JP3013133B2 - 複合リ−ドフレ−ム - Google Patents
複合リ−ドフレ−ムInfo
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- JP3013133B2 JP3013133B2 JP5281933A JP28193393A JP3013133B2 JP 3013133 B2 JP3013133 B2 JP 3013133B2 JP 5281933 A JP5281933 A JP 5281933A JP 28193393 A JP28193393 A JP 28193393A JP 3013133 B2 JP3013133 B2 JP 3013133B2
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- lead frame
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
適なリードフレームに関する。
下 チップという)をリードフレームのパッドに搭載
し、チップ端子とインナーリードとを細いワイヤーで溶
接接続し、その後、樹脂やセラミック等で封入し製造さ
れる。
材で、その技術的進歩は目覚ましく、高集積化、小型化
および高速化等を要請されている。
0ピン以上のものがプレスあるいはエッチングで製造さ
れるようになっている。係る超多ピンではリ−ドのピッ
チおよび幅が狭くなり、なかでもインナーリード先端部
はピッチ、幅とも極めて微細となるからエッチングで製
造されることが多い。
定して発揮でき信頼性が高いことを要請されている。一
方、超多ピン化した半導体装置はチップが高密度、高集
積であるから使用時の発熱が多くなる。これを放熱し温
度上昇を抑制しないと前記信頼性を維持することができ
なくなる。温度上昇を防止するのに例えば特開昭62−
84541号公報に記載されているように、チップを搭
載したパッドの下面に放熱板を設けるものがあり、使用
時の温度上昇が抑制される効果がある。
チングで製造されることが前述のように多いが、エッチ
ングではサイドエッチング現象がありリ−ド幅が狭くな
る。特にインナーリード先端部のリ−ド幅が狭まりワイ
ヤ−ボンディングが難しくなるので、これを避けるよう
に例えば特開平3−283644号公報に記載のように
素材金属板の板厚を部分的に薄くした後、該薄肉部分に
インナーリードあるいはインナーリード先端部を形成す
る所謂ハ−フエッチングにより、サイドエッチング現象
を減らしリ−ド幅の狭小化を防止している。
フレームの製造には前記方法がそれなりの作用効果があ
るが、しかし、インナーリードあるいはインナーリード
先端部は板厚を薄くされ機械的強度が低下し変形し易く
なっている。このため例えばワイヤ−ボンディングの際
に前だれ、あるいはボンディング後に、ワイヤ−を切断
する際、その力がインナーリード先端部に掛かり曲がる
ことがある。
ード先端部のリ−ド幅は前記ハ−フエッチングにより狭
小化が避けられているものの、例えば200ピン以上の
超多ピンリードフレームではリ−ド幅を70〜80μm
確保することが難しく、ワイヤ−ボンディングを安定し
て高速にて行えるようするには更なる改良が必要であ
る。
ていて微小な凹凸を呈している。このためワイヤ−ボン
ディングの際、溶接接続エネルギ−が散乱し接続不良を
起こすことがある。
のリードフレームであっても、インナーリードに広幅域
が確保されワイヤ−ボンディングを安定して確実にで
き、また変形を生ぜず、さらに、使用時の温度上昇を防
止できる複合リードフレームを目的とする。
ーリード先端部の板厚を他の部分より薄くしたリードフ
レームにおいて、インナーリードの先端部を千鳥状に配
設するとともに当該先端部に広幅を形成し、前記インナ
ーリード先端部の薄肉部分に絶縁性の接着材を介在させ
て放熱板または別体のパッドを固着しインナーリードを
固定支持した複合リードフレームにある。
した箇所に形成されてリードピッチを微細にできたうえ
に、その先端部は千鳥状に配置しているので、当該先端
部にワイヤーボンディングゾーンを広幅として確保でき
る。前記インナーリード先端部を形成した薄肉部分に、
絶縁性の接着材を介在させ放熱板または別体のパッドを
設けているので、当該インナーリード先端部は固定補強
されワイヤーボンデイングの際、接続不良を生じること
なく安定して高速にて溶接接続できる。さらに熱放機能
も兼備し半導体装置の信頼性が高まる。
面を参照して詳細に説明する。図面において、1はイン
ナーリードで、チップを搭載するパッド2の周りに設け
られている。該インナーリード1は図3に示すように素
材金属板3の板厚をエッチング、化学研磨、電解研磨等
で薄くした部分4に形成されている。
うに千鳥状に配設し、該先端域1aには広幅を形成して
いる。前記千鳥状とすることでリ−ドピッチは狭くでき
