JP2960398B1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
【要約】
【課題】 樹脂注入途中で、封止樹脂が途切れてしま
い、注入ムラが発生したり、封止樹脂の切れが悪く、残
余樹脂が半導体素子の裏面部分に付着するという課題が
あった。 【解決手段】 半導体素子とキャリアとの間隙Ｓに対し
ての樹脂注入の際、用いるノズル９は樹脂溜め部１０
ａ，１０ｂを有し、封止樹脂７の注入後、ノズル９を一
定の低速で上昇させ、そして封止樹脂７がノズル９の先
端部から切れた直後には、ノズル９の上昇速度を高速に
して上昇させているため、樹脂注入後の残余樹脂の悪影
響を解消し、半導体素子の裏面に残余樹脂が付着すると
いう課題を解消できる。また、ノズル動作の効率化を図
り、半導体装置の量産過程の製造タクトの向上を達成す
ることができるものである。
い、注入ムラが発生したり、封止樹脂の切れが悪く、残
余樹脂が半導体素子の裏面部分に付着するという課題が
あった。 【解決手段】 半導体素子とキャリアとの間隙Ｓに対し
ての樹脂注入の際、用いるノズル９は樹脂溜め部１０
ａ，１０ｂを有し、封止樹脂７の注入後、ノズル９を一
定の低速で上昇させ、そして封止樹脂７がノズル９の先
端部から切れた直後には、ノズル９の上昇速度を高速に
して上昇させているため、樹脂注入後の残余樹脂の悪影
響を解消し、半導体素子の裏面に残余樹脂が付着すると
いう課題を解消できる。また、ノズル動作の効率化を図
り、半導体装置の量産過程の製造タクトの向上を達成す
ることができるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を回路
基板にフェースダウン実装したチップサイズパッケージ
と称される半導体装置の製造方法に関するものであり、
特に半導体素子と回路基板との間に樹脂を封止する工法
に特徴を有する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
基板にフェースダウン実装したチップサイズパッケージ
と称される半導体装置の製造方法に関するものであり、
特に半導体素子と回路基板との間に樹脂を封止する工法
に特徴を有する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を回路基板にフェース
ダウン実装したタイプの半導体装置の製造方法におい
て、半導体素子と回路基板との間に樹脂を封止する工法
では、針状の注入部材により、半導体素子と回路基板と
の間に封止樹脂を注入していた。
ダウン実装したタイプの半導体装置の製造方法におい
て、半導体素子と回路基板との間に樹脂を封止する工法
では、針状の注入部材により、半導体素子と回路基板と
の間に封止樹脂を注入していた。
【０００３】以下、従来の半導体装置の製造方法につい
て図面を参照しながら説明する。図５〜図７は従来の半
導体装置の製造方法を示す工程図である。
て図面を参照しながら説明する。図５〜図７は従来の半
導体装置の製造方法を示す工程図である。
【０００４】まず図５に示すように、半導体素子１は回
路基板などのキャリア２に対して、突起電極３により接
合され、半導体装置構成体４が形成されている。なお、
半導体素子１の突起電極３とキャリア２上の電極とは、
導電性接着剤を介して接合しているものである。
路基板などのキャリア２に対して、突起電極３により接
合され、半導体装置構成体４が形成されている。なお、
半導体素子１の突起電極３とキャリア２上の電極とは、
導電性接着剤を介して接合しているものである。
【０００５】そして半導体素子１とキャリア２との間に
は突起電極３の高さ程度の間隙Ｓが形成される。このよ
うな状態の半導体素子１とキャリア２との間隙Ｓに対し
て、封止樹脂として熱硬化性のエポキシ系樹脂を注入し
て、封止するが、その際、図５に示すように、半導体装
置構成体４を台座５にセットして傾斜させる。
は突起電極３の高さ程度の間隙Ｓが形成される。このよ
うな状態の半導体素子１とキャリア２との間隙Ｓに対し
て、封止樹脂として熱硬化性のエポキシ系樹脂を注入し
て、封止するが、その際、図５に示すように、半導体装
置構成体４を台座５にセットして傾斜させる。
【０００６】そして図６に示すように、半導体装置構成
体４の間隙Ｓに対して、注射針６により封止樹脂７を注
入する。注入された封止樹脂７は毛細管現象と、傾斜に
よる流動により間隙Ｓ内に入り、間隙Ｓは封止樹脂７で
