JP2993397B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置、特
に活性層の水平方向での閉じ込めが良好であり且つ閾値
電流（Ｉth）が比較的小さい半導体レーザ装置に関連す
る。
に活性層の水平方向での閉じ込めが良好であり且つ閾値
電流（Ｉth）が比較的小さい半導体レーザ装置に関連す
る。
【０００２】
【従来の技術】活性層の垂直方向で光の閉じ込めを行う
と共に、活性層の水平方向の実効屈折率を変えて水平方
向にも光の閉じ込めを可能とした屈折率導波機構を有す
る半導体レーザ装置は公知である。この種の半導体レー
ザ装置では、図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板
（1）の上面にｎ型ＧａＡｓバッファ層（2）、ｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層（3）、ノンドープ又は低不純物
濃度のＧａＩｎＰ活性層（4）及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層（5）が順次積層形成される。更に、ｐ型ク
ラッド層（5）には、部分的に突出する尾根状クラッド
層（7）が形成される。ｐ型クラッド層（5）上にのみＡ
ｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流ブロック層（6）が形成される。尾
根状クラッド層（7）の上面はｐ型ＧａＩｎＰコンタク
ト層（8）及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層（9）を介して
電極（10）に接続され、ＧａＡｓ基板（1）の下面には
電極（11）が形成される。
と共に、活性層の水平方向の実効屈折率を変えて水平方
向にも光の閉じ込めを可能とした屈折率導波機構を有す
る半導体レーザ装置は公知である。この種の半導体レー
ザ装置では、図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板
（1）の上面にｎ型ＧａＡｓバッファ層（2）、ｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層（3）、ノンドープ又は低不純物
濃度のＧａＩｎＰ活性層（4）及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層（5）が順次積層形成される。更に、ｐ型ク
ラッド層（5）には、部分的に突出する尾根状クラッド
層（7）が形成される。ｐ型クラッド層（5）上にのみＡ
ｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流ブロック層（6）が形成される。尾
根状クラッド層（7）の上面はｐ型ＧａＩｎＰコンタク
ト層（8）及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層（9）を介して
電極（10）に接続され、ＧａＡｓ基板（1）の下面には
電極（11）が形成される。
【０００３】活性層（4）のうち尾根状クラッド層（7）
の下方に位置する領域Ａは光学的にｎ型クラッド層
（3）とｐ型クラッド層（5）及び尾根状クラッド層
（7）とで挟まれている。また、活性層（4）のうち電流
ブロック層（6）の下方に位置する領域Ｂは光学的にｎ
型クラッド層（3）とｐ型クラッド層（5）及び電流ブロ
ック層（6）とで挟まれている。電流ブロック層（6）の
屈折率は、ｐ型クラッド層（5）及び尾根状クラッド層
（7）の屈折率よりも小さいため、活性層（4）のうち尾
根状クラッド層（7）の下方に位置する領域Ａの実効屈
折率ｎAは活性層（4）のうち電流ブロック層（6）の下
方に位置する領域Ｂの実効屈折率ｎBよりも大きくなり
（ｎA＞ｎB）、領域Ａでの光伝播が領域Ｂでの光伝播に
比べて支配的となり、活性層（4）の水平方向における
光閉じ込めが可能となる。また、電流ブロック層（6）
の禁制帯幅Ｅg1は活性層（4）の禁制帯幅Ｅg2より広い
から、電流ブロック層（6）による光吸収が生じないの
で、吸収損失が小さく、よって半導体レーザ装置の閾値
電流Ｉthは小さい。
の下方に位置する領域Ａは光学的にｎ型クラッド層
（3）とｐ型クラッド層（5）及び尾根状クラッド層
（7）とで挟まれている。また、活性層（4）のうち電流
ブロック層（6）の下方に位置する領域Ｂは光学的にｎ
型クラッド層（3）とｐ型クラッド層（5）及び電流ブロ