て多ピン化を図ったうえで、ワイヤ−ボンディングゾ−
ンとなる前記先端域1aに幅広を形成でき、例えば20
0ピン以上のリードフレームでも80〜120μm幅を
確保できる。
から先端部を薄肉化部分4に形成しているが、インナー
リード1の全体を形成するようにしてもよい。
が連なっている。6はダムバ−で、インナーリード1よ
り内方をその後、樹脂封止する際に樹脂が外側に流出す
るのを阻止するものである。
ている。8はサイドレ−ル、9はガイドホ−ルである。
チング法てもよいし、インナーリード1あるいはインナ
ーリード先端部はエッチング法で、他のリードパターン
はプレス法で形成してもよい。
示すように搭載され、インナーリード1とチップ端子が
ワイヤ−10を介してボンディング例えば超音波法で溶
接接続されるが、インナーリード1の先端部は薄肉化部
分4に形成され機械的強度が弱く、当該溶接時の接触力
で前だれしたり、溶接後のワイヤ−切断の際に当該ワイ
ヤ−に掛かる引張り力でインナーリード1の先端部が引
き上げられ変形することがある。また前記薄肉化により
インナーリード1の先端部の下部に空間が存在したまま
であると、ワイヤ−ボンディング時に溶接熱が上がらず
接続不良を生じる。
ナーリード1の先端部の下部に絶縁性の接着材11を介
在させて放熱板12を設け、インナーリード先端部を固
定している。これでインナーリード1の先端部はワイヤ
−ボンディングの際に変形を生じることがない。またイ
ンナーリード1の先端部下方の空間は埋められ接続不良
を生じない。
2を一体的に形成しているが、これに限らず図5に示す
ように別体で形成したパッド2を、接着材11を介在さ
せてインナーリード1の先端部の下方に設け固定するよ
うにしてもよい。
熱板12または別体のパッド2の接着材11としては両
面接着テ−プ等も採用できる。
リード先端部を形成し多ピンとしているとともに、当該
インナーリードの先端部を千鳥状に配置しているので、
先端部に広幅を形成できワイヤーボンディングゾーンの
リード幅が広まる。
在させて放熱板、または別体のパッドで固定支持されて
いるので変形せす、前記先端部の広幅と相乗して、ワイ
ヤーボンディング作業が接続不良を生じることなく確実
に高速下にできる。
高密度のチップを搭載した半導体装置の使用時の発熱は
放散され長時間にわたって機能が維持され信頼性が優れ
る。
す図。
設を拡大して示す図。
面を示す図。
リードフレームを示す図。
リードフレームを示す図。
Claims (1)
- 【請求項1】 インナーリード先端部の板厚を他の部分
より薄くしたリードフレームにおいて、インナーリード
の先端部を千鳥状に配設するとともに当該先端部に広幅
を形成し、前記インナーリード先端部の薄肉部分に絶縁
性の接着材を介在させて放熱板または別体のパッドを固
着したことを特徴とする複合リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5281933A JP3013133B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 複合リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5281933A JP3013133B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 複合リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115164A JPH07115164A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3013133B2 true JP3013133B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=17645962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5281933A Expired - Fee Related JP3013133B2 (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 複合リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013133B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP5281933A patent/JP3013133B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07115164A (ja) | 1995-05-02 |
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