充填されることになる。
体４の間隙Ｓに対して、注射針６により封止樹脂７を注
入する。注入された封止樹脂７は毛細管現象と、傾斜に
よる流動により間隙Ｓ内に入り、間隙Ｓは封止樹脂７で
充填されることになる。
【０００７】図７には、間隙Ｓが封止樹脂７により充填
封止された半導体装置８を示す。封止樹脂７を間隙Ｓに
注入して充填させた後は、封止樹脂７を熱硬化させるこ
とにより封止工程は完了する。
封止された半導体装置８を示す。封止樹脂７を間隙Ｓに
注入して充填させた後は、封止樹脂７を熱硬化させるこ
とにより封止工程は完了する。
【０００８】以上のように、従来の半導体装置の製造方
法では、注射針６により間隙Ｓに対して封止樹脂７を注
入して封止していた。
法では、注射針６により間隙Ｓに対して封止樹脂７を注
入して封止していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の半導体装置の製造方法では、以下のような課題があっ
た。すなわち、半導体素子とキャリアによる間隙に対し
て、注射針で封止樹脂を注入するため、封止樹脂の供給
量には余裕が少なく、樹脂注入途中で、封止樹脂が途切
れてしまい、注入ムラが発生して封止不良となる場合が
あった。
の半導体装置の製造方法では、以下のような課題があっ
た。すなわち、半導体素子とキャリアによる間隙に対し
て、注射針で封止樹脂を注入するため、封止樹脂の供給
量には余裕が少なく、樹脂注入途中で、封止樹脂が途切
れてしまい、注入ムラが発生して封止不良となる場合が
あった。
【００１０】またさらに、注入した後、ノズルからの封
止樹脂の切れが悪く、残余樹脂が半導体素子とキャリア
との間隙以外の例えば半導体素子の裏面部分に付着する
という課題もあった。これは図８に示すように、間隙Ｓ
に対して封止樹脂７を注入した後、注入を停止し、注射
針６を上昇させるが、この上昇過程で封止樹脂７の切れ
が悪く、樹脂の糸引き７ａが発生することに起因するも
のである。
止樹脂の切れが悪く、残余樹脂が半導体素子とキャリア
との間隙以外の例えば半導体素子の裏面部分に付着する
という課題もあった。これは図８に示すように、間隙Ｓ
に対して封止樹脂７を注入した後、注入を停止し、注射
針６を上昇させるが、この上昇過程で封止樹脂７の切れ
が悪く、樹脂の糸引き７ａが発生することに起因するも
のである。
【００１１】発明者等はこれら課題の解決に対して、研
究を繰り返すことにより、樹脂の供給も十分であり、ま
た残余樹脂による悪影響を解消した封止工法を導き出し
た。
究を繰り返すことにより、樹脂の供給も十分であり、ま
た残余樹脂による悪影響を解消した封止工法を導き出し
た。
【００１２】本発明は前記従来の課題を解決するもので
あり、半導体素子とキャリアとの極狭い間隙に対して封
止樹脂を注入する効果的な封止工法を提供するものであ
り、また半導体装置の量産過程の製造タクトの向上を達
成する点に着目した半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
あり、半導体素子とキャリアとの極狭い間隙に対して封
止樹脂を注入する効果的な封止工法を提供するものであ
り、また半導体装置の量産過程の製造タクトの向上を達
成する点に着目した半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は前記従来の課題
を解決するために以下の構成によりなるものである。す
なわち、半導体素子が突起電極を介してキャリアにフェ
ースダウン実装された半導体装置の製造方法であって、
その量産工程における半導体素子とキャリアとの間隙に
樹脂を供給する工程において、ノズルにより前記間隙に
樹脂を供給した後、樹脂の供給を停止し、前記ノズルを
樹脂が前記ノズルの先端部から自然に離れる作用に影響
を与えない低速の第１の速度で上昇させ、前記ノズルか
ら供給されている樹脂が供給箇所から切れた直後に前記
第１の速度で上昇させているノズルを前記第１の速度よ
りも高速の第２の速度で上昇させる半導体装置の製造方
法である。
を解決するために以下の構成によりなるものである。す
なわち、半導体素子が突起電極を介してキャリアにフェ
ースダウン実装された半導体装置の製造方法であって、
その量産工程における半導体素子とキャリアとの間隙に
樹脂を供給する工程において、ノズルにより前記間隙に
樹脂を供給した後、樹脂の供給を停止し、前記ノズルを
