JP2978780B2 - 無電解めっき装置及びめっき方法 - Google Patents
無電解めっき装置及びめっき方法Info
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- JP2978780B2 JP2978780B2 JP8229127A JP22912796A JP2978780B2 JP 2978780 B2 JP2978780 B2 JP 2978780B2 JP 8229127 A JP8229127 A JP 8229127A JP 22912796 A JP22912796 A JP 22912796A JP 2978780 B2 JP2978780 B2 JP 2978780B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解めっき装置
及びめっき方法に関する。
及びめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板に導体パターンを形成す
る場合、硫酸銅やホルムアルデヒド等を用いる無電解め
っきが主に用いられている。無電解めっきにおいては、
その微視的なメッキ反応が被めっき体の表面全体で均一
に起きるようにする必要がある。又、めっき時において
は、めっき反応で発生する水素ガスのめっき皮膜への吸
蔵や、異常析出の原因となる１価の銅の発生防止が必要
となる。更にめっき浴中の不均化反応による微細な銅粒
子の発生によって、浴の安定性が著しく低下する。これ
らめっき皮膜の物性低下や、浴の安定性を向上させる方
法として、被めっき体の表面を含むめっき浴全体を空気
攪拌する方法が主に用いられている。
る場合、硫酸銅やホルムアルデヒド等を用いる無電解め
っきが主に用いられている。無電解めっきにおいては、
その微視的なメッキ反応が被めっき体の表面全体で均一
に起きるようにする必要がある。又、めっき時において
は、めっき反応で発生する水素ガスのめっき皮膜への吸
蔵や、異常析出の原因となる１価の銅の発生防止が必要
となる。更にめっき浴中の不均化反応による微細な銅粒
子の発生によって、浴の安定性が著しく低下する。これ
らめっき皮膜の物性低下や、浴の安定性を向上させる方
法として、被めっき体の表面を含むめっき浴全体を空気
攪拌する方法が主に用いられている。
【０００３】めっき浴を攪拌するめっき装置としては、
例えば、特開平３−１４５７９３号公報に示されている
ものがある。この装置は、図３に示されているように、
プリント配線板７と電極１４とを配置してなるめっき装
置のめっき槽１Ａの底部にガスを噴出する気泡発生装置
１１と、この気泡発生装置１１とプリント配線板７の下
端との間に水平に保持された気泡調整板１３を設け、気
泡発生装置の上端との距離を１０〜１５ｃｍに設定し、
気泡発生装置の気泡噴出口の直径を３ｍｍとし、ガスポ
ンプ１２からエアを送り気泡を発生させるようにしたも
のである。気泡調整板１３の孔を通過した気泡は、その
孔を通過する過程においてぶつかり合って合成され、通
過した気泡の大きさは均一化され、直径がほぼ８〜２０
ｍｍに制御される。
例えば、特開平３−１４５７９３号公報に示されている
ものがある。この装置は、図３に示されているように、
プリント配線板７と電極１４とを配置してなるめっき装
置のめっき槽１Ａの底部にガスを噴出する気泡発生装置
１１と、この気泡発生装置１１とプリント配線板７の下
端との間に水平に保持された気泡調整板１３を設け、気
泡発生装置の上端との距離を１０〜１５ｃｍに設定し、
気泡発生装置の気泡噴出口の直径を３ｍｍとし、ガスポ
ンプ１２からエアを送り気泡を発生させるようにしたも
のである。気泡調整板１３の孔を通過した気泡は、その
孔を通過する過程においてぶつかり合って合成され、通
過した気泡の大きさは均一化され、直径がほぼ８〜２０
ｍｍに制御される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の気泡調整板
を用いるめっき装置では、大きな気泡のみを用いている
ため、気泡の分散性が悪くなり、空気攪拌が不十分なめ
っき槽の底部では十分にめっき液を安定化させる事が出
来ず、銅の槽内析出を発生させるという欠点がある。
又、被めっき体間で十分な空気攪拌が行なわれない場合
等では、例えばＵ．Ｓ．Ｐａｔ，４，１５２，４６７
（１９７９）に記載されているように、めっき液中の溶
存酸素濃度が２ｐｐｍ以下の低い領域では被めっき面に
コブ状の異常析出が発生する。逆に空気が過剰に供給さ
れ溶存酸素濃度が４ｐｐｍ以上の高い領域では、無電解
めっきの表面が不導態化し、めっき皮膜の物性低下を発
生させるという欠点がある。
を用いるめっき装置では、大きな気泡のみを用いている
ため、気泡の分散性が悪くなり、空気攪拌が不十分なめ
っき槽の底部では十分にめっき液を安定化させる事が出
来ず、銅の槽内析出を発生させるという欠点がある。
又、被めっき体間で十分な空気攪拌が行なわれない場合
等では、例えばＵ．Ｓ．Ｐａｔ，４，１５２，４６７
（１９７９）に記載されているように、めっき液中の溶
存酸素濃度が２ｐｐｍ以下の低い領域では被めっき面に
コブ状の異常析出が発生する。逆に空気が過剰に供給さ
れ溶存酸素濃度が４ｐｐｍ以上の高い領域では、無電解
めっきの表面が不導態化し、めっき皮膜の物性低下を発
生させるという欠点がある。
【０００５】本発明の目的は、上記欠点を除去し、めっ
き液を安定化させると共に、コブやむらの無い品質の良
いめっきを施することの出来る無電解めっき装置及びめ
っき方法を提供することにある。
き液を安定化させると共に、コブやむらの無い品質の良
いめっきを施することの出来る無電解めっき装置及びめ
っき方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明の無電解めっ
き装置は、めっき槽の底部全体に設けられ直径５〜１０
０μｍの微細気泡を発生させる微細気泡発生源と、この
微細気泡発生源の上部に所定の距離を隔てて設けられ直
径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる大気泡発生源とを含
むことを特徴とするものである。
き装置は、めっき槽の底部全体に設けられ直径５〜１０
０μｍの微細気泡を発生させる微細気泡発生源と、この
微細気泡発生源の上部に所定の距離を隔てて設けられ直
径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる大気泡発生源とを含
むことを特徴とするものである。
【０００７】第２の発明のめっき方法は、めっき槽の底
部全体に直径５〜１００μｍの微細気泡を発生させる微
細気泡発生源と、この微細気泡発生源の上部に所定の距
離を隔てて直径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる大気泡
発生源とを設け、めっき液を攪拌しながら無電解めっき
を行うめっき方法において、前記微細気泡の通気量をめ
っき液１ｌに対し１〜２ｌ／ｍｉｎとする事を特徴とす
るものである。
部全体に直径５〜１００μｍの微細気泡を発生させる微
細気泡発生源と、この微細気泡発生源の上部に所定の距
離を隔てて直径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる大気泡
発生源とを設け、めっき液を攪拌しながら無電解めっき
を行うめっき方法において、前記微細気泡の通気量をめ
っき液１ｌに対し１〜２ｌ／ｍｉｎとする事を特徴とす
るものである。
【０００８】めっき反応は微視的に行われる為、空気攪
拌も微細気泡で行う必要があり、気泡の大きさは１００
μｍ以下が適当である。１００μｍ以上では銅の析出に
悪影響がありめっきにむらを生じる。５μｍ未満におい
ては、５μｍ以下の気泡を発生させる為の微細気泡発生
源を製作するのが困難である。しかし、微細気泡のみで
は浴中での気泡の分散性が不十分であり、大きな気泡で
強制攪拌する必要がある。大気泡のサイズは１〜３ｃｍ
が適当であり、１ｃｍ以下では攪拌が不十分となる。一
方３ｃｍ以上では微細気泡が吸収されると共に、攪拌が
強くなりすぎる場合がある。
拌も微細気泡で行う必要があり、気泡の大きさは１００
μｍ以下が適当である。１００μｍ以上では銅の析出に
悪影響がありめっきにむらを生じる。５μｍ未満におい
ては、５μｍ以下の気泡を発生させる為の微細気泡発生
源を製作するのが困難である。しかし、微細気泡のみで
は浴中での気泡の分散性が不十分であり、大きな気泡で
強制攪拌する必要がある。大気泡のサイズは１〜３ｃｍ
が適当であり、１ｃｍ以下では攪拌が不十分となる。一
方３ｃｍ以上では微細気泡が吸収されると共に、攪拌が
強くなりすぎる場合がある。
【０００９】微細気泡の通気量に対する溶存酸素濃度と
の関係を検討した結果を図２に示す。図２より、溶存酸
素濃度を２〜４ｐｐｍにする為の通気量は、めっき液１
ｌに対して０．７〜２．５ｌ／ｍｉｎとなるが、好まし
くは１〜２ｌ／ｍｉｎが適当である。
の関係を検討した結果を図２に示す。図２より、溶存酸
素濃度を２〜４ｐｐｍにする為の通気量は、めっき液１
ｌに対して０．７〜２．５ｌ／ｍｉｎとなるが、好まし
くは１〜２ｌ／ｍｉｎが適当である。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図１は本発明の実施の形態を説明する為
の無電解めっき装置の断面図である。
して説明する。図１は本発明の実施の形態を説明する為
の無電解めっき装置の断面図である。
【００１１】図１を参照すると、本実施形態の無電解め
っき装置は、めっき槽１の底部全体に設けられ、直径５
〜１００μｍの微細気泡を発生させる為のフッ素樹脂製
多孔質ボードからなる微細気泡発生源２と、この微細気
泡発生源２の上部に約１０ｃｍの距離を隔てて設けられ
長径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる気孔３Ａ（直径
０．５ｍｍ）を配管の下部に有する大気泡発生源３と、
この大気泡発生源３と微細気泡発生源２との間に設けら
れめっき液５を加熱する為の蒸気配管４とから主に構成
される。尚図１に於いて、６はオーバーフローしためっ
き液の循環用配管、７はプリント配線板、８Ａ，８Ｂは
気泡発生用配管である。
っき装置は、めっき槽１の底部全体に設けられ、直径５
〜１００μｍの微細気泡を発生させる為のフッ素樹脂製
多孔質ボードからなる微細気泡発生源２と、この微細気
泡発生源２の上部に約１０ｃｍの距離を隔てて設けられ
長径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる気孔３Ａ（直径
０．５ｍｍ）を配管の下部に有する大気泡発生源３と、
この大気泡発生源３と微細気泡発生源２との間に設けら
れめっき液５を加熱する為の蒸気配管４とから主に構成
される。尚図１に於いて、６はオーバーフローしためっ
き液の循環用配管、７はプリント配線板、８Ａ，８Ｂは
気泡発生用配管である。
【００１２】次に図１を参照して、プリント配線板への
無電解めっき方法について説明する。浴容量１８０ｌの
めっき槽１に、硫酸銅，ＮａＯＨ，ホルムアルデヒドを
主成分とするＰＨ：１２〜１２．５の無電解めっき液５
を満し、浴温：６０〜７０℃でプリント配線板７に銅め
っきを施した。この時めっき槽１の底部の微細気泡発生
源２から１００μｍ以下の微細気泡を、又大気泡発生源
３から直径１〜３ｃｍの大気泡をそれぞれ発生させ、め
っき液５を強制攪拌すると共に、気泡の分散性及び均一
性を向上させ溶存酸素濃度を２〜４ｐｐｍに維持するよ
うにした。総通気量を２７０ｌ／ｍｉｎとし、微細気泡
の通気量を１８０ｌ／ｍｉｎ，大気泡の通気量を９０ｌ
／ｍｉｎとした。溶存酸素量を２〜４ｐｐｍに保っ為の
微細気泡の通気量をめっき液１ｌに対し１〜２ｌ／ｍｉ
ｎとした場合、微細気泡と大気泡との好ましい割合は約
２：１であった。
無電解めっき方法について説明する。浴容量１８０ｌの
めっき槽１に、硫酸銅，ＮａＯＨ，ホルムアルデヒドを
主成分とするＰＨ：１２〜１２．５の無電解めっき液５
を満し、浴温：６０〜７０℃でプリント配線板７に銅め
っきを施した。この時めっき槽１の底部の微細気泡発生
源２から１００μｍ以下の微細気泡を、又大気泡発生源
３から直径１〜３ｃｍの大気泡をそれぞれ発生させ、め
っき液５を強制攪拌すると共に、気泡の分散性及び均一
性を向上させ溶存酸素濃度を２〜４ｐｐｍに維持するよ
うにした。総通気量を２７０ｌ／ｍｉｎとし、微細気泡
の通気量を１８０ｌ／ｍｉｎ，大気泡の通気量を９０ｌ
／ｍｉｎとした。溶存酸素量を２〜４ｐｐｍに保っ為の
微細気泡の通気量をめっき液１ｌに対し１〜２ｌ／ｍｉ
ｎとした場合、微細気泡と大気泡との好ましい割合は約
２：１であった。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、めっき槽
の底部に直径５〜１００μｍの微細気泡を発生させる微
細気泡発生源と、長径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる
大気泡発生源とを設け、微細気泡の通気量を無電解めっ
き液１ｌに対し１〜２ｌ／ｍｉｎとし、大気泡と共にめ
っき液を攪拌しながらめっきすることにより、コブやむ
らのない品質の向上しためっきを施すことが可能となっ
た。
の底部に直径５〜１００μｍの微細気泡を発生させる微
細気泡発生源と、長径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる
大気泡発生源とを設け、微細気泡の通気量を無電解めっ
き液１ｌに対し１〜２ｌ／ｍｉｎとし、大気泡と共にめ
っき液を攪拌しながらめっきすることにより、コブやむ
らのない品質の向上しためっきを施すことが可能となっ
た。
【図１】本発明の実施の形態を説明する為の無電解めっ
き装置の断面図。
き装置の断面図。
【図２】エアバブリンク量と溶存酸素濃度との関係を示
す図。
す図。
【図３】従来の気泡発生装置を有するめっき装置の断面
図。
図。
１．１Ａ めっき槽 ２ 微細気泡発生源 ３ 大気泡発生源 ３Ａ 気孔 ４ 蒸気配管 ５，５Ａ めっき液 ６ めっき液循環用配管 ７ プリント配線板 ８Ａ，８Ｂ 気泡発生用配管 １１ 気泡発生装置 １２ ガスポンプ １３ 気泡調整板 １４ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 めっき槽の底部全体に設けられ直径５〜
１００μｍの微細気泡を発生させる微細気泡発生源と、
この微細気泡発生源の上部に所定の距離を隔てて設けら
れ直径１〜３ｃｍの大気泡を発生させる大気泡発生源と
を含むことを特徴とする無電解めっき装置。 - 【請求項２】 めっき槽の底部全体に直径５〜１００μ
ｍの微細気泡を発生させる微細気泡発生源と、この微細
気泡発生源の上部に所定の距離を隔てて直径１〜３ｃｍ
の大気泡を発生させる大気泡発生源とを設け、めっき液
を攪拌しながら無電解めっきを行うめっき方法におい
て、前記微細気泡の通気量をめっき液１ｌに対し１〜２
ｌ／ｍｉｎとする事を特徴とするめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8229127A JP2978780B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 無電解めっき装置及びめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8229127A JP2978780B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 無電解めっき装置及びめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1072678A JPH1072678A (ja) | 1998-03-17 |
| JP2978780B2 true JP2978780B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=16887181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8229127A Expired - Fee Related JP2978780B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 無電解めっき装置及びめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978780B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016042754A1 (ja) * | 2014-09-17 | 2016-03-24 | 上村工業株式会社 | 配線基板の製造方法およびその方法により製造された配線基板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007177257A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | メッキ方法及びメッキ装置並びにシリコンデバイスの製造方法 |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP8229127A patent/JP2978780B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016042754A1 (ja) * | 2014-09-17 | 2016-03-24 | 上村工業株式会社 | 配線基板の製造方法およびその方法により製造された配線基板 |
| JP2016060935A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 上村工業株式会社 | 配線基板の製造方法およびその方法により製造された配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1072678A (ja) | 1998-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990817 |
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