JP2989956B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2989956B2 JP2989956B2 JP4070579A JP7057992A JP2989956B2 JP 2989956 B2 JP2989956 B2 JP 2989956B2 JP 4070579 A JP4070579 A JP 4070579A JP 7057992 A JP7057992 A JP 7057992A JP 2989956 B2 JP2989956 B2 JP 2989956B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エアーブリッジを有
する半導体装置の製造方法に関する。
する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９に従来のエアーブリッジを有する半
導体装置の製造方法を説明する断面図を示す。図におい
て、１は半導体基板、２はこの半導体基板１上に形成さ
れたゲート電極、３はこの半導体基板１上に形成された
ソース・ドレイン電極、４は上記半導体基板１上に形成
されたゲート電極２とソース・ドレイン電極３上に被着
された絶縁膜、５はエアーブリッジ形成用のレジスト、
６はバリヤメタル、７は給電層メタル、８はメッキパタ
ーン形成用のレジスト、９はメッキ金属、10はエアーブ
リッジである。
導体装置の製造方法を説明する断面図を示す。図におい
て、１は半導体基板、２はこの半導体基板１上に形成さ
れたゲート電極、３はこの半導体基板１上に形成された
ソース・ドレイン電極、４は上記半導体基板１上に形成
されたゲート電極２とソース・ドレイン電極３上に被着
された絶縁膜、５はエアーブリッジ形成用のレジスト、
６はバリヤメタル、７は給電層メタル、８はメッキパタ
ーン形成用のレジスト、９はメッキ金属、10はエアーブ
リッジである。
【０００３】次に、図９に示す半導体装置の製造方法に
ついて図により説明する。図９（ａ）は、半導体基板１
上にゲート電極２、ソース・ドレイン電極３を形成し、
これら電極上に絶縁膜４が被着された後、ソース・ドレ
イン電極３上にコンタクトホールを形成し、さらに、レ
ジスト５でエアーブリッジ形成用パターンを形成し、そ
の上にバリヤメタル６と給電層メタル７をスパッタ蒸着
し、次に、レジスト８でメッキパターンを形成した後、
メッキ金属９をメッキした状態を示している。ここで、
バリヤメタル６と給電層メタル７はレジスト５との熱膨
張係数差が大きいため図に示すようにシワが発生する。
ついて図により説明する。図９（ａ）は、半導体基板１
上にゲート電極２、ソース・ドレイン電極３を形成し、
これら電極上に絶縁膜４が被着された後、ソース・ドレ
イン電極３上にコンタクトホールを形成し、さらに、レ
ジスト５でエアーブリッジ形成用パターンを形成し、そ
の上にバリヤメタル６と給電層メタル７をスパッタ蒸着
し、次に、レジスト８でメッキパターンを形成した後、
メッキ金属９をメッキした状態を示している。ここで、
バリヤメタル６と給電層メタル７はレジスト５との熱膨
張係数差が大きいため図に示すようにシワが発生する。
【０００４】次に、図９（ｂ）に示すように、レジスト
８を除去し、給電層メタル７とバリヤメタル６をエッチ
ングし、さらに、レジスト５を除去すると、メッキ金属
９によるエアーブリッジ10が形成される。ここで、レジ
スト５はエアーブリッジ10とするに際し、その除去が酸
素アッシヤーや有機溶剤などの等方的な除去方法によっ
て可能であるために使用されている。また、給電層メタ
ル７やバリヤメタル６の除去は異方性エッチング法であ
るイオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
によって行われる。ここで、バリヤメタル６はソース・
ドレイン電極３とメッキ金属９間で金属の拡散を防止す
る（バリヤ効果と呼ばれる）ためのもので、ＷＳi Ｎや
Ｔi Ｎなどが用いられる。
８を除去し、給電層メタル７とバリヤメタル６をエッチ
ングし、さらに、レジスト５を除去すると、メッキ金属
９によるエアーブリッジ10が形成される。ここで、レジ
スト５はエアーブリッジ10とするに際し、その除去が酸
素アッシヤーや有機溶剤などの等方的な除去方法によっ
て可能であるために使用されている。また、給電層メタ
ル７やバリヤメタル６の除去は異方性エッチング法であ
るイオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
によって行われる。ここで、バリヤメタル６はソース・
ドレイン電極３とメッキ金属９間で金属の拡散を防止す
る（バリヤ効果と呼ばれる）ためのもので、ＷＳi Ｎや
Ｔi Ｎなどが用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置では、エアーブリッジ10を形成するために、そ
の下層にある被着層として、酸素アッシヤーや有機溶剤
などの等方的な除去方法によって除去が可能となるレジ
スト５を用いている。このため、該レジスト５上にスパ
ッタ蒸着によりバリヤメタル６と給電層メタル７を順次
形成する工程において、レジスト５がスパッタリング時
に高温で加熱されて炭化物や水などの不純物を発生し、
この不純物がバリヤメタル６中へ混入することによりそ
のバリヤ効果を低下させるという問題点があった。
導体装置では、エアーブリッジ10を形成するために、そ
の下層にある被着層として、酸素アッシヤーや有機溶剤
などの等方的な除去方法によって除去が可能となるレジ
スト５を用いている。このため、該レジスト５上にスパ
ッタ蒸着によりバリヤメタル６と給電層メタル７を順次
形成する工程において、レジスト５がスパッタリング時
に高温で加熱されて炭化物や水などの不純物を発生し、
この不純物がバリヤメタル６中へ混入することによりそ
のバリヤ効果を低下させるという問題点があった。
【０００６】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたものであり、バリヤメタルの汚染を防止し、
バリヤ効果の保持を可能とするとともに、エアーブリッ
ジ構造を容易に形成する半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
になされたものであり、バリヤメタルの汚染を防止し、
バリヤ効果の保持を可能とするとともに、エアーブリッ
ジ構造を容易に形成する半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法としては、半導体基板上に設けたソース・
ドレイン電極上に、エッチング速度の小さい第１の絶縁
膜を下層に、エッチング速度の大きい第２の絶縁膜を上
層に被着し、該２層の絶縁膜にコンタクトホールを形成
した後、スパッタ蒸着でバリヤメタル、給電層メタルを
順次被着し、次いで、レジストでパターニングし、メッ
キ金属形成を行った後、そのメッキ金属をマスクにし
て、前記レジスト、給電層メタル、バリヤメタル、エッ
チング速度の大きい第２の絶縁膜を除去して貫通孔を有
するエアーブリッジを具えた半導体装置を製造するもの
である。
置の製造方法としては、半導体基板上に設けたソース・
ドレイン電極上に、エッチング速度の小さい第１の絶縁
膜を下層に、エッチング速度の大きい第２の絶縁膜を上
層に被着し、該２層の絶縁膜にコンタクトホールを形成
した後、スパッタ蒸着でバリヤメタル、給電層メタルを
順次被着し、次いで、レジストでパターニングし、メッ
キ金属形成を行った後、そのメッキ金属をマスクにし
て、前記レジスト、給電層メタル、バリヤメタル、エッ
チング速度の大きい第２の絶縁膜を除去して貫通孔を有
するエアーブリッジを具えた半導体装置を製造するもの
である。
【０００８】また、半導体基板上に設けたソース・ドレ
イン電極上に、第１の絶縁膜を被着し、該第１の絶縁膜
にコンタクトホールを形成した後、スパッタ蒸着でバリ
ヤメタルを被着し、次いで、第１の絶縁膜よりエッチン
グ速度の大きい第２の絶縁膜あるいはエアーブリッジ形
成用レジストを被着し、該第２の絶縁膜あるいはエアー
ブリッジ形成用レジスト膜にコンタクトホールを形成し
た後、給電層メタルを被着する。次いで、メッキパター
ン形成用レジストでパターニングし、メッキ金属形成を
行った後、そのメッキ金属をマスクにして、メッキパタ
ーン形成用レジスト、給電層メタル、エッチング速度の
大きい第２の絶縁膜あるいはエアーブリッジ形成用レジ
スト膜、バリヤメタルを順次除去して貫通孔を有するエ
アーブリッジを具えた半導体装置を製造するものであ
る。
イン電極上に、第１の絶縁膜を被着し、該第１の絶縁膜
にコンタクトホールを形成した後、スパッタ蒸着でバリ
ヤメタルを被着し、次いで、第１の絶縁膜よりエッチン
グ速度の大きい第２の絶縁膜あるいはエアーブリッジ形
成用レジストを被着し、該第２の絶縁膜あるいはエアー
