JP2984945B2 - ポリオレフィンの製造方法 - Google Patents
ポリオレフィンの製造方法Info
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- JP2984945B2 JP2984945B2 JP3048643A JP4864391A JP2984945B2 JP 2984945 B2 JP2984945 B2 JP 2984945B2 JP 3048643 A JP3048643 A JP 3048643A JP 4864391 A JP4864391 A JP 4864391A JP 2984945 B2 JP2984945 B2 JP 2984945B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F10/00—Homopolymers and copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は新規なポリオレフィン
の製造方法に関する。さらに詳細には、本願発明は固体
当たりの重合体収量および遷移金属当たりの重合体収量
を著しく増加させ、その結果重合体中の触媒残基を除去
する工程を不要ならしめ、また生成重合体のかさ密度を
高め、かつ生成ポリマーの微粉状部分を減少させ平均粒
径が大きい良好な粒子を生成せしめ、また同時に狭い分
子量分布を有するポリオレフィンを製造する方法に関す
る。
の製造方法に関する。さらに詳細には、本願発明は固体
当たりの重合体収量および遷移金属当たりの重合体収量
を著しく増加させ、その結果重合体中の触媒残基を除去
する工程を不要ならしめ、また生成重合体のかさ密度を
高め、かつ生成ポリマーの微粉状部分を減少させ平均粒
径が大きい良好な粒子を生成せしめ、また同時に狭い分
子量分布を有するポリオレフィンを製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】従来こ
の種の技術分野においては、ハロゲン化マグネシウム、
酸化マグネシウム、水酸化マグネシウムなどの無機マグ
ネシウム固体を担体としてこれにチタンまたはバナジウ
ムなどの遷移金属の化合物を担持させた触媒が数多く知
られている。しかしながら、これらの公知技術において
は、得られるポリオレフィンのかさ比重は一般に小さ
く、また平均粒径も比較的小さく、粒径分布も概して広
いため微粒子状粉末部分が多く、ポリマーを成形加工す
るさいにも粉塵の発生、成形時の能率の低下等の問題を
生ずるため、生産性およびポリマーハンドリングの面か
ら改良が強く望まれていた。さらに、近年要求の高まっ
ているペレット化工程を省略し、粉体ポリマーをそのま
ま加工機にかけるためにはまだまだ改良が必要とされて
いる。
の種の技術分野においては、ハロゲン化マグネシウム、
酸化マグネシウム、水酸化マグネシウムなどの無機マグ
ネシウム固体を担体としてこれにチタンまたはバナジウ
ムなどの遷移金属の化合物を担持させた触媒が数多く知
られている。しかしながら、これらの公知技術において
は、得られるポリオレフィンのかさ比重は一般に小さ
く、また平均粒径も比較的小さく、粒径分布も概して広
いため微粒子状粉末部分が多く、ポリマーを成形加工す
るさいにも粉塵の発生、成形時の能率の低下等の問題を
生ずるため、生産性およびポリマーハンドリングの面か
ら改良が強く望まれていた。さらに、近年要求の高まっ
ているペレット化工程を省略し、粉体ポリマーをそのま
ま加工機にかけるためにはまだまだ改良が必要とされて
いる。
【０００３】本発明者らは先に上記の欠点を改良した新
規触媒成分を見出し、既に種々の特許出願を行った（特
公平１−１１６５１、特公平１−１２２８９、特開昭６
０−１４９６０５、特開昭６２−３２１０５、特開昭６
２−２０７３０６等）。この触媒成分を用いた場合かさ
密度が高く、平均粒径の大きいポリマーを得ることがで
きるが、ペレット化工程を省略し、粉体ポリマーをその
まま加工機にかけるためにはさらに改良が必要とされ
た。
規触媒成分を見出し、既に種々の特許出願を行った（特
公平１−１１６５１、特公平１−１２２８９、特開昭６
０−１４９６０５、特開昭６２−３２１０５、特開昭６
２−２０７３０６等）。この触媒成分を用いた場合かさ
密度が高く、平均粒径の大きいポリマーを得ることがで
きるが、ペレット化工程を省略し、粉体ポリマーをその
まま加工機にかけるためにはさらに改良が必要とされ
た。
【０００４】また本発明者らは特にフィルム分野で要求
される分子量分布が狭く、かつ低分子量成分の少ないポ
リマーを与える触媒を提案した（特願平１−２００３４
８）がさらにすぐれた触媒が要求されていた。
される分子量分布が狭く、かつ低分子量成分の少ないポ
リマーを与える触媒を提案した（特願平１−２００３４
８）がさらにすぐれた触媒が要求されていた。
【０００５】本発明はこれらの欠点を改良し、さらにか
さ密度が高く、かつ粒径分布が狭く、ポリマーの微粒子
状部分が著しく少なく、流動性の良好な重合体を極めて
高活性に得ることを目的として鋭意研究の結果、本発明
に到達したものである。
さ密度が高く、かつ粒径分布が狭く、ポリマーの微粒子
状部分が著しく少なく、流動性の良好な重合体を極めて
高活性に得ることを目的として鋭意研究の結果、本発明
に到達したものである。
【０００６】
【課題の解決】すなわち、本発明は、固体触媒成分と有
機金属化合物を触媒としてオレフィンを重合または共重
合する方法において、該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムおよび 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物および 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を相互に反応させて得られる物質から
なることを特徴とするポリオレフィンの製造方法に関す
る。
機金属化合物を触媒としてオレフィンを重合または共重
合する方法において、該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムおよび 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物および 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を相互に反応させて得られる物質から
なることを特徴とするポリオレフィンの製造方法に関す
る。
【０００７】また、本発明は、固体触媒成分と有機金属
化合物を触媒としてオレフィンを重合または共重合する
方法において、該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムおよび 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物を反応させて得られる物質に、さらに、 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を反応させて得られる物質からなるこ
とを特徴とするポリオレフィンの製造方法に関する。
化合物を触媒としてオレフィンを重合または共重合する
方法において、該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムおよび 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物を反応させて得られる物質に、さらに、 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を反応させて得られる物質からなるこ
とを特徴とするポリオレフィンの製造方法に関する。
【０００８】また本発明は、固体触媒成分と有機金属化
合物を触媒としてオレフィンを重合または共重合する方
法において、該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムおよび 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を反応させて得られる反応生成物に、
さらに 〔III 〕 一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物を反応させて得られる物質からなることを特
徴とするポリオレフィンの製造方法に関する。
合物を触媒としてオレフィンを重合または共重合する方
法において、該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムおよび 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を反応させて得られる反応生成物に、
さらに 〔III 〕 一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物を反応させて得られる物質からなることを特
徴とするポリオレフィンの製造方法に関する。
【０００９】また、本発明は固体触媒成分と有機金属化
合物を触媒としてオレフィンを重合または共重合する方
法において、該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムおよび 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物と 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は炭素数１〜２０の炭化水素
残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水素残基を示
し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃおよびｄは０
≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ≦４、ただ
し０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表されるケイ素
化合物との反応生成物を反応させて得られる物質からな
ることを特徴とするポリオレフィンの製造方法に関す
る。
合物を触媒としてオレフィンを重合または共重合する方
法において、該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムおよび 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物と 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は炭素数１〜２０の炭化水素
残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水素残基を示
し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃおよびｄは０
≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ≦４、ただ
し０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表されるケイ素
化合物との反応生成物を反応させて得られる物質からな
ることを特徴とするポリオレフィンの製造方法に関す
る。
【００１０】本発明の方法を用いることにより、平均粒
径が比較的大きく、粒度分布が狭く、微粒子状部分が少
ないポリオレフィンが極めて高活性に得られ、また生成
ポリオレフィンのかさ比重は高く、自由流動性も良好
等、重合操作上非常に有利となり、さらにペレットとし
て用いる場合はもちろんのこと粉体状のままでも成形加
工に供することができ、成形加工時のトラブルも少な
く、きわめて有利にポリオレフィンを製造することがで
きる。
径が比較的大きく、粒度分布が狭く、微粒子状部分が少
ないポリオレフィンが極めて高活性に得られ、また生成
ポリオレフィンのかさ比重は高く、自由流動性も良好
等、重合操作上非常に有利となり、さらにペレットとし
て用いる場合はもちろんのこと粉体状のままでも成形加
工に供することができ、成形加工時のトラブルも少な
く、きわめて有利にポリオレフィンを製造することがで
きる。
【００１１】本発明の触媒を用いて得られるポリマーは
分子量分布がきわめて狭く、また、ヘキサン抽出量が少
なく、低重合物の副生が非常に少ないことも特徴であ
る。したがって本発明の方法で得られた分子量分布の狭
いポリオレフィンをフィルム用に供した場合には、強度
が高く、透明生にすぐれ、かつ抗ブロッキング性および
ヒートシール性がすぐれているなど多くの長所を有す
る。
分子量分布がきわめて狭く、また、ヘキサン抽出量が少
なく、低重合物の副生が非常に少ないことも特徴であ
る。したがって本発明の方法で得られた分子量分布の狭
いポリオレフィンをフィルム用に供した場合には、強度
が高く、透明生にすぐれ、かつ抗ブロッキング性および
ヒートシール性がすぐれているなど多くの長所を有す
る。
【００１２】以下、本発明を具体的に説明する。本発明
のポリオレフィンの製造方法において用いる触媒は、 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムと一般式 Ｍｅ（ＯＲ）
n Ｘz-n で表わされる化合物を反応させて得られる反応
生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m で表わされる
チタン化合物を一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物の存
在下、相互に反応させて得られる物質（第〔Ｉ〕成
分）、 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒ4 q Ｘ3-(p+q) で表
される有機アルミニウム化合物（第〔II〕成分）および 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）
d Ｘ4-(a+b+c+d) で表されるケイ素化合物（第〔III 〕
成分）を相互に反応させて得られる物質からなる固体触
媒成分と有機金属化合物とからなる。
のポリオレフィンの製造方法において用いる触媒は、 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウムと一般式 Ｍｅ（ＯＲ）
n Ｘz-n で表わされる化合物を反応させて得られる反応
生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m で表わされる
チタン化合物を一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物の存
在下、相互に反応させて得られる物質（第〔Ｉ〕成
分）、 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒ4 q Ｘ3-(p+q) で表
される有機アルミニウム化合物（第〔II〕成分）および 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）
d Ｘ4-(a+b+c+d) で表されるケイ素化合物（第〔III 〕
成分）を相互に反応させて得られる物質からなる固体触
媒成分と有機金属化合物とからなる。
【００１３】＜１＞ 固体触媒成分 １．第〔Ｉ〕成分 （１）本発明において用いるケイ素酸化物とはシリカも
しくは、ケイ素と周期律表Ｉ〜VIII族の少なくとも一種
の他の金属との複酸化物である。本発明において用いる
アルミニウム酸化物とはアルミニウムもしくはアルミニ
ウムと周期律表Ｉ〜VIII族の少なくとも一種の他の金属
との複酸化物である。
しくは、ケイ素と周期律表Ｉ〜VIII族の少なくとも一種
の他の金属との複酸化物である。本発明において用いる
アルミニウム酸化物とはアルミニウムもしくはアルミニ
ウムと周期律表Ｉ〜VIII族の少なくとも一種の他の金属
との複酸化物である。
【００１４】ケイ素またはアルミニウムと周期律表Ｉ〜
VIII族の少なくとも１種の他の金属の複酸化物の代表的
なものとしてはＡｌ2 Ｏ3 ・ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 ・Ｃａ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＭｇＯ・Ｃａ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＭｇＯ・ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 ・Ｃｕ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 ・Ｆｅ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＮｉＯ、Ｓ
ｉＯ2 ・ＭｇＯなどの天然または合成の各種複酸化物を
例示することができる。ここで上記の式は分子式ではな
く、組成のみを表わすものであって、本発明において用
いられる複酸化物の構造および成分比率は特に限定され
るものではない。なお、当然のことながら、本発明にお
いて用いるケイ素酸化物および／またはアルミニウム酸
化物は少量の水分を吸着していても差しつかえなく、ま
た少量の不純物を含有していても支障なく使用できる。
VIII族の少なくとも１種の他の金属の複酸化物の代表的
なものとしてはＡｌ2 Ｏ3 ・ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 ・Ｃａ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＭｇＯ・Ｃａ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＭｇＯ・ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 ・Ｃｕ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 ・Ｆｅ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＮｉＯ、Ｓ
ｉＯ2 ・ＭｇＯなどの天然または合成の各種複酸化物を
例示することができる。ここで上記の式は分子式ではな
く、組成のみを表わすものであって、本発明において用
いられる複酸化物の構造および成分比率は特に限定され
るものではない。なお、当然のことながら、本発明にお
いて用いるケイ素酸化物および／またはアルミニウム酸
化物は少量の水分を吸着していても差しつかえなく、ま
た少量の不純物を含有していても支障なく使用できる。
【００１５】また、これらのケイ素酸化物および／また
はアルミニウム酸化物の性状は、本発明の目的を損わな
い限り特に限定されないが、好ましくは粒径が１〜２０
０μｍ、細孔容積が０．３ｍｌ／ｇ以上、表面積が５０
ｍ2 ／ｇ以上のシリカが望ましい。また使用するにあた
って予め２００〜８００℃で常法により焼成処理を施す
ことが望ましい。
はアルミニウム酸化物の性状は、本発明の目的を損わな
い限り特に限定されないが、好ましくは粒径が１〜２０
０μｍ、細孔容積が０．３ｍｌ／ｇ以上、表面積が５０
ｍ2 ／ｇ以上のシリカが望ましい。また使用するにあた
って予め２００〜８００℃で常法により焼成処理を施す
ことが望ましい。
【００１６】（２）本発明に使用されるハロゲン化マグ
ネシウムとしては実質的に無水のものが用いられ、フッ
化マグネシウム、塩化マグネシウム、臭化マグネシウ
ム、およびヨウ化マグネシウムがあげられ、とくに塩化
マグネシウムが好ましい。
ネシウムとしては実質的に無水のものが用いられ、フッ
化マグネシウム、塩化マグネシウム、臭化マグネシウ
ム、およびヨウ化マグネシウムがあげられ、とくに塩化
マグネシウムが好ましい。
【００１７】また本発明において、これらのハロゲン化
マグネシウムはアルコール、エステル、ケトン、カルボ
ン酸、エーテル、アミン、ホスフィンなどの電子供与体
で処理したものであってもよい。
マグネシウムはアルコール、エステル、ケトン、カルボ
ン酸、エーテル、アミン、ホスフィンなどの電子供与体
で処理したものであってもよい。
