JP2982449B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2982449B2 JP2982449B2 JP3335843A JP33584391A JP2982449B2 JP 2982449 B2 JP2982449 B2 JP 2982449B2 JP 3335843 A JP3335843 A JP 3335843A JP 33584391 A JP33584391 A JP 33584391A JP 2982449 B2 JP2982449 B2 JP 2982449B2
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- JP
- Japan
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- recording
- recording layer
- optical
- spinodal
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に相分離によ
って光学的性質が変化する記録層を設け、光、熱等の手
段によりこの記録層の光学的性質を変化させて情報の記
録、再生、消去等を行う光記録媒体に関する。
って光学的性質が変化する記録層を設け、光、熱等の手
段によりこの記録層の光学的性質を変化させて情報の記
録、再生、消去等を行う光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学的記録方法として、従来より記録情
報の書換えができない記録・再生タイプとこの書換えが
できる記録・再生・消去タイプとがある。そして、前者
の記録・再生タイプとしては穴開け方式とバブル方式と
が知られている。この穴開け方式とは、光記録媒体の記
録層面へレーザ光等を照射し、その照射部位の記録層を
融解させて基板面を露出させる方式であり、この開口部
と非開口部との反射率の違いを利用して情報の記録、再
生を行う方法であり、また、バブル方式とは、レーザ光
を照射して基板の一部を加熱し、基板側から発生するガ
スの圧力を利用して照射部位にバブルを形成する方式で
あり、このバブルの形成部位と非形成部位との反射率の
違いを利用して情報の記録、再生を行う方法である。
報の書換えができない記録・再生タイプとこの書換えが
できる記録・再生・消去タイプとがある。そして、前者
の記録・再生タイプとしては穴開け方式とバブル方式と
が知られている。この穴開け方式とは、光記録媒体の記
録層面へレーザ光等を照射し、その照射部位の記録層を
融解させて基板面を露出させる方式であり、この開口部
と非開口部との反射率の違いを利用して情報の記録、再
生を行う方法であり、また、バブル方式とは、レーザ光
を照射して基板の一部を加熱し、基板側から発生するガ
スの圧力を利用して照射部位にバブルを形成する方式で
あり、このバブルの形成部位と非形成部位との反射率の
違いを利用して情報の記録、再生を行う方法である。
【０００３】一方、記録情報の書換えができる後者の記
録・再生・消去タイプは、光、熱等の手段により記録層
の光学的性質を可逆的に変化させ、その光学的性質の変
化を利用して情報の記録、再生、消去を行う方式であ
り、具体化された方法としては相転移方式と光磁気方式
とが知られている。そして、この相転移方式は、結晶状
態にある記録層の一部に高出力の円形状レーザスポット
を照射し、高温急速加熱処理と急速冷却処理とを施し、
これによってその照射部位を結晶状態からアモルファス
状態へ変化させ、この結晶状態にある部位とアモルファ
ス状態にある部位の反射率の差を利用して情報の記録、
再生を行うと共に、上記記録層の記録部位に低出力のレ
ーザスポットを照射し、比較的ゆっくりした低温加熱処
理と冷却処理とを施すことにより照射部位をアモルファ
ス状態から記録前の結晶状態へ変化させて情報の消去を
行う方法である。また、光磁気方式は、磁性材料により
構成された記録層に所定方向の磁界をかけた状態でレー
ザスポットを照射し、その照射部位の磁化方向を反転さ
せることでそのカー回転角を変化させ、このカー回転角
の変化を利用して情報の記録、再生を行うと共に、記録
時とは磁界の方向に反転させた状態で記録層の記録部位
にレーザスポットを照射し、その照射部位の磁化方向を
記録前の状態に戻して情報の消去を行う方法である。
録・再生・消去タイプは、光、熱等の手段により記録層
の光学的性質を可逆的に変化させ、その光学的性質の変
化を利用して情報の記録、再生、消去を行う方式であ
り、具体化された方法としては相転移方式と光磁気方式
とが知られている。そして、この相転移方式は、結晶状
態にある記録層の一部に高出力の円形状レーザスポット
を照射し、高温急速加熱処理と急速冷却処理とを施し、
これによってその照射部位を結晶状態からアモルファス
状態へ変化させ、この結晶状態にある部位とアモルファ
ス状態にある部位の反射率の差を利用して情報の記録、
再生を行うと共に、上記記録層の記録部位に低出力のレ
ーザスポットを照射し、比較的ゆっくりした低温加熱処
理と冷却処理とを施すことにより照射部位をアモルファ
ス状態から記録前の結晶状態へ変化させて情報の消去を
行う方法である。また、光磁気方式は、磁性材料により
構成された記録層に所定方向の磁界をかけた状態でレー
ザスポットを照射し、その照射部位の磁化方向を反転さ
せることでそのカー回転角を変化させ、このカー回転角
の変化を利用して情報の記録、再生を行うと共に、記録
時とは磁界の方向に反転させた状態で記録層の記録部位
にレーザスポットを照射し、その照射部位の磁化方向を
記録前の状態に戻して情報の消去を行う方法である。
【０００４】しかしながら、これら従来の光学的記録方
法には、以下に示すような問題点があった。すなわち、
記録・再生タイプの穴開け方式やバブル方式において
は、記録層に形成された開口部やバブルの形状及び記録
層自体が経時的に変化し易く、記録情報の保存安定性に
欠けるほか、記録情報の書換えもできないという問題が
あった。また、記録・再生・消去タイプの相転移方式に
は、上述したように結晶質−アモルファス間の相転移に
伴う光学的性質の変化を利用して情報の記録、再生、消
去を行う方式のため、アモルファス状態にある記録層の
結晶化に時間を要し、上方の書換速度が遅くなるほか、
エネルギーレベルの異なる結晶質領域とアモルファス領
域が並存しているため、準安定状態にあるアモルファス
領域が経時的に結晶化され易く、上記穴開け方式等と同
様にその記録情報の保存安定性に欠けるという問題があ
った。そして、光磁気方式は、上述したようにカー回転
角の変化を検出して記録情報を再生する方式であるが、
その回転角が小さいために必要とするＣ／Ｎ比を確保す
ることが難しく、また、記録層が酸化を受け易いＴｂや
Ｆｅ等の材料を含んでいるため、これらが経時的に酸化
され、記録情報の保存安定性に欠けるという問題があっ
た。
法には、以下に示すような問題点があった。すなわち、
記録・再生タイプの穴開け方式やバブル方式において