ブリッジ形成用レジスト膜にコンタクトホールを形成し
た後、給電層メタルを被着する。次いで、メッキパター
ン形成用レジストでパターニングし、メッキ金属形成を
行った後、そのメッキ金属をマスクにして、メッキパタ
ーン形成用レジスト、給電層メタル、エッチング速度の
大きい第２の絶縁膜あるいはエアーブリッジ形成用レジ
スト膜、バリヤメタルを順次除去して貫通孔を有するエ
アーブリッジを具えた半導体装置を製造するものであ
る。
【０００９】そして前記の如く貫通孔を有するエアーブ
リッジを具えた半導体装置の製造方法において、エアー
ブリッジに一定間隔に配置された円状、角状、短冊状の
貫通孔を設け、該貫通孔となる穴部を通して、エアーブ
リッジ形成時の下層にある被着層をプラズマエッチング
除去する。
リッジを具えた半導体装置の製造方法において、エアー
ブリッジに一定間隔に配置された円状、角状、短冊状の
貫通孔を設け、該貫通孔となる穴部を通して、エアーブ
リッジ形成時の下層にある被着層をプラズマエッチング
除去する。
【００１０】
【作用】上記のように製造された半導体装置においてバ
リヤメタルが絶縁膜上に被着されるので、たとえバリヤ
メタルのスパッタリング時に絶縁膜が高温に加熱されて
も、無機化合物からなる絶縁膜から分解生成物などの不
純物を発生せず、バリヤメタルを汚染することがない。
リヤメタルが絶縁膜上に被着されるので、たとえバリヤ
メタルのスパッタリング時に絶縁膜が高温に加熱されて
も、無機化合物からなる絶縁膜から分解生成物などの不
純物を発生せず、バリヤメタルを汚染することがない。
【００１１】形成されるエアーブリッジ上に設けられた
一定間隔に配置された円状、角状、短冊状の穴部が、エ
アーブリッジの下層にある被着層に対し、ガス拡散によ
る等方的なプラズマエッチング除去を可能とする。
一定間隔に配置された円状、角状、短冊状の穴部が、エ
アーブリッジの下層にある被着層に対し、ガス拡散によ
る等方的なプラズマエッチング除去を可能とする。
【００１２】
【実施例】実施例１．図１〜５は、この発明の一実施例
を説明する断面図を示す。図において、11は第１の絶縁
膜、12はエッチング速度が前記第１の絶縁膜11よりも大
きい第２の絶縁膜、13はレジスト、14はコンタクトホー
ル、15はエアーブリッジ形成後貫通孔となる穴部、16は
貫通孔である。なお、図９と同一あるいは相当する部分
には同一符号で示してある。
を説明する断面図を示す。図において、11は第１の絶縁
膜、12はエッチング速度が前記第１の絶縁膜11よりも大
きい第２の絶縁膜、13はレジスト、14はコンタクトホー
ル、15はエアーブリッジ形成後貫通孔となる穴部、16は
貫通孔である。なお、図９と同一あるいは相当する部分
には同一符号で示してある。
【００１３】以下、図により本発明の一実施例を説明す
る。まず、図１に示すように、半導体基板１上にゲート
電極２、ソース・ドレイン電極３を形成し、第１の絶縁
膜11、第２の絶縁膜12を被着後、レジスト13を写真製版
によりパターニングし、それをマスクとしてコンタクト
ホール14を形成する。
る。まず、図１に示すように、半導体基板１上にゲート
電極２、ソース・ドレイン電極３を形成し、第１の絶縁
膜11、第２の絶縁膜12を被着後、レジスト13を写真製版
によりパターニングし、それをマスクとしてコンタクト
ホール14を形成する。
【００１４】次に、図２に示すように、バリヤメタル６
ａ、給電層メタル７ａをスパッタ蒸着によって形成す
る。
ａ、給電層メタル７ａをスパッタ蒸着によって形成す
る。
【００１５】次に、図３に示すように、メッキパターン
形成用レジスト８ａでメッキパターンを作成した後、電
解メッキを行うとレジスト８ａでパターニングされた場
所以外のところに給電層メタル７ａから電子がメッキ液
に供給されて、メッキ金属９ａが成長する。
形成用レジスト８ａでメッキパターンを作成した後、電
解メッキを行うとレジスト８ａでパターニングされた場
所以外のところに給電層メタル７ａから電子がメッキ液
に供給されて、メッキ金属９ａが成長する。
【００１６】次に、図４に示すようにレジスト８ａを酸
素アッシヤーや有機溶剤などで除去した後、給電層メタ
ル７ａ、バリヤメタル６ａを、メッキ金属９ａをマスク
にしてイオンミリングや反応性イオンエッチングにより
除去する。
素アッシヤーや有機溶剤などで除去した後、給電層メタ
ル７ａ、バリヤメタル６ａを、メッキ金属９ａをマスク
にしてイオンミリングや反応性イオンエッチングにより