【００１８】本発明に使用される一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原子
を示す。またＲは炭素数１〜２０、好ましくは１〜８、
のアルキル基、アリール基、アラルキル基等の炭化水素
残基を示し、それぞれ同一でもまた異なっていてもよ
い）で表わされる化合物としては、たとえばＮａＯＲ、
Ｍｇ（ＯＲ）2 、Ｍｇ（ＯＲ）Ｘ、Ｃａ（ＯＲ）2 、Ｚ
ｎ（ＯＲ）2 、Ｃｄ（ＯＲ）2 、Ｂ（ＯＲ）3 、Ａｌ
（ＯＲ）3 、Ａｌ（ＯＲ）2 Ｘ、Ａｌ（ＯＲ）Ｘ2 、Ｓ
ｉ（ＯＲ）4 、Ｓｉ（ＯＲ）3 Ｘ、Ｓｉ（ＯＲ）
2 Ｘ2 、Ｓｉ（ＯＲ）Ｘ3 、Ｓｎ（ＯＲ）4 などで示さ
れる各種の化合物をあげることができる。これらの好ま
しい具体例としては、Ｍｇ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、Ｍｇ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）Ｃｌ、Ａｌ（ＯＣＨ3）3 、Ａｌ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 、Ａｌ（Ｏｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、Ａｌ（Ｏｉ−Ｃ3
Ｈ7 ）3 、Ａｌ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（Ｏｓｅｃ
−Ｃ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（Ｏｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（Ｏ
ＣＨ3 ）2 Ｃｌ、Ａｌ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、Ａｌ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、Ａｌ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、Ａ
ｌ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7）Ｃｌ2 、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ5 ）3 、
Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ5 ）Ｃ
ｌ2 、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ4 ＣＨ3 ）3 、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ4
ＣＨ3 ）2 Ｃｌ、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ4 ＣＨ3 ）Ｃｌ2 、Ａ
ｌ（ＯＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ）3 、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5 ）4 、Ｓ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃ
ｌ2 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）
4 、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）2
Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＯＣＨ2 Ｃ
6 Ｈ5 ）4 、Ｂ（ＯＣＨ3 ）3 、Ｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、
Ｂ（ＯｎＣ4 Ｈ7 ）3 などの化合物をあげることができ
る。
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原子
を示す。またＲは炭素数１〜２０、好ましくは１〜８、
のアルキル基、アリール基、アラルキル基等の炭化水素
残基を示し、それぞれ同一でもまた異なっていてもよ
い）で表わされる化合物としては、たとえばＮａＯＲ、
Ｍｇ（ＯＲ）2 、Ｍｇ（ＯＲ）Ｘ、Ｃａ（ＯＲ）2 、Ｚ
ｎ（ＯＲ）2 、Ｃｄ（ＯＲ）2 、Ｂ（ＯＲ）3 、Ａｌ
（ＯＲ）3 、Ａｌ（ＯＲ）2 Ｘ、Ａｌ（ＯＲ）Ｘ2 、Ｓ
ｉ（ＯＲ）4 、Ｓｉ（ＯＲ）3 Ｘ、Ｓｉ（ＯＲ）
2 Ｘ2 、Ｓｉ（ＯＲ）Ｘ3 、Ｓｎ（ＯＲ）4 などで示さ
れる各種の化合物をあげることができる。これらの好ま
しい具体例としては、Ｍｇ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、Ｍｇ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）Ｃｌ、Ａｌ（ＯＣＨ3）3 、Ａｌ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 、Ａｌ（Ｏｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、Ａｌ（Ｏｉ−Ｃ3
Ｈ7 ）3 、Ａｌ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（Ｏｓｅｃ
−Ｃ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（Ｏｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 、Ａｌ（Ｏ
ＣＨ3 ）2 Ｃｌ、Ａｌ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、Ａｌ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、Ａｌ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、Ａ
ｌ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7）Ｃｌ2 、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ5 ）3 、
Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ5 ）Ｃ
ｌ2 、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ4 ＣＨ3 ）3 、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ4
ＣＨ3 ）2 Ｃｌ、Ａｌ（ＯＣ6 Ｈ4 ＣＨ3 ）Ｃｌ2 、Ａ
ｌ（ＯＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ）3 、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5 ）4 、Ｓ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃ
ｌ2 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）
4 、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）2
Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＯＣＨ2 Ｃ
6 Ｈ5 ）4 、Ｂ（ＯＣＨ3 ）3 、Ｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、
Ｂ（ＯｎＣ4 Ｈ7 ）3 などの化合物をあげることができ
る。
【００１９】ハロゲン化マグネシウムと一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n ＸZ-n で表わされる化合物との反応割合は、Ｍｅ／Ｍｇ（モル
比）が０．０１〜１０、好ましくは０．１〜５の範囲が
望ましい。
比）が０．０１〜１０、好ましくは０．１〜５の範囲が
望ましい。
【００２０】ハロゲン化マグネシウムと一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘx-n で表わされる化合物との反応方法は特に限定されるもの
ではなく、不活性の炭化水素溶媒の存在下または不存在
下、両者を温度０〜２００℃にて３０分〜５０時間、ボ
ールミル、振動ミル、ロッドミル、衝撃ミルなどを用い
て共粉砕する方法を用いてもよく、また、不活性炭化水
素、アルコール類、フェノール類、エーテル類、ケトン
類、エステル類、アミン類、ニトリル類等あるいはそれ
らの混合物からなる有機溶媒両者を２０〜４００℃、好
ましくは５０〜３００℃の温度で５分〜１０時間混合加
熱反応させ、しかる後溶媒を蒸発除去する方法を用いて
もよい。本発明においては両者を共粉砕する方法が好ま
しく用いられる。
ではなく、不活性の炭化水素溶媒の存在下または不存在
下、両者を温度０〜２００℃にて３０分〜５０時間、ボ
ールミル、振動ミル、ロッドミル、衝撃ミルなどを用い
て共粉砕する方法を用いてもよく、また、不活性炭化水
素、アルコール類、フェノール類、エーテル類、ケトン
類、エステル類、アミン類、ニトリル類等あるいはそれ
らの混合物からなる有機溶媒両者を２０〜４００℃、好
ましくは５０〜３００℃の温度で５分〜１０時間混合加
熱反応させ、しかる後溶媒を蒸発除去する方法を用いて
もよい。本発明においては両者を共粉砕する方法が好ま
しく用いられる。
【００２１】（３）本発明において用いる一般式Ｔｉ
（ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０好ま
しくは１〜１２のアルキル基、アリール基、アラルキル
基等の炭化水素残基、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０
≦ｍ≦４である）で表わされるチタン化合物としては、
具体的には、四塩化チタン、四臭化チタン、四ヨウ化チ
タン等のテトラハロゲン化チタン、モノメトキシトリク
ロロチタン、ジメトキシジクロロチタン、トリメトキシ
モノクロロチタン、テトラメトキシチタン、モノエトキ
シトリクロロチタン、モノエトキシトリフルオロチタ
ン、モノエトキシトリブロモチタン、ジエトキシジフル
オロチタン、ジエトキシジクロロチタン、ジエトキシジ
ブロモチタン、トリエトキシフルオロチタン、トリエト
キシクロロチタン、テトラエトキシチタン、モノプロポ
キシトリクロロチタン、モノイソプロポキシトリクロロ
チタン、ジプロポキシジクロロチタン、ジイソプロポキ
シジクロロチタン、ジイソプロポキシジブロモチタン、
トリイソプロポキシフルオロチタン、トリプロポキシク
ロロチタン、テトラｎ−プロポキシチタン、テトライソ
プロポキシチタン、モノブトキシトリクロロチタン、モ
ノイソブトキシトリクロロチタン、ジブトキシジクロロ
チタン、ジイソプロポキシジクロロチタン、トリブトキ
シフルオロチタン、トリブトキシクロロチタン、トリイ
ソブトキシクロロチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタ
ン、テトライソブトキシチタン、テトラ−ｓｅｃ−ブト
キシチタン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシチタン、モノ
ペントキシトリクロロチタン、ジペントキシジクロロチ
タン、トリペントキシモノクロロチタン、テトラ−ｎ−
ペンチルオキシチタン、テトラ−シクロペンチルオキシ
チタン、モノオクチルオキシトリクロロチタン、ジオク
チルオキシジクロロチタン、トリオクチルオキシモノク
ロロチタン、テトラ−ｎ−ヘキシルオキシチタン、テト
ラシクロヘキシルオキシチタン、テトラ−ｎ−ヘプチル
オキシチタン、テトラ−ｎ−オクチルオキシチタン、モ
ノ−２−エチルヘキシルオキシトリクロロチタン、ジ−
２−エチルヘキシルオキシジクロロチタン、トリ−２−
エチルヘキシルオキシモノクロロチタン、テトラ−２−
エチルヘキシルオキシチタン、テトラ−ノニルオキシチ
タン、テトラデシルオキシチタン、テトライソボルニル
オキシチタン、テトラオレイルオキシチタン、テトラア
リルオキシチタン、テトラベンジルオキシチタン、テト
ラベンズヒドリルオキシチタン、モノフェノキシトリク
ロロチタン、ジフェノキシジクロロチタン、トリフェノ
キシクロロチタン、トリ−ｏ−キシレンオキシクロロチ
タン、テトラフェノキシチタン、テトラ−ｏ−メチルフ
ェノキシチタン、テトラ−ｍ−メチルフェノキシチタ
ン、テトラ−１−ナフチルオキシチタン、テトラ−２−
ナフチルオキシチタン、または、これらの任意混合物な
どが例示され、好ましくは四塩化チタン、モノエトキシ
トリクロロチタン、ジエトキシジクロロチタン、モノブ
トキシトリクロロチタン、ジブトキシジクロロチタン、
テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、
テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラ−ｎ−ヘキシルオ
キシチタン、テトラ−ｎ−オクチルオキシチタン、テト
ラ−２−エチルヘキシルオキシチタンなどが望ましい。
（４）本発明の第〔Ｉ〕成分は、前記（１）ケイ素酸化
物および／またはアルミニウム酸化物（成分〔Ｉ〕−
（１））、（２）ハロゲン化マグネシウムと一般式Ｍｅ
（ＯＲ）n ＸZ-n で表わされる化合物を反応させて得ら
れる反応生成物（成分〔Ｉ〕−（２））および（３）一
般式 Ｔｉ（ＯＲ1 ）m Ｘ4-m で表わされるチタン化合
物（成分〔Ｉ〕−（３））を一般式Ｒ2 ＯＨで表わされ
る化合物の存在下相互に反応させることにより得る。
（ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０好ま
しくは１〜１２のアルキル基、アリール基、アラルキル
基等の炭化水素残基、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０
≦ｍ≦４である）で表わされるチタン化合物としては、
具体的には、四塩化チタン、四臭化チタン、四ヨウ化チ
タン等のテトラハロゲン化チタン、モノメトキシトリク
ロロチタン、ジメトキシジクロロチタン、トリメトキシ
モノクロロチタン、テトラメトキシチタン、モノエトキ
シトリクロロチタン、モノエトキシトリフルオロチタ
ン、モノエトキシトリブロモチタン、ジエトキシジフル
オロチタン、ジエトキシジクロロチタン、ジエトキシジ
ブロモチタン、トリエトキシフルオロチタン、トリエト
キシクロロチタン、テトラエトキシチタン、モノプロポ
キシトリクロロチタン、モノイソプロポキシトリクロロ
チタン、ジプロポキシジクロロチタン、ジイソプロポキ
シジクロロチタン、ジイソプロポキシジブロモチタン、
トリイソプロポキシフルオロチタン、トリプロポキシク
ロロチタン、テトラｎ−プロポキシチタン、テトライソ
プロポキシチタン、モノブトキシトリクロロチタン、モ
ノイソブトキシトリクロロチタン、ジブトキシジクロロ
チタン、ジイソプロポキシジクロロチタン、トリブトキ
シフルオロチタン、トリブトキシクロロチタン、トリイ
ソブトキシクロロチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタ
ン、テトライソブトキシチタン、テトラ−ｓｅｃ−ブト
キシチタン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシチタン、モノ
ペントキシトリクロロチタン、ジペントキシジクロロチ
タン、トリペントキシモノクロロチタン、テトラ−ｎ−
ペンチルオキシチタン、テトラ−シクロペンチルオキシ
チタン、モノオクチルオキシトリクロロチタン、ジオク
チルオキシジクロロチタン、トリオクチルオキシモノク
ロロチタン、テトラ−ｎ−ヘキシルオキシチタン、テト
ラシクロヘキシルオキシチタン、テトラ−ｎ−ヘプチル
オキシチタン、テトラ−ｎ−オクチルオキシチタン、モ
ノ−２−エチルヘキシルオキシトリクロロチタン、ジ−
２−エチルヘキシルオキシジクロロチタン、トリ−２−
エチルヘキシルオキシモノクロロチタン、テトラ−２−
エチルヘキシルオキシチタン、テトラ−ノニルオキシチ
タン、テトラデシルオキシチタン、テトライソボルニル
オキシチタン、テトラオレイルオキシチタン、テトラア
リルオキシチタン、テトラベンジルオキシチタン、テト
ラベンズヒドリルオキシチタン、モノフェノキシトリク
ロロチタン、ジフェノキシジクロロチタン、トリフェノ
キシクロロチタン、トリ−ｏ−キシレンオキシクロロチ
タン、テトラフェノキシチタン、テトラ−ｏ−メチルフ
ェノキシチタン、テトラ−ｍ−メチルフェノキシチタ
ン、テトラ−１−ナフチルオキシチタン、テトラ−２−
ナフチルオキシチタン、または、これらの任意混合物な
どが例示され、好ましくは四塩化チタン、モノエトキシ
トリクロロチタン、ジエトキシジクロロチタン、モノブ
トキシトリクロロチタン、ジブトキシジクロロチタン、
テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、
テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラ−ｎ−ヘキシルオ
キシチタン、テトラ−ｎ−オクチルオキシチタン、テト
ラ−２−エチルヘキシルオキシチタンなどが望ましい。
（４）本発明の第〔Ｉ〕成分は、前記（１）ケイ素酸化
物および／またはアルミニウム酸化物（成分〔Ｉ〕−
（１））、（２）ハロゲン化マグネシウムと一般式Ｍｅ
（ＯＲ）n ＸZ-n で表わされる化合物を反応させて得ら
れる反応生成物（成分〔Ｉ〕−（２））および（３）一
般式 Ｔｉ（ＯＲ1 ）m Ｘ4-m で表わされるチタン化合
物（成分〔Ｉ〕−（３））を一般式Ｒ2 ＯＨで表わされ
る化合物の存在下相互に反応させることにより得る。
【００２２】一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物として
は、式中のＲ2 が炭素数１〜２０、好ましくは６〜１２
の炭化水素基または酸素、窒素、イオウ、塩素等の元素
を含む有機残基であるものである。該炭化水素基として
はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル
基等が望ましく、特に分枝構造を有する炭化水素基であ
ることが好ましい。これらの一般式で表わされる化合物
としては、具体的には、メタノール、エタノール、１−
プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２
−メチル−１−プロパノール、２−ブタノール、２−メ
チル−２−プロパノール、１−ペンタノール、２−ペン
タノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノ
ール、３−メチル−１−ブタノール、２−メチル−２−
ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、２，２−ジ
メチル−１−プロパノール、１−ヘキサノール、２−メ
チル−１−ペンタノール、４−メチル−１−ペンタノー
ル、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−
ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３
−ヘプタノール、４−ヘプタノール、２，４−ジメチル
−３−ペンタノール、１−オクタノール、２−オクタノ
ール、２−エチル−１−ヘキサノール、３，５−ジメチ
ル−１−ヘキサノール、２，２，４−トリメチル−１−
ペンタノール、１−ノナノール、５−ノナノール、３，
５−ジメチル−４−ヘプタノール、２，６−ジメチル−
４−ヘプタノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキ
サノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−
ドデカノール、２，６，８−トリメチル−４−ノナノー