ック層（6）とで挟まれている。電流ブロック層（6）の
屈折率は、ｐ型クラッド層（5）及び尾根状クラッド層
（7）の屈折率よりも小さいため、活性層（4）のうち尾
根状クラッド層（7）の下方に位置する領域Ａの実効屈
折率ｎAは活性層（4）のうち電流ブロック層（6）の下
方に位置する領域Ｂの実効屈折率ｎBよりも大きくなり
（ｎA＞ｎB）、領域Ａでの光伝播が領域Ｂでの光伝播に
比べて支配的となり、活性層（4）の水平方向における
光閉じ込めが可能となる。また、電流ブロック層（6）
の禁制帯幅Ｅg1は活性層（4）の禁制帯幅Ｅg2より広い
から、電流ブロック層（6）による光吸収が生じないの
で、吸収損失が小さく、よって半導体レーザ装置の閾値
電流Ｉthは小さい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この構造の
半導体レーザ装置では、電流ブロック層（6）を形成し
ているＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐは熱抵抗率Ｒthが１.６×１０~
3℃／Ｗ・ｃｍ2と大きく、放熱特性が悪いという欠点が
あった。この問題を解決するために、屈折率及び禁制帯
幅がＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐの値に近く、Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐよ
りも熱抵抗率が０.２５×１０~3℃／Ｗ・ｃｍ2と小さい
ＡｌＡｓで電流ブロック層を形成することが考えられる
が、ＡｌＡｓは酸素と非常に反応し易いため、ウエハを
分割してチップ化した後に、ＡｌＡｓ電流ブロック層の
側面露出部分が空気中の酸素と反応し、その酸化反応が
電流ブロック層の内部にまで進行して半導体レーザ装置
の動作特性の低下を招く恐れがある。
半導体レーザ装置では、電流ブロック層（6）を形成し
ているＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐは熱抵抗率Ｒthが１.６×１０~
3℃／Ｗ・ｃｍ2と大きく、放熱特性が悪いという欠点が
あった。この問題を解決するために、屈折率及び禁制帯
幅がＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐの値に近く、Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐよ
りも熱抵抗率が０.２５×１０~3℃／Ｗ・ｃｍ2と小さい
ＡｌＡｓで電流ブロック層を形成することが考えられる
が、ＡｌＡｓは酸素と非常に反応し易いため、ウエハを
分割してチップ化した後に、ＡｌＡｓ電流ブロック層の
側面露出部分が空気中の酸素と反応し、その酸化反応が
電流ブロック層の内部にまで進行して半導体レーザ装置
の動作特性の低下を招く恐れがある。
【０００５】そこで、本発明は、前記問題点を解決でき
る新規な構造の半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。
る新規な構造の半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ装置では、ＧａＡｓ基板（21）上にＡｌＧａＩｎＰよ
り成る第１のクラッド層（23）と、ＧａＩｎＰより成る
活性層（24）と、ＡｌＧａＩｎＰより成る第２のクラッ
ド層（25）とを順次積層している。該第２のクラッド層
（25）に部分的に突出して尾根状クラッド層（27）を形
成し、前記第２のクラッド層（25）上にのみ電流ブロッ
ク層（26）を形成する。前記電流ブロック層（26）は、
厚さが０.００３〜０.０１μｍのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐより
成る薄層と厚さが０.００３〜０.０１μｍのＡｌＡｓよ
り成る薄層とが交互に積層され且つ前記第２のクラッド
層（25）に隣接する第１の電流ブロック層（26a）と、
ＧａＡｓから成り且つ前記第１の電流ブロック層（26
a）を介して前記第２のクラッド層（25）に隣接する第
２の電流ブロック層（26b）とを有する。前記第１の電
流ブロック層（26a）の屈折率は前記活性層（24）、前
記第２のクラッド層（25）及び前記尾根状クラッド層
（27）のいずれの屈折率よりも小さく、前記第１の電流
ブロック層（26a）の禁制帯幅は前記活性層（24）の禁
制帯幅よりも広い。前記第１の電流ブロック層（26a）
