JPH0613703A - 半導体レーザ装置とその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置とその製造方法Info
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- JPH0613703A JPH0613703A JP16734492A JP16734492A JPH0613703A JP H0613703 A JPH0613703 A JP H0613703A JP 16734492 A JP16734492 A JP 16734492A JP 16734492 A JP16734492 A JP 16734492A JP H0613703 A JPH0613703 A JP H0613703A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的簡便な工程からなる無秩序化技術によ
り、端面近傍の活性層のエネルギーギャップを広げ、フ
リーキャリアによる吸収損失の小さい窓領域を形成した
半導体レーザを作製すること。 【構成】 半導体基板１とこの半導体基板１上に少なく
とも第一のクラッド層３と光ガイド層４、６と活性層５
と第二クラッド層７とを順次積層して形成された活性層
領域９を持つ半導体レーザ装置において、不純物を用い
ない超格子の無秩序化を前記活性層領域９の光出射端面
保護膜として蒸着したシリコン酸化膜１２を利用して行
い、該光出射端面付近の光ガイド層４、６のエネルギー
ギャップを大きくすることにより、前記光出射端面に窓
領域を設ける工程を含む半導体レーザ装置の製造方法ま
たは前記製造方法で得られた半導体レーザである。
り、端面近傍の活性層のエネルギーギャップを広げ、フ
リーキャリアによる吸収損失の小さい窓領域を形成した
半導体レーザを作製すること。 【構成】 半導体基板１とこの半導体基板１上に少なく
とも第一のクラッド層３と光ガイド層４、６と活性層５
と第二クラッド層７とを順次積層して形成された活性層
領域９を持つ半導体レーザ装置において、不純物を用い
ない超格子の無秩序化を前記活性層領域９の光出射端面
保護膜として蒸着したシリコン酸化膜１２を利用して行
い、該光出射端面付近の光ガイド層４、６のエネルギー
ギャップを大きくすることにより、前記光出射端面に窓
領域を設ける工程を含む半導体レーザ装置の製造方法ま
たは前記製造方法で得られた半導体レーザである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信、光情報処理面な
どに利用される半導体レーザに関するもので、特に、レ
ーザ光出射面近傍でのバンドギャップがレーザ光の波長
に相当するバンドギャップよりも広い、いわゆる窓構造
をもった半導体レーザ装置およびその製造方法に関す
る。
どに利用される半導体レーザに関するもので、特に、レ
ーザ光出射面近傍でのバンドギャップがレーザ光の波長
に相当するバンドギャップよりも広い、いわゆる窓構造
をもった半導体レーザ装置およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光通信、光情報処理面などに利用
される半導体レーザにおいて、高出力発振時のレーザ光
出射端面における光の吸収によって生ずる光学的損傷を
避けるために、Ｓｉ−ＩＩＬＤ（Impurity Induced Lay
er Disordering：不純物による超格子の無秩序化）を用
いて前記端面近傍に窓領域を設けた例がアプライド・フ
ィジクス・レターズ（Ａ．Ｐ．Ｌ），Vol．４９，１５
７２頁（１９８６）に示されている。シリコン（Ｓｉ）
等の不純物により、前記端面の層構造を無秩序化し、前
記端面付近にある活性層のエネルギーギャップを大きく
し、光の吸収によって生ずる光学的損傷を低減させるこ
とを目的としている。
される半導体レーザにおいて、高出力発振時のレーザ光
出射端面における光の吸収によって生ずる光学的損傷を
避けるために、Ｓｉ−ＩＩＬＤ（Impurity Induced Lay
er Disordering：不純物による超格子の無秩序化）を用
いて前記端面近傍に窓領域を設けた例がアプライド・フ
ィジクス・レターズ（Ａ．Ｐ．Ｌ），Vol．４９，１５
７２頁（１９８６）に示されている。シリコン（Ｓｉ）
等の不純物により、前記端面の層構造を無秩序化し、前
記端面付近にある活性層のエネルギーギャップを大きく
し、光の吸収によって生ずる光学的損傷を低減させるこ
とを目的としている。
【０００３】また、Ｓｉなどの不純物を使わずに、Ｓｉ
Ｏ2膜などを利用して格子欠陥を発生させ、それによっ
て結晶中の原子の相互拡散が促進される現象を使って超
格子の無秩序化を行い、光導波路を設けた例が特開平３
−３４４８５号公報、特開平３−３６７７９号公報等に
開示されている。
Ｏ2膜などを利用して格子欠陥を発生させ、それによっ
て結晶中の原子の相互拡散が促進される現象を使って超
格子の無秩序化を行い、光導波路を設けた例が特開平３
−３４４８５号公報、特開平３−３６７７９号公報等に
開示されている。
【０００４】さらに、リッジ構造と上記の不純物拡散を
用いる方法とを組み合わせたものとして、特願平３−１
４９３２８号または特願平３−１５２１７４号がある。