ル、１−トリデカノール、１−ペンタデカノール、１−
ヘキサデカノール、１−ヘプタデカノール、１−オクタ
デカノール、１−ノナデカノール、１−エイコサノー
ル、フェノール、クロロフェノール、ベンジルアルコー
ル、メチルセロソルブまたはこれらの任意混合物などが
挙げられる。好ましくは、２−メチル−１−ペンタノー
ル、４−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−
ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、２，４−
ジメチル−３−ペンタノール、２−エチル−１−ヘキサ
ノール、３，５−ジメチル−１−ヘキサノール、２，
２，４−トリメチル−１−ペンタノール、３，５−ジメ
チル−４−ヘプタノール、２，６−ジメチル−４−ヘプ
タノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキサノール
などが望ましい。
は、式中のＲ2 が炭素数１〜２０、好ましくは６〜１２
の炭化水素基または酸素、窒素、イオウ、塩素等の元素
を含む有機残基であるものである。該炭化水素基として
はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル
基等が望ましく、特に分枝構造を有する炭化水素基であ
ることが好ましい。これらの一般式で表わされる化合物
としては、具体的には、メタノール、エタノール、１−
プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２
−メチル−１−プロパノール、２−ブタノール、２−メ
チル−２−プロパノール、１−ペンタノール、２−ペン
タノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノ
ール、３−メチル−１−ブタノール、２−メチル−２−
ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、２，２−ジ
メチル−１−プロパノール、１−ヘキサノール、２−メ
チル−１−ペンタノール、４−メチル−１−ペンタノー
ル、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−
ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３
−ヘプタノール、４−ヘプタノール、２，４−ジメチル
−３−ペンタノール、１−オクタノール、２−オクタノ
ール、２−エチル−１−ヘキサノール、３，５−ジメチ
ル−１−ヘキサノール、２，２，４−トリメチル−１−
ペンタノール、１−ノナノール、５−ノナノール、３，
５−ジメチル−４−ヘプタノール、２，６−ジメチル−
４−ヘプタノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキ
サノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−
ドデカノール、２，６，８−トリメチル−４−ノナノー
ル、１−トリデカノール、１−ペンタデカノール、１−
ヘキサデカノール、１−ヘプタデカノール、１−オクタ
デカノール、１−ノナデカノール、１−エイコサノー
ル、フェノール、クロロフェノール、ベンジルアルコー
ル、メチルセロソルブまたはこれらの任意混合物などが
挙げられる。好ましくは、２−メチル−１−ペンタノー
ル、４−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−
ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、２，４−
ジメチル−３−ペンタノール、２−エチル−１−ヘキサ
ノール、３，５−ジメチル−１−ヘキサノール、２，
２，４−トリメチル−１−ペンタノール、３，５−ジメ
チル−４−ヘプタノール、２，６−ジメチル−４−ヘプ
タノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキサノール
などが望ましい。
【００２３】もちろん、工業用アルコールとして市販さ
れているメタノール、変性アルコール、ヘキサン変性ア
ルコールと称される各種変性アルコールも何ら支障なく
用いることができる。
れているメタノール、変性アルコール、ヘキサン変性ア
ルコールと称される各種変性アルコールも何ら支障なく
用いることができる。
【００２４】第〔Ｉ〕成分を得る際の成分〔Ｉ〕−
（１）〜〔Ｉ〕−（３）の反応方法は、一般式Ｒ2 ＯＨ
で表わされる化合物の存在下において行う限り特に制限
されるものではなく、反応順序としては、 （Ａ）成分〔Ｉ〕−（１）〜成分〔Ｉ〕−（３）を同時
に接触させる方法、 （Ｂ）成分〔Ｉ〕−（１）と成分〔Ｉ〕−（２）を接触
したのち、成分〔Ｉ〕−（３）をさらに接触させる方
法、 （Ｃ）成分〔Ｉ〕−（１）と成分〔Ｉ〕−（３）を接触
したのち、成分〔Ｉ〕−（２）をさらに接触させる方
法、 （Ｄ）成分〔Ｉ〕−（２）と成分〔Ｉ〕−（３）を接触
したのち、成分〔Ｉ〕−（１）をさらに接触させる方法 のいずれでもよいが、好ましくは、上記のうち（Ｄ）の
方法が望ましく、さらに好ましくは一般式Ｒ2 ＯＨで表
わされる化合物を溶媒として用い、成分〔Ｉ〕−（２）
および成分〔Ｉ〕−（３）を予め溶解接触させたのち成
分〔Ｉ〕−（１）を接触させる方法が望ましく、また、
このときの一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物への成分
〔Ｉ〕−（２）および成分〔Ｉ〕−（３）の溶解順序
は、特に制限されるものではなく、両者を同時に溶解し
てもよく、いずれか一方を先に溶解させてもよい。ま
た、成分〔Ｉ〕−（２）および／または〔Ｉ〕−（３）
を予め前記一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物のうち炭
素数の少ない、通常炭素数が１〜５のいわゆる低級アル
コールに溶解したのち、より炭素数の多い（炭素数が６
〜２０）前記一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物の存在
下、成分〔Ｉ〕−（２）および／または成分〔Ｉ〕−
（３）を含む該低級アルコール溶液を相互に接触させる
方法も好適に用いられる。
（１）〜〔Ｉ〕−（３）の反応方法は、一般式Ｒ2 ＯＨ
で表わされる化合物の存在下において行う限り特に制限
されるものではなく、反応順序としては、 （Ａ）成分〔Ｉ〕−（１）〜成分〔Ｉ〕−（３）を同時
に接触させる方法、 （Ｂ）成分〔Ｉ〕−（１）と成分〔Ｉ〕−（２）を接触
したのち、成分〔Ｉ〕−（３）をさらに接触させる方
法、 （Ｃ）成分〔Ｉ〕−（１）と成分〔Ｉ〕−（３）を接触
したのち、成分〔Ｉ〕−（２）をさらに接触させる方
法、 （Ｄ）成分〔Ｉ〕−（２）と成分〔Ｉ〕−（３）を接触
したのち、成分〔Ｉ〕−（１）をさらに接触させる方法 のいずれでもよいが、好ましくは、上記のうち（Ｄ）の
方法が望ましく、さらに好ましくは一般式Ｒ2 ＯＨで表
わされる化合物を溶媒として用い、成分〔Ｉ〕−（２）
および成分〔Ｉ〕−（３）を予め溶解接触させたのち成
分〔Ｉ〕−（１）を接触させる方法が望ましく、また、
このときの一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物への成分
〔Ｉ〕−（２）および成分〔Ｉ〕−（３）の溶解順序
は、特に制限されるものではなく、両者を同時に溶解し
てもよく、いずれか一方を先に溶解させてもよい。ま
た、成分〔Ｉ〕−（２）および／または〔Ｉ〕−（３）
を予め前記一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物のうち炭
素数の少ない、通常炭素数が１〜５のいわゆる低級アル
コールに溶解したのち、より炭素数の多い（炭素数が６
〜２０）前記一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物の存在
下、成分〔Ｉ〕−（２）および／または成分〔Ｉ〕−
（３）を含む該低級アルコール溶液を相互に接触させる
方法も好適に用いられる。
【００２５】これら成分〔Ｉ〕−（１）〜〔Ｉ〕−
（３）の接触方法としては、一般式Ｒ2 ＯＨで表わされ
る化合物の存在下、成分〔Ｉ〕−（１）、成分〔Ｉ〕−
（２）および成分〔Ｉ〕−（３）を前記接触順序に従
い、２０〜３００℃、好ましくは５０〜１５０℃の温度
で１分〜４８時間、好ましくは１〜５時間混合反応し、
しかるのち、一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物を減圧
および／または加熱等の手法により除去すべく操作を行
うことが望ましい。
（３）の接触方法としては、一般式Ｒ2 ＯＨで表わされ
る化合物の存在下、成分〔Ｉ〕−（１）、成分〔Ｉ〕−
（２）および成分〔Ｉ〕−（３）を前記接触順序に従
い、２０〜３００℃、好ましくは５０〜１５０℃の温度
で１分〜４８時間、好ましくは１〜５時間混合反応し、
しかるのち、一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物を減圧
および／または加熱等の手法により除去すべく操作を行
うことが望ましい。
【００２６】また、各成分の反応割合については、ま
ず、成分〔Ｉ〕−（１）と成分〔Ｉ〕−（２）とは、成
分〔Ｉ〕−（１）１ｇあたり、成分〔Ｉ〕−（２）中の
Ｍｇのモル数が０．０１〜２０mmol、好ましくは０．１
〜１０mmolさらに好ましくは０．２〜４．０mmolとなる
ように反応させることが望ましい。
ず、成分〔Ｉ〕−（１）と成分〔Ｉ〕−（２）とは、成
分〔Ｉ〕−（１）１ｇあたり、成分〔Ｉ〕−（２）中の
Ｍｇのモル数が０．０１〜２０mmol、好ましくは０．１
〜１０mmolさらに好ましくは０．２〜４．０mmolとなる
ように反応させることが望ましい。
【００２７】また、成分〔Ｉ〕−（１）と成分〔Ｉ〕−
（３）とは、成分〔Ｉ〕−（１）の焼成処理の有無また
はその焼成処理条件により異なるが、成分〔Ｉ〕−
（１）１ｇあたり、成分〔Ｉ〕−（３）を０．０１〜１
０．０mmol、好ましくは０．１〜５．０mmol、さらに好
ましくは０．２〜２．０mmol用い、反応させることが望
ましい。
（３）とは、成分〔Ｉ〕−（１）の焼成処理の有無また
はその焼成処理条件により異なるが、成分〔Ｉ〕−
（１）１ｇあたり、成分〔Ｉ〕−（３）を０．０１〜１
０．０mmol、好ましくは０．１〜５．０mmol、さらに好
ましくは０．２〜２．０mmol用い、反応させることが望
ましい。
【００２８】また、一般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物
の使用量は、通常、成分〔Ｉ〕−（２）１ｇに対し、一
般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物を０．１〜５０ｇ、好
ましくは１〜３０ｇ用いることが望ましい。
の使用量は、通常、成分〔Ｉ〕−（２）１ｇに対し、一
般式Ｒ2 ＯＨで表わされる化合物を０．１〜５０ｇ、好
ましくは１〜３０ｇ用いることが望ましい。
【００２９】 ２．第〔II〕成分 本発明において使用されるＡｌ（ＯＲ3 ）p Ｒ4 q Ｘ
3-(p+q) で表わされる有機アルミニウム化合物として
は、式中においてＲ3 およびＲ4 が炭素数１〜２４好ま
しくは１〜１２の炭化水素基であり、Ｒ3 、Ｒ4 が同一
でも異なったものでもよく、またＸは水素原子、ハロゲ
ン原子を表わし、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦３ただ
し０＜ｐ＋ｑ≦３、好ましくは０≦ｐ＜３、０≦ｑ＜３
ただし０＜ｐ＋ｑ＜３を示すものである。
3-(p+q) で表わされる有機アルミニウム化合物として
は、式中においてＲ3 およびＲ4 が炭素数１〜２４好ま
しくは１〜１２の炭化水素基であり、Ｒ3 、Ｒ4 が同一
でも異なったものでもよく、またＸは水素原子、ハロゲ
ン原子を表わし、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦３ただ
し０＜ｐ＋ｑ≦３、好ましくは０≦ｐ＜３、０≦ｑ＜３
ただし０＜ｐ＋ｑ＜３を示すものである。
【００３０】これらの有機アルミニウム化合物として
は、具体的には、ジメチルアルミニウムメトキシド、ジ
メチルアルミニウムエトキシド、ジメチルアルミニウム
イソプロポキシド、ジメチルアルミニウムｔ−ブトキシ
ド、ジメチルアルミニウムｎ−ブトキシド、ジメチルア
ルミニウムｓｅｃ−ブトキシド、ジエチルアルミニウム
メトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジエチ
ルアルミニウムイソプロポキシド、ジエチルアルミニウ
ムｎ−ブトキシド、ジエチルアルミニウムｓｅｃ−ブト
キシド、ジエチルアルミニウムシクロヘキシルオキシ
ド、ジエチルアルミニウムｔ−ブトキシド、ジプロピル
アルミニウムエトキシド、ジプロピルアルミニウムｔ−
ブトキシド、ジブチルアルミニウムｔ−ブトキシド、ジ
ｉ−ブチルアルミニウムメトキシド、ジｉ−ブチルアル
ミニウムエトキシド、ジｉ−ブチルアルミニウムイソプ
ロポキシド、ジｉ−ブチルアルミニウム−ｉ−ブトキシ
ド、ジｉ−ブチルアルミニウム−ｔ−ブトキシド、ジ−
ｔ−ブチルアルミニウムエトキシド、ジ−ｔ−ブチルア
ルミニウムｔ−ブトキシド、ジメチルアルミニウムフェ
ノキシド、ジｎ−ヘキシルアルミニウムエトキシド、ジ
ｎ−ヘキシルアルミニウムイソプロポキシド、エチルエ
トキシアルミニウムクロライド、イソブチルエトキシア
ルミニウムクロリド、エチルフェノキシアルミニウムク
ロリド、フェニルエトキシアルミニウムクロリド、エチ
ルエトキシアルミニウムハイドライド、エチルメトキシ
アルミニウムクロライド、エチルイソプロポキシアルミ
ニウムクロライド、エチルブトキシアルミニウムクロラ
イド、フェニルアルミニウムジクロリド、ジフェニルア
ルミニウムクロリド、ベンジルアルミニウムジクロリ
ド、ジベンジルアルミニウムクロリド、ジメチルアルミ
ニウムクロリド、ジエチルアルミニウムフルオリド、ジ
エチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムブ
ロミド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、ジｉｓｏ
ブチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムセス
キクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、エチ
ルアルミニウムセスキブロミド、メチルアルミニウムジ
クロリド、エチルアルミニウムジクロリド、イソブチル
アルミニウムジクロリド、トリメチルアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、トリ−ｎ−プロピルアルミニウ
ム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム、トリ−ｎ−ヘキシルアルミニウム、トリ−
ｎ−オクチルアルミニウム、またはこれらの任意混合物
などを挙げることができ、特に、ジエチルアルミニウム
クロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、エチル
アルミニウムジクロリドが好ましい。
は、具体的には、ジメチルアルミニウムメトキシド、ジ
メチルアルミニウムエトキシド、ジメチルアルミニウム
イソプロポキシド、ジメチルアルミニウムｔ−ブトキシ
ド、ジメチルアルミニウムｎ−ブトキシド、ジメチルア
ルミニウムｓｅｃ−ブトキシド、ジエチルアルミニウム
メトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジエチ
ルアルミニウムイソプロポキシド、ジエチルアルミニウ
ムｎ−ブトキシド、ジエチルアルミニウムｓｅｃ−ブト
キシド、ジエチルアルミニウムシクロヘキシルオキシ
ド、ジエチルアルミニウムｔ−ブトキシド、ジプロピル
アルミニウムエトキシド、ジプロピルアルミニウムｔ−
ブトキシド、ジブチルアルミニウムｔ−ブトキシド、ジ
ｉ−ブチルアルミニウムメトキシド、ジｉ−ブチルアル
ミニウムエトキシド、ジｉ−ブチルアルミニウムイソプ
ロポキシド、ジｉ−ブチルアルミニウム−ｉ−ブトキシ
ド、ジｉ−ブチルアルミニウム−ｔ−ブトキシド、ジ−
ｔ−ブチルアルミニウムエトキシド、ジ−ｔ−ブチルア
ルミニウムｔ−ブトキシド、ジメチルアルミニウムフェ
ノキシド、ジｎ−ヘキシルアルミニウムエトキシド、ジ
ｎ−ヘキシルアルミニウムイソプロポキシド、エチルエ
トキシアルミニウムクロライド、イソブチルエトキシア
ルミニウムクロリド、エチルフェノキシアルミニウムク
ロリド、フェニルエトキシアルミニウムクロリド、エチ
ルエトキシアルミニウムハイドライド、エチルメトキシ
アルミニウムクロライド、エチルイソプロポキシアルミ
ニウムクロライド、エチルブトキシアルミニウムクロラ
イド、フェニルアルミニウムジクロリド、ジフェニルア
ルミニウムクロリド、ベンジルアルミニウムジクロリ
ド、ジベンジルアルミニウムクロリド、ジメチルアルミ
ニウムクロリド、ジエチルアルミニウムフルオリド、ジ
エチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムブ
ロミド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、ジｉｓｏ
ブチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムセス
キクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、エチ
ルアルミニウムセスキブロミド、メチルアルミニウムジ
クロリド、エチルアルミニウムジクロリド、イソブチル
アルミニウムジクロリド、トリメチルアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、トリ−ｎ−プロピルアルミニウ
ム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム、トリ−ｎ−ヘキシルアルミニウム、トリ−
ｎ−オクチルアルミニウム、またはこれらの任意混合物
などを挙げることができ、特に、ジエチルアルミニウム
クロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、エチル
アルミニウムジクロリドが好ましい。
【００３１】３．第〔III 〕成分 本発明において使用されるＲ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（Ｏ
Ｒ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) で表されるケイ素化合物として
は、式中においてＲ5 ，Ｒ6 、Ｒ7 は炭素数１〜２０、
好ましくは水素または１〜１２のアルキル基、アリール
基、アラルキル基等の炭化水素残基であり、Ｒ8 が炭素
数１〜２０、好ましくは１〜１２のアルキル基、アリー
ル基、アラルキル基等の炭化水素残基であり、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 は互いに同一でも異なってもよく、また、
Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 が炭化水素残基の場合は、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 は互いに同一でも異なってもよ
く、Ｘはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子
を表し、ａ，ｂ，ｃおよびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜
４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ≦４を満足するものである。
Ｒ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) で表されるケイ素化合物として
