JP3010953B2 - パワーオンリセット回路 - Google Patents

パワーオンリセット回路

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JP3010953B2
JP3010953B2 JP5017150A JP1715093A JP3010953B2 JP 3010953 B2 JP3010953 B2 JP 3010953B2 JP 5017150 A JP5017150 A JP 5017150A JP 1715093 A JP1715093 A JP 1715093A JP 3010953 B2 JP3010953 B2 JP 3010953B2
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resistor
amplifier
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はパワーオンリセット回路
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のパワーオンリセット回路は、図5
に示されるように、抵抗17、18および21と、ダイ
オード19、20、22および23とを含む基準電圧回
路16と、基準電圧回路16より出力される基準電圧信
号を入力してリセット信号を出力する増幅器24とを備
えて構成される。また、図6に示されるのは、高電位側
電源電圧Vccの変化に対応する各節点A、BおよびCに
おける電圧VA 、VB およびVC の変化を示す図であ
る。図5の従来例において、電源電圧Vccのレベルを上
昇させてゆくと、節点A、BおよびCにおける電圧
A 、VB およびVC は、図6に示されるように変化す
る。Vccが0からリセット電圧VR に変化する範囲にお
いては、VB >VC であり、この状態においては、増幅
器24からは“H”レベルのリセット信号が出力され
て、内部回路が初期化される。電源電圧Vccがリセット
電圧VR を越えて上昇すると、VB <VC となり、この
状態においては、増幅器24からは“L”レベルの信号
が出力されて、内部回路の初期化が解除される。なお、
この従来のパワーオンリセット回路においては、基準電
圧回路16を構成する抵抗17、18および21と、ダ
イオード19、20、22および23との組合わせによ
り、増幅器24より出力されるリセット電圧VR の温度
補償が行われている。
【0003】一般に、ダイオードの起電圧VF は、ダイ
オードに流れる電流をIとし、飽和電流をIS 、温度を
T、電子の電荷量をq、ポルツマン定数をkとすると、
次式により表わされる。
【0004】 VF =(kT/q)ln (I/IS ) …………………
…(1) 今、ダイオード22および23に流れる電流をIB
し、ダイオード19および20に流れる電流をIC とす
ると、上記(1) 式より、ダイオード22または23のV
FB、ダイオード19または20のVFCは、それぞれ次式
により表わされる。
【0005】 VFB=(kT/q)l(IB /IS )…………………
…(2) VFC=(kT/q)l(IC /IS )…………………
…(3) 従来のパワーオンリセット回路において、電源電圧がV
R の時にはVA =VBとなるため、抵抗18の抵抗値を
18として、(2) 式および(3) 式により次式が成立つ。
【0006】 IC ・R18=2(VFB−VFC) =2(kT/q)・〔l(IB /IS ) −l(IC /IS )〕 =2(kT/q)l(IB /IC )…………(4) また、VA =VB より、抵抗16および21の抵抗値
を、それぞれR16およびR21として次式も成立つ。
【0007】 IC /IB =R21/R17 …………………………………(5) 従って、上記の(4) 式および(5) 式より次式が得られ
る。
【0008】 IB ・R21=2(kT/q)・(R17/R18)・l(R17/R21) ………………(6) ここにおいて、電源電圧がVR の時には、VR は次式に
より表わされる。
【0009】 VR =2VFB+IB 21 …………………………………(7) 従って、VR は、(6) 式および(7) 式を参照して次式に
より与えられる。
【0010】 VR =2〔VFB+(kT/q)・(R17/R18)・l(R17/R21)〕 ………………(8) 温度Tに対するVR の特性変化は、上記(8) 式より次式
により得られる。
【0011】 ΔVR /ΔT =2〔ΔVFB/ΔT+(kT/q)・(R17/R18)・l(R17/R21)〕 ………………(9) 上式において、ΔVFB/ΔTは順方向ダイオードの温度
係数であり、一般的に−2.3×10-3(V/Co )の
負の温度係数になることが分っている。電子の電荷量q
