JP2966639B2 - 電圧制御発振回路 - Google Patents

電圧制御発振回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、IC(集積回路)化に
適した電圧制御発振回路の改良に関するもので、特に発
振周波数を制御したとき、発振停止が生じるのを防止す
ることができる電圧制御発振回路に関する。
【0002】
【従来の技術】雑誌日経エレクトロニクス1984年1
月30日号第141頁乃至163頁には、「セラミック
共振子のリアクタンスを正負方向に自動調整しFMステ
レオ復調ICを無調整に」という記事が掲載されてい
る。図2は、前記記事に記載されたPLL回路を示すも
ので、入力端子1に印加された入力信号は、位相比較器
2において第2分周期器3の出力信号と比較され、比較
出力が正及び負のリアクタンス回路4及び5に印加され
る。ここで、位相比較器2として示されたブロックはロ
−パスフィルタ及び直流増幅器を含むものとする。正及
び負のリアクタンス回路4及び5は、等価的にセラミッ
ク振動子6と並列接続されるので、位相比較器2の出力
信号に応じて総合リアクタンスが変化し、前記セラミッ
ク振動子6を発振素子とする発振回路7の発振周波数が
変化する。発振回路7の出力信号は、第1分周器8で分
周され、出力端子9に導出されるとともに、第2分周器
3に印加される。
【0003】今、入力端子1に印加される入力信号の位
相が、分周器3の出力信号の位相より進んでいるとすれ
ば、正のリアクタンス回路4が動作し、発振回路7の出
力信号の位相が遅れるような制御が働く。逆に、入力信
号の位相が分周器3の出力信号の位相より遅れていると
すれば、負のリアクタンス回路5が動作し、発振回路7
の出力信号の位相が進むように動作する。従って、図2
のPLL回路を用いれば、発振周波数が、水晶振動子に
よって決まる周波数を中心に正負に変化する電圧制御発
振回路を構成することができる。
【0004】例えば、図2のPLL回路を、ステレオ放
送受信機のサブキャリア発生器として用いる場合は、電
圧制御発振回路7のフリーラン周波数を228KHZ
第1分周器8の出力信号を38KHZ、第2分周器3の
出力信号周波数を19KHZとすれば、正及び負のリア
クタンス回路4及び5を動作させることにより、入力信
号中のステレオパイロット信号に同期した38KHZ
テレオサブキャリア信号を得ることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図2の
PLL回路は、正及び負のリアクタンス回路4及び5を
動作させて大幅な制御を行うと、セラミック振動子6と
リアクタンス回路4及び5とによって決まるインピーダ
ンスが低下する現象が生じる。前記インピーダンスは、
発振回路7の発振強度に関係し、インピーダンスが低下
すると発振強度が弱くなるので、制御量を大としたとき
発振停止状態となる危険があった。
【0006】又、一般に発振回路7は差動増幅器構成と
され、リアクタンス回路4及び5は水晶振動子とともに
前記差動増幅器のコレクタに接続されるので、リアクタ
ンス回路4及び5の出力にオフセット電流が生じた場
合、制御量を増大したときオフセット電流も増大し、前
記差動増幅器が飽和し、発振停止状態となる危険があっ
た。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の点に鑑
み成されたもので、正及び負のリアクタンス回路に起因
して、発振回路が発振停止状態となるのを防止するた
め、制御入力に応じて発振回路の発振強度を変化させる
手段を設けたことを特徴とする。
【0008】
【作用】本発明によれば、正及び負リアクタンス回路の
インピーダンスが低下したときに、制御入力に応じて、
発振回路の発振強度を増加させることができるので、制
御量を増加させた場合であっても発振停止を防止するこ
とができる。
【0009】
【実施例】図1は、本発明の一実施例を示す回路図であ
る。図1において、10は発振回路、11はリアクタン
ス回路である。発振回路10は、差動接続された第1及
び第2トランジスタ12及び13と、該第1及び第2ト
ランジスタ12及び13の共通エミッタに接続された電
流源トランジスタ14と、第1トランジスタ12のベー
スと第2トランジスタ13のコレクタとの間に接続され
たコンデンサ15と、第1及び第2トランジスタ12及
び13のコレクタ間に接続されたダイオード16と、入
力端がダイオード45を介して第1トランジスタ12の
コレクタに、出力端が第2トランジスタ13のコレクタ
にそれぞれ接続された電流ミラー回路17と、第1、第
2及び電流源トランジスタ12、13及び14のベース
にそれぞれ定電流を供給するトランジスタ18乃至25
と、電圧源26とによって構成されている。
【0010】又、リアクタンス回路11は、差動接続さ
れた第3及び第4トランジスタ27及び28と、電流源
トランジスタ29と、差動接続された第5及び第6トラ
ンジスタ30及び31と、電流源トランジスタ32と、
コンデンサ33及び34と、抵抗35と、負荷回路36
とによって構成されている。更に、セラミック振動子3
7は、発振回路10の出力端子38に接続され、発振回
10の発振強度を制御する第1制御トランジスタ39
は、コレクタが第1及び第2トランジスタ12及び13
の共通エミッタに、ベースが電流源トランジスタ29の
ベースに、エミッタがアースにそれぞれ接続され、第2
制御トランジスタ40は、コレクタが第1制御トランジ
スタ39のコレクタに、ベースが電流源トランジスタ3
2のベースに、エミッタがアースにそれぞれ接続されて
いる。
【0011】尚、41及び42は制御入力端子であり、
図2の位相比較器2の出力端に接続される。又、ダイオ
ード接続型のトランジスタ43及び44は、電流源トラ
ンジスタ29及び32と電流ミラー接続され、制御入力