は、式中においてＲ5 ，Ｒ6 、Ｒ7 は炭素数１〜２０、
好ましくは水素または１〜１２のアルキル基、アリール
基、アラルキル基等の炭化水素残基であり、Ｒ8 が炭素
数１〜２０、好ましくは１〜１２のアルキル基、アリー
ル基、アラルキル基等の炭化水素残基であり、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 は互いに同一でも異なってもよく、また、
Ｒ5 、Ｒ6 およびＲ7 が炭化水素残基の場合は、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 は互いに同一でも異なってもよ
く、Ｘはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子
を表し、ａ，ｂ，ｃおよびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜
４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ≦４を満足するものである。
【００３２】これらのケイ素化合物としては、例えば、
Ｓｉ（ＯＲ8 ）4 、Ｓｉ（ＯＲ8 ）3 Ｘ、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ8 ）2 Ｘ2 、Ｓｉ（ＯＲ8 ）Ｘ3 、 Ｒ5 Ｓｉ（ＯＲ
8 ）3 、Ｒ5 Ｓｉ（ＯＲ8 ）2 Ｘ、Ｒ5 Ｓｉ（ＯＲ8 ）
Ｘ2 、Ｒ5 Ｒ6 Ｓｉ（ＯＲ8 ）2 、Ｒ5 Ｒ6 Ｓｉ（ＯＲ
8 ）Ｘ、Ｒ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｓｉ（ＯＲ8 ）等で示される各種
のケイ素化合物をあげることができ、具体的には、Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（Ｏｉ−
Ｃ3 Ｈ7 ）4 、Ｓｉ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（Ｏｉ
−Ｃ3 Ｈ7 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 Ｃｌ、
Ｓｉ（Ｏsec −Ｃ4 Ｈ9 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2
Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ2 、Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ
3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ2 、Ｓｉ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｃｌ2 、
Ｓｉ（ＯＣ8 Ｈ17）2 Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃ
ｌ3 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ
7 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（Ｏ
Ｃ5 Ｈ11）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＯＣ8 Ｈ17）Ｃｌ3 、Ｓｉ
（ＯＣ18Ｈ37）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｓ
ｉ（Ｏｐ−ＣＨ3 Ｃ6 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、ＨＳｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）3 、ＨＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、ＨＳｉ（Ｏｉ−Ｃ
3 Ｈ7 ）3 、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ＣＨ3 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、ＣＨ3 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、
Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、ｉ−Ｃ3
Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 、ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、ｎ−
Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）3 、ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、
ｎ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ｎ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、ｉ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、
ｉ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）3 、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、
Ｓｉ（ＯＲ8 ）4 、Ｓｉ（ＯＲ8 ）3 Ｘ、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ8 ）2 Ｘ2 、Ｓｉ（ＯＲ8 ）Ｘ3 、 Ｒ5 Ｓｉ（ＯＲ
8 ）3 、Ｒ5 Ｓｉ（ＯＲ8 ）2 Ｘ、Ｒ5 Ｓｉ（ＯＲ8 ）
Ｘ2 、Ｒ5 Ｒ6 Ｓｉ（ＯＲ8 ）2 、Ｒ5 Ｒ6 Ｓｉ（ＯＲ
8 ）Ｘ、Ｒ5 Ｒ6 Ｒ7 Ｓｉ（ＯＲ8 ）等で示される各種
のケイ素化合物をあげることができ、具体的には、Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（Ｏｉ−
Ｃ3 Ｈ7 ）4 、Ｓｉ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（Ｏｉ
−Ｃ3 Ｈ7 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 Ｃｌ、
Ｓｉ（Ｏsec −Ｃ4 Ｈ9 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2
Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ2 、Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ
3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ2 、Ｓｉ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｃｌ2 、
Ｓｉ（ＯＣ8 Ｈ17）2 Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃ
ｌ3 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ
7 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（Ｏｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（Ｏ
Ｃ5 Ｈ11）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＯＣ8 Ｈ17）Ｃｌ3 、Ｓｉ
（ＯＣ18Ｈ37）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＯＣ6 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、Ｓ
ｉ（Ｏｐ−ＣＨ3 Ｃ6 Ｈ5 ）Ｃｌ3 、ＨＳｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）3 、ＨＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、ＨＳｉ（Ｏｉ−Ｃ
3 Ｈ7 ）3 、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ＣＨ3 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、ＣＨ3 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、
Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、ｉ−Ｃ3
Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 、ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、ｎ−
Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）3 、ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、
ｎ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、ｎ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、ｉ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 、
ｉ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）3 、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、
【化１】 ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）2 Ｃｌ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、ＣＨ
3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｂｒ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
Ｂｒ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｂｒ、ＣＨ3 Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）2 Ｉ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｉ、Ｃ
Ｈ3 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｉ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣＨ
3 ）2 Ｃｌ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、Ｃ2
Ｈ5 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 Ｂｒ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｂｒ、Ｃ
2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｂｒ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ3 ）2 Ｉ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｉ、Ｃ2
Ｈ5 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｉ、ｉＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 Ｃｌ、ｉＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、
ｉＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、ｎＣ3 Ｈ7 Ｓ
ｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ｎＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
2 Ｃｌ、ｎＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、ｎＣ
4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ｎＣ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、ｎＣ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃ
ｌ、ｉＣ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ｉＣ4 Ｈ9 Ｓ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、ｉＣ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ
7 ）2 Ｃｌ、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ｔ
−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓ
ｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、
5 ）2 Ｃｌ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、ＣＨ
3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｂｒ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
Ｂｒ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｂｒ、ＣＨ3 Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）2 Ｉ、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｉ、Ｃ
Ｈ3 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｉ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣＨ
3 ）2 Ｃｌ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、Ｃ2
Ｈ5 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 Ｂｒ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｂｒ、Ｃ
2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｂｒ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ3 ）2 Ｉ、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｉ、Ｃ2
Ｈ5 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｉ、ｉＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 Ｃｌ、ｉＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、
ｉＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、ｎＣ3 Ｈ7 Ｓ
ｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ｎＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
2 Ｃｌ、ｎＣ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、ｎＣ
4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ｎＣ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、ｎＣ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃ
ｌ、ｉＣ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ｉＣ4 Ｈ9 Ｓ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、ｉＣ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ
7 ）2 Ｃｌ、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、ｔ
−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓ
ｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 Ｃｌ、
【化２】 ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）Ｃｌ2 、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）Ｃｌ2 、Ｃ2
Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）Ｃｌ2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）Ｃｌ2 、ｉ
−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
Ｃｌ2 、ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、ｎ−
Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、ｎ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、ｉ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
Ｃｌ2 、ｉ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、ｔ−
Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、
5 ）Ｃｌ2 、ＣＨ3 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）Ｃｌ2 、Ｃ2
Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）Ｃｌ2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）Ｃｌ2 、ｉ
−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
