JP3003875B2 - フォトセンサの製造方法 - Google Patents
フォトセンサの製造方法Info
- Publication number
- JP3003875B2 JP3003875B2 JP3008100A JP810091A JP3003875B2 JP 3003875 B2 JP3003875 B2 JP 3003875B2 JP 3008100 A JP3008100 A JP 3008100A JP 810091 A JP810091 A JP 810091A JP 3003875 B2 JP3003875 B2 JP 3003875B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensor
- light
- light receiving
- photosensors
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体分離法によって
多数のフォトセンサをウェハ上に形成するフォトセンサ
の製造方法に関するものである。
多数のフォトセンサをウェハ上に形成するフォトセンサ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フォトＭＯＳリレーの受光素
子などに用いる太陽電池を、誘電体分離法によって製造
する方法が知られている。誘電体分離法では、図２に示
すように、シリコンウェハ１１の表面に異方性エッチン
グを施してＶ字状の溝１２を形成した後（図２のａ）、
シリコンウェハ１１の表面にＳｉＯ2よりなる誘電体層
１３を形成する（図２のｂ）。次に、誘電体層１３を挟
んでシリコンウェハ１１の反対側にポリシリコンの基板
１４を形成し（図２のｃ）、シリコンウェハ１１を研磨
すれば（研磨によって除去された部分を図２のｄに想像
線で示す）、誘電体層１３によって分離された多数の素
子１５を形成することができる（図２のｅ）。その後、
基板１４を切断して各素子１５を分離すれば多数の素子
１５を一度に製造することができるのである。
子などに用いる太陽電池を、誘電体分離法によって製造
する方法が知られている。誘電体分離法では、図２に示
すように、シリコンウェハ１１の表面に異方性エッチン
グを施してＶ字状の溝１２を形成した後（図２のａ）、
シリコンウェハ１１の表面にＳｉＯ2よりなる誘電体層
１３を形成する（図２のｂ）。次に、誘電体層１３を挟
んでシリコンウェハ１１の反対側にポリシリコンの基板
１４を形成し（図２のｃ）、シリコンウェハ１１を研磨
すれば（研磨によって除去された部分を図２のｄに想像
線で示す）、誘電体層１３によって分離された多数の素
子１５を形成することができる（図２のｅ）。その後、
基板１４を切断して各素子１５を分離すれば多数の素子
１５を一度に製造することができるのである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、素子１５が
太陽電池などのフォトセンサである場合には、次のよう
な問題が生じる。すなわち、シリコンウェハ１１は図３
のように反っていることがあり、研磨の際には平面に研
磨されるから、図４に示すように、シリコンウェハ１１
の中央部に比較して周部では素子１５の面積が小さくな
るのである（中央部を破線で示し、周部を実線で示して
ある）。その結果、素子１５がフォトセンサであると、
１枚のシリコンウェハ１１を用いて形成した各素子１５
の受光面積が異なるという問題が生じる。太陽電池の場
合には、短絡電流が受光面積に比例するから、受光素子
の面積が異なると素子１５の特性が異なるという問題が
生じる。その結果、フォトＭＯＳリレーに用いるときに
はスイッチングの応答時間にばらつきが生じるという問
題が生じる。
太陽電池などのフォトセンサである場合には、次のよう
な問題が生じる。すなわち、シリコンウェハ１１は図３
のように反っていることがあり、研磨の際には平面に研
磨されるから、図４に示すように、シリコンウェハ１１
の中央部に比較して周部では素子１５の面積が小さくな
るのである（中央部を破線で示し、周部を実線で示して
ある）。その結果、素子１５がフォトセンサであると、
１枚のシリコンウェハ１１を用いて形成した各素子１５
の受光面積が異なるという問題が生じる。太陽電池の場
合には、短絡電流が受光面積に比例するから、受光素子
の面積が異なると素子１５の特性が異なるという問題が
生じる。その結果、フォトＭＯＳリレーに用いるときに
はスイッチングの応答時間にばらつきが生じるという問
題が生じる。
【０００４】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、受光面積が等しくなるようにして各フォトセ
ンサの特性のばらつきを防止したフォトセンサの製造方
法を提供しようとするものである。
のであり、受光面積が等しくなるようにして各フォトセ
ンサの特性のばらつきを防止したフォトセンサの製造方
法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、誘電体分離法により基板上に多数のフ
ォトセンサを形成した後、各フォトセンサの境界線に沿
う形で各フォトセンサの受光面の露出面積が等しくなる
ように受光面の一部を遮光する遮光層を各フォトセンサ
の電極材料にて該電極と同時形成するのである。
達成するために、誘電体分離法により基板上に多数のフ
ォトセンサを形成した後、各フォトセンサの境界線に沿
う形で各フォトセンサの受光面の露出面積が等しくなる
ように受光面の一部を遮光する遮光層を各フォトセンサ
の電極材料にて該電極と同時形成するのである。
【０００６】