この二つの発明ではＳｉ−ＩＩＬＤにより端面付近に光
透過層を設けると同時に、屈折率導波構造をも作りこん
でいる。
用いる方法とを組み合わせたものとして、特願平３−１
４９３２８号または特願平３−１５２１７４号がある。
この二つの発明ではＳｉ−ＩＩＬＤにより端面付近に光
透過層を設けると同時に、屈折率導波構造をも作りこん
でいる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｓｉなどの不純物拡散による無秩序化技術により作製さ
れた半導体レーザの光導波路では、結晶中に多量の不純
物が混入するとフリーキャリアが生成され、そのフリー
キャリアによる光の吸収損失が大きくなることが報告さ
れている（Ａ．Ｐ．Ｌ．５６１９９０，１９（１９９
０）参照）。これは光の閉じ込め効率の低下を来し、レ
ーザの発振に要する電流のしきい値を下げることができ
ず、また微分効率の高効率化の妨げとなる。従って、同
じく不純物拡散による無秩序化技術により作製されたレ
ーザ光出射端面近傍の窓領域においても、同様にフリー
キャリアによる光の吸収損失が発生することになる。
Ｓｉなどの不純物拡散による無秩序化技術により作製さ
れた半導体レーザの光導波路では、結晶中に多量の不純
物が混入するとフリーキャリアが生成され、そのフリー
キャリアによる光の吸収損失が大きくなることが報告さ
れている（Ａ．Ｐ．Ｌ．５６１９９０，１９（１９９
０）参照）。これは光の閉じ込め効率の低下を来し、レ
ーザの発振に要する電流のしきい値を下げることができ
ず、また微分効率の高効率化の妨げとなる。従って、同
じく不純物拡散による無秩序化技術により作製されたレ
ーザ光出射端面近傍の窓領域においても、同様にフリー
キャリアによる光の吸収損失が発生することになる。
【０００６】また、従来技術で述べたＳｉなどの不純物
による超格子の無秩序化技術を用いて半導体レーザ光出
射端面近傍に窓領域を設ける方法では、結晶上面に拡散
ブロック層・拡散源・キャップ層などを蒸着したり、そ
れらをフォトリソグラフィーなどによりパターニングす
るという工程が必要であった。
による超格子の無秩序化技術を用いて半導体レーザ光出
射端面近傍に窓領域を設ける方法では、結晶上面に拡散
ブロック層・拡散源・キャップ層などを蒸着したり、そ
れらをフォトリソグラフィーなどによりパターニングす
るという工程が必要であった。
【０００７】そこで本発明は、比較的簡便な工程からな
る無秩序化技術により、端面近傍の活性層のエネルギー
ギャップを広げ、フリーキャリアによる吸収損失の小さ
い窓領域を形成した半導体レーザを作製することを目的
とする。
る無秩序化技術により、端面近傍の活性層のエネルギー
ギャップを広げ、フリーキャリアによる吸収損失の小さ
い窓領域を形成した半導体レーザを作製することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次の
構成によって達成される。すなわち、半導体基板とこの
半導体基板上に少なくとも第一のクラッド層と活性層を
含んだ光導波路層と第二クラッド層とを順次積層して形
成された活性層領域を持つ半導体レーザ装置において、
不純物を用いない超格子の無秩序化を前記活性層領域の
光出射端面側から行い、該光出射端面付近の活性層を含
む光導波路のエネルギーギャップを大きくすることによ
り、前記光出射端面に窓領域を設ける工程を含む半導体
レーザ装置の製造方法または前記製造方法で得られた半
導体レーザである。このとき、前記光出射端面保護膜と
して蒸着したシリコン酸化膜を利用して超格子の無秩序
化を前記光出射端面付近に施すことが望ましい。
構成によって達成される。すなわち、半導体基板とこの
半導体基板上に少なくとも第一のクラッド層と活性層を
含んだ光導波路層と第二クラッド層とを順次積層して形
成された活性層領域を持つ半導体レーザ装置において、
不純物を用いない超格子の無秩序化を前記活性層領域の
光出射端面側から行い、該光出射端面付近の活性層を含
む光導波路のエネルギーギャップを大きくすることによ
り、前記光出射端面に窓領域を設ける工程を含む半導体
レーザ装置の製造方法または前記製造方法で得られた半
導体レーザである。このとき、前記光出射端面保護膜と
して蒸着したシリコン酸化膜を利用して超格子の無秩序
化を前記光出射端面付近に施すことが望ましい。
【０００９】本発明の上記目的は次の構成によって達成
される。すなわち、半導体基板とこの半導体基板上に少
なくとも第一のクラッド層と活性層を含む光導波路層と
第二クラッド層とを順次積層して形成された活性層領域
を持つ半導体レーザ装置において、前記活性層領域の光
出射端面近傍の半導体層上面に絶縁膜を設ける工程と、
該絶縁膜下部の前記光出射端面付近における活性層、光
導波路層、クラッド層が相互拡散によって無秩序化する
よう熱処理を行い、前記出射端面に窓領域を設ける工程
とを含む半導体レーザ装置の製造方法である。 本発明
は不純物を用いない超格子の無秩序化技術により端面付
近の活性層、光ガイド層、クラッド層など無秩序化し、
端面近傍に吸収損失の小さい光透過層を形成するもので
ある。
される。すなわち、半導体基板とこの半導体基板上に少
なくとも第一のクラッド層と活性層を含む光導波路層と