除去する。
【００１７】次に、第２の絶縁膜12の除去に関して、い
ま、第１の絶縁膜11にＳi Ｏ2 膜、第２の絶縁膜12にＳ
i Ｎ膜を用いると、ＳＦ6 ＋Ｈe ガス中のプラズマエッ
チングにより、エッチングの選択比として10以上、すな
わち、Ｓi Ｏ2 膜のエッチング速度100 Å／分に対し
て、Ｓi Ｎ膜のエッチング速度1000Å／分を得ることは
容易であるので、穴部15を通してプラズマエッチングを
行うと、第１の絶縁膜11を残して第２の絶縁膜12のみが
除去され、図５に示す貫通孔16を有するエアーブリッジ
10ａを具えた半導体装置が得られる。
ま、第１の絶縁膜11にＳi Ｏ2 膜、第２の絶縁膜12にＳ
i Ｎ膜を用いると、ＳＦ6 ＋Ｈe ガス中のプラズマエッ
チングにより、エッチングの選択比として10以上、すな
わち、Ｓi Ｏ2 膜のエッチング速度100 Å／分に対し
て、Ｓi Ｎ膜のエッチング速度1000Å／分を得ることは
容易であるので、穴部15を通してプラズマエッチングを
行うと、第１の絶縁膜11を残して第２の絶縁膜12のみが
除去され、図５に示す貫通孔16を有するエアーブリッジ
10ａを具えた半導体装置が得られる。
【００１８】上記の如き半導体装置の製造方法によれ
ば、バリヤメタル６ａを絶縁膜12上にスパッタ蒸着して
いるので、従来の発明によるレジストの場合と比べて、
絶縁膜からの不純物発生によるバリヤメタル６ａの汚染
がなく、バリヤ効果を有効に保持することができる。
ば、バリヤメタル６ａを絶縁膜12上にスパッタ蒸着して
いるので、従来の発明によるレジストの場合と比べて、
絶縁膜からの不純物発生によるバリヤメタル６ａの汚染
がなく、バリヤ効果を有効に保持することができる。
【００１９】上述のようなエアーブリッジ10ａを具えた
半導体装置は、特に、モノリシックマイクロ波集積回路
（ＭＭＩＣ）に適用される。
半導体装置は、特に、モノリシックマイクロ波集積回路
（ＭＭＩＣ）に適用される。
【００２０】実施例２．なお、実施例１では、図２に示
すようにバリヤメタル６ａを第２の絶縁膜12の上に形成
したが、図６に示すように第１の絶縁膜11ａの上に形成
しても同様の効果を奏する。
すようにバリヤメタル６ａを第２の絶縁膜12の上に形成
したが、図６に示すように第１の絶縁膜11ａの上に形成
しても同様の効果を奏する。
【００２１】以下、実施例２を図６により説明する。な
お、図において、図１〜５と同一あるいは相当する部分
は同一の符号にて示してある。
お、図において、図１〜５と同一あるいは相当する部分
は同一の符号にて示してある。
【００２２】図６（ａ）は、図３に対応しており、半導
体基板１上にゲート電極２、ソース・ドレイン電極３を
形成し、第１の絶縁膜11ａを被着後、レジストを写真製
版によりパターニングし、それをマスクとしてコンタク
トホールを形成する。次に、バリヤメタル６ｂをスパッ
タ蒸着により形成し、第２の絶縁膜12ａを被着後、コン
タクトホールを形成し、次いで、給電層メタル７ｂをス
パッタ蒸着によって形成する。次に、レジスト８ｂでメ
ッキパターンを作成した後、電解メッキを行った状態を
図６（ａ）は示している。
体基板１上にゲート電極２、ソース・ドレイン電極３を
形成し、第１の絶縁膜11ａを被着後、レジストを写真製
版によりパターニングし、それをマスクとしてコンタク
トホールを形成する。次に、バリヤメタル６ｂをスパッ
タ蒸着により形成し、第２の絶縁膜12ａを被着後、コン
タクトホールを形成し、次いで、給電層メタル７ｂをス
パッタ蒸着によって形成する。次に、レジスト８ｂでメ
ッキパターンを作成した後、電解メッキを行った状態を
図６（ａ）は示している。
【００２３】次に、レジスト８ｂを酸素アッシヤーや有
機溶剤などで除去した後、メッキ金属９ｂをマスクにし
て、給電層メタル７ｂをイオンミリングや反応性イオン
エッチングにより除去し、次いで、第２の絶縁膜12ａお
よびバリヤメタル６ｂをＳＦ6 ＋Ｈe のガス中プラズマ
エッチングで除去する。ここで、バリヤメタル６ｂとし
て、例えば、ＷＳi ＮやＴi Ｎを用いると、第２の絶縁
膜12ａとしてＳi Ｎ膜を用いた場合に、該第２の絶縁膜
12に対する前記バリヤメタル６ｂのエッチングの選択比
が、ＳＦ6 ＋Ｈe ガス中のプラズマエッチングにおいて
同じ程度あるいはそれ以上であるため、バリヤメタル６
ｂの除去が可能となり、図６（ｂ）に示すエアーブリッ
ジ10ｂを有する半導体装置を得ることが出来る。