は、q=1.602×10-19 (C)であり、従って、
(9) 式より次式が得られる。
【0012】 ΔVR /ΔT =2〔−2.3×10-13 +0.086×10-3(R17/R18)・l(R17/R21)〕 ……………(10) (10)式より、次式が成立つ時に、ΔVR /ΔT=0とな
る。
【0013】 (R17/R18)・l(R17/R21)=2.3/0.086 ≒26.7………(11) 従って、上記(11)式が成立つように抵抗17、18およ
び21の抵抗値を選択すれば、リセット電圧VR は温度
変化に影響されることなく、常にVR ≒4VFBとなる。
【0014】図7は、この従来のパワーオンリセット回
路における節点A、BおよびCにおける電圧レベルを、
抵抗17、18および21の抵抗値を、それぞれ1M
Ω、258kΩおよび1kΩとして、シミュレーション
により求めた結果である。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のパワー
オンリセット回路においては、温度補償されたリセット
電圧VR は、基準電圧回路内部に直列接続されたダイオ
ードの起電圧VFBと、直列接続されたダイオードの個数
nによりVR =2nVFBとして表わされ、VFBの整数倍
の電圧となって固定化されるために、所定の内部回路の
初期化に対応するパワーオンリセット回路の運用上、温
度補償されたリセット電圧VR の電圧値を任意に設定す
ることができず、また当該電圧値を連続的に変化させる
ことができないという使用上の欠点がある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明のパワーオンリセ
ット回路は、高電位電源と低電位電源との間に直列接続
される第1および第2の抵抗と、前記高電位電源および
前記低電位電源より電源を供給され、正相側入力端が前
記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点に接続され
て、逆相側入力端が当該増幅出力端に接続される第1の
増幅器とを備え、前記第1の増幅器の増幅出力端より可
変電源電圧を出力する電源供給回路と、前記第1の増幅
器の増幅出力端と前記低電位電源との間に直列接続され
る第3および第4の抵抗ならびに順方向に直列接続され
る少なくとも1個以上の第1のダイオードと、前記第1
の増幅器の増幅出力端と前記低電位電源との間に直列接
続される第5の抵抗ならびに順方向に直列接続される少
なくとも1個以上の第2のダイオードとを備えて構成さ
れる基準電圧回路と、前記高電位電源および前記低電位
電源より電源を供給され、正相側入力端が前記第5の抵
抗と前記第2のダイオードとの接続点に接続されるとと
もに、逆相側入力端が前記第3の抵抗と前記第4の抵抗
との接続点に接続されて、増幅出力端より電圧レベル可
変のリセット信号を出力する第2の増幅器と、を備えて
構成される。
【0017】なお、前記電源供給回路は、前記前記高電
位電源および前記低電位電源より電源を供給されて、前
記基準電圧回路に対し可変電源電圧を供給する昇圧回路
により構成してもよい。
【0018】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0019】図1は本発明の第1の実施例を示す回路図
である。図1に示されるように、本実施例は、抵抗2お
よび3と、増幅器4を含む電源供給回路1と、抵抗6、
7および10と、ダイオード8、9、11および12を
含む基準電圧回路5と、増幅器13とを備えて構成され
る。また、図3に示されるのは、本実施例において、電
源電圧VDDの変化に対する各節点A、B、CおよびDに
おける電圧VA 、VB、VC およびVD の変化特性を示
す図である。
【0020】図1において、電源電圧VDDのレベルを上
昇させてゆくと、節点A、B、CおよびDには、図3に
示されるように、それぞれ電圧VA 、VB 、VC および
Dが出力される。従来例の場合と同様に、電源電圧V
DDが0からリセット電圧VRに上昇するまでの範囲内に
おいては、増幅器13からは、内部回路(図示されな
い)に対して“H”レベルのリセット信号が出力され、
これにより、内部回路は初期化される。そして、更に電
源電圧VDDがリセット電圧VR 以上に上昇すると、増幅
器13の出力は“L”レベルに転移し、これにより前記
内部回路における初期化は解除される。本実施例におい
て、電源電圧VDDがリセット電圧VR に等しくなった時
点においては、節点Aにおける電圧VA は、ダイオード
11または12の起電圧VFBの2倍の更に2倍、即ち4
FBの電圧レベルになっている。この時には、電源供給
回路1においては、増幅器4の増幅度は0dBであり、
従っ節点Eにおける電圧VE は、節点Aにおける電圧V