第二クラッド層とを順次積層して形成された活性層領域
を持つ半導体レーザ装置において、前記活性層領域の光
出射端面近傍の半導体層上面に絶縁膜を設ける工程と、
該絶縁膜下部の前記光出射端面付近における活性層、光
導波路層、クラッド層が相互拡散によって無秩序化する
よう熱処理を行い、前記出射端面に窓領域を設ける工程
とを含む半導体レーザ装置の製造方法である。 本発明
は不純物を用いない超格子の無秩序化技術により端面付
近の活性層、光ガイド層、クラッド層など無秩序化し、
端面近傍に吸収損失の小さい光透過層を形成するもので
ある。
【００１０】
【作用】本発明は、レーザ光出射端面に蒸着したシリコ
ン酸化膜等の絶縁膜を使い、そのレーザ光出射端面から
結晶成長層の無秩序化を行うため、従来技術のようにパ
ターニングなどの必要がなくなり簡便である。また、前
記絶縁膜をそのまま端面保護膜、低反射膜・高反射膜な
どに使用すれば、無秩序化のための各膜の蒸着、はく離
工程が省かれることとなり、さらにプロセスが簡略化さ
れる。
ン酸化膜等の絶縁膜を使い、そのレーザ光出射端面から
結晶成長層の無秩序化を行うため、従来技術のようにパ
ターニングなどの必要がなくなり簡便である。また、前
記絶縁膜をそのまま端面保護膜、低反射膜・高反射膜な
どに使用すれば、無秩序化のための各膜の蒸着、はく離
工程が省かれることとなり、さらにプロセスが簡略化さ
れる。
【００１１】また、活性層領域の光出射端面近傍の半導
体上面に形成した絶縁膜により結晶成長層の無秩序化を
行うことによっても、窓領域を形成することができる。
本発明は超格子の無秩序化を行うあたり、不純物を用い
ないので不純物を用いた場合に比べてフリーキャリアに
よる吸収損失量が少ない窓領域が形成できる。
体上面に形成した絶縁膜により結晶成長層の無秩序化を
行うことによっても、窓領域を形成することができる。
本発明は超格子の無秩序化を行うあたり、不純物を用い
ないので不純物を用いた場合に比べてフリーキャリアに
よる吸収損失量が少ない窓領域が形成できる。
【００１２】
【実施例】ここで本発明の実施例を図面と共に説明す
る。 実施例１ 図１は本実施例の光出射面に窓領域を形成する方法を説
明する半導体レーザの断面図である。まず、図１（ａ）
に示す通り、ＭＯＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡｓ基板１
（Ｓｉドープ：ｎ〜１×１０18ｃｍ-3）上にｎ−ＧａＡ
ｓバッファ層２（ｎ〜４×１０18ｃｍ-3；厚さ〜０．２
μｍ）、ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ下部クラッド層３（ｎ
〜１×１０18ｃｍ-3；厚さ〜１．２μｍ）、アンドープ
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層４（厚さ〜０．１μ
ｍ）、アンドープＧａＡｓ活性層５（厚さ〜１００
Å）、アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層６（厚
さ〜０．１μｍ）、ｐ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッ
ド層７（ｐ〜１×１０18ｃｍ-3；厚さ〜０．９μｍ）、
ｐ−ＧａＡｓキャップ層８（ｐ〜１×１０19ｃｍ-3；厚
さ〜０．１μｍ）を順次形成する。ここでアンドープＡ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層４、アンドープＧａＡｓ活
性層５、アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層６を
まとめて活性層領域９とする。
る。 実施例１ 図１は本実施例の光出射面に窓領域を形成する方法を説
明する半導体レーザの断面図である。まず、図１（ａ）
に示す通り、ＭＯＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡｓ基板１
（Ｓｉドープ：ｎ〜１×１０18ｃｍ-3）上にｎ−ＧａＡ
ｓバッファ層２（ｎ〜４×１０18ｃｍ-3；厚さ〜０．２
μｍ）、ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ下部クラッド層３（ｎ
〜１×１０18ｃｍ-3；厚さ〜１．２μｍ）、アンドープ
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層４（厚さ〜０．１μ
ｍ）、アンドープＧａＡｓ活性層５（厚さ〜１００
Å）、アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層６（厚
さ〜０．１μｍ）、ｐ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッ
ド層７（ｐ〜１×１０18ｃｍ-3；厚さ〜０．９μｍ）、
ｐ−ＧａＡｓキャップ層８（ｐ〜１×１０19ｃｍ-3；厚
さ〜０．１μｍ）を順次形成する。ここでアンドープＡ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層４、アンドープＧａＡｓ活
性層５、アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層６を