は、記録層に形成された開口部やバブルの形状及び記録
層自体が経時的に変化し易く、記録情報の保存安定性に
欠けるほか、記録情報の書換えもできないという問題が
あった。また、記録・再生・消去タイプの相転移方式に
は、上述したように結晶質−アモルファス間の相転移に
伴う光学的性質の変化を利用して情報の記録、再生、消
去を行う方式のため、アモルファス状態にある記録層の
結晶化に時間を要し、上方の書換速度が遅くなるほか、
エネルギーレベルの異なる結晶質領域とアモルファス領
域が並存しているため、準安定状態にあるアモルファス
領域が経時的に結晶化され易く、上記穴開け方式等と同
様にその記録情報の保存安定性に欠けるという問題があ
った。そして、光磁気方式は、上述したようにカー回転
角の変化を検出して記録情報を再生する方式であるが、
その回転角が小さいために必要とするＣ／Ｎ比を確保す
ることが難しく、また、記録層が酸化を受け易いＴｂや
Ｆｅ等の材料を含んでいるため、これらが経時的に酸化
され、記録情報の保存安定性に欠けるという問題があっ
た。
【０００５】そこで、本発明者らは、先に、新たな記録
方式として相分離の原理を利用した記録方式を提案した
（特願平２−１６９，７１０号出願）。この記録方式
は、基板上に相分離によって光学的性質が変化する記録
層を設け、この記録層に対して光、熱等の手段により核
生成及び成長による相分解（これは別名「バイノーダル
分解」に相当する）又はスピノーダル分解を生起させ、
これによって選択的に相分離を起こさせ、この相分離を
した部位と相分離をしていない部位との間における光学
的性質の差を利用して情報の記録・再生、又は記録・再
生・消去を行うものであり、次のような特徴を有するも
のである。
方式として相分離の原理を利用した記録方式を提案した
（特願平２−１６９，７１０号出願）。この記録方式
は、基板上に相分離によって光学的性質が変化する記録
層を設け、この記録層に対して光、熱等の手段により核
生成及び成長による相分解（これは別名「バイノーダル
分解」に相当する）又はスピノーダル分解を生起させ、
これによって選択的に相分離を起こさせ、この相分離を
した部位と相分離をしていない部位との間における光学
的性質の差を利用して情報の記録・再生、又は記録・再
生・消去を行うものであり、次のような特徴を有するも
のである。
【０００６】すなわち、第１には、記録材料が酸化物多
結晶を中心としており、構造変化や酸化等の経時変化の
受けることが少なく、長期保存性に優れており、第２に
は、反応速度が非常に大きく、記録や書換えの時間を短
縮することができ、第３には、記録材料の可視域及び赤
外域における光透過度が大きく、多層膜構造にして光学
的及び熱的に最適化する際におけるその光学設計や熱設
計の自由度が大きく、再生信号のコントラストを大きく
することができる、という利点がある。
結晶を中心としており、構造変化や酸化等の経時変化の
受けることが少なく、長期保存性に優れており、第２に
は、反応速度が非常に大きく、記録や書換えの時間を短
縮することができ、第３には、記録材料の可視域及び赤
外域における光透過度が大きく、多層膜構造にして光学
的及び熱的に最適化する際におけるその光学設計や熱設
計の自由度が大きく、再生信号のコントラストを大きく
することができる、という利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な新
たな相分離による記録方式において、記録層を形成する
記録材料として特定の組成のものを選択することによ
り、タイプの異なる幾つかの記録層を実現することがで
きることを見出し、本発明に到達した。
たな相分離による記録方式において、記録層を形成する
記録材料として特定の組成のものを選択することによ
り、タイプの異なる幾つかの記録層を実現することがで
きることを見出し、本発明に到達した。
【０００８】従って、本発明の目的は、記録材料の組成
として相分離材料の相図におけるスピノーダル線の近傍
又は内側に位置する組成を選択することにより、スピノ
ーダル分解と核生成及び成長による相分解の間で書換え
可能な記録層を構成した光記録媒体を提供することにあ
る。
として相分離材料の相図におけるスピノーダル線の近傍
又は内側に位置する組成を選択することにより、スピノ
ーダル分解と核生成及び成長による相分解の間で書換え
可能な記録層を構成した光記録媒体を提供することにあ
る。
【０００９】また、本発明の他の目的は、記録層を形成
する記録材料の組成として相分離材料の相図におけるス
ピノーダル線の内側に位置する組成を選択することによ
り、比較的高出力のレーザーを使用するスピノーダル分
解により追記型の記録を行うことができる記録層を構成
した光記録媒体を提供することにある。
する記録材料の組成として相分離材料の相図におけるス
ピノーダル線の内側に位置する組成を選択することによ
り、比較的高出力のレーザーを使用するスピノーダル分
解により追記型の記録を行うことができる記録層を構成
した光記録媒体を提供することにある。
【００１０】更に、本発明の他の目的は、記録層を形成
する記録材料の組成として相分離材料の相図におけるバ
イノーダル線とスピノーダル線との間に位置する組成を
選択することにより、比較的低出力のレーザーを使用す
る核生成及び成長のよる相分解により追記型の記録を行
うことができる記録層を構成した光記録媒体を提供する
ことにある。
する記録材料の組成として相分離材料の相図におけるバ
イノーダル線とスピノーダル線との間に位置する組成を
選択することにより、比較的低出力のレーザーを使用す
る核生成及び成長のよる相分解により追記型の記録を行
うことができる記録層を構成した光記録媒体を提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
板上に、相分離によって光学的性質が変化する記録材料
で形成された記録層を設け、この記録層の光学的性質を
光、熱等の手段により変化させて情報の記録、再生、消
去等を行う光記録媒体において、上記記録層を形成する
記録材料の組成として相分離材料の相図におけるスピノ
ーダル線の近傍又は内側に位置する組成を選択し、スピ
ノーダル分解と核生成及び成長による相分解（以下、必
要に応じてバイノーダル分解とも称する）の駆動力を利
用して書換え可能な記録層を構成した光記録媒体であ
る。
板上に、相分離によって光学的性質が変化する記録材料
で形成された記録層を設け、この記録層の光学的性質を
光、熱等の手段により変化させて情報の記録、再生、消
去等を行う光記録媒体において、上記記録層を形成する
記録材料の組成として相分離材料の相図におけるスピノ
ーダル線の近傍又は内側に位置する組成を選択し、スピ
ノーダル分解と核生成及び成長による相分解（以下、必
要に応じてバイノーダル分解とも称する）の駆動力を利
用して書換え可能な記録層を構成した光記録媒体であ
る。
【００１２】また、本発明は、基板上に、相分離によっ
て光学的性質が変化する記録材料で形成された記録層を
設け、この記録層の光学的性質を光、熱等の手段により
変化させて情報の記録、再生、消去等を行う光記録媒体