の層厚は、前記第２のクラッド層（25）の層厚よりも大
きく且つ前記第２のクラッド層（25）の層厚の３倍以下
である。尾根状クラッド層（27）は左右から電流ブロッ
ク層（26）によって挟まれる。
ザ装置では、ＧａＡｓ基板（21）上にＡｌＧａＩｎＰよ
り成る第１のクラッド層（23）と、ＧａＩｎＰより成る
活性層（24）と、ＡｌＧａＩｎＰより成る第２のクラッ
ド層（25）とを順次積層している。該第２のクラッド層
（25）に部分的に突出して尾根状クラッド層（27）を形
成し、前記第２のクラッド層（25）上にのみ電流ブロッ
ク層（26）を形成する。前記電流ブロック層（26）は、
厚さが０.００３〜０.０１μｍのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐより
成る薄層と厚さが０.００３〜０.０１μｍのＡｌＡｓよ
り成る薄層とが交互に積層され且つ前記第２のクラッド
層（25）に隣接する第１の電流ブロック層（26a）と、
ＧａＡｓから成り且つ前記第１の電流ブロック層（26
a）を介して前記第２のクラッド層（25）に隣接する第
２の電流ブロック層（26b）とを有する。前記第１の電
流ブロック層（26a）の屈折率は前記活性層（24）、前
記第２のクラッド層（25）及び前記尾根状クラッド層
（27）のいずれの屈折率よりも小さく、前記第１の電流
ブロック層（26a）の禁制帯幅は前記活性層（24）の禁
制帯幅よりも広い。前記第１の電流ブロック層（26a）
の層厚は、前記第２のクラッド層（25）の層厚よりも大
きく且つ前記第２のクラッド層（25）の層厚の３倍以下
である。尾根状クラッド層（27）は左右から電流ブロッ
ク層（26）によって挟まれる。
【０００７】
【作用】本発明の半導体レーザ装置では、第１の電流ブ
ロック層（26a）は相対的に熱抵抗率の大きいＡｌＡｓ
から成る薄層とＡｌＡｓよりも酸化し難いＡｌ0.5Ｉｎ
0. 5Ｐから成る薄層とが交互に積層されて形成される。
このため、各薄層の特性が発揮され、第１の電流ブロッ
ク層（26a）をＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ単独で形成した場合に
比べて放熱特性が良好となり、ＡｌＡｓ層単独で形成し
た場合に比べて酸化反応が抑制され安定した動作特性が
得られる。従って、放熱特性と動作特性の両方が良好に
達成される。尚、各薄層の厚さは、Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ及
びＡｌＡｓの各々の物性が現われるために０.００３μ
ｍ以上が好ましく、ＡｌＡｓが酸素と接触する面積を制
限するために０.０１μｍ以下が好ましい。また、電流
ブロック層（26）の上層を構成する第２の電流ブロック
層（26b）はＧａＡｓから成りＡｌを含有しないので、
結晶成長工程において第１の電流ブロック層（26a）表
面の酸化反応を防止する。
ロック層（26a）は相対的に熱抵抗率の大きいＡｌＡｓ
から成る薄層とＡｌＡｓよりも酸化し難いＡｌ0.5Ｉｎ
0. 5Ｐから成る薄層とが交互に積層されて形成される。
このため、各薄層の特性が発揮され、第１の電流ブロッ
ク層（26a）をＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ単独で形成した場合に
比べて放熱特性が良好となり、ＡｌＡｓ層単独で形成し
た場合に比べて酸化反応が抑制され安定した動作特性が
得られる。従って、放熱特性と動作特性の両方が良好に
達成される。尚、各薄層の厚さは、Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ及
びＡｌＡｓの各々の物性が現われるために０.００３μ
ｍ以上が好ましく、ＡｌＡｓが酸素と接触する面積を制
限するために０.０１μｍ以下が好ましい。また、電流
ブロック層（26）の上層を構成する第２の電流ブロック
層（26b）はＧａＡｓから成りＡｌを含有しないので、
結晶成長工程において第１の電流ブロック層（26a）表
面の酸化反応を防止する。
【０００８】更に本発明では、第１の電流ブロック層
（26a）の屈折率は活性層（24）、第２のクラッド層（2
5）及び尾根状クラッド層（27）のいずれの屈折率より
も小さいため、活性層（24）の領域Ａと領域Ｂの実効屈
折率ｎAとｎBはｎA＞ｎBの関係となり、従来例と同様に
活性層（24）の水平方向の光の閉じ込めが可能となる。
また、第１の電流ブロック層（26a）の禁制帯幅は活性