機溶剤などで除去した後、メッキ金属９ｂをマスクにし
て、給電層メタル７ｂをイオンミリングや反応性イオン
エッチングにより除去し、次いで、第２の絶縁膜12ａお
よびバリヤメタル６ｂをＳＦ6 ＋Ｈe のガス中プラズマ
エッチングで除去する。ここで、バリヤメタル６ｂとし
て、例えば、ＷＳi ＮやＴi Ｎを用いると、第２の絶縁
膜12ａとしてＳi Ｎ膜を用いた場合に、該第２の絶縁膜
12に対する前記バリヤメタル６ｂのエッチングの選択比
が、ＳＦ6 ＋Ｈe ガス中のプラズマエッチングにおいて
同じ程度あるいはそれ以上であるため、バリヤメタル６
ｂの除去が可能となり、図６（ｂ）に示すエアーブリッ
ジ10ｂを有する半導体装置を得ることが出来る。
【００２４】実施例３．なお、上記実施例２において、
第２の絶縁膜12ａの代わりにレジストを使用しても図６
（ｂ）と同様のエアーブリッジを有する半導体装置を得
ることが出来る。
第２の絶縁膜12ａの代わりにレジストを使用しても図６
（ｂ）と同様のエアーブリッジを有する半導体装置を得
ることが出来る。
【００２５】実施例４．図７および８は、実施例１、２
および３におけるエアーブリッジを有する半導体装置の
製造法において、エアーブリッジ形成時にその下層にあ
る被着層をプラズマエッチングにより等方的に除去する
他の実施例として、エアーブリッジに設ける貫通孔が円
状の場合について示したものである。なお、図１〜５と
同一あるいは相当する部分は同一記号を用いて示してあ
る。
および３におけるエアーブリッジを有する半導体装置の
製造法において、エアーブリッジ形成時にその下層にあ
る被着層をプラズマエッチングにより等方的に除去する
他の実施例として、エアーブリッジに設ける貫通孔が円
状の場合について示したものである。なお、図１〜５と
同一あるいは相当する部分は同一記号を用いて示してあ
る。
【００２６】図７（ａ）は、例えば図４に対応してお
り、第２の絶縁膜12ｂとしてＳi Ｎ膜の膜厚を２μｍ、
エアーブリッジ10ｃの貫通孔16ｂとなる穴15ａの径を２
μｍ、各穴の間隔を４μｍとして構成されたものであ
る。この状態から等方的エッチングを行い、第２の絶縁
膜12ｂをエッチングして図７（ｂ）に示す状態となる。
り、第２の絶縁膜12ｂとしてＳi Ｎ膜の膜厚を２μｍ、
エアーブリッジ10ｃの貫通孔16ｂとなる穴15ａの径を２
μｍ、各穴の間隔を４μｍとして構成されたものであ
る。この状態から等方的エッチングを行い、第２の絶縁
膜12ｂをエッチングして図７（ｂ）に示す状態となる。
【００２７】さらに、オーバーエッチングし、50％もオ
ーバーエッチングすると図７（ｃ）に示すようにほとん
ど第２の絶縁膜12ｂが除去出来る。この際、第１の絶縁
膜11ｂとして、Ｓi Ｏ2 膜を用いるとそのエッチング量
は1000Å以下と見なせるので、第１の絶縁膜11ｂの膜厚
は1000Å以上にしておけばよい。
ーバーエッチングすると図７（ｃ）に示すようにほとん
ど第２の絶縁膜12ｂが除去出来る。この際、第１の絶縁
膜11ｂとして、Ｓi Ｏ2 膜を用いるとそのエッチング量
は1000Å以下と見なせるので、第１の絶縁膜11ｂの膜厚
は1000Å以上にしておけばよい。
【００２８】以上のように、エアーブリッジ10ｃの貫通
孔16ｂとなる穴径を２μｍ、各穴の間隔を４μｍにする
と、エアーブリッジ10ｃにおいてどの位の面積が孔とな
るかを示したものが図８である。ここで同図において、
破線部は形成されるエアーブリッジの下層にある被着層
のエッチングされた部分を示している。図８から判るよ
うに、孔の面積のエアーブリッジ10ｃに占める割合、す
なわち気孔率は、穴１個の面積がπであるので、12個の
穴を含む場合に、12π／20×20＝0.094 と10％以下とな
る。一般に、マイクロ波帯では気孔率が50％以下であれ
ば寄生インダクタンスは問題とならないので、本発明に
よるエアーブリッジ10ｃは、例えばモノリシックマイク
ロ波集積回路（ＭＭＩＣ）に使用可能である。
孔16ｂとなる穴径を２μｍ、各穴の間隔を４μｍにする
と、エアーブリッジ10ｃにおいてどの位の面積が孔とな
るかを示したものが図８である。ここで同図において、
破線部は形成されるエアーブリッジの下層にある被着層
のエッチングされた部分を示している。図８から判るよ
うに、孔の面積のエアーブリッジ10ｃに占める割合、す
なわち気孔率は、穴１個の面積がπであるので、12個の
穴を含む場合に、12π／20×20＝0.094 と10％以下とな