において、上記記録層を形成する記録材料の組成として
相分離材料の相図におけるスピノーダル線の内側に位置
する組成を選択し、スピノーダル分解による追記型の記
録を行う記録層を構成した光記録媒体である。
て光学的性質が変化する記録材料で形成された記録層を
設け、この記録層の光学的性質を光、熱等の手段により
変化させて情報の記録、再生、消去等を行う光記録媒体
において、上記記録層を形成する記録材料の組成として
相分離材料の相図におけるスピノーダル線の内側に位置
する組成を選択し、スピノーダル分解による追記型の記
録を行う記録層を構成した光記録媒体である。
【００１３】更に、本発明は、基板上に、相分離によっ
て光学的性質が変化する記録材料で形成された記録層を
設け、この記録層の光学的性質を光、熱等の手段により
変化させて情報の記録、再生、消去等を行う光記録媒体
において、上記記録層を形成する記録材料の組成として
相分離材料の相図におけるバイノーダル線とスピノーダ
ル線との間に位置する組成を選択し、核生成及び成長に
よる相分解による追記型の記録を行う記録層を構成した
光記録媒体である。
て光学的性質が変化する記録材料で形成された記録層を
設け、この記録層の光学的性質を光、熱等の手段により
変化させて情報の記録、再生、消去等を行う光記録媒体
において、上記記録層を形成する記録材料の組成として
相分離材料の相図におけるバイノーダル線とスピノーダ
ル線との間に位置する組成を選択し、核生成及び成長に
よる相分解による追記型の記録を行う記録層を構成した
光記録媒体である。
【００１４】ところで、相分離における結晶化動力学
は、カーン（Ｃａｈｎ）、ヒリアード（Ｈｉｌｌｉａｒ
ｄ）等によってかなりの程度まで確立されており、それ
によれば、分離相の組成変動はこのカーン（Ｃａｈｎ）
−ヒリアード（Ｈｉｌｌｉａｒｄ）の非線形拡散方程式
によって表され、スピノーダル分解とバイノーダル分解
の駆動力もこのカーン−ヒリアードの非線形拡散方程式
からそれぞれ線形項あるいは非線形項として求められ
る。そして、これによれば、図１に示すように、対象と
なる成分系（Ａ1-x Ｂx ）における対象となる温度（Ｔ
1 ）における相分離過程では、その組成域により、バイ
ノーダル線の外側に位置する相分離を起こさない領域
と、このバイノーダル線とスピノーダル線との間に位置
して相分離を起こす領域と、スピノーダル線の内側に位
置して相分離を起こす領域との３つの領域に区分され
る。
は、カーン（Ｃａｈｎ）、ヒリアード（Ｈｉｌｌｉａｒ
ｄ）等によってかなりの程度まで確立されており、それ
によれば、分離相の組成変動はこのカーン（Ｃａｈｎ）
−ヒリアード（Ｈｉｌｌｉａｒｄ）の非線形拡散方程式
によって表され、スピノーダル分解とバイノーダル分解
の駆動力もこのカーン−ヒリアードの非線形拡散方程式
からそれぞれ線形項あるいは非線形項として求められ
る。そして、これによれば、図１に示すように、対象と
なる成分系（Ａ1-x Ｂx ）における対象となる温度（Ｔ
1 ）における相分離過程では、その組成域により、バイ
ノーダル線の外側に位置する相分離を起こさない領域
と、このバイノーダル線とスピノーダル線との間に位置
して相分離を起こす領域と、スピノーダル線の内側に位
置して相分離を起こす領域との３つの領域に区分され
る。
【００１５】そして、上記バイノーダル線とスピノーダ
ル線との間に位置して相分離を起こす領域内にある組成
では、スピノーダル分解を起こす駆動力はほとんどゼロ
で、核生成及び成長による相分解を起こす駆動力のみな
ので、核生成及び成長による分解のみが生起する。ま
た、スピノーダル線の内側に位置して相分離を起こす領
域内にある組成では、スピノーダル分解を起こす駆動力
と核生成及び成長による分解を起こす駆動力の両者が併
存し、その各駆動力の大きさと、熱履歴により、どちら
かの分解が生起するかが決定する。
ル線との間に位置して相分離を起こす領域内にある組成
では、スピノーダル分解を起こす駆動力はほとんどゼロ
で、核生成及び成長による相分解を起こす駆動力のみな
ので、核生成及び成長による分解のみが生起する。ま
た、スピノーダル線の内側に位置して相分離を起こす領
域内にある組成では、スピノーダル分解を起こす駆動力
と核生成及び成長による分解を起こす駆動力の両者が併
存し、その各駆動力の大きさと、熱履歴により、どちら
かの分解が生起するかが決定する。
【００１６】そこで、本発明者は、上記バイノーダル線
とスピノーダル線との間に位置して相分離を起こす領域
内にある組成、スピノーダル線の内側に位置して相分離
を起こす領域内にある組成及びこのスピノーダル線の近
傍又は内側に位置する組成を有する記録材料によりそれ
ぞれ記録層を形成し、これらの記録層についてレーザー
による情報の記録、再生、消去の実験を行なった結果、
以下のような知見が得られた。
とスピノーダル線との間に位置して相分離を起こす領域
内にある組成、スピノーダル線の内側に位置して相分離
を起こす領域内にある組成及びこのスピノーダル線の近
傍又は内側に位置する組成を有する記録材料によりそれ
ぞれ記録層を形成し、これらの記録層についてレーザー
による情報の記録、再生、消去の実験を行なった結果、
以下のような知見が得られた。
【００１７】すなわち、バイノーダル線とスピノーダル
線との間の組成を有する記録材料により、その反射率変
化の方向が高い値から低い値へと変化する、いわゆるｈ
ｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗの追記型の記録層を実現すること
ができる。また、記録材料の組成がスピノーダル線の内
側の設定されるに従い、その反射率変化の方向が低い値
から高い値へと変化する、いわゆるｌｏｗ ｔｏ ｈｉ
ｇｈの追記型の記録層を実現することができる。
線との間の組成を有する記録材料により、その反射率変
化の方向が高い値から低い値へと変化する、いわゆるｈ
ｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗの追記型の記録層を実現すること
ができる。また、記録材料の組成がスピノーダル線の内
側の設定されるに従い、その反射率変化の方向が低い値
から高い値へと変化する、いわゆるｌｏｗ ｔｏ ｈｉ
ｇｈの追記型の記録層を実現することができる。
【００１８】更に、驚くべきことには、スピノーダル線
の近傍の組成を有する記録材料は、バイノーダル分解と
スピノーダル分解とがほぼ同程度の優先度で生起し、記
録層の冷却速度、言い換えればレーザー書込み時のレー
ザー出力を制御することにより、これらバイノーダル分
解とスピノーダル分解の何れかを生起せしめるように制
御可能であることが判明した。すなわち、このスピノー
ダル線の近傍の組成を有する記録材料は、比較的高出力
のレーザーで書き込むことによりレーザー照射部位は急
冷され、ｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈ のスピノーダル分解
が生起し、反対に、比較的低出力のレーザーで書き込む
ことによりレーザー照射部位は徐冷され、ｈｉｇｈ ｔ
ｏ ｌｏｗ のバイノーダル分解が生起し、このことか
ら、レーザーでの書込み時の出力を調整して冷却速度を
制御することにより、相分離としてバイノーダル分解と
スピノーダル分解とを選択することができ、この特性を
利用して書換可能な記録層を実現することができる。ま
た驚くべきことには、スピノーダル線の内側に位置する
組成を有する記録材料においても、例えば冷却層などを
設けて工夫することによって記録層の冷却速度をコント
ロールすることにより、スピノーダル線の近傍に位置す
る組成を有する記録材料と同様に、相分離としてバイノ
ーダル分解とスピノーダル分解とを選択して生起せしめ
ることができ、この特性を利用して書換可能な記録層を
実現することができることが判明した。すなわち、スピ
ノーダル線の内側に位置する組成の記録材料は、そのス
ピノーダル分解及びバイノーダル分解の互いに相反する
駆動力と記録層の冷却速度との両者を適宜コントロール
することにより、スピノーダル分解とバイノーダル分解
の両者を選択して生起させ、書換え可能な記録層を実現
することができ、しかも上記のコントロールにより、バ
イノーダル分解のみを生起させてｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏ
ｗ の追記型の記録層を実現したり、或いは、スピノー
ダル分解のみを生起させてｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈ の
追記型の記録層を実現することができることも判明し
た。
の近傍の組成を有する記録材料は、バイノーダル分解と
スピノーダル分解とがほぼ同程度の優先度で生起し、記
録層の冷却速度、言い換えればレーザー書込み時のレー
ザー出力を制御することにより、これらバイノーダル分
解とスピノーダル分解の何れかを生起せしめるように制
御可能であることが判明した。すなわち、このスピノー
ダル線の近傍の組成を有する記録材料は、比較的高出力
のレーザーで書き込むことによりレーザー照射部位は急
冷され、ｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈ のスピノーダル分解
が生起し、反対に、比較的低出力のレーザーで書き込む
ことによりレーザー照射部位は徐冷され、ｈｉｇｈ ｔ
ｏ ｌｏｗ のバイノーダル分解が生起し、このことか
ら、レーザーでの書込み時の出力を調整して冷却速度を
制御することにより、相分離としてバイノーダル分解と
スピノーダル分解とを選択することができ、この特性を
利用して書換可能な記録層を実現することができる。ま
た驚くべきことには、スピノーダル線の内側に位置する
組成を有する記録材料においても、例えば冷却層などを
設けて工夫することによって記録層の冷却速度をコント
ロールすることにより、スピノーダル線の近傍に位置す
る組成を有する記録材料と同様に、相分離としてバイノ
ーダル分解とスピノーダル分解とを選択して生起せしめ
ることができ、この特性を利用して書換可能な記録層を
実現することができることが判明した。すなわち、スピ
ノーダル線の内側に位置する組成の記録材料は、そのス
ピノーダル分解及びバイノーダル分解の互いに相反する
駆動力と記録層の冷却速度との両者を適宜コントロール
することにより、スピノーダル分解とバイノーダル分解
の両者を選択して生起させ、書換え可能な記録層を実現
することができ、しかも上記のコントロールにより、バ
イノーダル分解のみを生起させてｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏ
ｗ の追記型の記録層を実現したり、或いは、スピノー
ダル分解のみを生起させてｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈ の
追記型の記録層を実現することができることも判明し
た。
【００１９】また、本発明において、光記録媒体の基板
を形成する基板材料や基板上に設けられる記録層を形成
する記録材料については、特に制限されるものではな
く、基板材料については従来公知のものを使用でき、ま
た、記録材料については先に提案した特願平２−１６
９，７１０号明細書記載のものを使用することができ
る。
を形成する基板材料や基板上に設けられる記録層を形成
する記録材料については、特に制限されるものではな
く、基板材料については従来公知のものを使用でき、ま
た、記録材料については先に提案した特願平２−１６
９，７１０号明細書記載のものを使用することができ
る。
【００２０】例えば、基板材料としては、ガラス、光透
過性のアクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の光透
過性材料や、アルミニウム等の金属材料を挙げることが
できる。
過性のアクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の光透
過性材料や、アルミニウム等の金属材料を挙げることが
できる。
【００２１】また、記録材料としては、それが光、熱等
の手段で相分離を起こすものであって、相分離材料の相
図におけるバイノーダル線とスピノーダル線との間に位
置する組成を有するものであればよく、具体的には、Ｓ
ｂ−Ｏ系や、ＰｂＴｅ−ＧｅＴｅ混合系、Ａｕ−Ｐｔ混
合系、Ａｕ−Ｎｉ混合系、ＰｂＳ −ＰｂＴｅ混合系、
ＧｅＳｅ2 −ＧｅＳｅ混合系、Ａｓ−Ｇｅ−Ｔｅ混合系
等の合金や、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 混合系、Ｎａ2 Ｏ−Ｓ
ｉＯ2 混合系、ＢａＯ−ＳｉＯ2 混合系、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 混合系、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 混合系、Ｌｉ2 Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 混合系、Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 混合系、Ｋ2 Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 混合系、Ｒｂ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3混合系、Ｃｓ2
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 混合系、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 混合系等の酸化
物−酸化物混合系材料や、ＺｒＯ2 −ＴｈＯ2 混合系、
ＣａＯ−ＳｉＯ2 混合系、Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ混合系、Ｂ
2 Ｏ3 −Ｖ2 Ｏ5 混合系、ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 混合系、
ＮｉＯ−ＣｏＯ混合系、Ａｌ2 Ｏ3 −Ｃｒ2 Ｏ3 混合
系、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 混合系、ＺｎＷＯ4 −ＭｎＷ
Ｏ4 混合系、ＣａＷＯ4 −ＮａＳｍ（ＷＯ4 ）2 混合
系、ＣａＷＯ4 −Ｓｍ2 （ＷＯ4 ）3 混合系、ＭｎＭｏ
Ｏ4 −ＺｎＭｏＯ4 混合系、Ｆｅ2 ＴｉＯ4 −Ｆｅ3 Ｏ
4 混合系、Ｃａ3 Ｃｒ2 Ｓｉ3 Ｏ12−Ｃａ3 Ｆｅ2 Ｓｉ
3 Ｏ12混合系、６５ＭｇＳｉＯ3 ／３５ＦｅＳｉＯ3 −
ＣａＳｉＯ3 混合系、ＬｉＡｌ5 Ｏ8 −ＬｉＦｅ5 Ｏ8
混合系、ＮａＡｌＳｉ3 Ｏ8 −ＫＡｌＳｉ3 Ｏ8 混合
系、Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 混合系等の酸化物−
酸化物混合系材料や、ＬｉＣｌ−ＮａＣｌ混合系、ＫＣ
ｌ−ＮａＣｌ混合系、ＣｓＣｌ−ＴｌＣｌ混合系、Ｃａ
Ｃｌ2 −ＭｎＣｌ2 混合系、ＣａＣｌ2 −ＳｒＣｌ2 混
合系、ＬｉＢr −ＡｇＢr 混合系、ＡｇＢr −ＮａＢr
混合系、ＫＢr −ＮａＢr 混合系、ＴｌＢr −ＣｓＢr
混合系、ＫＩ−ＮａＩ混合系、ＮａＩ−ＣａＩ2 混合
系、（ＧａＩ2 ）2 −ＮａＧａＩ4 混合系、（Ｇａ
Ｉ2 ）2 −ＫＧａＩ4 混合系、（ＧａＩ2 ）2 −ＲｂＧ
ａＩ4 混合系、ＧａＡｌＩ4 −Ｇａ2 Ｉ4 混合系等のハ
ロゲン化物−ハロゲン化物混合系材料や、ＣｅＯn 系、
Ｂｉ−Ｂｉ2 Ｏ3 混合系、ＣａＣＯ3 −ＭｎＣＯ3 混合
系等の酸化物やハロゲン化物等の不定比化合物である。
の手段で相分離を起こすものであって、相分離材料の相
図におけるバイノーダル線とスピノーダル線との間に位
置する組成を有するものであればよく、具体的には、Ｓ
ｂ−Ｏ系や、ＰｂＴｅ−ＧｅＴｅ混合系、Ａｕ−Ｐｔ混
合系、Ａｕ−Ｎｉ混合系、ＰｂＳ −ＰｂＴｅ混合系、
ＧｅＳｅ2 −ＧｅＳｅ混合系、Ａｓ−Ｇｅ−Ｔｅ混合系
等の合金や、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 混合系、Ｎａ2 Ｏ−Ｓ
ｉＯ2 混合系、ＢａＯ−ＳｉＯ2 混合系、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 混合系、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 混合系、Ｌｉ2 Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 混合系、Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 混合系、Ｋ2 Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 混合系、Ｒｂ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3混合系、Ｃｓ2
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 混合系、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 混合系等の酸化
物−酸化物混合系材料や、ＺｒＯ2 −ＴｈＯ2 混合系、
ＣａＯ−ＳｉＯ2 混合系、Ｂ2 Ｏ3 −ＰｂＯ混合系、Ｂ
2 Ｏ3 −Ｖ2 Ｏ5 混合系、ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 混合系、
ＮｉＯ−ＣｏＯ混合系、Ａｌ2 Ｏ3 −Ｃｒ2 Ｏ3 混合
系、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 混合系、ＺｎＷＯ4 −ＭｎＷ
Ｏ4 混合系、ＣａＷＯ4 −ＮａＳｍ（ＷＯ4 ）2 混合
系、ＣａＷＯ4 −Ｓｍ2 （ＷＯ4 ）3 混合系、ＭｎＭｏ
Ｏ4 −ＺｎＭｏＯ4 混合系、Ｆｅ2 ＴｉＯ4 −Ｆｅ3 Ｏ
4 混合系、Ｃａ3 Ｃｒ2 Ｓｉ3 Ｏ12−Ｃａ3 Ｆｅ2 Ｓｉ
3 Ｏ12混合系、６５ＭｇＳｉＯ3 ／３５ＦｅＳｉＯ3 −
ＣａＳｉＯ3 混合系、ＬｉＡｌ5 Ｏ8 −ＬｉＦｅ5 Ｏ8
混合系、ＮａＡｌＳｉ3 Ｏ8 −ＫＡｌＳｉ3 Ｏ8 混合
系、Ｎａ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 混合系等の酸化物−
酸化物混合系材料や、ＬｉＣｌ−ＮａＣｌ混合系、ＫＣ
ｌ−ＮａＣｌ混合系、ＣｓＣｌ−ＴｌＣｌ混合系、Ｃａ
Ｃｌ2 −ＭｎＣｌ2 混合系、ＣａＣｌ2 −ＳｒＣｌ2 混
合系、ＬｉＢr −ＡｇＢr 混合系、ＡｇＢr −ＮａＢr
混合系、ＫＢr −ＮａＢr 混合系、ＴｌＢr −ＣｓＢr
混合系、ＫＩ−ＮａＩ混合系、ＮａＩ−ＣａＩ2 混合
系、（ＧａＩ2 ）2 −ＮａＧａＩ4 混合系、（Ｇａ
Ｉ2 ）2 −ＫＧａＩ4 混合系、（ＧａＩ2 ）2 −ＲｂＧ
ａＩ4 混合系、ＧａＡｌＩ4 −Ｇａ2 Ｉ4 混合系等のハ
ロゲン化物−ハロゲン化物混合系材料や、ＣｅＯn 系、
Ｂｉ−Ｂｉ2 Ｏ3 混合系、ＣａＣＯ3 −ＭｎＣＯ3 混合
系等の酸化物やハロゲン化物等の不定比化合物である。
【００２２】更に、本発明の光記録媒体については、上
記記録層の上面及び／又は下面に、種々の材料、好まし
くは記録層を形成する記録材料より融点が高くかつ記録
材料溶融物に対して高い濡れ性を有する層を形成できる
ような金属の酸化物、窒化物及び弗化物から選択された
保護材料よりなる保護層を設けたり、更にこの様な保護
層の表面を更に保護する目的で、例えば紫外線硬化樹
脂、アクリル、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等の保
護膜を設けてもよく、また、記録層からの反射光量を高
める目的でこの記録層上にZnS 等の高屈折率層を設ける
こともできる。
記記録層の上面及び／又は下面に、種々の材料、好まし
くは記録層を形成する記録材料より融点が高くかつ記録
材料溶融物に対して高い濡れ性を有する層を形成できる
ような金属の酸化物、窒化物及び弗化物から選択された
保護材料よりなる保護層を設けたり、更にこの様な保護
層の表面を更に保護する目的で、例えば紫外線硬化樹
脂、アクリル、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等の保
護膜を設けてもよく、また、記録層からの反射光量を高
める目的でこの記録層上にZnS 等の高屈折率層を設ける
こともできる。
【００２３】具体的には、本発明の光記録媒体として、
基板／透明性保護層／記録層／透明性保護層／反射冷却
層の構造、基板／記録層／透明性保護層／反射冷却層の
構造、基板／透明性保護層／記録層／反射冷却層の構
造、基板／透明性保護層／記録層／透明性保護層の構
造、基板／記録層／透明性保護層の構造等の種々の構造
を採ることができる。
基板／透明性保護層／記録層／透明性保護層／反射冷却
層の構造、基板／記録層／透明性保護層／反射冷却層の
構造、基板／透明性保護層／記録層／反射冷却層の構
造、基板／透明性保護層／記録層／透明性保護層の構
造、基板／記録層／透明性保護層の構造等の種々の構造
を採ることができる。
【００２４】本発明の光記録媒体を製造する方法につい
ては、従来公知の手法を採用することができ、基板上に
記録材料を被着させて記録層を形成したり、あるいは、
保護材料を被着させて保護層を形成するための手段とし
て、例えば、熱蒸着法、イオンプレーティング法、反応
性スパッタリング法、化学的気相成長法(CVD) 、イオン
支援蒸着法(IAD) 、分子線エピタキシ法(MBE) 等や、共
重合体等を基板上で直接重合反応させて被着させる方法
や、共重合体等を溶解した２次化合物を適宜手段で基板
上に塗布して被着させる方法等を挙げることができる。
ては、従来公知の手法を採用することができ、基板上に
記録材料を被着させて記録層を形成したり、あるいは、
保護材料を被着させて保護層を形成するための手段とし
て、例えば、熱蒸着法、イオンプレーティング法、反応
性スパッタリング法、化学的気相成長法(CVD) 、イオン
支援蒸着法(IAD) 、分子線エピタキシ法(MBE) 等や、共
重合体等を基板上で直接重合反応させて被着させる方法
や、共重合体等を溶解した２次化合物を適宜手段で基板
上に塗布して被着させる方法等を挙げることができる。
【００２５】
【作用】本発明の光記録媒体によれば、その記録層を形
成する記録材料として特定の組成のものを選択すること
により、タイプの異なる幾つかの記録層を実現すること
ができる。すなわち、記録材料の組成として相分離材料
の相図におけるスピノーダル線の近傍又は内側に位置す
る組成を選択することによりスピノーダル分解と核生成
及び成長による相分解の間で書換え可能な記録層を構成
することができ、また、記録材料の組成として相分離材
料の相図におけるスピノーダル線の内側に位置する組成
を選択することによりスピノーダル分解による追記型の
記録を行うことができる記録層を構成することができ、
更に、記録材料の組成として相分離材料の相図における
バイノーダル線とスピノーダル線との間に位置する組成
を選択することにより核生成及び成長による相分解によ
る追記型の記録を行うことができる記録層を構成するこ
とができる。特に、記録材料の組成としてスピノーダル
線の近傍又は内側に位置する組成を選択した場合には、
熱履歴（特に冷却速度）をコントロールし、スピノーダ
ル分解の駆動力と核生成及び成長による相分解の駆動力
との兼ね合いを適宜調整することにより、スピノーダル
分解と核生成及び成長による相分解の間の書換可能な記
録をはじめ、スピノーダル分解のみによる記録や核生成
及び成長による相分解のみによる記録という３つの記録
モードを選択して実現することができる。
成する記録材料として特定の組成のものを選択すること
により、タイプの異なる幾つかの記録層を実現すること
ができる。すなわち、記録材料の組成として相分離材料
の相図におけるスピノーダル線の近傍又は内側に位置す
る組成を選択することによりスピノーダル分解と核生成
及び成長による相分解の間で書換え可能な記録層を構成
することができ、また、記録材料の組成として相分離材
料の相図におけるスピノーダル線の内側に位置する組成
を選択することによりスピノーダル分解による追記型の
記録を行うことができる記録層を構成することができ、
更に、記録材料の組成として相分離材料の相図における
バイノーダル線とスピノーダル線との間に位置する組成
を選択することにより核生成及び成長による相分解によ
る追記型の記録を行うことができる記録層を構成するこ
とができる。特に、記録材料の組成としてスピノーダル
線の近傍又は内側に位置する組成を選択した場合には、
熱履歴（特に冷却速度）をコントロールし、スピノーダ
ル分解の駆動力と核生成及び成長による相分解の駆動力
との兼ね合いを適宜調整することにより、スピノーダル
分解と核生成及び成長による相分解の間の書換可能な記
録をはじめ、スピノーダル分解のみによる記録や核生成
及び成長による相分解のみによる記録という３つの記録
モードを選択して実現することができる。
【００２６】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明を具体的に
説明する。
説明する。
【００２７】実施例１ ポリカーボネート基板（ＩＳＯ標準）の上にスパッタリ
ング法により厚さ約８００ÅのＳｉＯ2 （融点：１，５
００°Ｃ）保護層を積層し、次いでこの保護層の上に高
周波イオンプレーティング法により厚さ６００ÅのＳｂ
−Ｏ系記録層を積層し、更にこの記録層の上にスパッタ
リング法により厚さ約８００ÅのＳｉＯ2 （融点：１，
５００°Ｃ）保護層を積層し、そして、この保護層の上
に電子ビーム蒸着法により厚さ約５００ÅのＡｌ反射冷
却層を積層し、実施例１の媒体を構成した。
ング法により厚さ約８００ÅのＳｉＯ2 （融点：１，５
００°Ｃ）保護層を積層し、次いでこの保護層の上に高
周波イオンプレーティング法により厚さ６００ÅのＳｂ
−Ｏ系記録層を積層し、更にこの記録層の上にスパッタ
リング法により厚さ約８００ÅのＳｉＯ2 （融点：１，
５００°Ｃ）保護層を積層し、そして、この保護層の上
に電子ビーム蒸着法により厚さ約５００ÅのＡｌ反射冷
却層を積層し、実施例１の媒体を構成した。
【００２８】この記録層作成の際における高周波イオン
プレーティングの条件は、下記の通りとした。 ターゲット原子：アンチモン（Ｓｂ） ターゲット蒸着方法：電子ビーム蒸着 雰囲気：アルゴン（Ａｒ）圧力＝１×１０-2〜１Ｐａ 酸素（Ｏ2 ）圧力＝１×１０-2〜１Ｐａ ＲＦパワー：Ｖｄｃ＝−３．１Ｖｏｌｔ 着膜速度：０．５Å／ｓｅｃ
プレーティングの条件は、下記の通りとした。 ターゲット原子：アンチモン（Ｓｂ） ターゲット蒸着方法：電子ビーム蒸着 雰囲気：アルゴン（Ａｒ）圧力＝１×１０-2〜１Ｐａ 酸素（Ｏ2 ）圧力＝１×１０-2〜１Ｐａ ＲＦパワー：Ｖｄｃ＝−３．１Ｖｏｌｔ 着膜速度：０．５Å／ｓｅｃ
【００２９】この実施例１の光記録媒体について、レー
ザー出力を変化させながら回転数１，８００ｒｐｍ及び
半径４５ｍｍの条件で記録再生（Ｒ／Ｗ）試験を行い、
このレーザー出力の変化に対する反射率の変化を求め
た。なお、反射率の変化は、媒体の最初の反射率を基準
とする反射率の比（コントラスト）として求めた。結果
を図２に示す。
ザー出力を変化させながら回転数１，８００ｒｐｍ及び
半径４５ｍｍの条件で記録再生（Ｒ／Ｗ）試験を行い、
このレーザー出力の変化に対する反射率の変化を求め
た。なお、反射率の変化は、媒体の最初の反射率を基準
とする反射率の比（コントラスト）として求めた。結果
を図２に示す。
【００３０】この図２の結果から、レーザー出力４〜７
ｍＷにおいてｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗのバイノーダル分
解による相分離が生起しており、また、レーザー出力７