Ｃｌ2 、ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、ｎ−
Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、ｎ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、ｉ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
Ｃｌ2 、ｉ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、ｔ−
Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ2 、ｔ−Ｃ4 Ｈ9 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ2 、
【化３】 （ＣＨ3 ）ＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）ＨＳｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＨＳｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＨＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉ
−Ｃ3 Ｈ7 ）ＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）
ＨＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）ＨＳｉ（Ｏ
ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 、（ＣＨ3 ）Ｈ2 （ＯＣＨ3 ）Ｓｉ、
（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｈ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｓｉ、（ＣＨ3 ）2 Ｓ
ｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2
Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2
Ｈ5 ）2 、（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 、（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｔ−Ｃ4 Ｈ
9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＨＳｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＨＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉ
−Ｃ3 Ｈ7 ）ＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）
ＨＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）ＨＳｉ（Ｏ
ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 、（ＣＨ3 ）Ｈ2 （ＯＣＨ3 ）Ｓｉ、
（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｈ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｓｉ、（ＣＨ3 ）2 Ｓ
ｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2
Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2
Ｈ5 ）2 、（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）2 、（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ｔ−Ｃ4 Ｈ
9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
【化４】 （ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ
Ｈ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ＣＨ3 ）
（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）（ｉ
−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ＣＨ3 ）（ｔ−
Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）（ｔ−Ｃ4
Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
Ｈ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ＣＨ3 ）
（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）（ｉ
−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ＣＨ3 ）（ｔ−
Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（ＣＨ3 ）（ｔ−Ｃ4
Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
【化５】 （Ｃ2 Ｈ5 ）（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
（Ｃ2 Ｈ5 ）（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、
【化６】 （ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）2
Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ
（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 、（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（Ｏｉ−
Ｃ3 Ｈ7 ）2 、
Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ
（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）2 、（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（Ｏｉ−
Ｃ3 Ｈ7 ）2 、
【化７】 （ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ、（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
Ｃｌ、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ、（ｉ−
Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）
2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ、（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ、（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）Ｃｌ、
（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
Ｃｌ、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ、（ｉ−
Ｃ3 Ｈ7 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）
2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）Ｃｌ、（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）Ｃｌ、（ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）Ｃｌ、
【化８】 （ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｃｌ、（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｃｌ、
2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）Ｃｌ、
【化９】 （ＣＨ3 ）2 ＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＨＳ
ｉ（ＯＣＨ3 ）、（ＣＨ3 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）、（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ3 ）、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）、（ＣＨ
3 ）2 （ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）、（ＣＨ3 ）
2 （ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）、
ｉ（ＯＣＨ3 ）、（ＣＨ3 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）、（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ3 ）、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）、（ＣＨ
3 ）2 （ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）、（ＣＨ3 ）
2 （ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）、
【化１０】 などの化合物をあげることができる。
【００３３】これらの化合物の中でＳｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3
Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2
Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ2 、（ＣＨ3 ）Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
2 Ｃｌ、（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ＣＨ3 ）ＨＳｉ
（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
ＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 、
Ｈ3 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3
Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 Ｃｌ、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2
Ｃｌ2 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 Ｃｌ2 、（ＣＨ3 ）Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）2 Ｃｌ、（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
2 Ｃｌ、（ＣＨ3 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ
2 Ｈ5 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 、（ＣＨ3 ）ＨＳｉ
（ＯＣＨ3 ）2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）2 、
ＨＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 、
【化１１】 が特に好ましい。
【００３４】４．固体触媒成分の製造 本発明において固体触媒成分を得る際の第〔Ｉ〕成分〜
第〔III 〕成分の反応順序としては、 （Ａ）第〔Ｉ〕成分と第〔II〕成分をまず反応させ、し
かる後、第〔III 〕成分を反応させる方法 （Ｂ）第〔Ｉ〕成分と第〔III 〕成分をまず反応させ、
しかる後、第〔II〕成分を反応させる方法 （Ｃ）第〔Ｉ〕成分にあらかじめ第〔II〕成分と第〔II
I 〕成分との反応生成物を反応させる方法 （Ｄ）第〔Ｉ〕成分〜第〔III 〕成分を同時に反応させ
る方法 のいずれでもよい。
第〔III 〕成分の反応順序としては、 （Ａ）第〔Ｉ〕成分と第〔II〕成分をまず反応させ、し
かる後、第〔III 〕成分を反応させる方法 （Ｂ）第〔Ｉ〕成分と第〔III 〕成分をまず反応させ、
しかる後、第〔II〕成分を反応させる方法 （Ｃ）第〔Ｉ〕成分にあらかじめ第〔II〕成分と第〔II
I 〕成分との反応生成物を反応させる方法 （Ｄ）第〔Ｉ〕成分〜第〔III 〕成分を同時に反応させ
る方法 のいずれでもよい。
【００３５】上記反応方法としては特に限定されるもの
ではないが、例えば、ペンタン、シクロヘキサン、ヘプ
タン、オクタン、ノナン、デカン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等、またはこれらの混合物等の一般のチー
グラー触媒に不活性ないわゆる不活性炭化水素溶媒の存
在下または不存在下、温度０〜３００℃、好ましくは２
０〜１５０℃にて５分〜１０時間反応、好ましくは混合
反応させる方法が好適に用いられる。なお、不活性炭化
水素溶媒の存在下にて反応を行う場合は、反応後該溶媒
を蒸発等の手段により除去することが好ましい。もちろ
ん、前記（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の反応順序の様
に、第〔Ｉ〕成分、第〔II〕成分および第〔III 〕成分
を段階的に反応させる場合は、前段あるいは後段におい
てそれぞれ不活性炭化水素の存在下または不存在下にて
反応が行われるものであり、例えば、前段で不活性炭化
水素溶媒の存在下にて反応後、溶媒を除去したのち後段
の反応を行うこと、また溶媒を除去したのち新たに溶媒
を添加して後段の反応を行うこと、また何等溶媒を除去
することなくそのまま後段の反応を行うこと、あるい
は、前段で不活性炭化水素溶媒の不存在下にて反応後、
そのまま後段の反応を行うこと、また新たに溶媒を添加
して後段の反応を行うことのいずれの方法も可能であ
る。
ではないが、例えば、ペンタン、シクロヘキサン、ヘプ
タン、オクタン、ノナン、デカン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等、またはこれらの混合物等の一般のチー
グラー触媒に不活性ないわゆる不活性炭化水素溶媒の存
在下または不存在下、温度０〜３００℃、好ましくは２
０〜１５０℃にて５分〜１０時間反応、好ましくは混合
反応させる方法が好適に用いられる。なお、不活性炭化
水素溶媒の存在下にて反応を行う場合は、反応後該溶媒
を蒸発等の手段により除去することが好ましい。もちろ
ん、前記（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の反応順序の様
に、第〔Ｉ〕成分、第〔II〕成分および第〔III 〕成分
を段階的に反応させる場合は、前段あるいは後段におい
てそれぞれ不活性炭化水素の存在下または不存在下にて
反応が行われるものであり、例えば、前段で不活性炭化
水素溶媒の存在下にて反応後、溶媒を除去したのち後段
の反応を行うこと、また溶媒を除去したのち新たに溶媒
を添加して後段の反応を行うこと、また何等溶媒を除去
することなくそのまま後段の反応を行うこと、あるい
は、前段で不活性炭化水素溶媒の不存在下にて反応後、
そのまま後段の反応を行うこと、また新たに溶媒を添加
して後段の反応を行うことのいずれの方法も可能であ
る。
【００３６】第〔Ｉ〕成分、第〔II〕成分および第〔II
I 〕成分の反応割合は、第〔II〕成分については、第
〔II〕成分／｛第〔Ｉ〕成分中の成分〔Ｉ〕−（３）｝
（モル比）が通常０．０１〜１００、好ましくは０．２
〜１０、さらに好ましくは０．５〜５．０であることが
望ましい。また第〔III 〕成分の反応割合は、第〔II
I〕成分／｛第〔Ｉ〕成分中の成分〔Ｉ〕−（３）｝
（モル比）が通常０．０１〜１０、好ましくは０．０３
〜５．０、さらに好ましくは０．０５〜１．０であるこ
とが望ましい。固体触媒成分の調製に関する各反応操作
は、不活性ガス雰囲気中で行うべきであり、また湿気は
できるだけ避けることが望ましい。
I 〕成分の反応割合は、第〔II〕成分については、第
〔II〕成分／｛第〔Ｉ〕成分中の成分〔Ｉ〕−（３）｝
（モル比）が通常０．０１〜１００、好ましくは０．２
〜１０、さらに好ましくは０．５〜５．０であることが
望ましい。また第〔III 〕成分の反応割合は、第〔II
I〕成分／｛第〔Ｉ〕成分中の成分〔Ｉ〕−（３）｝
（モル比）が通常０．０１〜１０、好ましくは０．０３
〜５．０、さらに好ましくは０．０５〜１．０であるこ
とが望ましい。固体触媒成分の調製に関する各反応操作
は、不活性ガス雰囲気中で行うべきであり、また湿気は
できるだけ避けることが望ましい。
【００３７】＜２＞有機金属化合物 本発明に用いる触媒は前記固体触媒成分と、有機金属化
合物からなり、有機金属化合物としてはチグラー触媒の
一成分として知られている周期律表第Ｉ〜第IV族の有機
金属化合物を使用できるがとくに有機アルミニウム化合
物および有機亜鉛化合物が好ましい。具体的な例として
は一般式Ｒ3 Ａｌ、Ｒ2 ＡｌＸ、ＲＡｌＸ2 、Ｒ2 Ａｌ
ＯＲ、ＲＡｌ（ＯＲ）ＸおよびＲ3 Ａｌ2 Ｘ3 の有機ア
ルミニウム化合物（ただしＲは炭素数１〜２０のアルキ
ル基またはアリール基、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒは
同一でもまた異なってもよい）または一般式Ｒ2 Ｚ
n （ただしＲは炭素数１〜２０のアルキル基であり二者
同一でもまた異なっていてもよい）の有機亜鉛化合物で
示されるもので、トリメチルアルミニウム、トリエチル
アルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウム、トリsec −ブチルアルミニウ
ム、トリtert−ブチルアルミニウム、トリヘキシルアル
ミニウム、トリオクチルアルミニウム、ジエチルアルミ
ニウムクロリド、ジイソプロピルアルミニウムクロリ
ド、エチルアルミニウムセスキクロリド、ジエチル亜鉛
およびこれらの混合物等があげられる。有機金属化合物
の使用量はとくに制限はないが通常チタン化合物に対し
て０．１〜１０００mol 倍使用することができる。
合物からなり、有機金属化合物としてはチグラー触媒の
一成分として知られている周期律表第Ｉ〜第IV族の有機
金属化合物を使用できるがとくに有機アルミニウム化合
物および有機亜鉛化合物が好ましい。具体的な例として
は一般式Ｒ3 Ａｌ、Ｒ2 ＡｌＸ、ＲＡｌＸ2 、Ｒ2 Ａｌ
ＯＲ、ＲＡｌ（ＯＲ）ＸおよびＲ3 Ａｌ2 Ｘ3 の有機ア