【作用】上記構成によれば、遮光層を各フォトセンサの
電極材料にて該電極と同時形成することによって受光面
の露出面積を規制するから、誘電体分離法によってフォ
トセンサを形成した状態では各フォトセンサの受光面積
にばらつきがあるとしても、遮光層を形成したことによ
って各フォトセンサの受光面積を等しくすることがで
き、低コストで各フォトセンサの特性のばらつきを抑制
することができるのである。
電極材料にて該電極と同時形成することによって受光面
の露出面積を規制するから、誘電体分離法によってフォ
トセンサを形成した状態では各フォトセンサの受光面積
にばらつきがあるとしても、遮光層を形成したことによ
って各フォトセンサの受光面積を等しくすることがで
き、低コストで各フォトセンサの特性のばらつきを抑制
することができるのである。
【０００７】
【実施例】本実施例では、フォトセンサが太陽電池であ
る例を示すが、フォトトライアックなどの他のフォトセ
ンサについても本発明の方法が採用できるのはもちろん
のことである。各太陽電池１は、基本的には図２に示し
た誘電体分離法によって形成される。その後、図１に示
すように、各太陽電池１に、アルミニウムの薄膜による
電極３が形成される。このとき同時に、太陽電池１の受
光面の一部を覆うようにアルミニウムの薄膜による遮光
層２を形成する。すなわち、遮光層２を形成するために
作業工程が増加することはないのである。遮光層２は、
基板１４（図２参照）の上に形成された各太陽電池１の
受光面の露出面積が等しくなるように形成される。この
条件を満たすために、遮光層２からの各太陽電池１の受
光面の露出面積は、基板１４の上で受光面積が最小にな
る太陽電池１の受光面積よりもやや小さくなる程度に設
定される。
る例を示すが、フォトトライアックなどの他のフォトセ
ンサについても本発明の方法が採用できるのはもちろん
のことである。各太陽電池１は、基本的には図２に示し
た誘電体分離法によって形成される。その後、図１に示
すように、各太陽電池１に、アルミニウムの薄膜による
電極３が形成される。このとき同時に、太陽電池１の受
光面の一部を覆うようにアルミニウムの薄膜による遮光
層２を形成する。すなわち、遮光層２を形成するために
作業工程が増加することはないのである。遮光層２は、
基板１４（図２参照）の上に形成された各太陽電池１の
受光面の露出面積が等しくなるように形成される。この
条件を満たすために、遮光層２からの各太陽電池１の受
光面の露出面積は、基板１４の上で受光面積が最小にな
る太陽電池１の受光面積よりもやや小さくなる程度に設
定される。
【０００８】遮光層２を形成すれば、受光面積の等しい
多数の太陽電池１を得ることができる。すなわち、各太
陽電池１の短絡電流を等しくすることができるのであ
り、フォトＭＯＳリレー、フォトカプラなどに用いたと
きに、スイッチングの応答時間のばらつきを抑制できる
のである。
多数の太陽電池１を得ることができる。すなわち、各太
陽電池１の短絡電流を等しくすることができるのであ
り、フォトＭＯＳリレー、フォトカプラなどに用いたと
きに、スイッチングの応答時間のばらつきを抑制できる
のである。
【０００９】
【発明の効果】本発明は上述のように、誘電体分離法に
より基板上に多数のフォトセンサを形成した後、各フォ
トセンサの境界線に沿う形で各フォトセンサの受光面の
露出面積が等しくなるように受光面の一部を遮光する遮
光層を各フォトセンサの電極材料にて該電極と同時形成
することによって受光面の露出面積を規制しているの
で、誘電体分離法によってフォトセンサを形成した状態
では各フォトセンサの受光面積にばらつきがあるとして
も、遮光層を形成したことによって各フォトセンサの受
光面積を等しくすることができ、低コストで各フォトセ
ンサの特性のばらつきを抑制することができるという利
点がある。
より基板上に多数のフォトセンサを形成した後、各フォ
トセンサの境界線に沿う形で各フォトセンサの受光面の
露出面積が等しくなるように受光面の一部を遮光する遮
光層を各フォトセンサの電極材料にて該電極と同時形成
することによって受光面の露出面積を規制しているの
で、誘電体分離法によってフォトセンサを形成した状態
では各フォトセンサの受光面積にばらつきがあるとして
も、遮光層を形成したことによって各フォトセンサの受
光面積を等しくすることができ、低コストで各フォトセ
ンサの特性のばらつきを抑制することができるという利
点がある。
【図１】実施例の一工程を示す説明図である。
【図２】本発明に係る誘電体分離法の工程説明図であ
る。
る。
【図３】従来例の問題点を示す説明図である。
【図４】従来例の問題点を示す説明図である。
１ 太陽電池 ２ 遮光層
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体分離法により基板上に多数のフォ
トセンサを形成した後、各フォトセンサの境界線に沿う
形で各フォトセンサの受光面の露出面積が等しくなるよ
うに受光面の一部を遮光する遮光層を各フォトセンサの
電極材料にて該電極と同時形成することを特徴とするフ
ォトセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008100A JP3003875B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | フォトセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3008100A JP3003875B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | フォトセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04250672A JPH04250672A (ja) | 1992-09-07 |