樹脂が前記ノズルの先端部から自然に離れる作用に影響
を与えない低速の第１の速度で上昇させ、前記ノズルか
ら供給されている樹脂が供給箇所から切れた直後に前記
第１の速度で上昇させているノズルを前記第１の速度よ
りも高速の第２の速度で上昇させる半導体装置の製造方
法である。
【００１４】また、ノズルにより半導体素子とキャリア
との間隙に樹脂を供給する際、前記ノズル先端部近傍に
樹脂溜め部を有したノズルを用いて前記間隙に樹脂を連
続供給する半導体装置の製造方法である。
との間隙に樹脂を供給する際、前記ノズル先端部近傍に
樹脂溜め部を有したノズルを用いて前記間隙に樹脂を連
続供給する半導体装置の製造方法である。
【００１５】また、第２の速度は第１の速度よりも１０
倍以上の速度差である半導体装置の製造方法である。
倍以上の速度差である半導体装置の製造方法である。
【００１６】また、樹脂を供給するノズルは、各樹脂供
給動作後にそのノズル先端部をクリーニングし、ノズル
先端部の余分な残余樹脂を除去する工程を有する半導体
装置の製造方法である。
給動作後にそのノズル先端部をクリーニングし、ノズル
先端部の余分な残余樹脂を除去する工程を有する半導体
装置の製造方法である。
【００１７】前記構成により、ノズルがその先端部の近
傍に樹脂溜め部分を有しているので、樹脂注入の際に樹
脂が途切れることはなく、樹脂の連続供給が可能とな
り、注入ムラをなくし、封止不良を解消することができ
る。
傍に樹脂溜め部分を有しているので、樹脂注入の際に樹
脂が途切れることはなく、樹脂の連続供給が可能とな
り、注入ムラをなくし、封止不良を解消することができ
る。
【００１８】またノズルの上昇スピードを段階的にする
ことにより、樹脂注入後の残余樹脂の切れの影響をなく
し、半導体素子の裏面に残余樹脂が付着するという課題
を解消できるものである。また、樹脂の供給が停止した
後の樹脂が切れた直後に高速で上昇させることにより、
半導体装置の量産過程の製造タクトの向上を達成するこ
とができる。また、各樹脂の供給動作後には、ノズルの
先端部をクリーニングし、先端部の余分な樹脂を除去す
ることにより、樹脂の切れを向上させ、残余樹脂による
影響を低減できるものである。
ことにより、樹脂注入後の残余樹脂の切れの影響をなく
し、半導体素子の裏面に残余樹脂が付着するという課題
を解消できるものである。また、樹脂の供給が停止した
後の樹脂が切れた直後に高速で上昇させることにより、
半導体装置の量産過程の製造タクトの向上を達成するこ
とができる。また、各樹脂の供給動作後には、ノズルの
先端部をクリーニングし、先端部の余分な樹脂を除去す
ることにより、樹脂の切れを向上させ、残余樹脂による
影響を低減できるものである。
【００１９】本発明は、このようなノズルの移動動作１
つを改善することにより、量産工程における製造タク
ト、製造コストを改善できるものであり、本発明は半導
体装置の量産工程でのより効率的かつ効果的な製造方法
を実現できるものである。
つを改善することにより、量産工程における製造タク
ト、製造コストを改善できるものであり、本発明は半導
体装置の量産工程でのより効率的かつ効果的な製造方法
を実現できるものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の製造
方法の一実施形態について説明する。
方法の一実施形態について説明する。
【００２１】本発明は、半導体素子が突起電極を介して
キャリアにフェースダウン実装された半導体装置の製造
方法であって、半導体素子とキャリアとの間隙に樹脂を
供給する工程において、樹脂溜め部を有したノズルによ
り半導体素子とキャリアとの間隙に樹脂を供給するもの
である。また、半導体素子が突起電極を介してキャリア
にフェースダウン実装された半導体装置の製造方法であ
って、半導体素子とキャリアとの間隙に樹脂を供給する
工程において、ノズルにより間隙に樹脂を供給した後、
そのノズルを一定速度で上昇させ、ノズルから供給され
ている樹脂が供給箇所である間隙部分から途切れた直後
にノズルをそれまでの一定速度よりも高速で上昇させる
ものである。また、半導体素子が突起電極を介してキャ
リアにフェースダウン実装された半導体装置の製造方法
であって、半導体素子とキャリアとの間隙に樹脂を供給
する工程において、ノズルにより間隙に樹脂を供給した
後、そのノズルを一定速度で上昇させ、ノズルから供給
されている樹脂が供給箇所である間隙部分から途切れる