る。一般に、マイクロ波帯では気孔率が50％以下であれ
ば寄生インダクタンスは問題とならないので、本発明に
よるエアーブリッジ10ｃは、例えばモノリシックマイク
ロ波集積回路（ＭＭＩＣ）に使用可能である。
【００２９】上記の如き半導体装置の製造方法によれ
ば、エアーブリッジ10ｃを一定間隔に配置された円状の
貫通孔16ｂを有する構造とするので、該貫通孔16ｂとな
る穴部15ａを利用してエアーブリッジ形成時にその下層
にある絶縁膜12ｂを等方性プラズマエッチングにより容
易に除去することができる。
ば、エアーブリッジ10ｃを一定間隔に配置された円状の
貫通孔16ｂを有する構造とするので、該貫通孔16ｂとな
る穴部15ａを利用してエアーブリッジ形成時にその下層
にある絶縁膜12ｂを等方性プラズマエッチングにより容
易に除去することができる。
【００３０】なお、上記実施例４ではエアーブリッジ10
ｃに設ける貫通孔16ｂが円状の場合について示したが、
貫通孔16ｂの形状が角状、短冊状であっても実施例４と
同様の効果を奏する。
ｃに設ける貫通孔16ｂが円状の場合について示したが、
貫通孔16ｂの形状が角状、短冊状であっても実施例４と
同様の効果を奏する。
【００３１】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に記載されるような効果を奏する。
れているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００３２】エアーブリッジを具えた半導体装置の製造
方法において、バリヤメタルが絶縁膜上に形成されるた
め、たとえバリヤメタルのスパッタリング時に該絶縁膜
が高温に暴露されても不純物の発生がなく、バリヤメタ
ルは汚染されない。このためバリヤメタルによりソース
・ドレイン電極とメッキ金属間での金属の拡散が有効に
防止されるエアーブリッジを具えた半導体装置を製造す
ることができる。
方法において、バリヤメタルが絶縁膜上に形成されるた
め、たとえバリヤメタルのスパッタリング時に該絶縁膜
が高温に暴露されても不純物の発生がなく、バリヤメタ
ルは汚染されない。このためバリヤメタルによりソース
・ドレイン電極とメッキ金属間での金属の拡散が有効に
防止されるエアーブリッジを具えた半導体装置を製造す
ることができる。
【００３３】エアーブリッジ上に一定間隔に配置された
円状、角状、短冊状の貫通孔が設けられるので、エアー
ブリッジ形成時に該貫通孔となる穴部によってエアーブ
リッジの下層にある被着層が等方的除去方法のプラズマ
エッチングできれいに除去可能となり、エアーブリッジ
を具えた半導体装置を製造することができる。
円状、角状、短冊状の貫通孔が設けられるので、エアー
ブリッジ形成時に該貫通孔となる穴部によってエアーブ
リッジの下層にある被着層が等方的除去方法のプラズマ
エッチングできれいに除去可能となり、エアーブリッジ
を具えた半導体装置を製造することができる。
【図１】この発明の実施例１を説明する断面図である。
【図２】この発明の実施例１を説明する断面図である。
【図３】この発明の実施例１を説明する断面図である
【図４】この発明の実施例１を説明する断面図である。
【図５】この発明の実施例１を説明する断面図である。
【図６】この発明の実施例２を説明する断面図である。
【図７】この発明の実施例４を説明する断面図である。
【図８】この発明の実施例４を説明する平面図である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法を説明する断面図
である。
である。
１ 半導体基板 ３ ソース・ドレイン電極 ６ バリヤメタル ７ 給電層メタル ８ メッキパターン形成用レジスト ９ メッキ金属 10 エアーブリッジ 11 第１の絶縁膜 12 第２の絶縁膜 13 レジスト 14 コンタクトホール 15 穴 16 貫通孔
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されたソース・ドレ
イン電極上に、エッチング速度の小さい第１の絶縁膜を
下層に、エッチング速度の大きい第２の絶縁膜を上層に
被着し、上記第２の絶縁膜にレジストをマスクにしてコ
ンタクトホールを形成する工程と、 上記レジストを除去した後上記第２の絶縁膜およびコン
タクトホール上にスパッタ蒸着によりバリヤメタル、給
電層メタルを順次被着する工程と、 上記給電層メタル上にメッキパターン形成用レジストで