A と同電位の4VFBになっている。また、節点Dと節点
Eとの間に接続される抵抗2に印加される電圧をVDE
すると、リセット電圧はVR =VDE+4VFBとなる。即
ち、電源供給回路1の内部に含まれる抵抗2と抵抗3の
抵抗値の比率を変えることにより電圧VDEのレベルを変
化させて、リセット電圧VR のレベルを任意の値に設定
することが可能となる。しかも、リセット電圧VR のレ
ベルを連続的に変化させることも可能である。
【0021】次に、図2は本発明の第2の実施例を示す
回路図である。図2に示されるように、本実施例は、抵
抗2および3と、昇圧回路15を含む電源供給回路14
と、前述の第1の実施例と同様に、抵抗6、7および1
0と、ダイオード8、9、11および12を含む基準電
圧回路5と、増幅器13とを備えて構成される。本実施
例においては、電源供給回路1は、チャージポンプ式等
の一般的に使用されている昇圧回路15を用いて構成さ
れており、この昇圧回路15により、リセット電圧VR
が任意の値に設定される。しかも、リセット電圧VR
連続的に変化させることも可能である。
【0022】なお、図4に示されるのは、前述の第1の
実施例のパワーオンリセット回路における節点A、B、
C、DおよびEにおける電圧レベルを、抵抗2、3、
6、7および10の抵抗値を、それぞれ1MΩ、4M
Ω、1MΩ、258kΩおよび1kΩとして、シミュレ
ーションにより求めた結果である。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、温度補
償されたリセット電圧を発生する基準電圧回路に対し、
可変電源電圧を供給する電源供給回路を備えることによ
り、前記基準電圧回路より出力されるリセット電圧を任
意の電圧値に設定し、または連続的に変化させることが
可能となり、これにより、温度補償された任意のリセッ
ト電圧により、所定の内部回路を初期化することができ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す回路図である。
【図3】第1の実施例の電源電圧変化に対する各節点の
電圧変化を示す図である。
【図4】第1の実施例の電源電圧変化に対する各節点の
電圧変化のシミュレーション結果を示す図である。
【図5】従来例を示す回路図である。
【図6】従来例の電源電圧変化に対する各節点の電圧変
化を示す図である。
【図7】従来例の電源電圧変化に対する各節点の電圧変
化のシミュレーション結果を示す図である。
【符号の説明】
1、14 電源供給回路 2、3、6、7、10、17、18、21 抵抗 4、13、24 増幅器 5、16 基準電圧回路 8、9、11、12、19、20、22、23 ダイ
オード 15 昇圧回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 17/22 H03K 17/14

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高電位電源と低電位電源との間に直列接
    続される第1および第2の抵抗と、前記高電位電源およ
    び前記低電位電源より電源を供給され、正相側入力端が
    前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点に接続され
    て、逆相側入力端が当該増幅出力端に接続される第1の
    増幅器とを備え、前記第1の増幅器の増幅出力端より可
    変電源電圧を出力する電源供給回路と、 前記第1の増幅器の増幅出力端と前記低電位電源との間
    に直列接続される第3および第4の抵抗ならびに順方向
    に直列接続される少なくとも1個以上の第1のダイオー
    ドと、前記第1の増幅器の増幅出力端と前記低電位電源
    との間に直列接続される第5の抵抗ならびに順方向に直
    列接続される少なくとも1個以上の第2のダイオードと
    を備えて構成される基準電圧回路と、 前記高電位電源および前記低電位電源より電源を供給さ
    れ、正相側入力端が前記第5の抵抗と前記第2のダイオ
    ードとの接続点に接続されるとともに、逆相側入力端が
    前記第3の抵抗と前記第4の抵抗との接続点に接続され
    て、増幅出力端より電圧レベル可変のリセット信号を出
    力する第2の増幅器と、 を備えることを特徴とするパワーオンリセット回路。
  2. 【請求項2】 前記電源供給回路が、前記高電位電源お
    よび前記低電位電源より電源を供給されて、前記基準電
    圧回路に対し可変電源電圧を供給する昇圧回路により構
    成される請求項1記載のパワーオンリセット回路。
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