層（24）の禁制帯幅よりも広いために電流ブロック層
（26）による光吸収が生じないので、閾値電流Ｉthは小
さい。また、請求項２に記載の発明のように、第１の電
流ブロック層（26a）の層厚を第２のクラッド層（25）
の層厚よりも大きく且つ第２のクラッド層（25）の層厚
の３倍以下とすれば、ｎA＞ｎBの関係が良好に得られ
る。
（26a）の屈折率は活性層（24）、第２のクラッド層（2
5）及び尾根状クラッド層（27）のいずれの屈折率より
も小さいため、活性層（24）の領域Ａと領域Ｂの実効屈
折率ｎAとｎBはｎA＞ｎBの関係となり、従来例と同様に
活性層（24）の水平方向の光の閉じ込めが可能となる。
また、第１の電流ブロック層（26a）の禁制帯幅は活性
層（24）の禁制帯幅よりも広いために電流ブロック層
（26）による光吸収が生じないので、閾値電流Ｉthは小
さい。また、請求項２に記載の発明のように、第１の電
流ブロック層（26a）の層厚を第２のクラッド層（25）
の層厚よりも大きく且つ第２のクラッド層（25）の層厚
の３倍以下とすれば、ｎA＞ｎBの関係が良好に得られ
る。
【０００９】
【実施例】次に、本発明による半導体レーザ装置の実施
例を図１について説明する。図１に示す実施例の半導体
レーザ装置は、３００μｍ層厚のｎ型ＧａＡｓ基板（2
1）の上面に、０.５μｍ層厚のｎ型ＧａＡｓより成るバ
ッファ層（22）、１μｍ層厚のｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.5Ｉｎ0.5Ｐより成る第１のクラッド層（23）、０.０
８μｍ層厚のノンドープ又は低不純物濃度のＧａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐより成る活性層（24）及び０.１μｍ層厚のｐ型
（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐより成る第２のクラッ
ド層（25）を順次積層している。また、第２のクラッド
層（25）に部分的に突出して、層厚０.９μｍの（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）0.3Ｉｎ0.5Ｐより成る尾根状クラッド層
（27）を形成し、第２のクラッド層（25）上にのみ電流
ブロック層（26）を形成する。尾根状クラッド層（27）
の上面は０.１μｍ層厚のｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタ
クト層（28）及び２μｍ層厚のｐ型ＧａＡｓコンタクト
層（29）を介して電極（30）に接続される。ＧａＡｓ基
板（21）を下面から研摩して約１００μｍの厚みにした
後電極（31）に接続する。
例を図１について説明する。図１に示す実施例の半導体
レーザ装置は、３００μｍ層厚のｎ型ＧａＡｓ基板（2
1）の上面に、０.５μｍ層厚のｎ型ＧａＡｓより成るバ
ッファ層（22）、１μｍ層厚のｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.5Ｉｎ0.5Ｐより成る第１のクラッド層（23）、０.０
８μｍ層厚のノンドープ又は低不純物濃度のＧａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐより成る活性層（24）及び０.１μｍ層厚のｐ型
（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐより成る第２のクラッ
ド層（25）を順次積層している。また、第２のクラッド
層（25）に部分的に突出して、層厚０.９μｍの（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）0.3Ｉｎ0.5Ｐより成る尾根状クラッド層
（27）を形成し、第２のクラッド層（25）上にのみ電流
ブロック層（26）を形成する。尾根状クラッド層（27）
の上面は０.１μｍ層厚のｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタ
クト層（28）及び２μｍ層厚のｐ型ＧａＡｓコンタクト
層（29）を介して電極（30）に接続される。ＧａＡｓ基
板（21）を下面から研摩して約１００μｍの厚みにした
後電極（31）に接続する。
【００１０】図１に示す半導体レーザ装置は、厚さ０.
００５μｍのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐより成る薄層と厚さ０.
