、インナーリード１とチップ端子が
ワイヤ−１０を介してボンディング例えば超音波法で溶
接接続されるが、インナーリード１の先端部は薄肉化部
分４に形成され機械的強度が弱く、当該溶接時の接触力
で前だれしたり、溶接後のワイヤ−切断の際に当該ワイ
ヤ−に掛かる引張り力でインナーリード１の先端部が引
き上げられ変形することがある。また前記薄肉化により
インナーリード１の先端部の下部に空間が存在したまま
であると、ワイヤ−ボンディング時に溶接熱が上がらず
接続不良を生じる。
示すように搭載され、インナーリード１とチップ端子が
ワイヤ−１０を介してボンディング例えば超音波法で溶
接接続されるが、インナーリード１の先端部は薄肉化部
分４に形成され機械的強度が弱く、当該溶接時の接触力
で前だれしたり、溶接後のワイヤ−切断の際に当該ワイ
ヤ−に掛かる引張り力でインナーリード１の先端部が引
き上げられ変形することがある。また前記薄肉化により
インナーリード１の先端部の下部に空間が存在したまま
であると、ワイヤ−ボンディング時に溶接熱が上がらず
接続不良を生じる。
【００２０】係ることがないように、図４のようにイン
ナーリード１の先端部の下部に絶縁性の接着材１１を介
在させて放熱板１２を設け、インナーリード先端部を固
定している。これでインナーリード１の先端部はワイヤ
−ボンディングの際に変形を生じることがない。またイ
ンナーリード１の先端部下方の空間は埋められ接続不良
を生じない。
ナーリード１の先端部の下部に絶縁性の接着材１１を介
在させて放熱板１２を設け、インナーリード先端部を固
定している。これでインナーリード１の先端部はワイヤ
−ボンディングの際に変形を生じることがない。またイ
ンナーリード１の先端部下方の空間は埋められ接続不良
を生じない。
【００２１】この実施例ではリードフレームＬはパッド
２を一体的に形成しているが、これに限らず図５に示す
ように別体で形成したパッド２を、接着材１１を介在さ
せてインナーリード１の先端部の下方に設け固定するよ
うにしてもよい。
２を一体的に形成しているが、これに限らず図５に示す
ように別体で形成したパッド２を、接着材１１を介在さ
せてインナーリード１の先端部の下方に設け固定するよ
うにしてもよい。
【００２２】また、インナーリード１の先端部と前記放
熱板１２または別体のパッド２の接着材１１としては両
面接着テ−プ等も採用できる。
熱板１２または別体のパッド２の接着材１１としては両
面接着テ−プ等も採用できる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は板厚を薄くした領域にインナー
リード先端部を形成し多ピンとしているとともに、当該
インナーリードの先端部を千鳥状に配置しているので、
先端部に広幅を形成できワイヤーボンディングゾーンの
リード幅が広まる。
リード先端部を形成し多ピンとしているとともに、当該
インナーリードの先端部を千鳥状に配置しているので、
先端部に広幅を形成できワイヤーボンディングゾーンの
リード幅が広まる。
【００２４】また、インナーリード先端部は接着材を介
在させて放熱板、または別体のパッドで固定支持されて
いるので変形せす、前記先端部の広幅と相乗して、ワイ
ヤーボンディング作業が接続不良を生じることなく確実
に高速下にできる。
在させて放熱板、または別体のパッドで固定支持されて
いるので変形せす、前記先端部の広幅と相乗して、ワイ
ヤーボンディング作業が接続不良を生じることなく確実
に高速下にできる。
【００２５】また、放熱板を前述のように設けるので、
高密度のチップを搭載した半導体装置の使用時の発熱は
放散され長時間にわたって機能が維持され信頼性が優れ
る。
高密度のチップを搭載した半導体装置の使用時の発熱は
放散され長時間にわたって機能が維持され信頼性が優れ
る。
【図１】本発明の１実施例におけるリードフレームを示
す図。
す図。
【図２】本発明の１実施例におけるインナーリードの配
設を拡大して示す図。
設を拡大して示す図。
【図３】本発明の１実施例におけるリードフレームの断
面を示す図。
面を示す図。
【図４】本発明の１実施例において放熱板を設けた複合
リードフレームを示す図。
リードフレームを示す図。
【図５】本発明の他の実施例で別体のパッドを複合した
リードフレームを示す図。
リードフレームを示す図。
１ インナーリード ２ パッド ３ 素材金属板 ４ 薄肉化部分 ５ アウターリード ６ ダムバ− ７ サポ−トバ− ８ サイドレ−ル ９ チップ １０ ワイヤ− １１ 接着材 １２ 放熱板 Ｌ リードフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−162469（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−219663（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (1)
- 【請求項１】 インナーリード先端部の板厚を他の部分
より薄くしたリードフレームにおいて、インナーリード
の先端部を千鳥状に配設するとともに当該先端部に広幅
を形成し、前記インナーリード先端部の薄肉部分に絶縁
性の接着材を介在させて放熱板または別体のパッドを固
着したことを特徴とする複合リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28193393A JP3013133B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 複合リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28193393A JP3013133B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 複合リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115164A JPH07115164A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3013133B2 true JP3013133B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=17645962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28193393A Expired - Fee Related JP3013133B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 複合リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013133B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP28193393A patent/JP3013133B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07115164A (ja) | 1995-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8102035B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPH11340409A (ja) | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11307675A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3403699B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH07161876A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその製造に用いるモールド金型 | |
| JP3427492B2 (ja) | 凸型ヒートシンク付き半導体装置及びその凸型ヒートシンクの製造方法 | |
| JP3013133B2 (ja) | 複合リ−ドフレ−ム | |
| JPH098186A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP2570645B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61183936A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60120543A (ja) | 半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| JP3151324B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11260989A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2852112B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0745776A (ja) | 複合リ−ドフレ−ム | |
| JPH04155854A (ja) | 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム | |
| JP3229816B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH10200036A (ja) | 集積回路用超ファインピッチリードフレーム | |
| JP2000196005A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3528711B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| US20230369179A1 (en) | Semiconductor device | |
| JP3210456B2 (ja) | 金属ワイヤにおけるボールの形成方法 | |
| WO2022196278A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3115770B2 (ja) | リ−ドフレームの製造方法 | |
| JPH032345B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |