JP2979515B2 - 銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方法 - Google Patents
銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方法Info
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- JP2979515B2 JP2979515B2 JP2012085A JP1208590A JP2979515B2 JP 2979515 B2 JP2979515 B2 JP 2979515B2 JP 2012085 A JP2012085 A JP 2012085A JP 1208590 A JP1208590 A JP 1208590A JP 2979515 B2 JP2979515 B2 JP 2979515B2
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- based conductive
- conductive ceramic
- copper
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- Y02E40/64—
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造
方法に係り、特に、容易かつ安価に入手可能な原料を用
いて、比較的低温での加熱により製造することができる
銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方法に関す
る。
方法に係り、特に、容易かつ安価に入手可能な原料を用
いて、比較的低温での加熱により製造することができる
銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方法に関す
る。
［従来の技術］ 導電性セラミックスは、セラミックス特有の耐食性、
耐熱性等の優れた特性を利用して、従来より、電極、発
熱体等として広い分野で使用されている。例えば、塩素
工業において、RuO2は電力消費量が小さく、しかも耐腐
食性等に優れるなどの特性から、電極材料として特に好
適である。このRuO2はまた、最近では熱転写プリンター
のサーマルヘッドにも利用されている。
耐熱性等の優れた特性を利用して、従来より、電極、発
熱体等として広い分野で使用されている。例えば、塩素
工業において、RuO2は電力消費量が小さく、しかも耐腐
食性等に優れるなどの特性から、電極材料として特に好
適である。このRuO2はまた、最近では熱転写プリンター
のサーマルヘッドにも利用されている。
更に、導電性セラミックスの他の用途例としては、IT
O（In−Sn−Ｏ系）セラミックスの透明電極への適用、P
LZT（pb−La−Zn−Ti系）セラミックスの光スイッチ、
光シャッターへの適用など、その応用分野は拡大しつつ
ある。その他、導電性セラミックスは、外部環境の変化
を電気的な信号に変換するための各種センサーの電極と
しても利用されている。また、セラミックスの耐熱性を
考慮すれば、La−Cr−Ｏ系又はLa−Co−Ｏ系セラミック
スは、炉用発熱体、燃料電池電極としても有用である。
O（In−Sn−Ｏ系）セラミックスの透明電極への適用、P
LZT（pb−La−Zn−Ti系）セラミックスの光スイッチ、
光シャッターへの適用など、その応用分野は拡大しつつ
ある。その他、導電性セラミックスは、外部環境の変化
を電気的な信号に変換するための各種センサーの電極と
しても利用されている。また、セラミックスの耐熱性を
考慮すれば、La−Cr−Ｏ系又はLa−Co−Ｏ系セラミック
スは、炉用発熱体、燃料電池電極としても有用である。
［発明が解決しようとする課題］ このような導電性セラミックスの適用分野は多岐にわ
たり、その有用性が重視されていることから、導電性セ
ラミックスをより安価にかつより容易に製造する技術の
出現が常に望まれている。
たり、その有用性が重視されていることから、導電性セ
ラミックスをより安価にかつより容易に製造する技術の
出現が常に望まれている。
本発明は上記従来の実情に鑑みてなされたものであ
り、容易かつ安価に入手可能な原料を用いて、比較的低
温で加熱することにより、工業的に有利に製造すること
ができる銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方
法を提供することを目的とする。
り、容易かつ安価に入手可能な原料を用いて、比較的低
温で加熱することにより、工業的に有利に製造すること
ができる銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方
法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 請求項（１）の銅酸化物系導電性セラミックスは、下
記一般式［Ｉ］で示されることを特徴とする。
記一般式［Ｉ］で示されることを特徴とする。
（MxCuy）7Oz（NO3） ……［Ｉ］ 請求項（２）の銅酸化物系導電性セラミックスは下記
一般式［II］で示されることを特徴とする。
一般式［II］で示されることを特徴とする。
Cu7Oz（NO3） ……［II］ 請求項（３）の銅酸化物系導電性セラミックスの製造
方法は、請求項（１）の銅酸化物系導電性セラミックス
を製造する方法であって、In、Sc、Ｙ、Tl及びGaよりな
る群から選ばれる１種又は２種以上の硝酸塩と硝酸銅と
の混合物を200〜600℃で加熱することを特徴とする。
方法は、請求項（１）の銅酸化物系導電性セラミックス
を製造する方法であって、In、Sc、Ｙ、Tl及びGaよりな
る群から選ばれる１種又は２種以上の硝酸塩と硝酸銅と
の混合物を200〜600℃で加熱することを特徴とする。
請求項（４）の銅酸化物系導電性セラミックスの製造
方法は、請求項（２）の銅酸化物系導電性セラミックス
を製造する方法であって、硝酸銅を200〜600℃で加熱す
ることを特徴とする。
方法は、請求項（２）の銅酸化物系導電性セラミックス
を製造する方法であって、硝酸銅を200〜600℃で加熱す
ることを特徴とする。
請求項（５）の銅酸化物系導電性セラミックスの製造
方法は、上記請求項（２）のセラミックスの製造方法で
あって、硝酸銅中に前述の請求項（１）の銅酸化物系導
電性セラミックスの結晶を硝酸銅に対して10重量％以下
共存させて200〜600℃で加熱することを特徴とする。
方法は、上記請求項（２）のセラミックスの製造方法で
あって、硝酸銅中に前述の請求項（１）の銅酸化物系導
電性セラミックスの結晶を硝酸銅に対して10重量％以下
共存させて200〜600℃で加熱することを特徴とする。
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明の銅酸化物系導電性セラミックスは下記一般式
［Ｉ］で示され、 （MxCuy）7Oz（NO3） ……［Ｉ］ 式中、 M:In、Sc、Ｙ、Tl及びGaよりなる群から選ばれる１種又
は２種以上の元素 ｘ＋ｙ＝１ ０≦x/y≦10、好ましくは０≦x/y≦16≦ｚ≦８ である。
［Ｉ］で示され、 （MxCuy）7Oz（NO3） ……［Ｉ］ 式中、 M:In、Sc、Ｙ、Tl及びGaよりなる群から選ばれる１種又
は２種以上の元素 ｘ＋ｙ＝１ ０≦x/y≦10、好ましくは０≦x/y≦16≦ｚ≦８ である。
このような本発明の銅酸化物系導電性セラミックスの
Ｘ線回析スペクトルのピークとしては、２θで 16.0〜16.5゜,29.5〜33.5゜,37.8〜38.7゜,54.6〜56.
2゜のピークが特徴的である。これらのピークは立方晶
系の結晶の面指数 111,222,400,440 に帰属される。軸長ａは約9.2〜9.5Åである。
Ｘ線回析スペクトルのピークとしては、２θで 16.0〜16.5゜,29.5〜33.5゜,37.8〜38.7゜,54.6〜56.
2゜のピークが特徴的である。これらのピークは立方晶
系の結晶の面指数 111,222,400,440 に帰属される。軸長ａは約9.2〜9.5Åである。
本発明のセラミックスの赤外線吸収スペクトルは約13
60〜1380cm-1に吸収ピークを有しており、NO3基の存在
を示している。
60〜1380cm-1に吸収ピークを有しており、NO3基の存在
を示している。
このような本発明の銅酸化物系導電性セラミックスの
うち、請求項（１）の銅酸化物系導電性セラミックス
は、例えば、請求項（３）の方法に従って、次のように
して製造することができる。
うち、請求項（１）の銅酸化物系導電性セラミックス
は、例えば、請求項（３）の方法に従って、次のように
して製造することができる。
即ち、まずＭの硝酸塩と、硝酸銅との所定量を混合
し、次いで、得られた混合物を200〜600℃で加熱するこ
とにより、本発明の銅酸化物系導電性セラミックスを得
る。ここで、加熱温度が600℃を超えると絶縁性セラミ
ックスであるCuO又はM2O3が分解生成し、導電性セラミ
ックスの生成割合が減少し、更に高温の場合には全て絶
縁性セラミックスとなるため好ましくない。一方、加熱
温度が200℃未満では硝酸塩の分解反応が効率的に進行
しない。この加熱時間は１分〜50時間程度の間で適宜選
定され、加熱は電気炉等の通常の加熱装置を用いて、酸
素又は空気中にて行なうことができる。
し、次いで、得られた混合物を200〜600℃で加熱するこ
とにより、本発明の銅酸化物系導電性セラミックスを得
る。ここで、加熱温度が600℃を超えると絶縁性セラミ
ックスであるCuO又はM2O3が分解生成し、導電性セラミ
ックスの生成割合が減少し、更に高温の場合には全て絶
縁性セラミックスとなるため好ましくない。一方、加熱
温度が200℃未満では硝酸塩の分解反応が効率的に進行
しない。この加熱時間は１分〜50時間程度の間で適宜選
定され、加熱は電気炉等の通常の加熱装置を用いて、酸
素又は空気中にて行なうことができる。
なお、使用される硝酸塩にはその水和物も当然含ま
れ、また、硝酸銅としては、塩基性硝酸銅Cu2（OH）３
（NO3）も使用可能である。硝酸塩の混合法としては、
各々の硝酸塩をボールミル等で粉砕混合する方法、又
は、各々の水溶液を混合した後、蒸発乾固して水を除去
する方法等を採用することができる。
れ、また、硝酸銅としては、塩基性硝酸銅Cu2（OH）３
（NO3）も使用可能である。硝酸塩の混合法としては、
各々の硝酸塩をボールミル等で粉砕混合する方法、又
は、各々の水溶液を混合した後、蒸発乾固して水を除去
する方法等を採用することができる。
請求項（２）の銅酸化物系導電性セラミックスは、上
記請求項（３）の方法において、Ｍの硝酸塩を用いずに
硝酸銅のみを原料として同様に200〜600℃に加熱するこ
とにより製造することができる。
記請求項（３）の方法において、Ｍの硝酸塩を用いずに
硝酸銅のみを原料として同様に200〜600℃に加熱するこ
とにより製造することができる。
また、この請求項（２）の銅酸化物系導電性セラミッ
クスの製造に際し、予め別途製造された請求項（１）の
銅酸化物系導電性セラミックス（MxCuy）7Oz（NO3）
（ｘ≠０）の微量を硝酸銅に添加混合しても良い。（Mx
Cuy）7Oz（NO3）を添加することにより、添加された（M
xCuy）7Oz（NO3）が種結晶として作用し、導電性のCu7O
z（NO3）をより効果的に製造することが可能とされる。
この場合、（MxCuy）7Oz（NO3）の添加量は少な過ぎる
と十分な種結晶効果が得られず、多過ぎてもCu7Oz（N
O3）の生成を阻害する恐れがあるため、（MxCuy）7O
z（NO3）の添加量は硝酸銅に対して10重量％以下、とり
わけ0.1〜10重量％とするのが好ましい。
クスの製造に際し、予め別途製造された請求項（１）の
銅酸化物系導電性セラミックス（MxCuy）7Oz（NO3）
（ｘ≠０）の微量を硝酸銅に添加混合しても良い。（Mx
Cuy）7Oz（NO3）を添加することにより、添加された（M
xCuy）7Oz（NO3）が種結晶として作用し、導電性のCu7O
z（NO3）をより効果的に製造することが可能とされる。
この場合、（MxCuy）7Oz（NO3）の添加量は少な過ぎる
と十分な種結晶効果が得られず、多過ぎてもCu7Oz（N
O3）の生成を阻害する恐れがあるため、（MxCuy）7O
z（NO3）の添加量は硝酸銅に対して10重量％以下、とり
わけ0.1〜10重量％とするのが好ましい。
［作用］ 本発明の銅酸化物系導電性セラミックスのＸ線回折ス
ペクトルのパターンから、本発明の銅酸化物系導電性セ
ラミックスは、Ag7O8（NO3）類似組成を有する立方晶系
の結晶であると認められる。この結晶においては、立方
晶の酸素が一部欠損したものも含まれ、Ｍの酸化数は＋
３であるが、銅の酸化数は＋２〜＋３の値であることか
ら、これが導電性に寄与するものと推定される。
ペクトルのパターンから、本発明の銅酸化物系導電性セ
ラミックスは、Ag7O8（NO3）類似組成を有する立方晶系
の結晶であると認められる。この結晶においては、立方
晶の酸素が一部欠損したものも含まれ、Ｍの酸化数は＋
３であるが、銅の酸化数は＋２〜＋３の値であることか
ら、これが導電性に寄与するものと推定される。
しかして、このような本発明の銅酸化物系導電性セラ
ミックスは、本発明の方法に従って、Ｍの硝酸塩やCuの
硝酸塩といった安価で容易に入手可能な原料を用いて、
200〜600℃といった比較的低い加熱温度にて容易かつ効
率的に製造することができる。
ミックスは、本発明の方法に従って、Ｍの硝酸塩やCuの
硝酸塩といった安価で容易に入手可能な原料を用いて、
200〜600℃といった比較的低い加熱温度にて容易かつ効
率的に製造することができる。
特に、請求項（２）の銅酸化物系導電性セラミックス
を製造するにあたり、請求項（５）の方法に従って、原
料に請求項（１）の銅酸化物系導電性セラミックスを添
加混合することにより、該（MxCuy）7Oz（NO3）の種晶
効果により、高特性のCu7Oz（NO3）を効率的に製造する
ことが可能とされる。
を製造するにあたり、請求項（５）の方法に従って、原
料に請求項（１）の銅酸化物系導電性セラミックスを添
加混合することにより、該（MxCuy）7Oz（NO3）の種晶
効果により、高特性のCu7Oz（NO3）を効率的に製造する
ことが可能とされる。
［実施例］ 以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に説明す
る。
る。
実施例１ 硝酸インジウム三水和物2.27gと硝酸銅三水和物7.73g
（モル比In/Cu＝1/5）を良く混合し、混合物を酸素気流
中、450℃で10分間加熱した。
（モル比In/Cu＝1/5）を良く混合し、混合物を酸素気流
中、450℃で10分間加熱した。
その結果、第１図に示すような立方晶系のＸ線回折パ
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（In1/6Cu5/6）7Oz（NO3）が生成したこ
とが確認された。この銅酸化物系導電性セラミックスの
温度−比抵抗曲線を第２図に示す。第２図より得られた
銅酸化物系導電性セラミックスは良好な導電性を示すこ
とが明らかである。
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（In1/6Cu5/6）7Oz（NO3）が生成したこ
とが確認された。この銅酸化物系導電性セラミックスの
温度−比抵抗曲線を第２図に示す。第２図より得られた
銅酸化物系導電性セラミックスは良好な導電性を示すこ
とが明らかである。
実施例２ 硝酸インジウム三水和物1.28gと硝酸銅三水和物8.72g
（モル比In/Cu＝1/10）を良く混合し、混合物を酸素気
流中、600℃で５分間加熱した。
（モル比In/Cu＝1/10）を良く混合し、混合物を酸素気
流中、600℃で５分間加熱した。
その結果、第３図に示すような立方晶系のＸ線回折パ
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（In1/11 Cu10/11）7Oz（NO3）が生成
したことが確認された。この銅酸化物系導電性セラミッ
クスの比抵抗（室温）は0.1Ω・cmであった。
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（In1/11 Cu10/11）7Oz（NO3）が生成
したことが確認された。この銅酸化物系導電性セラミッ
クスの比抵抗（室温）は0.1Ω・cmであった。
実施例３ 硝酸インジウム三水和物0.145gと硝酸銅三水和物9.86
g（モル比In/Cu＝1/100）を良く混合し、混合物を酸素
気流中、250℃で３時間加熱した。
g（モル比In/Cu＝1/100）を良く混合し、混合物を酸素
気流中、250℃で３時間加熱した。
その結果、第４図に示すような立方晶系のＸ線回折パ
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（In1/101 Cu100/101）7Oz（NO3）が生
成したことが確認された。この銅酸化物系導電性セラミ
ックスの比抵抗（室温）は0.1Ω・cmであった。
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（In1/101 Cu100/101）7Oz（NO3）が生
成したことが確認された。この銅酸化物系導電性セラミ
ックスの比抵抗（室温）は0.1Ω・cmであった。
実施例４ 硝酸スカンジウム四水和物2.01gと硝酸銅三水和物8.0
0g（モル比Sc/Cu＝1/5）を良く混合し、混合物を酸素気
流中、450℃で10分間加熱した。
0g（モル比Sc/Cu＝1/5）を良く混合し、混合物を酸素気
流中、450℃で10分間加熱した。
その結果、第５図に示すような立方晶系のＸ線回折パ
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（Sc/Cu5/6）7Oz（NO3）が生成したこと
が確認された。この銅酸化物系導電性セラミックスの比
抵抗（室温）は0.1Ω・cmであった。
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（Sc/Cu5/6）7Oz（NO3）が生成したこと
が確認された。この銅酸化物系導電性セラミックスの比
抵抗（室温）は0.1Ω・cmであった。
実施例５ 硝酸スカンジウム四水和物2.01gと硝酸銅三水和物8.0
0g（モル比Sc/Cu＝1/5）に水10mlを加え溶解させた。こ
れをアルミナ基板上にスピンコートし、酸素気流中、45
0℃で５分間加熱した。
0g（モル比Sc/Cu＝1/5）に水10mlを加え溶解させた。こ
れをアルミナ基板上にスピンコートし、酸素気流中、45
0℃で５分間加熱した。
その結果、第６図に示すような立方晶系のＸ線回折パ
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（Sc1/6 Cu5/6）7Oz（NO3）が生成した
ことが確認された。この銅酸化物系導電性セラミックス
の比抵抗（室温）は0.2Ω・cmであった。
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（Sc1/6 Cu5/6）7Oz（NO3）が生成した
ことが確認された。この銅酸化物系導電性セラミックス
の比抵抗（室温）は0.2Ω・cmであった。
実施例６ 硝酸銅三水和物10.0gと実施例１において得られた銅
酸化物系導電性セラミックスの粉末0.1gを良く混合し、
混合物を酸素気流中、250℃で２時間加熱した。
酸化物系導電性セラミックスの粉末0.1gを良く混合し、
混合物を酸素気流中、250℃で２時間加熱した。
その結果、第７図に示すような立方晶系のＸ線回折パ
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例によりCu7Oz（NO3）が生成したことが確認され
た。この銅酸化物系導電性セラミックスの比抵抗（室
温）は0.1Ω・cmであった。
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例によりCu7Oz（NO3）が生成したことが確認され
た。この銅酸化物系導電性セラミックスの比抵抗（室
温）は0.1Ω・cmであった。
実施例７ 硝酸銅三水和物10.0gを酸素気流中、250℃で３時間加
熱した。
熱した。
その結果、第８図に示すような立方晶系のＸ線回折パ
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する生成物が得られた。
このＸ線回折スペクトルから、本実施例によりCu7Oz（N
O3）の銅酸化物系導電性セラミックスと塩基性硝酸銅Cu
2（OH）３（NO3）と酸化銅CuOの混合物が得られたこと
が確認された。得られた銅酸化物系導電性セラミックス
の比抵抗（室温）は0.2Ω・cmであった。
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する生成物が得られた。
このＸ線回折スペクトルから、本実施例によりCu7Oz（N
O3）の銅酸化物系導電性セラミックスと塩基性硝酸銅Cu
2（OH）３（NO3）と酸化銅CuOの混合物が得られたこと
が確認された。得られた銅酸化物系導電性セラミックス
の比抵抗（室温）は0.2Ω・cmであった。
実施例８ 硝酸イットリウム六水和物2.84gと硝酸銅三水和物7.1
6g（モル比Y/Cu＝1/4）を良く混合し、混合物を酸素気
流中、250℃で15時間加熱した。
6g（モル比Y/Cu＝1/4）を良く混合し、混合物を酸素気
流中、250℃で15時間加熱した。
その結果、第９図に示すような立方晶系のＸ線回折パ
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（Ｙ1/5 Cu4/5）7Oz（NO3）が生成した
ことが確認された。この銅酸化物系導電性セラミックス
の比抵抗（室温）は2.0Ω・cmであった。
ターン（Cu Ｋα線使用）を有する銅酸化物系導電性セ
ラミックスが得られた。このＸ線回折スペクトルから、
本実施例により（Ｙ1/5 Cu4/5）7Oz（NO3）が生成した
ことが確認された。この銅酸化物系導電性セラミックス
の比抵抗（室温）は2.0Ω・cmであった。
［発明の効果］ 以上記述した通り、本発明の銅酸化物系導電性セラミ
ックスによれば、セラミックスの耐熱性、耐食性、機械
的特性と、導電性とを兼備する高特性導電性セラミック
スであって、安価で入手し易い原料を用いて、比較的低
温の加熱により容易かつ効率的に製造することができる
銅酸化物系導電性セラミックスが提供される。
ックスによれば、セラミックスの耐熱性、耐食性、機械
的特性と、導電性とを兼備する高特性導電性セラミック
スであって、安価で入手し易い原料を用いて、比較的低
温の加熱により容易かつ効率的に製造することができる
銅酸化物系導電性セラミックスが提供される。
このような本発明の銅酸化物系導電性セラミックス
は、各種の電極、発熱体材料として好適に適用可能であ
り、また、近年技術進歩の著しい超伝導体を製造するた
め原料としても工業的に極めて有用である。
は、各種の電極、発熱体材料として好適に適用可能であ
り、また、近年技術進歩の著しい超伝導体を製造するた
め原料としても工業的に極めて有用である。
しかして、このような本発明の銅酸化物系導電性セラ
ミックスは、請求項（３）〜（５）の本発明の銅酸化物
系導電性セラミックスの製造方法により、容易かつ効率
的に低コストにて製造される。
ミックスは、請求項（３）〜（５）の本発明の銅酸化物
系導電性セラミックスの製造方法により、容易かつ効率
的に低コストにて製造される。
第１図は実施例１で得られた銅酸化物系導電性セラミッ
クスのＸ線回折スペクトルを示す図、第２図は同温度−
比抵抗曲線を示す図である。第３図、第４図、第５図、
第６図、第７図、８図及び第９図は各々、実施例２、
３、４、５、６、７及び８で得られた銅酸化物系導電性
セラミックスのＸ線回折スペクトルを示す図である。
クスのＸ線回折スペクトルを示す図、第２図は同温度−
比抵抗曲線を示す図である。第３図、第４図、第５図、
第６図、第７図、８図及び第９図は各々、実施例２、
３、４、５、６、７及び８で得られた銅酸化物系導電性
セラミックスのＸ線回折スペクトルを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉瀬 良二 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇 部興産株式会社宇部研究所内 (72)発明者 大門 宏 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇 部興産株式会社宇部研究所内 (72)発明者 藤井 一宏 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇 部興産株式会社宇部研究所内 審査官 大工原 大二 (56)参考文献 特開 平２−133442（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01G 3/00 C04B 35/00
Claims (5)
- 【請求項１】下記一般式［Ｉ］で示される銅酸化物系導
電性セラミックス。 （MxCuy）7Oz（NO3） ……［Ｉ］ - 【請求項２】下記一般式［II］で示される銅酸化物系導
電性セラミックス。 Cu7Oz（NO3） ……［II］ - 【請求項３】In、Sc、Ｙ、Tl及びGaよりなる群から選ば
れる１種又は２種以上の硝酸塩と硝酸銅との混合物を20
0〜600℃で加熱することにより特許請求の範囲第１項に
記載の銅酸化物系導電性セラミックスを製造する方法。 - 【請求項４】硝酸銅を200〜600℃で加熱することにより
特許請求の範囲第２項に記載の銅酸化物系導電性セラミ
ックスを製造する方法。 - 【請求項５】硝酸銅中に特許請求の範囲第１項に記載の
銅酸化物系導電性セラミックスの結晶を硝酸銅に対して
10重量％以下共存させて200〜600℃で加熱することによ
り特許請求の範囲第２項に記載の銅酸化物系導電性セラ
ミックスを製造する方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012085A JP2979515B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方法 |
| US07/639,931 US5112783A (en) | 1990-01-22 | 1991-01-14 | Conductive copper oxide ceramics and process for producing same |
| DE4101761A DE4101761C2 (de) | 1990-01-22 | 1991-01-22 | Elektrisch leitende Kupferoxidkeramik und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012085A JP2979515B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218921A JPH03218921A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2979515B2 true JP2979515B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=11795747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012085A Expired - Lifetime JP2979515B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 銅酸化物系導電性セラミックス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979515B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109369171A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-22 | 镇江华智睿安物联科技有限公司 | 一种质谱电离源用电极材料及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4809966B2 (ja) * | 2000-02-10 | 2011-11-09 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置、静電偏向器およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP2012085A patent/JP2979515B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109369171A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-22 | 镇江华智睿安物联科技有限公司 | 一种质谱电离源用电极材料及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03218921A (ja) | 1991-09-26 |
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