まとめて活性層領域９とする。
【００１３】次にｎ−ＧａＡｓ基板１を１００μｍ程度
の厚さまで研磨してからｐ側電極１０およびｎ側電極１
１を蒸着し、へき開によって長さ３００μｍ程度のファ
ブリペロー型共振器を形成する。
の厚さまで研磨してからｐ側電極１０およびｎ側電極１
１を蒸着し、へき開によって長さ３００μｍ程度のファ
ブリペロー型共振器を形成する。
【００１４】その後、エレクトロン・ビーム（ＥＢ）蒸
着器（図示せず）などでＳｉＯ2膜１２を光出射端面に
２５００Åの厚さで着膜し、水素雰囲気中でラピッドサ
ーマルアニーリングにより、９５０℃、３０秒の熱処理
を施す。この熱処理により図１（ｂ）の領域１３には、
ＧａがＳｉＯ2膜１２方向に移動することにより格子欠
陥が発生し、それによって結晶中の原子の相互拡散が促
進される。その結果、クラッド層３、７、光ガイド層
４、６、活性層５の層構造が無秩序化する。これによ
り、光導波路となる光ガイド層４、６、活性層５のエネ
ルギーギャップは大きくなり、伝搬する光を透過する。
すなわち、その部分が窓領域となる。
着器（図示せず）などでＳｉＯ2膜１２を光出射端面に
２５００Åの厚さで着膜し、水素雰囲気中でラピッドサ
ーマルアニーリングにより、９５０℃、３０秒の熱処理
を施す。この熱処理により図１（ｂ）の領域１３には、
ＧａがＳｉＯ2膜１２方向に移動することにより格子欠
陥が発生し、それによって結晶中の原子の相互拡散が促
進される。その結果、クラッド層３、７、光ガイド層
４、６、活性層５の層構造が無秩序化する。これによ
り、光導波路となる光ガイド層４、６、活性層５のエネ
ルギーギャップは大きくなり、伝搬する光を透過する。
すなわち、その部分が窓領域となる。
【００１５】こうして得られたチップはヒートシンクに
マウントし、リード線を取り付けて半導体レーザが完成
する。なお、ＳｉＯ2膜１２は、そのまま保護膜として
利用してもよいし、はく離してから低反射膜や高反射膜
としてＳｉやＡｌ2Ｏ3を端面に蒸着しても良い。本実施
例においては、前端面だけに窓領域を設けたが、両端面
に形成しても良い。また、共振器方向の屈折率導波構造
を上記無秩序化技術を用いて同時に作製することも可能
である。
マウントし、リード線を取り付けて半導体レーザが完成
する。なお、ＳｉＯ2膜１２は、そのまま保護膜として
利用してもよいし、はく離してから低反射膜や高反射膜
としてＳｉやＡｌ2Ｏ3を端面に蒸着しても良い。本実施
例においては、前端面だけに窓領域を設けたが、両端面
に形成しても良い。また、共振器方向の屈折率導波構造
を上記無秩序化技術を用いて同時に作製することも可能
である。
【００１６】実施例２ 図２は本実施例の光出射面に窓領域を形成する半導体レ
ーザの断面図である。本実施例においては図２（ａ）に
示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法によ
りｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
下部クラッド層３、アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガ
イド層４、アンドープＧａＡｓ活性層５、ｐ−Ａｌ0.3
Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層６（ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光
ガイド層４、アンドープＧａＡｓ活性層５、アンドープ
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層６をまとめて活性層領域
９とする。）、ｐ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッド層
７、ｐ−ＧａＡｓキャップ層８を順次形成するまでの工
程は図１（ａ）と全く同一であるので説明は省略する。
次にＰ−ＣＶＤによりＳｉＯ2膜１４を厚さ２０００Å
になるように着膜し、その膜をフォトリソグラフィーと
エッチングにより図２（ｂ）に示すように端面側の上部
にだけ残す。
ーザの断面図である。本実施例においては図２（ａ）に
示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法によ
りｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
下部クラッド層３、アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガ
イド層４、アンドープＧａＡｓ活性層５、ｐ−Ａｌ0.3
Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層６（ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光
ガイド層４、アンドープＧａＡｓ活性層５、アンドープ
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光ガイド層６をまとめて活性層領域