端子41及び42に供給される電流を所定のミラー比で
前記電流源トランジスタ29及び32に供給するもので
ある。
【0012】次に動作を説明する。制御入力端子41及
び42に制御信号が印加されないフリーラン状態におい
て、電源+VCCを投入すると、発振回路10が発振を開
始する。その時、制御信号が印加されていないので、リ
アクタンス回路11が動作せず、発振周波数はセラミッ
ク振動子37に応じたものとなる。今、発振回路の発振
周波数が所定値より低下しているとすれば、制御入力端
子41に制御信号が印加され、電流源トランジスタ29
に電流が流れ、第3及び第4トランジスタを含む負のリ
アクタンス回路が動作を開始する。前記負のリアクタン
ス回路が動作を開始すると、発振周波数が上昇し、所定
値に一致するような制御が行われる。一方、制御入力端
子41に制御信号が印加されると、第1制御トランジス
タ39に電流が流れる。前記第1制御トランジスタ39
に流れる電流は、発振回路10の動作電流源となる電流
源トランジスタ14に流れる電流と並列になるので、第
1及び第2トランジスタ12及び13から成る差動回路
のGmを大とすることができ、発振回路10の発振強度
を増大させることができる。先に述べた如く、リアクタ
ンス回路11は、制御量が増大するほどインピーダンス
が低下し、発振回路10の発振強度を低下させる。それ
に対し、第1制御トランジスタ39のコレクタ電流は、
制御量が増大するほど大となり、第1及び第2トランジ
スタから成る差動回路のGmを大とし、発振回路の発振
強度を増大させる。従って、ダイオード接続型のトラン
ジスタ43と電流源トランジスタ29とのミラー比及び
ダイオード接続型のトランジスタ43と第1制御トラン
ジスタ39とのミラー比を適切に設定すれば、制御量を
増大させた場合であっても、発振回路10の発振停止を
防止することができる。又、第1及び第2トランジスタ
12及び13から成る差動回路の動作電流を、第1制御
トランジスタ39によって増加させることができるの
で、前記差動回路のオフセット電流に対する特性が改善
され、前記オフセット電流に起因する飽和を防止でき、
発振停止を防止できる。因みに、ダイオード接続型のト
ランジスタ43と電流源トランジスタ29とのミラー比
を1:1、ダイオード接続型のトランジスタ43と第1
制御トランジスタ39とのミラー比を1:10とするこ
とにより、発振停止を防止することができた。
【0013】発振回路の発振周波数が所定値より高い場
合は、制御入力端子42に制御信号を印加する。する
と、正のリアクタンス回路が動作し、セラミック振動子
37に正のリアクタンスが並列接続されるので、発振回
10の発振周波数が低くなるような制御が働き、発振
回路10の発振周波数は所定値に固定される。同時に、
第2制御トランジスタ40が動作し、第1及び第2トラ
ンジスタ12及び13からなる差動回路の動作電流が増
加し、該差動回路のGmが増加して発振停止が防止され
る。発振停止を防止することに関しては、制御入力端子
41に制御信号を印加する場合と同様に付き説明を省略
する。
【0014】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、発振
周波数を正及び負のリアクタンス回路を用いて制御する
電圧制御発振回路において、発振周波数を制御する制御
入力に応じて発振回路の発振強度を制御する手段を設け
たので、制御入力が大となったときの発振停止を防止で
き、発振周波数の可変範囲を拡大することができる。
【0015】又、発振回路を構成する差動回路の動作電
流を制御することにより発振強度を制御しているので、
リアクタンス回路のオフセット電流に起因する発振回路
の飽和を防止でき、同様に発振停止を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す回路図
【図2】従来の電圧制御発振回路を用いたPLL回路を
示す回路図
【符号の説明】10 発振回路11 リアクタンス回路 12 第1トランジスタ 13 第2トランジスタ 14 電流源トランジスタ 27 第3トランジスタ 28 第4トランジスタ 29 電流源トランジスタ 30 第5トランジスタ 31 第6トランジスタ 32 電流源トランジスタ 37 セラミック振動子 39 第1制御トランジスタ 40 第2制御トランジスタ

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発振回路部と、該発振回路部の発振周波
    数を定める発振素子と、該発振素子に並列接続され、
    れぞれの制御入力に応じてリアクタンスが変化する正負
    のリアクタンス回路を含むリアクタンス回路部とを備え
    る電圧制御発振回路において、前記正負のリアクタンス
    回路に対応する前記制御入力の制御量が増大した場合に
    前記発振回路部の発振強度を増大させる手段を設けたこ
    とを特徴とする電圧制御発振回路。
  2. 【請求項2】 前記発振回路部は、差動接続された一対
    のトランジスタと、該一対のトランジスタの共通エミッ
    タに接続された電流源トランジスタとからなり、前記発
    振強度を変化させる手段は、前記制御入力の制御量の増
    大に応じて前記電流源トランジスタに流れる電流を制御
    するようにしたことを特徴とする請求項1記載の電圧制
    御発振回路。
  3. 【請求項3】 前記リアクタンス回路部は、制御入力の
    制御量の増大に応じて出力電流が増大する電流ミラー回
    路を備え、前記発振強度を変化させる手段は、前記電流
    ミラー回路を構成する入力側トランジスタと電流ミラー
    接続されるトランジスタを含むことを特徴とする請求項
    2記載の電圧制御発振回路。
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