００５μｍのＡｌＡｓより成る薄層とが交互に４０回積
層された第１の電流ブロック層（26a）と、ｎ型ＧａＡ
ｓから成る第２の電流ブロック層（26b）とで電流ブロ
ック層（26）を構成した点で図２に示す従来の半導体レ
ーザ装置と異なる。層厚０.４μｍの第１の電流ブロッ
ク層（26a）は第２のクラッド層（25）に隣接し、層厚
０.６μｍの第２の電流ブロック層（26b）は第１の電流
ブロック層（26a）を介して第２のクラッド層（25）に
隣接する。第１の電流ブロック層（26a）において、Ａ
ｌＡｓよりも熱抵抗率の大きいＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐから成
る薄層の合計の厚さは０.２μｍで、従来の半導体レー
ザ装置の１μｍ層厚のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ単独で形成した
電流ブロック層よりも小さいため、良好な放熱特性が得
られる。また、Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐよりも酸化しやすいＡ
ｌＡｓから成る薄層の合計の厚さも０.２μｍで、１μ
ｍ層厚のＡｌＡｓ単独で形成した電流ブロック層よりも
小さいため、酸化反応が抑制され安定した動作特性が得
られる。
００５μｍのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐより成る薄層と厚さ０.
００５μｍのＡｌＡｓより成る薄層とが交互に４０回積
層された第１の電流ブロック層（26a）と、ｎ型ＧａＡ
ｓから成る第２の電流ブロック層（26b）とで電流ブロ
ック層（26）を構成した点で図２に示す従来の半導体レ
ーザ装置と異なる。層厚０.４μｍの第１の電流ブロッ
ク層（26a）は第２のクラッド層（25）に隣接し、層厚
０.６μｍの第２の電流ブロック層（26b）は第１の電流
ブロック層（26a）を介して第２のクラッド層（25）に
隣接する。第１の電流ブロック層（26a）において、Ａ
ｌＡｓよりも熱抵抗率の大きいＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐから成
る薄層の合計の厚さは０.２μｍで、従来の半導体レー
ザ装置の１μｍ層厚のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ単独で形成した
電流ブロック層よりも小さいため、良好な放熱特性が得
られる。また、Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐよりも酸化しやすいＡ
ｌＡｓから成る薄層の合計の厚さも０.２μｍで、１μ
ｍ層厚のＡｌＡｓ単独で形成した電流ブロック層よりも
小さいため、酸化反応が抑制され安定した動作特性が得
られる。
【００１１】第１の電流ブロック層（26a）の屈折率は
ｎ1は約３.０７であり、活性層（24）の屈折率ｎ2約３.
５５並びに第２のクラッド層（25）及び尾根状クラッド
層（27）の屈折率ｎ3約３.１７よりも小さいため、活性
層（24）の領域Ａと領域Ｂの実効屈折率ｎAとｎBはｎA
＞ｎBの関係となり、活性層（24）の水平方向の光の閉
じ込めが可能となる。また、第１の電流ブロック層（26
a）の禁制帯幅Ｅg1は約２.２３ｅＶであり、活性層（2
4）の禁制帯幅Ｅg2の約１.９２ｅＶよりも広いために電
流ブロック層（26）による光吸収が生じないので、閾値
電流Ｉthは小さい。
ｎ1は約３.０７であり、活性層（24）の屈折率ｎ2約３.