〜１６ｍＷにおいてｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈのスピノー
ダル分解による相分離が生起しており、上記ＲＦパワー
（Ｖｄｃ）−３．１Ｖｏｌｔで示される記録材料の組成
は、これを一般的な相図のモデルで示すと、図３に示す
ようにスピノーダル線の近傍にあることが判明した。
ｍＷにおいてｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗのバイノーダル分
解による相分離が生起しており、また、レーザー出力７
〜１６ｍＷにおいてｌｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈのスピノー
ダル分解による相分離が生起しており、上記ＲＦパワー
（Ｖｄｃ）−３．１Ｖｏｌｔで示される記録材料の組成
は、これを一般的な相図のモデルで示すと、図３に示す
ようにスピノーダル線の近傍にあることが判明した。
【００３１】そこで、上記図２の知見に基づいて、レー
ザー出力を周波数２．０ＭＨｚ及び出力７ｍＷと周波数
３．７ＭＨｚ及び出力１２ｍＷの２段階に設定し、書換
え試験を行なった。結果は、２．０ＭＨｚ及び出力７ｍ
Ｗのレーザー出力で書き込んだときのＣ／Ｎが５０ｄＢ
であり、これを３．７ＭＨｚ及び出力１２ｍＷのレーザ
ー出力で重ね書きしたとき、その消去率が２５ｄＢであ
ってＣ／Ｎが４５ｄＢであり、十分に書換え可能である
ことが判明した。また、この書換え試験を繰り返し行な
った結果、繰り返し書換えが可能であることが判明し
た。
ザー出力を周波数２．０ＭＨｚ及び出力７ｍＷと周波数
３．７ＭＨｚ及び出力１２ｍＷの２段階に設定し、書換
え試験を行なった。結果は、２．０ＭＨｚ及び出力７ｍ
Ｗのレーザー出力で書き込んだときのＣ／Ｎが５０ｄＢ
であり、これを３．７ＭＨｚ及び出力１２ｍＷのレーザ
ー出力で重ね書きしたとき、その消去率が２５ｄＢであ
ってＣ／Ｎが４５ｄＢであり、十分に書換え可能である
ことが判明した。また、この書換え試験を繰り返し行な
った結果、繰り返し書換えが可能であることが判明し
た。
【００３２】実施例２ 記録層作成の際における高周波イオンプレーティングの
条件として、ＲＦパワー：Ｖｄｃ＝−２．９Ｖｏｌｔと
した以外は、上記実施例１と同様に、媒体を作成し、レ
ーザー出力の変化に対する反射率の変化を求めた。その
結果を図２に示す。
条件として、ＲＦパワー：Ｖｄｃ＝−２．９Ｖｏｌｔと
した以外は、上記実施例１と同様に、媒体を作成し、レ
ーザー出力の変化に対する反射率の変化を求めた。その
結果を図２に示す。
【００３３】この図２の結果から、この実施例２の媒体
は、レーザー出力４〜７ｍＷにおいてｈｉｇｈ ｔｏ
ｌｏｗのバイノーダル分解による相分離が生起している
ことが判明した。また、このＲＦパワー（Ｖｄｃ）−
２．９Ｖｏｌｔのすぐ下とすぐ上のＲＦパワー領域にお
いても上記と同じバイノーダル分解による相分離が生起
しており、このことから上記ＲＦパワー（Ｖｄｃ）−
２．９Ｖｏｌｔで示される記録材料の組成は、これを一
般的な相図のモデルで示すと、図３に示すようにバイノ
ーダル線とスピノーダル線の間にあることが判明した。
は、レーザー出力４〜７ｍＷにおいてｈｉｇｈ ｔｏ
ｌｏｗのバイノーダル分解による相分離が生起している
ことが判明した。また、このＲＦパワー（Ｖｄｃ）−
２．９Ｖｏｌｔのすぐ下とすぐ上のＲＦパワー領域にお
いても上記と同じバイノーダル分解による相分離が生起
しており、このことから上記ＲＦパワー（Ｖｄｃ）−
２．９Ｖｏｌｔで示される記録材料の組成は、これを一
般的な相図のモデルで示すと、図３に示すようにバイノ
ーダル線とスピノーダル線の間にあることが判明した。
【００３４】そこで、上記図２の知見に基づいて、レー
ザー出力を周波数３．７ＭＨｚ及び出力６ｍＷとして書
込み試験を行なった結果、Ｃ／Ｎが５０ｄＢであり、十
分に書込み可能であることが判明した。
ザー出力を周波数３．７ＭＨｚ及び出力６ｍＷとして書
込み試験を行なった結果、Ｃ／Ｎが５０ｄＢであり、十
分に書込み可能であることが判明した。
【００３５】実施例３ 記録層作成の際における高周波イオンプレーティングの
条件として、ＲＦパワー：Ｖｄｃ＝−３．３Ｖｏｌｔと
した以外は、上記実施例１と同様に、媒体を作成し、レ
ーザー出力の変化に対する反射率の変化を求めた。その
結果を図２に示す。
条件として、ＲＦパワー：Ｖｄｃ＝−３．３Ｖｏｌｔと
した以外は、上記実施例１と同様に、媒体を作成し、レ
ーザー出力の変化に対する反射率の変化を求めた。その
結果を図２に示す。
【００３６】この図２の結果から、この実施例３の媒体
は、レーザー出力６〜１６ｍＷにおいてｌｏｗ ｔｏ
ｈｉｇｈのスピノーダル分解による相分離が生起してい
ることが判明した。また、このＲＦパワー（Ｖｄｃ）−
３．３Ｖｏｌｔのすぐ下とすぐ上のＲＦパワー領域にお
いても上記と同じスピノーダル分解による相分離が生起
しており、上記ＲＦパワー（Ｖｄｃ）−３．３Ｖｏｌｔ
で示される記録材料の組成は、これを一般的な相図のモ
デルで示すと、図３に示すようにスピノーダル線の内側
にあることが判明した。
は、レーザー出力６〜１６ｍＷにおいてｌｏｗ ｔｏ
ｈｉｇｈのスピノーダル分解による相分離が生起してい
ることが判明した。また、このＲＦパワー（Ｖｄｃ）−
３．３Ｖｏｌｔのすぐ下とすぐ上のＲＦパワー領域にお
いても上記と同じスピノーダル分解による相分離が生起
しており、上記ＲＦパワー（Ｖｄｃ）−３．３Ｖｏｌｔ
で示される記録材料の組成は、これを一般的な相図のモ
デルで示すと、図３に示すようにスピノーダル線の内側
にあることが判明した。
【００３７】そこで、上記図２の知見に基づいて、レー
ザー出力を周波数３．７ＭＨｚ及び出力８ｍＷとして書
込み試験を行なった結果、Ｃ／Ｎが５０ｄＢであり、十
分に書込み可能であることが判明した。
ザー出力を周波数３．７ＭＨｚ及び出力８ｍＷとして書
込み試験を行なった結果、Ｃ／Ｎが５０ｄＢであり、十
分に書込み可能であることが判明した。
【００３８】実施例４ ポリカーボネート基板（ＩＳＯ標準）の上にスパッタリ
ング法により厚さ約８００ÅのＳｉＯ2 （融点：１，５
００°Ｃ）保護層を積層し、次いでこの保護層の上に高
周波イオンプレーティング法により厚さ６００ÅのＳｂ
−Ｏ系記録層を積層し、更にこの記録層の上にスパッタ
リング法により厚さ約８００ÅのＳｉＯ2 （融点：１，
５００°Ｃ）保護層を積層し、実施例４の媒体を構成し
た。この記録層作成の際における高周波イオンプレーテ
ィングの条件は、下記の通りとした。 ターゲット原子：アンチモン（Ｓｂ） ターゲット蒸着方法：電子ビーム蒸着 雰囲気：アルゴン（Ａｒ）圧力＝１×１０-2〜１Ｐａ 酸素（Ｏ2 ）圧力＝１×１０-2〜１Ｐａ ＲＦパワー：Ｖｄｃ＝−３．３Ｖｏｌｔ 着膜速度：０．５Å／ｓｅｃ
ング法により厚さ約８００ÅのＳｉＯ2 （融点：１，５
００°Ｃ）保護層を積層し、次いでこの保護層の上に高
周波イオンプレーティング法により厚さ６００ÅのＳｂ
−Ｏ系記録層を積層し、更にこの記録層の上にスパッタ