直前にノズルをそれまでの一定速度よりも高速で上昇さ
せるものである。また、樹脂を供給するノズルは、各樹
脂供給動作後にそのノズル先端部をクリーニングし、ノ
ズル先端部の余分な残余樹脂を除去する工程を有するも
のである以下、具体的に図面を参照しながら説明する。
キャリアにフェースダウン実装された半導体装置の製造
方法であって、半導体素子とキャリアとの間隙に樹脂を
供給する工程において、樹脂溜め部を有したノズルによ
り半導体素子とキャリアとの間隙に樹脂を供給するもの
である。また、半導体素子が突起電極を介してキャリア
にフェースダウン実装された半導体装置の製造方法であ
って、半導体素子とキャリアとの間隙に樹脂を供給する
工程において、ノズルにより間隙に樹脂を供給した後、
そのノズルを一定速度で上昇させ、ノズルから供給され
ている樹脂が供給箇所である間隙部分から途切れた直後
にノズルをそれまでの一定速度よりも高速で上昇させる
ものである。また、半導体素子が突起電極を介してキャ
リアにフェースダウン実装された半導体装置の製造方法
であって、半導体素子とキャリアとの間隙に樹脂を供給
する工程において、ノズルにより間隙に樹脂を供給した
後、そのノズルを一定速度で上昇させ、ノズルから供給
されている樹脂が供給箇所である間隙部分から途切れる
直前にノズルをそれまでの一定速度よりも高速で上昇さ
せるものである。また、樹脂を供給するノズルは、各樹
脂供給動作後にそのノズル先端部をクリーニングし、ノ
ズル先端部の余分な残余樹脂を除去する工程を有するも
のである以下、具体的に図面を参照しながら説明する。
【００２２】まず図１に示すように、半導体素子１は回
路基板などのキャリア２に対して、突起電極３によりフ
ェースダウンで接合され、半導体装置構成体４が形成さ
れている。なお、半導体素子１の突起電極３とキャリア
２上の電極とは、導電性接着剤を介して接合しているも
のである。
路基板などのキャリア２に対して、突起電極３によりフ
ェースダウンで接合され、半導体装置構成体４が形成さ
れている。なお、半導体素子１の突起電極３とキャリア
２上の電極とは、導電性接着剤を介して接合しているも
のである。
【００２３】そして半導体素子１とキャリア２との間に
は突起電極３の高さ程度の間隙Ｓが形成される。このよ
うな状態の半導体素子１とキャリア２との間隙Ｓに対し
て、封止樹脂として熱硬化性のエポキシ系樹脂を注入し
て、封止するが、その際、図１に示すように、半導体装
置構成体４を台座５にセットして傾斜させる。傾斜角度
は１５度である。
は突起電極３の高さ程度の間隙Ｓが形成される。このよ
うな状態の半導体素子１とキャリア２との間隙Ｓに対し
て、封止樹脂として熱硬化性のエポキシ系樹脂を注入し
て、封止するが、その際、図１に示すように、半導体装
置構成体４を台座５にセットして傾斜させる。傾斜角度
は１５度である。
【００２４】そして図２に示すように、半導体装置構成
体４の間隙Ｓに対して、ノズル９により封止樹脂７を注
入する。注入された封止樹脂７は毛細管現象と、傾斜に
よる流動により間隙Ｓ内に入り、間隙Ｓは封止樹脂７で
充填されることになる。本実施形態では、ノズル９とし
て、第１の樹脂溜め部１０ａと、ノズル９の先端部近傍
に第２の樹脂溜め部１０ｂを有したノズルを用い、樹脂
の連続供給を可能にし、供給途中で樹脂の注入量にムラ
が発生することを防止している。これにより、従来の注
射針のような樹脂供給部材とは異なり、樹脂注入の際に
樹脂が途切れることはなく、樹脂の連続供給が可能とな
り、注入ムラをなくし、封止不良を解消することができ
る。なお、樹脂の供給は、非常に狭い間隙に対する少量
の樹脂の供給であり、このような場合に樹脂を連続的に
ムラのない状態で供給することは難しく、本実施形態に
示したように、ノズル＋その先端部近傍に樹脂溜めの機
構を採用することは効果があり、飛躍的な発想によるも
のである。
体４の間隙Ｓに対して、ノズル９により封止樹脂７を注
入する。注入された封止樹脂７は毛細管現象と、傾斜に
よる流動により間隙Ｓ内に入り、間隙Ｓは封止樹脂７で
充填されることになる。本実施形態では、ノズル９とし
て、第１の樹脂溜め部１０ａと、ノズル９の先端部近傍
に第２の樹脂溜め部１０ｂを有したノズルを用い、樹脂
の連続供給を可能にし、供給途中で樹脂の注入量にムラ
が発生することを防止している。これにより、従来の注
射針のような樹脂供給部材とは異なり、樹脂注入の際に
樹脂が途切れることはなく、樹脂の連続供給が可能とな
り、注入ムラをなくし、封止不良を解消することができ
る。なお、樹脂の供給は、非常に狭い間隙に対する少量
の樹脂の供給であり、このような場合に樹脂を連続的に
ムラのない状態で供給することは難しく、本実施形態に
示したように、ノズル＋その先端部近傍に樹脂溜めの機
構を採用することは効果があり、飛躍的な発想によるも
のである。
【００２５】図３には、間隙Ｓが封止樹脂７により充填
封止された半導体装置８を示す。封止樹脂７を間隙Ｓに
注入して充填させた後は、封止樹脂７を熱硬化させるこ
とにより封止工程は完了する。熱硬化条件は、段階的熱
硬化を行い、１００［℃］で樹脂中の低分子成分を徐々
に反応させ、次いで１５０［℃］で本硬化するものであ
る。
封止された半導体装置８を示す。封止樹脂７を間隙Ｓに
注入して充填させた後は、封止樹脂７を熱硬化させるこ
とにより封止工程は完了する。熱硬化条件は、段階的熱
硬化を行い、１００［℃］で樹脂中の低分子成分を徐々
に反応させ、次いで１５０［℃］で本硬化するものであ
る。
【００２６】本実施形態では、図４に示すように、ノズ
ル９により封止樹脂７を間隙Ｓに注入後、封止樹脂７の
供給を停止し、ノズル９を注入位置から上昇させる際、
ノズル９を一定の低速（第１の速度）で上昇させ、そし
て封止樹脂７がノズル９の先端部から切れた時には、ノ
ズル９の上昇速度を高速（第２の速度）にして、上昇さ
せるものである。ノズル９の上昇初期に低速で上昇させ
るのは、封止樹脂７がノズル９の先端部から離れる（切
れる）までの時間を考慮したものであり、このノズル９
の低速上昇は不可欠動作である。したがって、ノズル９
の低速は、封止樹脂７がノズル９の先端部から自然に離
れる作用に影響を与えない低速である。本実施形態で
は、ノズル上昇の段階的な速度動作を行い、封止樹脂７
の注入後、ノズル９を一定の低速で上昇させ、そして封
止樹脂７がノズル９の先端部から切れた時には、ノズル
９の上昇速度を高速にして、上昇させているため、樹脂
注入後の残余樹脂の影響（樹脂の糸引き）を解消し、半
導体素子の裏面に残余樹脂が付着するという課題を解消
できるものである。そして封止樹脂７の供給が停止した
後、封止樹脂７がノズル先端から切れた直後に高速で上
昇させることにより、ノズル動作の効率化を図り、半導
体装置の量産過程の製造タクトの向上を達成することが
できるものである。
ル９により封止樹脂７を間隙Ｓに注入後、封止樹脂７の
供給を停止し、ノズル９を注入位置から上昇させる際、
ノズル９を一定の低速（第１の速度）で上昇させ、そし
て封止樹脂７がノズル９の先端部から切れた時には、ノ
ズル９の上昇速度を高速（第２の速度）にして、上昇さ
せるものである。ノズル９の上昇初期に低速で上昇させ
るのは、封止樹脂７がノズル９の先端部から離れる（切
れる）までの時間を考慮したものであり、このノズル９
の低速上昇は不可欠動作である。したがって、ノズル９
の低速は、封止樹脂７がノズル９の先端部から自然に離
れる作用に影響を与えない低速である。本実施形態で
は、ノズル上昇の段階的な速度動作を行い、封止樹脂７
の注入後、ノズル９を一定の低速で上昇させ、そして封
止樹脂７がノズル９の先端部から切れた時には、ノズル
９の上昇速度を高速にして、上昇させているため、樹脂
注入後の残余樹脂の影響（樹脂の糸引き）を解消し、半
導体素子の裏面に残余樹脂が付着するという課題を解消
できるものである。そして封止樹脂７の供給が停止した
後、封止樹脂７がノズル先端から切れた直後に高速で上
昇させることにより、ノズル動作の効率化を図り、半導
体装置の量産過程の製造タクトの向上を達成することが
できるものである。
【００２７】また本実施形態において、一例として、ノ
ズル９の初期移動速度は、５［ｍｍ／ｓｅｃ］であり、
封止樹脂７がノズル９の先端部から切れた時の移動速度
は５０［ｍｍ／ｓｅｃ］であり、好ましくはノズル９の
初期移動速度は、５［ｍｍ／ｓｅｃ］であり、封止樹脂
７がノズル９の先端部から切れた時の移動速度は２００
［ｍｍ／ｓｅｃ］である。またその際の封止樹脂７の粘
度は１０００［Ｐ］（ポイズ）（２５［℃］）であり、
注入時は４００［Ｐ］（ポイズ）（３０［℃］）であ
る。したがって、通常、ノズル注入に使用する封止樹脂
７を用いる場合は、ノズル９の初期移動速度と封止樹脂
７がノズル９の先端部から切れた時の移動速度とにおい
て、１０倍以上の速度差をもたせることにより、本実施
形態の効果を得ることができる。また、注入する封止樹
脂７の粘度によっては、ノズル９の初期移動速度や、封
止樹脂７がノズル９の先端部から切れた時の移動速度を
変更できるものであり、特に封止樹脂７の粘度が大きい
場合は、特別にノズル９の初期移動速度は、１［ｍｍ／
ｓｅｃ］であり、封止樹脂７がノズル９の先端部から切
れた時の移動速度は５［ｍｍ／ｓｅｃ］とするなどの条
件で効果を得ることができる。すなわち、封止樹脂７の
粘度が小さい場合は樹脂切れも容易であり、ノズル９の
移動の速度差を大きくでき、逆に封止樹脂７の粘度が大
きい場合は樹脂切れを慎重に行う必要があり、ノズル９
の移動の速度差を小さくするものである。
ズル９の初期移動速度は、５［ｍｍ／ｓｅｃ］であり、
封止樹脂７がノズル９の先端部から切れた時の移動速度
は５０［ｍｍ／ｓｅｃ］であり、好ましくはノズル９の
初期移動速度は、５［ｍｍ／ｓｅｃ］であり、封止樹脂
７がノズル９の先端部から切れた時の移動速度は２００
［ｍｍ／ｓｅｃ］である。またその際の封止樹脂７の粘
度は１０００［Ｐ］（ポイズ）（２５［℃］）であり、
注入時は４００［Ｐ］（ポイズ）（３０［℃］）であ
る。したがって、通常、ノズル注入に使用する封止樹脂
７を用いる場合は、ノズル９の初期移動速度と封止樹脂
７がノズル９の先端部から切れた時の移動速度とにおい
て、１０倍以上の速度差をもたせることにより、本実施
形態の効果を得ることができる。また、注入する封止樹
脂７の粘度によっては、ノズル９の初期移動速度や、封
止樹脂７がノズル９の先端部から切れた時の移動速度を
変更できるものであり、特に封止樹脂７の粘度が大きい
場合は、特別にノズル９の初期移動速度は、１［ｍｍ／
ｓｅｃ］であり、封止樹脂７がノズル９の先端部から切
れた時の移動速度は５［ｍｍ／ｓｅｃ］とするなどの条
件で効果を得ることができる。すなわち、封止樹脂７の
粘度が小さい場合は樹脂切れも容易であり、ノズル９の
移動の速度差を大きくでき、逆に封止樹脂７の粘度が大
きい場合は樹脂切れを慎重に行う必要があり、ノズル９
の移動の速度差を小さくするものである。
【００２８】次に本実施形態の別の実施形態について説
明する。前記した実施形態では、封止樹脂７の注入後、
ノズル９を一定の低速で上昇させ、そして封止樹脂７が
ノズル９の先端部から切れた時には、ノズル９の上昇速
度を高速にして、上昇させているが、ノズル９から封止
樹脂７の供給を停止した後、ノズル９から供給されてい
る封止樹脂７が途切れる直前にノズル９をそれまでの低
速移動よりも高速で上昇させるものである。これはノズ
ル９から封止樹脂７が離れる直前に、ノズル９の上昇速
度の段階的な動作により、封止樹脂７をノズル先端部か
ら影響なく切り離すものであり、樹脂注入後の残余樹脂
の影響を解消し、半導体素子の裏面に残余樹脂が付着す
るという課題を解消できるとともに、積極的にノズル動
作の効率化を図り、半導体装置の量産過程の製造タクト
の向上を達成することができるものである。ノズル９の
移動速度（上昇速度）については、前記した実施形態と
同様な条件である。
明する。前記した実施形態では、封止樹脂７の注入後、
ノズル９を一定の低速で上昇させ、そして封止樹脂７が
ノズル９の先端部から切れた時には、ノズル９の上昇速
度を高速にして、上昇させているが、ノズル９から封止
樹脂７の供給を停止した後、ノズル９から供給されてい
る封止樹脂７が途切れる直前にノズル９をそれまでの低
速移動よりも高速で上昇させるものである。これはノズ
ル９から封止樹脂７が離れる直前に、ノズル９の上昇速
度の段階的な動作により、封止樹脂７をノズル先端部か
ら影響なく切り離すものであり、樹脂注入後の残余樹脂
の影響を解消し、半導体素子の裏面に残余樹脂が付着す
るという課題を解消できるとともに、積極的にノズル動
作の効率化を図り、半導体装置の量産過程の製造タクト
の向上を達成することができるものである。ノズル９の
移動速度（上昇速度）については、前記した実施形態と
同様な条件である。
【００２９】本実施形態では、各樹脂注入ごとに、事前
処理として、ノズルの先端部に残った樹脂を除去するク
リーニング処理を行っている。この処理により、樹脂の
注入初期においてノズルの先端部には均一な量の樹脂玉
が形成され、均一な樹脂注入が可能となる。また、封止
樹脂の注入後、ノズル先端部からの樹脂の切れを良く
し、樹脂注入後の残余樹脂の影響を解消し、半導体素子
の裏面に残余樹脂が付着するという課題の解消に貢献で
きるものである。
処理として、ノズルの先端部に残った樹脂を除去するク
リーニング処理を行っている。この処理により、樹脂の
注入初期においてノズルの先端部には均一な量の樹脂玉
が形成され、均一な樹脂注入が可能となる。また、封止
樹脂の注入後、ノズル先端部からの樹脂の切れを良く
し、樹脂注入後の残余樹脂の影響を解消し、半導体素子
の裏面に残余樹脂が付着するという課題の解消に貢献で
きるものである。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法は、半導
体素子とキャリアとの間隙に樹脂を注入するノズルが樹
脂溜め部分を有しているので、樹脂注入の際に樹脂が途
切れることはなく、樹脂の連続供給が可能となり、注入
ムラをなくし、封止不良を解消することができるもので
ある。また樹脂注入後のノズルの上昇スピードを段階的
にすることにより、樹脂注入後の残余樹脂の切れが瞬時
で起こり、半導体素子の裏面に残余樹脂が付着するとい
う課題を解消できるものである。また、樹脂の供給が停
止した後の樹脂が切れた直後に高速で上昇させることに
より、半導体装置の量産過程の製造タクトの向上を達成
することができる。さらに、樹脂の供給が停止した後の
樹脂が切れる直前に高速で上昇させることにより、樹脂
切れを良くし、半導体装置の量産過程の製造タクトの向
上を達成することができる。また、各樹脂の供給動作後
には、ノズルの先端部をクリーニングし、先端部の余分
な樹脂を除去することにより、樹脂の切れを向上させ、
残余樹脂による影響を低減できるものである。
体素子とキャリアとの間隙に樹脂を注入するノズルが樹
脂溜め部分を有しているので、樹脂注入の際に樹脂が途
切れることはなく、樹脂の連続供給が可能となり、注入
ムラをなくし、封止不良を解消することができるもので
ある。また樹脂注入後のノズルの上昇スピードを段階的
にすることにより、樹脂注入後の残余樹脂の切れが瞬時
で起こり、半導体素子の裏面に残余樹脂が付着するとい
う課題を解消できるものである。また、樹脂の供給が停
止した後の樹脂が切れた直後に高速で上昇させることに
より、半導体装置の量産過程の製造タクトの向上を達成
することができる。さらに、樹脂の供給が停止した後の
樹脂が切れる直前に高速で上昇させることにより、樹脂
切れを良くし、半導体装置の量産過程の製造タクトの向
上を達成することができる。また、各樹脂の供給動作後
には、ノズルの先端部をクリーニングし、先端部の余分
な樹脂を除去することにより、樹脂の切れを向上させ、
残余樹脂による影響を低減できるものである。
【００３１】以上、本発明は、樹脂注入工程のノズルの
移動動作１つを改善することにより、量産工程における
製造タクト、製造コストを改善できるものであり、本発
明は半導体装置の量産工程でのより効率的かつ効果的な
製造方法を実現できるものである。
移動動作１つを改善することにより、量産工程における
製造タクト、製造コストを改善できるものであり、本発
明は半導体装置の量産工程でのより効率的かつ効果的な
製造方法を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図
方法を示す断面図
【図２】本発明の一実施形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図
方法を示す断面図
【図３】本発明の一実施形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図
方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態における半導体装置の製造
方法を示す断面図
方法を示す断面図
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図７】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
１ 半導体素子 ２ キャリア ３ 突起電極 ４ 半導体装置構成体 ５ 台座 ６ 注射針 ７ 封止樹脂 ８ 半導体装置 ９ ノズル １０ａ 第１の樹脂溜め部 １０ｂ 第２の樹脂溜め部
フロントページの続き (72)発明者 古川 稔信 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 竹田 真一郎 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−254463（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−203940（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−11063（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−225533（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299451（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−254464（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−190671（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/28 - 23/30
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子が突起電極を介してキャリア
にフェースダウン実装された半導体装置の製造方法であ
って、その量産工程における半導体素子とキャリアとの
間隙に樹脂を供給する工程において、ノズルにより前記
間隙に樹脂を供給した後、樹脂の供給を停止し、前記ノ
ズルを樹脂が前記ノズルの先端部から自然に離れる作用
に影響を与えない低速の第１の速度で上昇させ、前記ノ
ズルから供給されている樹脂が供給箇所から切れた直後
に前記第１の速度で上昇させているノズルを前記第１の
速度よりも高速の第２の速度で上昇させることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 第２の速度は第１の速度よりも１０倍以
上の速度差であることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 ノズルにより半導体素子とキャリアとの
間隙に樹脂を供給する際、前記ノズル先端部近傍に樹脂
溜め部を有したノズルを用いて前記間隙に樹脂を連続供
給することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 ノズルにより半導体素子とキャリアとの
間隙に樹脂を供給する際、樹脂を供給するノズルは、各
樹脂供給動作後にそのノズル先端部をクリーニングし、
ノズル先端部の余分な残余樹脂を除去する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16492698A JP2960398B1 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16492698A JP2960398B1 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2960398B1 true JP2960398B1 (ja) | 1999-10-06 |
| JPH11354552A JPH11354552A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15802477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16492698A Expired - Fee Related JP2960398B1 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2960398B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4385329B2 (ja) | 2004-10-08 | 2009-12-16 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP16492698A patent/JP2960398B1/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11354552A (ja) | 1999-12-24 |
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