パターニングし、メッキ金属形成を行う工程と、 上記メッキ金属をマスクにして、上記のメッキパターン
形成用レジスト、給電層メタル、バリヤメタルを順次除
去する工程と、 上記エッチング速度の大きい第２の絶縁膜を除去して、
貫通孔を有するエアーブリッジを形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成されたソース・ドレ
イン電極上に、第１の絶縁膜を被着し、該第１の絶縁膜
にコンタクトホールを形成した後スパッタ蒸着によりバ
リヤメタルを被着する工程と、 上記バリヤメタル上に、上記第１の絶縁膜よりエッチン
グ速度の大きい第２の絶縁膜を被着し、該第２の絶縁膜
にコンタクトホールを形成した後給電層メタルを被着す
る工程と、 上記給電層メタル上に、レジストでパターニングしメッ
キ金属形成を行う工程と、 上記メッキ金属をマスクにして、上記のレジスト、給電
層メタル、エッチング速度の大きい第２の絶縁膜、バリ
ヤメタルを順次除去して、貫通孔を有するエアーブリッ
ジを形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチング速度の大きい第２の絶縁
膜の代わりに、レジストを使用することを特徴とする請
求項第２項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 エアーブリッジに一定間隔に配置された
円状、角状、短冊状の貫通孔が設けられ、該貫通孔とな
る穴部を通してエアーブリッジ形成時の下層にある被着
層をプラズマエッチング除去することを特徴とする請求
項第１項、第２項又は第３項記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4070579A JP2989956B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4070579A JP2989956B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275549A JPH05275549A (ja) | 1993-10-22 |
| JP2989956B2 true JP2989956B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=13435609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4070579A Expired - Fee Related JP2989956B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2989956B2 (ja) |
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| JP5007636B2 (ja) | 2007-09-18 | 2012-08-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体受光素子の製造方法 |
| JP5360134B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2013-12-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6247495B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2017-12-13 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、及びその製造方法 |
| CN113707601A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-11-26 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 空气桥的制备方法、空气桥结构及超导量子芯片 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4070579A patent/JP2989956B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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