５５並びに第２のクラッド層（25）及び尾根状クラッド
層（27）の屈折率ｎ3約３.１７よりも小さいため、活性
層（24）の領域Ａと領域Ｂの実効屈折率ｎAとｎBはｎA
＞ｎBの関係となり、活性層（24）の水平方向の光の閉
じ込めが可能となる。また、第１の電流ブロック層（26
a）の禁制帯幅Ｅg1は約２.２３ｅＶであり、活性層（2
4）の禁制帯幅Ｅg2の約１.９２ｅＶよりも広いために電
流ブロック層（26）による光吸収が生じないので、閾値
電流Ｉthは小さい。
【００１２】本発明の実施態様は前記の実施例に限定さ
れず、変更が可能である。例えば、第１の電流ブロック
層（26a）の薄層を構成しているＡｌＡｓの代わりにＡ
ｌxＧａ(1-x)Ａｓを使用してもよい。この場合、第１の
電流ブロック層（26a）の屈折率が活性層（24）及び第
２のクラッド層（25）及び尾根状クラッド層（27）の屈
折率よりも小さくなり、且つ第１の電流ブロック層（26
a）の禁制帯幅が活性層（24）の禁制帯幅より広くなる
ようにｘを０.９≦ｘ≦１に設定する。
れず、変更が可能である。例えば、第１の電流ブロック
層（26a）の薄層を構成しているＡｌＡｓの代わりにＡ
ｌxＧａ(1-x)Ａｓを使用してもよい。この場合、第１の
電流ブロック層（26a）の屈折率が活性層（24）及び第
２のクラッド層（25）及び尾根状クラッド層（27）の屈
折率よりも小さくなり、且つ第１の電流ブロック層（26
a）の禁制帯幅が活性層（24）の禁制帯幅より広くなる
ようにｘを０.９≦ｘ≦１に設定する。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体レーザ装
置では、放熱特性と動作特性の両方が良好に得られる。
置では、放熱特性と動作特性の両方が良好に得られる。
【図１】 本発明による半導体レーザ装置の断面図
【図２】 従来の半導体レーザ装置の断面図
（21）・・・ＧａＡｓ基板、（23）・・・第１のクラッ
ド層、（24）・・・活性層、（25）・・・第２のクラッ
ド層、（26）・・・電流ブロック層、（26a）・・・第
１の電流ブロック層、（26b）・・・第２の電流ブロッ
ク層、（27）・・・尾根状クラッド層
ド層、（24）・・・活性層、（25）・・・第２のクラッ
ド層、（26）・・・電流ブロック層、（26a）・・・第
１の電流ブロック層、（26b）・・・第２の電流ブロッ
ク層、（27）・・・尾根状クラッド層
Claims (3)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板（21）上にＡｌＧａＩｎＰ
より成る第１のクラッド層（23）と、ＧａＩｎＰより成
る活性層（24）と、ＡｌＧａＩｎＰより成る第２のクラ
ッド層（25）とを順次積層し、該第２のクラッド層（2
5）を部分的に突出させて尾根状クラッド層（27）を形
成し、前記第２のクラッド層（25）上にのみ電流ブロッ
ク層（26）を形成した半導体レーザ装置において、 前記電流ブロック層（26）は前記第２のクラッド層（2
5）に隣接する第１の電流ブロック層（26a）と、ＧａＡ
ｓから成り且つ前記第１の電流ブロック層（26a）を介
して前記第２のクラッド層（25）に隣接する第２の電流
ブロック層（26b）とを有し、 前記第１の電流ブロック層（26a）は厚さ０.００３〜
０.０１μｍのＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐより成る薄層と厚さ０.
００３〜０.０１μｍのＡｌＡｓより成る薄層とが交互
に積層されて成り、 前記第１の電流ブロック層（26a）の屈折率は前記活性
層（24）、前記第２のクラッド層（26b）及び前記尾根
状クラッド層（27）のいずれの屈折率よりも小さく、 前記第１の電流ブロック層（26a）の禁制帯幅は前記活
性層（24）の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする半導
体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記第１の電流ブロック層（26a）の層
厚は、前記第２のクラッド層（25）の層厚よりも大きく
且つ前記第２のクラッド層（25）の層厚の３倍以下であ
る請求項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 尾根状クラッド層（27）は左右から電流
ブロック層（26）によって挟まれる請求項１又は請求項
２のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7129910A JP2993397B2 (ja) | 1994-08-30 | 1995-05-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20558394 | 1994-08-30 | ||
| JP6-205583 | 1994-08-30 | ||
| JP7129910A JP2993397B2 (ja) | 1994-08-30 | 1995-05-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125273A JPH08125273A (ja) | 1996-05-17 |
| JP2993397B2 true JP2993397B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=26465169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7129910A Expired - Fee Related JP2993397B2 (ja) | 1994-08-30 | 1995-05-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2993397B2 (ja) |
-
1995
- 1995-05-29 JP JP7129910A patent/JP2993397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08125273A (ja) | 1996-05-17 |
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