リング法により厚さ約８００ÅのＳｉＯ2 （融点：１，
５００°Ｃ）保護層を積層し、実施例４の媒体を構成し
た。この記録層作成の際における高周波イオンプレーテ
ィングの条件は、下記の通りとした。 ターゲット原子：アンチモン（Ｓｂ） ターゲット蒸着方法：電子ビーム蒸着 雰囲気：アルゴン（Ａｒ）圧力＝１×１０-2〜１Ｐａ 酸素（Ｏ2 ）圧力＝１×１０-2〜１Ｐａ ＲＦパワー：Ｖｄｃ＝−３．３Ｖｏｌｔ 着膜速度：０．５Å／ｓｅｃ
【００３９】この媒体は実施例３において反射冷却層を
除いた構造のものである。この実施例４の媒体について
実施例３と同様にしてレーザー出力の変化に対する反射
率の変化を求めた。結果を図２に示す。
除いた構造のものである。この実施例４の媒体について
実施例３と同様にしてレーザー出力の変化に対する反射
率の変化を求めた。結果を図２に示す。
【００４０】この図２の結果から、実施例４の媒体は、
レーザー出力の全域のおいてｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗの
バイノーダル分解による相分離が生起していることが判
明した。これにより実施例４の媒体は実施例３から明ら
かなように記録材料の組成がスピノーダル線の内側にあ
るものであるが、このようにスピノーダル線の内側領域
にある組成の記録材料であっても、冷却速度を遅くする
ことによりバイノーダル分解が生じることが確認され
た。次いでこの実施例４の媒体に、さらにＡｕとＳｉＯ
2 の中間の熱伝導度を有するＴｉ等の金属膜を約５００
Å着膜して同様にレーザー出力の変化に対する反射率の
変化を求めたところ、同じ記録材料の組成でも、ｈｉｇ
ｈ ｔｏ ｌｏｗのバイノーダル分解による相分離とｌ
ｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈのスピノーダル分解による相分離
とが生起し、その両者間で書換えが可能であることが判
明した。従ってこれらの事実は、記録材料の組成と冷却
速度との両者を適宜コントロールすることにより、タイ
プの異なる記録モードが選択できることを示している。
レーザー出力の全域のおいてｈｉｇｈ ｔｏ ｌｏｗの
バイノーダル分解による相分離が生起していることが判
明した。これにより実施例４の媒体は実施例３から明ら
かなように記録材料の組成がスピノーダル線の内側にあ
るものであるが、このようにスピノーダル線の内側領域
にある組成の記録材料であっても、冷却速度を遅くする
ことによりバイノーダル分解が生じることが確認され
た。次いでこの実施例４の媒体に、さらにＡｕとＳｉＯ
2 の中間の熱伝導度を有するＴｉ等の金属膜を約５００
Å着膜して同様にレーザー出力の変化に対する反射率の
変化を求めたところ、同じ記録材料の組成でも、ｈｉｇ
ｈ ｔｏ ｌｏｗのバイノーダル分解による相分離とｌ
ｏｗ ｔｏ ｈｉｇｈのスピノーダル分解による相分離
とが生起し、その両者間で書換えが可能であることが判
明した。従ってこれらの事実は、記録材料の組成と冷却
速度との両者を適宜コントロールすることにより、タイ
プの異なる記録モードが選択できることを示している。
【００４１】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、長期保存性に優
れ、記録や書換えの速度が早く、媒体の構造設計が容易
であり、しかも、再生信号のコントラストを大きくする
ことができるという利点を有するだけでなく、その記録
層を形成する記録材料の組成を選択することにより、反
射率が高→低にあるいは低→高に変化する２つのタイプ
の異なる記録層を実現でき、更に、これら両者の間で書
換え可能な記録層を構成することもできる。
れ、記録や書換えの速度が早く、媒体の構造設計が容易
であり、しかも、再生信号のコントラストを大きくする
ことができるという利点を有するだけでなく、その記録
層を形成する記録材料の組成を選択することにより、反
射率が高→低にあるいは低→高に変化する２つのタイプ
の異なる記録層を実現でき、更に、これら両者の間で書
換え可能な記録層を構成することもできる。
【図１】本発明で使用する記録材料の相分離の状態を示
す組成−温度の相図である。
す組成−温度の相図である。
【図２】本発明の実施例１〜４で得られた媒体のレーザ
ー出力−コントラストの関係を示すグラフ図である。
ー出力−コントラストの関係を示すグラフ図である。
【図３】本発明の実施例１〜４で得られた媒体における
記録材料の組成（Ｖｄｃ）−温度の関係を示す相図であ
る。
記録材料の組成（Ｖｄｃ）−温度の関係を示す相図であ
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に、相分離によって光学的性質が
変化する記録材料で形成された記録層を設け、この記録
層の光学的性質を光、熱等の手段により変化させて情報
の記録、再生、消去等を行う光記録媒体において、上記
記録層を形成する記録材料の組成として相分離材料の相
図におけるスピノーダル線の近傍又は内側に位置する組
成を選択し、スピノーダル分解と核生成及び成長による
相分解の両者の駆動力を利用した書換え可能な記録層を
構成したことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層に照射するレーザー出力を高出力
と低出力の２段階に設定し、高出力によりスピノーダル
分解による記録を行い、また、低出力により核生成及び
成長による相分解による記録を行うことにより、情報の
書換えを行う請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に、相分離によって光学的性質が
変化する記録材料で形成された記録層を設け、この記録
層の光学的性質を光、熱等の手段により変化させて情報
の記録、再生、消去等を行う光記録媒体において、上記
記録層を形成する記録材料の組成として相分離材料の相
図におけるスピノーダル線の内側に位置する組成を選択
し、スピノーダル分解による追記型の記録を行う記録層
を構成したことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項４】 基板上に、相分離によって光学的性質が
変化する記録材料で形成された記録層を設け、この記録
層の光学的性質を光、熱等の手段により変化させて情報
の記録、再生、消去等を行う光記録媒体において、上記
記録層を形成する記録材料の組成として相分離材料の相
図におけるバイノーダル線とスピノーダル線との間に位
置する組成を選択し、核生成及び成長による相分解によ
る追記型の記録を行う記録層を構成したことを特徴とす
る光記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41497190 | 1990-12-27 | ||
| JP2-414971 | 1990-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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