ルミニウム化合物（ただしＲは炭素数１〜２０のアルキ
ル基またはアリール基、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒは
同一でもまた異なってもよい）または一般式Ｒ2 Ｚ
n （ただしＲは炭素数１〜２０のアルキル基であり二者
同一でもまた異なっていてもよい）の有機亜鉛化合物で
示されるもので、トリメチルアルミニウム、トリエチル
アルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウム、トリsec −ブチルアルミニウ
ム、トリtert−ブチルアルミニウム、トリヘキシルアル
ミニウム、トリオクチルアルミニウム、ジエチルアルミ
ニウムクロリド、ジイソプロピルアルミニウムクロリ
ド、エチルアルミニウムセスキクロリド、ジエチル亜鉛
およびこれらの混合物等があげられる。有機金属化合物
の使用量はとくに制限はないが通常チタン化合物に対し
て０．１〜１０００mol 倍使用することができる。
【００３８】本発明においては、有機金属化合物成分
は、前記有機金属化合物と有機酸エステルとの混合物も
しくは付加化合物として用いることも好ましく採用する
ことができる。
は、前記有機金属化合物と有機酸エステルとの混合物も
しくは付加化合物として用いることも好ましく採用する
ことができる。
【００３９】この時有機金属化合物と有機酸エステルを
混合物として用いる場合には、有機金属化合物１モルに
対して、有機酸エステルを通常０．１〜１モル、好まし
くは０．２〜０．５モル使用する。また、有機金属化合
物と有機酸エステルとの付加化合物として用いる場合
は、有機金属化合物：有機酸エステルのモル比が２：１
〜１：２のものが好ましい。
混合物として用いる場合には、有機金属化合物１モルに
対して、有機酸エステルを通常０．１〜１モル、好まし
くは０．２〜０．５モル使用する。また、有機金属化合
物と有機酸エステルとの付加化合物として用いる場合
は、有機金属化合物：有機酸エステルのモル比が２：１
〜１：２のものが好ましい。
【００４０】この時に用いられる有機酸エステルとは、
炭素数が１〜２４の飽和もしくは不飽和の一塩基性ない
し二塩基性の有機カルボン酸素と炭素数１〜３０のアル
コールとのエステルである。具体的には、ギ酸メチル、
酢酸エチル、酢酸アミル、酢酸フェニル、酢酸オクチ
ル、メタクリル酸メチル、ステアリン酸エチル、安息香
酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸ｎ−プロピル、安
息香酸ジ−プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸ヘキシ
ル、安息香酸シクロペンチル、安息香酸シクロヘキシ
ル、安息香酸フェニル、安息香酸４−トリル、サリチル
酸メチル、サリチル酸エチル、ｐ−オキシ安息香酸メチ
ル、ｐ−オキシ安息香酸エチル、サリチル酸フェニル、
ｐ−オキシ安息香酸シクロヘキシル、サリチル酸ペンジ
ル、α−レゾルシン酸エチル、アニス酸メチル、アニス
酸エチル、アニス酸フェニル、アニス酸ベンジル、ｏ−
メトキシ安息香酸エチル、ｐ−エトキシ安息香酸メチ
ル、ｐ−トルイル酸メチル、ｐ−トルイル酸エチル、ｐ
−トルイル酸フェニル、ｏ−トルイル酸エチル、ｍ−ト
ルイル酸エチル、ｐ−アミノ安息香酸メチル、ｐ−アミ
ノ安息香酸エチル、ｐ−アミノ安息香酸メチル、ｐ−ア
ミノ安息香酸エチル、安息香酸ビニル、安息香酸アリ
ル、安息香酸ベンジル、ナフトエ酸メチル、ナフトエ酸
エチルなどをあげることができる。これらの中でも特に
好ましいのは安息香酸、ｏ−またはｐ−トルイル酸また
はｐ−アニス酸のアルキルエステルであり、とくにこれ
らのメチルエステル、エチルエステルが好ましい。
炭素数が１〜２４の飽和もしくは不飽和の一塩基性ない
し二塩基性の有機カルボン酸素と炭素数１〜３０のアル
コールとのエステルである。具体的には、ギ酸メチル、
酢酸エチル、酢酸アミル、酢酸フェニル、酢酸オクチ
ル、メタクリル酸メチル、ステアリン酸エチル、安息香
酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸ｎ−プロピル、安
息香酸ジ−プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸ヘキシ
ル、安息香酸シクロペンチル、安息香酸シクロヘキシ
ル、安息香酸フェニル、安息香酸４−トリル、サリチル
酸メチル、サリチル酸エチル、ｐ−オキシ安息香酸メチ
ル、ｐ−オキシ安息香酸エチル、サリチル酸フェニル、
ｐ−オキシ安息香酸シクロヘキシル、サリチル酸ペンジ
ル、α−レゾルシン酸エチル、アニス酸メチル、アニス
酸エチル、アニス酸フェニル、アニス酸ベンジル、ｏ−
メトキシ安息香酸エチル、ｐ−エトキシ安息香酸メチ
ル、ｐ−トルイル酸メチル、ｐ−トルイル酸エチル、ｐ
−トルイル酸フェニル、ｏ−トルイル酸エチル、ｍ−ト
ルイル酸エチル、ｐ−アミノ安息香酸メチル、ｐ−アミ
ノ安息香酸エチル、ｐ−アミノ安息香酸メチル、ｐ−ア
ミノ安息香酸エチル、安息香酸ビニル、安息香酸アリ
ル、安息香酸ベンジル、ナフトエ酸メチル、ナフトエ酸
エチルなどをあげることができる。これらの中でも特に
好ましいのは安息香酸、ｏ−またはｐ−トルイル酸また
はｐ−アニス酸のアルキルエステルであり、とくにこれ
らのメチルエステル、エチルエステルが好ましい。
【００４１】＜３＞オレフィンの重合 本発明の触媒を使用してのオレフィンの重合はスラリー
重合、溶液重合または気相重合にて行うことができる。
特に本発明の触媒は気相重合に好適に用いることがで
き、重合反応は通常のチグラー型触媒によるオレフィン
重合反応と同様にして行なわれる。すなわち反応はすべ
て実質的に酸素、水などを絶った状態で不活性炭化水素
の存在化、あるいは不存在下で行なわれる。オレフィン
の重合条件は温度は２０ないし１２０℃、好ましくは５
０ないし１００℃であり、圧力は常圧ないし７０kg／cm
2 、好ましくは２ないし６０kg／cm2 である。分子量の
調節は重合温度、触媒のモル比などの重合条件を変える
ことによってある程度調節できるが重合系中に水素を添
加することにより効果的に行なわれる。もちろん、本発
明の触媒を用いて、水素濃度、重合温度など重合条件の
異なった２段階ないしそれ以上の他段階の重合反応も何
ら支障なく実施できる。
重合、溶液重合または気相重合にて行うことができる。
特に本発明の触媒は気相重合に好適に用いることがで
き、重合反応は通常のチグラー型触媒によるオレフィン
重合反応と同様にして行なわれる。すなわち反応はすべ
て実質的に酸素、水などを絶った状態で不活性炭化水素
の存在化、あるいは不存在下で行なわれる。オレフィン
の重合条件は温度は２０ないし１２０℃、好ましくは５
０ないし１００℃であり、圧力は常圧ないし７０kg／cm
2 、好ましくは２ないし６０kg／cm2 である。分子量の
調節は重合温度、触媒のモル比などの重合条件を変える
ことによってある程度調節できるが重合系中に水素を添
加することにより効果的に行なわれる。もちろん、本発
明の触媒を用いて、水素濃度、重合温度など重合条件の
異なった２段階ないしそれ以上の他段階の重合反応も何
ら支障なく実施できる。
【００４２】本発明の方法はチグラー触媒で重合できる
すべてのオレフィンの重合に適用可能であり、特に炭素
数２〜１２のα−オレフィンが好ましく、たとえばエチ
レン、プロピレン、１−ブテン、ヘキセン−１、４−メ
チルペンテン−１などのα−オレフィン類の単独重合お
よびエチレンとプロピレン、エチレンと１−ブテン、エ
チレンとヘキセン−１、エチレンと４−メチルペンテン
−１等のエチレンと炭素数３〜１２のα−オレフィンの
共重合、プロピレンと１−ブテンの共重合およびエチレ
ンと他の２種類以上のα−オレフィンとの共重合などに
好適に使用される。
すべてのオレフィンの重合に適用可能であり、特に炭素
数２〜１２のα−オレフィンが好ましく、たとえばエチ
レン、プロピレン、１−ブテン、ヘキセン−１、４−メ
チルペンテン−１などのα−オレフィン類の単独重合お
よびエチレンとプロピレン、エチレンと１−ブテン、エ
チレンとヘキセン−１、エチレンと４−メチルペンテン
−１等のエチレンと炭素数３〜１２のα−オレフィンの
共重合、プロピレンと１−ブテンの共重合およびエチレ
ンと他の２種類以上のα−オレフィンとの共重合などに
好適に使用される。
【００４３】また、ポリオレフィンの改質を目的とする
場合のジエンとの共重合も好ましく行われる。この時使
用されるジエン化合物の例としてはブタジエン、１，４
−ヘキサジエン、エチリデンノルボルネン、ジシクロペ
ンタジエン等を挙げることができる。
場合のジエンとの共重合も好ましく行われる。この時使
用されるジエン化合物の例としてはブタジエン、１，４
−ヘキサジエン、エチリデンノルボルネン、ジシクロペ
ンタジエン等を挙げることができる。
【００４４】なお、共重合の際のコモノマー含有率は任
意に選択できうるものであるが、例えば、エチレンと炭
素数３〜１２のα−オレフィンとの共重合の場合、エチ
レン・α−オレフィン共重合体中のα−オレフィン含有
量は０〜４０モル％、好ましくは０〜３０モル％とする
のが望ましい。
意に選択できうるものであるが、例えば、エチレンと炭
素数３〜１２のα−オレフィンとの共重合の場合、エチ
レン・α−オレフィン共重合体中のα−オレフィン含有
量は０〜４０モル％、好ましくは０〜３０モル％とする
のが望ましい。
【００４５】＜実施例＞以下に実施例をのべるが、これ
らは本発明を実施するための説明用のものであって本発
明はこれらに制限されるものではない。
らは本発明を実施するための説明用のものであって本発
明はこれらに制限されるものではない。
【００４６】〔ポリマー物性測定方法〕融点： 走査熱
量計（ＤＳＣ、セイコー電子（株）社製型）を用い、サ
ンプル重量５mgで、１８０℃で一度溶融後−４０℃まで
冷却しその後１０℃／min の速度で昇温した時の吸熱ピ
ークトップの温度を融点とした。
量計（ＤＳＣ、セイコー電子（株）社製型）を用い、サ
ンプル重量５mgで、１８０℃で一度溶融後−４０℃まで
冷却しその後１０℃／min の速度で昇温した時の吸熱ピ
ークトップの温度を融点とした。
【００４７】ヘキサン抽出：共重合体パウダーを１８０
℃でロール練りし次に５cm×５cm×０．２mmのシートに
プレス成形し、それを沸とうヘキサン中で５hr抽出した
時の重量減少の％をヘキサン抽出量とした。
℃でロール練りし次に５cm×５cm×０．２mmのシートに
プレス成形し、それを沸とうヘキサン中で５hr抽出した
時の重量減少の％をヘキサン抽出量とした。
【００４８】実施例１ （ａ）固体触媒成分の製造 １／２インチ直径を有するステンレススチール製ボール
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した２−メチル−１−ペンタノール
１００ｇ、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物５．０ｇ、テトラｎ−エトキシチ
タン１０．０ｇをいれ８０℃、１時間反応させた。室温
に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ（富士デビ
ソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃で２時間反
応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行い固体粉末
を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよびジエチル
アルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室温で１時間
反応させ、その後６０℃で３時間窒素ブローを行い、固
体粉末を得た。次にテトラエトキシシラン０．５ｇをい
れ室温にて３時間反応させ固体触媒成分を得た。
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した２−メチル−１−ペンタノール
１００ｇ、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物５．０ｇ、テトラｎ−エトキシチ
タン１０．０ｇをいれ８０℃、１時間反応させた。室温
に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ（富士デビ
ソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃で２時間反
応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行い固体粉末
を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよびジエチル
アルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室温で１時間
反応させ、その後６０℃で３時間窒素ブローを行い、固
体粉末を得た。次にテトラエトキシシラン０．５ｇをい
れ室温にて３時間反応させ固体触媒成分を得た。
【００４９】（ｂ）気相重合 気相重合装置としては攪拌機が付いたステンレス製オー
トクレーブを用い、ブロワー、流量調節器および乾式サ
イクロンでループをつくり、オートクレーブはジャケッ
トに温水を流すことによって温度を調節した。８０℃に
調節したオートクレーブに上記固体触媒成分を２５０mg
／hr、およびトリエチルアルミニウムを５０mmol／hrの
速度で供給し、またオートクレーブ気相中のブテン−１
／エチレンモル比を０．２５に、さらに水素を全圧の１
５％となるように調整しながら各々のガスを供給し、全
圧を８kg／cm2 Ｇに保ちながらブロワーにより系内のガ
スを循環させ、生成ポリマーを間欠的に抜き出しながら
１０時間の連続重合を行った。
トクレーブを用い、ブロワー、流量調節器および乾式サ
イクロンでループをつくり、オートクレーブはジャケッ
トに温水を流すことによって温度を調節した。８０℃に
調節したオートクレーブに上記固体触媒成分を２５０mg
／hr、およびトリエチルアルミニウムを５０mmol／hrの
速度で供給し、またオートクレーブ気相中のブテン−１
／エチレンモル比を０．２５に、さらに水素を全圧の１
５％となるように調整しながら各々のガスを供給し、全
圧を８kg／cm2 Ｇに保ちながらブロワーにより系内のガ
スを循環させ、生成ポリマーを間欠的に抜き出しながら
１０時間の連続重合を行った。
【００５０】生成したエチレン共重合体は、メルトフロ
ーレイト（ＭＦＲ）０．９５ｇ／１０min （ＡＳＴＭ−
Ｄ１２３８−６５Ｔ準拠、条件１９０℃、荷重２．１６
kg）、密度０．９２０１ｇ／cm3 であり、かさ密度０．
４７ｇ／cm3 、平均粒径７３０μｍの形状の丸い粒状物
であった。触媒効率は２００，０００ｇ共重合体／gTi
ときわめて高活性であった。また、１０時間の連続重合
後、オートクレーブ内部の点検を行ったところ、内壁お
よび攪はん機には全くポリマーは付着していなかった。
ーレイト（ＭＦＲ）０．９５ｇ／１０min （ＡＳＴＭ−
Ｄ１２３８−６５Ｔ準拠、条件１９０℃、荷重２．１６
kg）、密度０．９２０１ｇ／cm3 であり、かさ密度０．
４７ｇ／cm3 、平均粒径７３０μｍの形状の丸い粒状物
であった。触媒効率は２００，０００ｇ共重合体／gTi
ときわめて高活性であった。また、１０時間の連続重合
後、オートクレーブ内部の点検を行ったところ、内壁お
よび攪はん機には全くポリマーは付着していなかった。
【００５１】この共重合体をＡＳＴＭ−Ｄ１２３８−６
５Ｔの方法により、１９０℃、荷重２．１６kgで測定し
たメルトフローレイト（ＭＦＲ2.16）と荷重１０kgで測
定したメルトフローレイト（ＭＦＲ10）との比で表され
るＦＲ値（ＦＲ＝ＭＦＲ10／ＭＦＲ2.16）は７．２であ
り、分子量分布はきわめて狭いものであった。またこの
共重合体の融点は１２１．６℃、ヘキサン抽出量は２．
１wt％であった。
５Ｔの方法により、１９０℃、荷重２．１６kgで測定し
たメルトフローレイト（ＭＦＲ2.16）と荷重１０kgで測
定したメルトフローレイト（ＭＦＲ10）との比で表され
るＦＲ値（ＦＲ＝ＭＦＲ10／ＭＦＲ2.16）は７．２であ
り、分子量分布はきわめて狭いものであった。またこの
共重合体の融点は１２１．６℃、ヘキサン抽出量は２．
１wt％であった。
【００５２】実施例２ 実施例１においてテトラエトキシシランの代わりにジエ
チルジエトキシシラン０．４ｇを用いることを除いて
は、実施例１と同様な方法で固体触媒成分を調製した。
上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は２１０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．８５ｇ／１０min 、密度
０．９２０４ｇ／cm3 で、かさ比重０．４４ｇ／cm3 、
平均粒径８００μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．５と分子量分布が狭く、融点は１２１．
９℃、ヘキサン抽出量は２．２wt％であった。
チルジエトキシシラン０．４ｇを用いることを除いて
は、実施例１と同様な方法で固体触媒成分を調製した。
上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は２１０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．８５ｇ／１０min 、密度
０．９２０４ｇ／cm3 で、かさ比重０．４４ｇ／cm3 、
平均粒径８００μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．５と分子量分布が狭く、融点は１２１．
９℃、ヘキサン抽出量は２．２wt％であった。
【００５３】実施例３ （ａ）固体触媒成分の製造 １／２インチ直径を有するステンレススチール製ボール
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した変性エタノール（エタノール２
００リットルに対しメタノール５kgを含む）１４０cc、
脱水した２−メチル−１−ペンタノール２０ｇ、テトラ
エトキシチタン８．０ｇをいれ室温で１時間攪はん後、
上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシアルミニウ
ムの反応物１０．０ｇを入れ、８０℃、１時間反応させ
た。室温に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ
（富士デビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃
で２時間反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行
い固体粉末を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよ
びジエチルアルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室
温で１時間反応させ、その後６０℃で３時間窒素ブロー
を行い、ヘキサンを除去して固体粉末を得た。これにジ
メチルジメトキシシランを０．３ｇいれ室温にて３時間
反応させ固体触媒成分を得た。
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した変性エタノール（エタノール２
００リットルに対しメタノール５kgを含む）１４０cc、
脱水した２−メチル−１−ペンタノール２０ｇ、テトラ
エトキシチタン８．０ｇをいれ室温で１時間攪はん後、
上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシアルミニウ
ムの反応物１０．０ｇを入れ、８０℃、１時間反応させ
た。室温に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ
（富士デビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃
で２時間反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行