| JP3003875B2 true JP3003875B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=11683887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3008100A Expired - Lifetime JP3003875B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | フォトセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3003875B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101554968B (zh) * | 2009-05-14 | 2013-05-22 | 郑州市鑫宇机械制造有限公司 | 一种曳引式施工升降机及其渐进式防坠安全器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576303A (en) * | 1993-03-16 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo | Energy-supplementing saccharide source and its uses |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3008100A patent/JP3003875B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101554968B (zh) * | 2009-05-14 | 2013-05-22 | 郑州市鑫宇机械制造有限公司 | 一种曳引式施工升降机及其渐进式防坠安全器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04250672A (ja) | 1992-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100243881B1 (ko) | 반도체 기판 및 반도체장치의 제조방법 | |
| JP2003264310A (ja) | 受光素子内蔵型半導体装置の製造方法及び受光素子内蔵型半導体装置 | |
| JP3003875B2 (ja) | フォトセンサの製造方法 | |
| EP0037244B1 (en) | Method for fabricating a solid-state imaging device using photoconductive film | |
| JP2570264B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH08125166A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH07312426A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS59172764A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2534665B2 (ja) | 誘電体分離型半導体装置 | |
| JPH04263469A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6286854A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JPS63129661A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS644662B2 (ja) | ||
| JP3296352B2 (ja) | 光電変換装置、固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPS6345856A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR0166780B1 (ko) | 전하전송소자 제조방법 | |
| JPH0370184A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS62193277A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02264468A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR940008320B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| JP3247119B2 (ja) | イメージセンサー | |
| JPS631058A (ja) | 光センサ | |
| JPS6244411B2 (ja) | ||
| JPH01122158A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0444467B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991102 |