９とする。）、ｐ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッド層
７、ｐ−ＧａＡｓキャップ層８を順次形成するまでの工
程は図１（ａ）と全く同一であるので説明は省略する。
次にＰ−ＣＶＤによりＳｉＯ2膜１４を厚さ２０００Å
になるように着膜し、その膜をフォトリソグラフィーと
エッチングにより図２（ｂ）に示すように端面側の上部
にだけ残す。
【００１７】この試料を水素雰囲気中で、ラピッドサー
マルアニーリングにより、９５０℃、３０秒の熱処理を
施すこと、図２（ｂ）の領域１５には、ＧａがＳｉＯ2
膜方向に移動することにより格子欠陥が発生し、それに
よって結晶中の原子の相互拡散が促進される。その結
果、結晶の上面から深さ〜１．０μｍ付近にあるクラッ
ド層、光ガイド層、活性層の層構造が無秩序化する。こ
れにより、光導波路となる光ガイド層、活性層のエネル
ギーギャップは大きくなり、伝搬する光を透過する。す
なわち、その部分が窓領域となる。
マルアニーリングにより、９５０℃、３０秒の熱処理を
施すこと、図２（ｂ）の領域１５には、ＧａがＳｉＯ2
膜方向に移動することにより格子欠陥が発生し、それに
よって結晶中の原子の相互拡散が促進される。その結
果、結晶の上面から深さ〜１．０μｍ付近にあるクラッ
ド層、光ガイド層、活性層の層構造が無秩序化する。こ
れにより、光導波路となる光ガイド層、活性層のエネル
ギーギャップは大きくなり、伝搬する光を透過する。す
なわち、その部分が窓領域となる。
【００１８】その後、上記ＳｉＯ2膜１０をはく離し、
通常の半導体レーザ作製プロセスと同様、ｎ−ＧａＡｓ
基板１を１００μｍ程度の厚さまで研磨してから図２
（ｃ）に示すｐ側電極１６およびｎ側電極１７を蒸着
し、へき開によって長さ３００μｍ程度のファブリペロ
ー型共振器を形成する。チップはヒートシンクにマウン
トし、リード線を取り付けて完成する。
通常の半導体レーザ作製プロセスと同様、ｎ−ＧａＡｓ
基板１を１００μｍ程度の厚さまで研磨してから図２
（ｃ）に示すｐ側電極１６およびｎ側電極１７を蒸着
し、へき開によって長さ３００μｍ程度のファブリペロ
ー型共振器を形成する。チップはヒートシンクにマウン
トし、リード線を取り付けて完成する。
【００１９】本実施例においては、前端面だけに窓領域
を設けたが、両端面に形成しても良い。また、共振器方
向の屈折率導波構造を上記無秩序化技術を用いて同時に
作製すること、あるいは端面コーティングと組合せるこ
とも可能である。
を設けたが、両端面に形成しても良い。また、共振器方
向の屈折率導波構造を上記無秩序化技術を用いて同時に
作製すること、あるいは端面コーティングと組合せるこ
とも可能である。
【００２０】以上の各実施例においては、活性層５を単
一量子井戸構造としたが、本発明ではこれに限らず通常
のダブルヘテロ構造や多重量子井戸構造としても良い。
また、上記実施例ではＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系材料を
用いたが、これに限らずＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰ系材
料やＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系材料を用いても本発明が
実現できることは明らかである。
一量子井戸構造としたが、本発明ではこれに限らず通常
のダブルヘテロ構造や多重量子井戸構造としても良い。
また、上記実施例ではＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系材料を
用いたが、これに限らずＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰ系材
料やＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系材料を用いても本発明が
実現できることは明らかである。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、不純物を用いない超
格子の無秩序化技術を用いて、半導体レーザの光出射面
近傍に窓領域を形成すれば、そこでのフリーキャリアに
よる光の吸収損失は不純物を用いた場合より低減され、
低しきい値電流、高効率な半導体レーザが作製できる。
格子の無秩序化技術を用いて、半導体レーザの光出射面
近傍に窓領域を形成すれば、そこでのフリーキャリアに
よる光の吸収損失は不純物を用いた場合より低減され、
低しきい値電流、高効率な半導体レーザが作製できる。
【図１】 本発明の実施例１の光出射面に窓領域を形成
する方法を説明する半導体レーザの断面図である。
する方法を説明する半導体レーザの断面図である。
【図２】 本発明の実施例２の光出射面に窓領域を形成
する方法を説明する半導体レーザの断面図である。
する方法を説明する半導体レーザの断面図である。
１…ｎ−ＧａＡｓ基板、２…ｎ−ＧａＡｓバッファ層、
３…ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ下部クラッド層、７…ｐ−
Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッド層、８…ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層、９…活性層領域、１０…ｐ側電極、１１…
ｎ側電極、１２、１４…ＳｉＯ2膜、１３、１５…無秩
序化領域（窓領域）
３…ｎ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ下部クラッド層、７…ｐ−
Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッド層、８…ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層、９…活性層領域、１０…ｐ側電極、１１…
ｎ側電極、１２、１４…ＳｉＯ2膜、１３、１５…無秩
序化領域（窓領域）
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板とこの半導体基板上に少なく
とも第一のクラッド層と活性層を含んだ光導波路層と第
二クラッド層とを順次積層して形成された活性層領域を
持つ半導体レーザ装置において、 不純物を用いない超格子の無秩序化を前記活性層領域の
光出射端面側から行い、該光出射端面付近の活性層を含
む光導波路のエネルギーギャップを大きくすることによ
り、前記光出射端面に窓領域を設ける工程を含むことを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記光出射端面保護膜として蒸着したシ
リコン酸化膜を利用して超格子の無秩序化を前記光出射
端面付近に施すことを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザ装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板とこの半導体基板上に少なく
とも第一のクラッド層と活性層を含む光導波路層と第二
クラッド層とを順次積層して形成された活性層領域を持
つ半導体レーザ装置において、 前記活性層領域の光出射端面保護膜として蒸着したシリ
コン酸化膜により、該光出射端面付近の超格子の無秩序
化を行って設けられた窓領域を持つことを特徴とする半
導体レーザ装置。 - 【請求項４】 半導体基板とこの半導体基板上に少なく
とも第一のクラッド層と活性層を含む光導波路層と第二
クラッド層とを順次積層して形成された活性層領域を持
つ半導体レーザ装置において、 前記活性層領域の光出射端面近傍の半導体層上面に絶縁
膜を設ける工程と、該絶縁膜下部の前記光出射端面付近
における活性層、光導波路層、クラッド層が相互拡散に
よって無秩序化するよう熱処理を行い、前記出射端面に
窓領域を設ける工程とを含むことを特徴とする半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16734492A JPH0613703A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16734492A JPH0613703A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613703A true JPH0613703A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15847993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16734492A Pending JPH0613703A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121877A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-04-30 | Mitsubishi Chemical Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JP2008235790A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP16734492A patent/JPH0613703A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11121877A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-04-30 | Mitsubishi Chemical Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JP2008235790A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子の製造方法 |
| US7687290B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-03-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor optical device |
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