い固体粉末を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよ
びジエチルアルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室
温で１時間反応させ、その後６０℃で３時間窒素ブロー
を行い、ヘキサンを除去して固体粉末を得た。これにジ
メチルジメトキシシランを０．３ｇいれ室温にて３時間
反応させ固体触媒成分を得た。
【００５４】 （ｂ）気相重合 上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は２２０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ１．０１ｇ／１０min 、密度
０．９１９８ｇ／cm3 で、かさ比重０．４５ｇ／cm3 、
平均粒径８１０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．
５℃、ヘキサン抽出量は２．４wt％であった。
を行ったところ、触媒効率は２２０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ１．０１ｇ／１０min 、密度
０．９１９８ｇ／cm3 で、かさ比重０．４５ｇ／cm3 、
平均粒径８１０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．
５℃、ヘキサン抽出量は２．４wt％であった。
【００５５】実施例４ （ａ）固体触媒成分の製造 １／２インチ直径を有するステンレススチール製ボール
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した２−メチル−１−ペンタノール
１００ｇ、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物５．０ｇをいれ、室温で攪拌下に
四塩化チタン８．３ｇを３０分かけて滴下し、その後８
０℃で１時間反応させた。室温に冷却後、４００℃で３
時間焼成したシリカ（富士デビソン、＃９５５）４６ｇ
を入れ、再び８０℃で２時間反応させた後、１２０℃で
２時間減圧乾燥を行い固体粉末を得た。次に脱水したヘ
キサン１００ccおよびジエチルアルミニウムクロリド１
０．０ｇを加えて室温で１時間反応させ、その後６０℃
で３時間窒素ブローを行い、固体粉末を得た。次にテト
ラエトキシシラン０．５ｇをいれ室温にて３時間反応さ
せ固体触媒成分を得た。
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した２−メチル−１−ペンタノール
１００ｇ、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物５．０ｇをいれ、室温で攪拌下に
四塩化チタン８．３ｇを３０分かけて滴下し、その後８
０℃で１時間反応させた。室温に冷却後、４００℃で３
時間焼成したシリカ（富士デビソン、＃９５５）４６ｇ
を入れ、再び８０℃で２時間反応させた後、１２０℃で
２時間減圧乾燥を行い固体粉末を得た。次に脱水したヘ
キサン１００ccおよびジエチルアルミニウムクロリド１
０．０ｇを加えて室温で１時間反応させ、その後６０℃
で３時間窒素ブローを行い、固体粉末を得た。次にテト
ラエトキシシラン０．５ｇをいれ室温にて３時間反応さ
せ固体触媒成分を得た。
【００５６】（ｂ）気相重合 上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は１８０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．９３ｇ／１０min 、密度
０．９２０９ｇ／cm3 で、かさ比重０．４６ｇ／cm3 、
平均粒径７００μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．
２℃、ヘキサン抽出量は２．４wt％であった。
を行ったところ、触媒効率は１８０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．９３ｇ／１０min 、密度
０．９２０９ｇ／cm3 で、かさ比重０．４６ｇ／cm3 、
平均粒径７００μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．
２℃、ヘキサン抽出量は２．４wt％であった。
【００５７】実施例５ 実施例４において、四塩化チタン８．３ｇの代わりにト
リクロロモノエトキシチタン８．７ｇを用いることを除
いては、実施例４と同様な方法で固体触媒成分を調製し
た。上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で
重合を行ったところ、触媒効率は１９０，０００ｇ共重
合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ１．０５ｇ／１０min 、
密度０．９２１１ｇ／cm3 で、かさ比重０．４６ｇ／cm
3 、平均粒径７１０μｍの形状の丸い粒状物が得られ
た。また、ＦＲは７．３と分子量分布が狭く、融点は１
２１．３℃、ヘキサン抽出量は２．３wt％であった。
リクロロモノエトキシチタン８．７ｇを用いることを除
いては、実施例４と同様な方法で固体触媒成分を調製し
た。上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で
重合を行ったところ、触媒効率は１９０，０００ｇ共重
合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ１．０５ｇ／１０min 、
密度０．９２１１ｇ／cm3 で、かさ比重０．４６ｇ／cm
3 、平均粒径７１０μｍの形状の丸い粒状物が得られ
た。また、ＦＲは７．３と分子量分布が狭く、融点は１
２１．３℃、ヘキサン抽出量は２．３wt％であった。
【００５８】実施例６ （ａ）固体触媒成分の製造 １／２インチ直径を有するステンレススチール製ボール
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水したエタノール１４０cc、脱水した
２−エチル−１−ヘキサノール１７．０ｇ、テトラブト
キシチタン７．８ｇをいれ室温で１時間攪はん後、上記
の無水塩化マグネシウムとトリエトキシアルミニウムの
反応物７．５ｇを入れ、８０℃、１時間反応させた。室
温に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ（富士デ
ビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃で２時間
反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行い固体粉
末を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよびジエチ
ルアルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室温で１時
間反応させ、その後６０℃で３時間窒素ブローを行い、
ヘキサンを除去して固体粉末を得た。次にテトラエトキ
シシラン０．５ｇをいれ、室温にて３時間反応させ固体
触媒成分を得た。
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水したエタノール１４０cc、脱水した
２−エチル−１−ヘキサノール１７．０ｇ、テトラブト
キシチタン７．８ｇをいれ室温で１時間攪はん後、上記
の無水塩化マグネシウムとトリエトキシアルミニウムの
反応物７．５ｇを入れ、８０℃、１時間反応させた。室
温に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ（富士デ
ビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃で２時間
反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行い固体粉
末を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよびジエチ
ルアルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室温で１時
間反応させ、その後６０℃で３時間窒素ブローを行い、
ヘキサンを除去して固体粉末を得た。次にテトラエトキ
シシラン０．５ｇをいれ、室温にて３時間反応させ固体
触媒成分を得た。
【００５９】上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様
な方法で重合を行ったところ、触媒効率は２２０，００
０ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．９２ｇ／１
０min 、密度０．９２００ｇ／cm3 で、かさ比重０．４
７ｇ／cm3 、平均粒径７８０μｍの形状の丸い粒状物が
得られた。また、ＦＲは７．２と分子量分布が狭く、融
点は１２０．８℃、ヘキサン抽出量は２．０wt％であっ
た。
な方法で重合を行ったところ、触媒効率は２２０，００
０ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．９２ｇ／１
０min 、密度０．９２００ｇ／cm3 で、かさ比重０．４
７ｇ／cm3 、平均粒径７８０μｍの形状の丸い粒状物が
得られた。また、ＦＲは７．２と分子量分布が狭く、融
点は１２０．８℃、ヘキサン抽出量は２．０wt％であっ
た。
【００６０】 実施例７ 実施例６においてテトラエトキシシランの代わりにメチ
ルシクロヘキシルジメトキシシラン０．５ｇを用いるこ
とを除いては、実施例６と同様な方法で固体触媒成分を
調製した。上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な
方法で重合を行ったところ、触媒効率は２４０，０００
ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．８８ｇ／１０
min 、密度０．９２１０ｇ／cm3 で、かさ比重０．４６
ｇ／cm3、平均粒径８２０μｍの形状の丸い粒状物が得
られた。また、ＦＲは７．３と分子量分布が狭く、融点
は１２１．８℃、ヘキサン抽出量は２．５wt％であっ
た。
ルシクロヘキシルジメトキシシラン０．５ｇを用いるこ
とを除いては、実施例６と同様な方法で固体触媒成分を
調製した。上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な
方法で重合を行ったところ、触媒効率は２４０，０００
ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．８８ｇ／１０
min 、密度０．９２１０ｇ／cm3 で、かさ比重０．４６
ｇ／cm3、平均粒径８２０μｍの形状の丸い粒状物が得
られた。また、ＦＲは７．３と分子量分布が狭く、融点
は１２１．８℃、ヘキサン抽出量は２．５wt％であっ
た。
【００６１】実施例８ （ａ）固体触媒成分の製造 １／２インチ直径を有するステンレススチール製ボール
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水したエタノール１４０cc、脱水した
２−エチル−１−ヘキサノール１７．０ｇ、テトラブト
キシチタン７．８ｇをいれ室温で１時間攪はん後、上記
の無水塩化マグネシウムとトリエトキシアルミニウムの
反応物７．５ｇを入れ、８０℃、１時間反応させた。室
温に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ（富士デ
ビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃で２時間
反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行い固体粉
末を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよびジエチ
ルアルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室温で１時
間反応させ、つづいてテトラエトキシシラン０．５ｇを
加え、６０℃で３時間反応させた後、６０℃で３時間窒
素ブローを行いヘキサンを除去して固体触媒成分を得
た。
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水したエタノール１４０cc、脱水した
２−エチル−１−ヘキサノール１７．０ｇ、テトラブト
キシチタン７．８ｇをいれ室温で１時間攪はん後、上記
の無水塩化マグネシウムとトリエトキシアルミニウムの
反応物７．５ｇを入れ、８０℃、１時間反応させた。室
温に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ（富士デ
ビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃で２時間
反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行い固体粉
末を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよびジエチ
ルアルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室温で１時
間反応させ、つづいてテトラエトキシシラン０．５ｇを
加え、６０℃で３時間反応させた後、６０℃で３時間窒
素ブローを行いヘキサンを除去して固体触媒成分を得
た。
【００６２】（ｂ）気相重合 上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は２３０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．８９ｇ／１０min 、密度
０．９１９８ｇ／cm3 で、かさ比重０．４７ｇ／cm3 、
平均粒径７８０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．２と分子量分布が狭く、融点は１２１．
１℃、ヘキサン抽出量は２．０wt％であった。
を行ったところ、触媒効率は２３０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．８９ｇ／１０min 、密度
０．９１９８ｇ／cm3 で、かさ比重０．４７ｇ／cm3 、
平均粒径７８０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．２と分子量分布が狭く、融点は１２１．
１℃、ヘキサン抽出量は２．０wt％であった。
【００６３】実施例９ １／２インチ直径を有するステンレススチール製ボール
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した変性エタノール（エタノール２
００リットルに対しメタノール５kgを含む）１４０cc、
脱水した２−エチル−１−ヘキサノール１７．０ｇ、テ
トラｎ−ブトキシチタン１５．０ｇをいれ室温で１時間
攪はん後、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物７．５ｇを入れ、８０℃、１時間
反応させた。室温に冷却後、４００℃で３時間焼成した
シリカ（富士デビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び
８０℃で２時間反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾
燥を行い固体粉末を得た。次に脱水したヘキサン１００
ccおよびテトラエトキシシラン０．７ｇを加えて室温で
３時間反応させた。次にジエチルアルミニウムクロリド
１０．０ｇを加えて室温で１時間反応させ、その後６０
℃で３時間窒素ブローを行い、ヘキサンを除去して固体
触媒成分を得た。
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した変性エタノール（エタノール２
００リットルに対しメタノール５kgを含む）１４０cc、
脱水した２−エチル−１−ヘキサノール１７．０ｇ、テ
トラｎ−ブトキシチタン１５．０ｇをいれ室温で１時間
攪はん後、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物７．５ｇを入れ、８０℃、１時間
反応させた。室温に冷却後、４００℃で３時間焼成した
シリカ（富士デビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び
８０℃で２時間反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾
燥を行い固体粉末を得た。次に脱水したヘキサン１００
ccおよびテトラエトキシシラン０．７ｇを加えて室温で
３時間反応させた。次にジエチルアルミニウムクロリド
１０．０ｇを加えて室温で１時間反応させ、その後６０
℃で３時間窒素ブローを行い、ヘキサンを除去して固体
触媒成分を得た。
【００６４】（ｂ）気相重合 上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は２２０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．９１ｇ／１０min 、密度
０．９２０３ｇ／cm3 で、かさ比重０．４５ｇ／cm3 、
平均粒径７６０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．２と分子量分布が狭く、融点は１２１．
１℃、ヘキサン抽出量は２．２wt％であった。
を行ったところ、触媒効率は２２０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．９１ｇ／１０min 、密度
０．９２０３ｇ／cm3 で、かさ比重０．４５ｇ／cm3 、
平均粒径７６０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．２と分子量分布が狭く、融点は１２１．
１℃、ヘキサン抽出量は２．２wt％であった。
【００６５】実施例１０ （ａ）固体触媒成分の製造 １／２インチ直径を有するステンレススチール製ボール
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した変性エタノール（エタノール２
００リットルに対しメタノール５kgを含む）１４０cc、
脱水した２−エチル−１−ヘキサノール１７．０ｇ、テ
トラｎ−ブトキシチタン１５．０ｇをいれ室温で１時間
攪はん後、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物７．５ｇを入れ、８０℃、１時間
反応させた。室温に冷却後、４００℃で３時間焼成した
シリカ（富士デビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び
８０℃で２時間反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾
燥を行い固体粉末を得た。攪拌機および還流冷却器をつ
けた三ツ口フラスコを窒素置換し、この中に脱水したヘ
キサン１００cc、ジエチルアルミニウムクロリド１０ｇ
およびテトラエトキシシラン０．７ｇをいれて室温で１
時間反応させた。この反応物を上記固体粉末中に全量加
え、室温で３時間反応させ、その後６０℃で３時間窒素
ブローを行い、ヘキサンを除去して固体触媒成分を得
た。
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した変性エタノール（エタノール２
００リットルに対しメタノール５kgを含む）１４０cc、
脱水した２−エチル−１−ヘキサノール１７．０ｇ、テ
トラｎ−ブトキシチタン１５．０ｇをいれ室温で１時間
攪はん後、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物７．５ｇを入れ、８０℃、１時間
反応させた。室温に冷却後、４００℃で３時間焼成した
シリカ（富士デビソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び
８０℃で２時間反応させた後、１２０℃で２時間減圧乾
燥を行い固体粉末を得た。攪拌機および還流冷却器をつ
けた三ツ口フラスコを窒素置換し、この中に脱水したヘ
キサン１００cc、ジエチルアルミニウムクロリド１０ｇ
およびテトラエトキシシラン０．７ｇをいれて室温で１
時間反応させた。この反応物を上記固体粉末中に全量加
え、室温で３時間反応させ、その後６０℃で３時間窒素
ブローを行い、ヘキサンを除去して固体触媒成分を得
た。
【００６６】上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様
な方法で重合を行ったところ、触媒効率は１９０，００
０ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．７６ｇ／１
０min 、密度０．９２１４ｇ／cm3 で、かさ比重０．４
５ｇ／cm3 、平均粒径６９０μｍの形状の丸い粒状物が
得られた。また、ＦＲは７．１と分子量分布が狭く、融
点は１２１．７℃、ヘキサン抽出量は１．９wt％であっ
た。
な方法で重合を行ったところ、触媒効率は１９０，００
０ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．７６ｇ／１
０min 、密度０．９２１４ｇ／cm3 で、かさ比重０．４
５ｇ／cm3 、平均粒径６９０μｍの形状の丸い粒状物が
得られた。また、ＦＲは７．１と分子量分布が狭く、融
点は１２１．７℃、ヘキサン抽出量は１．９wt％であっ
た。
【００６７】実施例１１ 実施例１においてジエチルアルミニウムクロリドの代わ
りにエチルエトキシアルミニウムクロリド１０ｇを用い
ることを除いては、実施例１と同様な方法で固体触媒成
分を調製した。上記固体触媒成分を用いて実施例１と同
様な方法で重合を行ったところ、触媒効率は１８０，０
００ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．７１ｇ／
１０min 、密度０．９２２３ｇ／cm3 で、かさ比重０．
４４ｇ／cm3 、平均粒径６５０μｍの形状の丸い粒状物
が得られた。また、ＦＲは７．３と分子量分布が狭く、
融点は１２２．０℃、ヘキサン抽出量は２．１wt％であ
った。
りにエチルエトキシアルミニウムクロリド１０ｇを用い
ることを除いては、実施例１と同様な方法で固体触媒成
分を調製した。上記固体触媒成分を用いて実施例１と同
様な方法で重合を行ったところ、触媒効率は１８０，０
００ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．７１ｇ／
１０min 、密度０．９２２３ｇ／cm3 で、かさ比重０．
４４ｇ／cm3 、平均粒径６５０μｍの形状の丸い粒状物
が得られた。また、ＦＲは７．３と分子量分布が狭く、
融点は１２２．０℃、ヘキサン抽出量は２．１wt％であ
った。
【００６８】実施例１２ 実施例１においてトリエトキシアルミニウムの代わりに
トリエトキシボロン３．６ｇを用いることを除いては、
実施例１と同様な方法で固体触媒成分を調製した。上記
固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合を行
ったところ、触媒効率は２２０，０００ｇ共重合体／gT
i と高活性で、ＭＦＲ１．０６ｇ／１０min 、密度０．
９１９９ｇ／cm3 で、かさ比重０．４５ｇ／cm3 、平均
粒径７７０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。また、
ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．２
℃、ヘキサン抽出量は２．６wt％であった。
トリエトキシボロン３．６ｇを用いることを除いては、
実施例１と同様な方法で固体触媒成分を調製した。上記
固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合を行
ったところ、触媒効率は２２０，０００ｇ共重合体／gT
i と高活性で、ＭＦＲ１．０６ｇ／１０min 、密度０．
９１９９ｇ／cm3 で、かさ比重０．４５ｇ／cm3 、平均
粒径７７０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。また、
ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．２
℃、ヘキサン抽出量は２．６wt％であった。
【００６９】実施例１３ 実施例１においてトリエトキシアルミニウムの代わりに
ジエトキシマグネシウム２．９ｇを用いることを除いて
は、実施例１と同様な方法で固体触媒成分を調製した。
上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は２３０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．８８ｇ／１０min 、密度
０．９２０６ｇ／cm3 で、かさ比重０．４３ｇ／cm3 、
平均粒径７７０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．
６℃、ヘキサン抽出量は２．４wt％であった。
ジエトキシマグネシウム２．９ｇを用いることを除いて
は、実施例１と同様な方法で固体触媒成分を調製した。
上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は２３０，０００ｇ共重合体
／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．８８ｇ／１０min 、密度
０．９２０６ｇ／cm3 で、かさ比重０．４３ｇ／cm3 、
平均粒径７７０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。ま
た、ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．
６℃、ヘキサン抽出量は２．４wt％であった。
【００７０】実施例１４ 実施例１においてシリカの代わりにシリカ−アルミナを
用いることを除いては、実施例１と同様な方法で固体触
媒成分を調製した。上記固体触媒成分を用いて実施例１
と同様な方法で重合を行なったところ、触媒効率は１６
０，０００ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ１．０
０ｇ／１０min 、密度０．９２３１ｇ／cm3 で、かさ比
重０．４６ｇ／cm3 、平均粒径５２０μｍの形状の丸い
粒状物が得られた。また、ＦＲは７．１と分子量分布が
狭く、融点は１２２．４℃、ヘキサン抽出量は２．３wt
％であった。
用いることを除いては、実施例１と同様な方法で固体触
媒成分を調製した。上記固体触媒成分を用いて実施例１
と同様な方法で重合を行なったところ、触媒効率は１６
０，０００ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ１．０
０ｇ／１０min 、密度０．９２３１ｇ／cm3 で、かさ比
重０．４６ｇ／cm3 、平均粒径５２０μｍの形状の丸い
粒状物が得られた。また、ＦＲは７．１と分子量分布が
狭く、融点は１２２．４℃、ヘキサン抽出量は２．３wt
％であった。
【００７１】実施例１５ 実施例１においてシリカの代わりにアルミナを用いるこ
とを除いては、実施例１と同様な方法で固体触媒成分を
調製した。上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な
方法で重合を行なったところ、触媒効率は１８０，００
０ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．９６ｇ／１
０min 、密度０．９２２４ｇ／cm3 で、かさ比重０．４
４ｇ／cm3 、平均粒径６２０μｍの形状の丸い粒状物が
得られた。また、ＦＲは７．３と分子量分布が狭く、融
点は１２１．８℃、ヘキサン抽出量は２．４wt％であっ
た。
とを除いては、実施例１と同様な方法で固体触媒成分を
調製した。上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な
方法で重合を行なったところ、触媒効率は１８０，００
０ｇ共重合体／gTi と高活性で、ＭＦＲ０．９６ｇ／１
０min 、密度０．９２２４ｇ／cm3 で、かさ比重０．４
４ｇ／cm3 、平均粒径６２０μｍの形状の丸い粒状物が
得られた。また、ＦＲは７．３と分子量分布が狭く、融
点は１２１．８℃、ヘキサン抽出量は２．４wt％であっ
た。
【００７２】比較例１ （ａ）固体触媒成分の製造 １／２インチ直径を有するステンレススチール製ボール
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した２−メチル−１−ペンタノール
１００ｇ、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物５．０ｇ、テトラｎ−エトキシチ
タン１０．０ｇをいれ８０℃、１時間反応させた。室温
に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ（富士デビ
ソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃で２時間反
応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行い固体粉末
を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよびジエチル
アルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室温で１時間
反応させ、その後６０℃で３時間窒素ブローを行い、ヘ
キサンを除去して固体触媒成分を得た。
が２５コ入った内容積４００mlのステンレススチール製
ポットに市販の無水塩化マグネシウム１０ｇ、トリエト
キシアルミニウム４．２ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で
１６時間ボールミリングを行い反応生成物を得た。攪は
ん機および還流冷却器をつけた三ツ口フラスコを窒素置
換し、この中に脱水した２−メチル−１−ペンタノール
１００ｇ、上記の無水塩化マグネシウムとトリエトキシ
アルミニウムの反応物５．０ｇ、テトラｎ−エトキシチ
タン１０．０ｇをいれ８０℃、１時間反応させた。室温
に冷却後、４００℃で３時間焼成したシリカ（富士デビ
ソン、＃９５５）４６ｇを入れ、再び８０℃で２時間反
応させた後、１２０℃で２時間減圧乾燥を行い固体粉末
を得た。次に脱水したヘキサン１００ccおよびジエチル
アルミニウムクロリド１０．０ｇを加えて室温で１時間
反応させ、その後６０℃で３時間窒素ブローを行い、ヘ
キサンを除去して固体触媒成分を得た。
【００７３】（ｂ）気相重合 上記固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合
を行ったところ、触媒効率は２４０，０００ｇ共重合体
／gTi で、ＭＦＲ１．０２ｇ／１０min 、密度０．９２
０５で、かさ密度０．４５ｇ／cm3 、平均粒径８３０μ
ｍ、ＦＲ７．４の粒状物が得られた。また融点は１２
１．６℃で、ヘキサン抽出は２．７wt％とシリケート化
合物を添加しない固体触媒成分より得られるポリマーは
ＦＲが大きくヘキサン抽出量が多かった。
を行ったところ、触媒効率は２４０，０００ｇ共重合体
／gTi で、ＭＦＲ１．０２ｇ／１０min 、密度０．９２
０５で、かさ密度０．４５ｇ／cm3 、平均粒径８３０μ
ｍ、ＦＲ７．４の粒状物が得られた。また融点は１２
１．６℃で、ヘキサン抽出は２．７wt％とシリケート化
合物を添加しない固体触媒成分より得られるポリマーは
ＦＲが大きくヘキサン抽出量が多かった。
【００７４】実施例１６ 実施例１においてテトラエトキシシランの代わりにメチ
ルジメトキシシラン０．４ｇを用いることを除いては、
実施例１と同様な方法で固体触媒成分を調製した。上記
固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合を行
ったところ、触媒効率は２６０，０００ｇ共重合体／gT
i と高活性で、ＭＦＲ０．８８ｇ／１０min 、密度０．
９２０３ｇ／cm3 で、かさ比重０．４３ｇ／cm3 、平均
粒径８５０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。また、
ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．５
℃、ヘキサン抽出量は１．８wt％であった。
ルジメトキシシラン０．４ｇを用いることを除いては、
実施例１と同様な方法で固体触媒成分を調製した。上記
固体触媒成分を用いて実施例１と同様な方法で重合を行
ったところ、触媒効率は２６０，０００ｇ共重合体／gT
i と高活性で、ＭＦＲ０．８８ｇ／１０min 、密度０．
９２０３ｇ／cm3 で、かさ比重０．４３ｇ／cm3 、平均
粒径８５０μｍの形状の丸い粒状物が得られた。また、
ＦＲは７．４と分子量分布が狭く、融点は１２１．５
℃、ヘキサン抽出量は１．８wt％であった。
【００７５】
【発明の効果】本発明の固体触媒成分と有機金属化合物
を触媒として得られるオレフィンの単独重合体または共
重合体は、かさ比重が著しく高く、平均粒径が比較的大
きく、粒径分布が狭く微粒子状粉末部分が少ないため、
重合時における反応器壁へのポリマーの付着が少なく安
定した運転が可能であり、さらに成形加工時の粉塵の発
生が防止でき成形加工時の能率を高めることができるの
みならず、ペレット化工程をも省略しうる。
を触媒として得られるオレフィンの単独重合体または共
重合体は、かさ比重が著しく高く、平均粒径が比較的大
きく、粒径分布が狭く微粒子状粉末部分が少ないため、
重合時における反応器壁へのポリマーの付着が少なく安
定した運転が可能であり、さらに成形加工時の粉塵の発
生が防止でき成形加工時の能率を高めることができるの
みならず、ペレット化工程をも省略しうる。
【００７６】またポリマーの分子量分布がせまいため特
にフィルムに供した場合、強度が高く透明性にすぐれ、
かつ抗ブロッキング性およびヒートシール性にすぐれる
等多くの効果を発揮しうる。
にフィルムに供した場合、強度が高く透明性にすぐれ、
かつ抗ブロッキング性およびヒートシール性にすぐれる
等多くの効果を発揮しうる。
【図１】図１は本発明の触媒の製造工程を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 浩之 神奈川県横浜市中区千鳥町８番地 日本 石油株式会社中央技術研究所内 (72)発明者 松浦 一雄 神奈川県横浜市中区千鳥町８番地 日本 石油株式会社中央技術研究所内 (56)参考文献 特開 平３−252407（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−318013（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−158205（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−21405（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08F 4/60 - 4/70
Claims (4)
- 【請求項１】 固体触媒成分と有機金属化合物を触媒と
してオレフィンを重合または共重合する方法において、
該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウム および 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物および 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を相互に反応させて得られる物質から
なることを特徴とするポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項２】 固体触媒成分と有機金属化合物を触媒と
してオレフィンを重合または共重合する方法において、
該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウム および 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物を反応させて得られる物質に、 さらに、 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を反応させて得られる物質からなるこ
とを特徴とするポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項３】 固体触媒成分と有機金属化合物を触媒と
してオレフィンを重合または共重合する方法において、
該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウム および 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である。）で表さ
れるケイ素化合物を反応させて得られる反応生成物に、 さらに 〔III 〕 一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ
3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物を反応させて得られる物質からなることを特
徴とするポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項４】 固体触媒成分と有機金属化合物を触媒と
してオレフィンを重合または共重合する方法において、
該固体触媒成分が 〔Ｉ〕（１）ケイ素酸化物および／またはアルミニウム
酸化物、 （２）ハロゲン化マグネシウム および 一般式 Ｍｅ（ＯＲ）n Ｘz-n （ここでＭｅはＮａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａ
ｌ，ＳｉおよびＳｎからなる群より選ばれる元素、ｚは
元素Ｍｅの原子価、ｎは０＜ｎ≦ｚ、Ｘはハロゲン原
子、Ｒは炭素数１〜２０の炭化水素残基を示す）で表わ
される化合物を反応させて得られる反応生成物および （３）一般式 Ｔi （ＯＲ1 ）m Ｘ4-m （ここでＲ1 は炭素数１〜２０の炭化水素残基、Ｘはハ
ロゲン原子を表し、ｍは０≦ｍ≦４である）で表わされ
るチタン化合物を一般式 Ｒ2 ＯＨ （ここでＲ2 は炭素数１〜２０の炭化水素基、または酸
素、窒素、イオウ、塩素等の元素を含む有機残基を示
す）で表わされる化合物の存在下、相互に反応させて得
られる反応生成物に 〔II〕一般式 Ａｌ（ＯＲ3 ）p Ｒq 4 Ｘ3-(p+q) （ここでＲ3 およびＲ4 は炭素数１〜２４の炭化水素残
基を表し、同一でも異なってもよく、Ｘはハロゲン原子
または水素原子を示し、ｐ，ｑは０≦ｐ＜３，０≦ｑ≦
３、ただし、０＜ｐ＋ｑ≦３）で表される有機アルミニ
ウム化合物と 〔III 〕一般式 Ｒ5 a Ｒ6 b Ｒ7 c Ｓｉ（ＯＲ8 ）d Ｘ4-(a+b+c+d) （ここでＲ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は水素または炭素数１〜２０
の炭化水素残基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜２０の炭化水
素残基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ａ，ｂ，ｃお
よびｄは０≦ａ＜４，０≦ｂ＜４，０≦ｃ＜４，０＜ｄ
≦４、ただし０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４である）で表され
るケイ素化合物との反応生成物を反応させて得られる物
質からなることを特徴とするポリオレフィンの製造方
法。
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