JP2953263B2 - ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法 - Google Patents
ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はｎ型シリコンウエーハの
抵抗率測定方法に関し、詳しくは四探針法によりｎ型シ
リコンエピタキシャル層の真の抵抗率を測定する方法に
関する。
抵抗率測定方法に関し、詳しくは四探針法によりｎ型シ
リコンエピタキシャル層の真の抵抗率を測定する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板上に形成したシリコンエピ
タキシャル層の抵抗率測定法として、図１０に示す四探
針法が広く使用されている。この測定法は、試料Ｓの表
面上に４本の探針１〜４を等間隔に並べ、外側２本から
試料Ｓに直流電流Ｉを流し、内側２本の探針間に発生す
る電圧Ｖを測定することにより求めるものである。な
お、図１０においてＮはｎ型領域、Ｐはｐ型領域、ｔは
エピタキシャル層の膜厚、５はｐ−ｎ接合をそれぞれ示
す。この測定法では、エピタキシャル層の抵抗率ρは、
下記〔数１〕で求めることができる。
タキシャル層の抵抗率測定法として、図１０に示す四探
針法が広く使用されている。この測定法は、試料Ｓの表
面上に４本の探針１〜４を等間隔に並べ、外側２本から
試料Ｓに直流電流Ｉを流し、内側２本の探針間に発生す
る電圧Ｖを測定することにより求めるものである。な
お、図１０においてＮはｎ型領域、Ｐはｐ型領域、ｔは
エピタキシャル層の膜厚、５はｐ−ｎ接合をそれぞれ示
す。この測定法では、エピタキシャル層の抵抗率ρは、
下記〔数１〕で求めることができる。
【０００３】
【数１】ρ＝ａＲｔ
【０００４】 ａ：定数（π／ｌｎ２） Ｒ：エピタキシャル層のシート抵抗 ｔ：エピタキシャル層の膜厚
【０００５】ｎ型エピタキシャル層の場合、シート抵抗
Ｒはｐ型シリコン基板の上にｎ型エピタキシャル層を成
長させ、四探針法により実測する。一方、エピタキシャ
ル層の膜厚ｔは通常、高濃度アンチモン基板上に成長し
たエピタキシャル層についてＦＴＩＲ（Fourier-Transf
orm Infrared Spectroscopy ：フーリエ変換赤外分光）
法により測定する。ρはこれらＲ，ｔおよび定数ａの積
である。
Ｒはｐ型シリコン基板の上にｎ型エピタキシャル層を成
長させ、四探針法により実測する。一方、エピタキシャ
ル層の膜厚ｔは通常、高濃度アンチモン基板上に成長し
たエピタキシャル層についてＦＴＩＲ（Fourier-Transf
orm Infrared Spectroscopy ：フーリエ変換赤外分光）
法により測定する。ρはこれらＲ，ｔおよび定数ａの積
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところがこの抵抗率ρ
（シート抵抗Ｒ）は、作製されたｎ型エピタキシャル層
の規格によっては時間と共に上昇する現象、いわゆる経
時変化を起こし、安定するまでに１週間以上かかる。こ
の現象は傾向として、エピタキシャル層の膜厚が薄く抵
抗率が高いほど経時変化率が大きくなる。具体的な例と
して従来法による抵抗率測定結果について説明する。
（シート抵抗Ｒ）は、作製されたｎ型エピタキシャル層
の規格によっては時間と共に上昇する現象、いわゆる経
時変化を起こし、安定するまでに１週間以上かかる。こ
の現象は傾向として、エピタキシャル層の膜厚が薄く抵
抗率が高いほど経時変化率が大きくなる。具体的な例と
して従来法による抵抗率測定結果について説明する。
【０００７】ｐ型シリコンウエーハの鏡面研磨面上に通
常の方法により、目標抵抗率が３０Ωｃｍのｎ型、＜１
１１＞のエピタキシャル層を膜厚６４μｍ成長させた
後、塩酸による気相エッチングを行い、エピタキシャル
層の膜厚を１０，２５，３７，６４μｍとしたウエーハ
を作製し、従来の四探針法によりエピタキシャル層の抵
抗率を測定した。
常の方法により、目標抵抗率が３０Ωｃｍのｎ型、＜１
１１＞のエピタキシャル層を膜厚６４μｍ成長させた
後、塩酸による気相エッチングを行い、エピタキシャル
層の膜厚を１０，２５，３７，６４μｍとしたウエーハ
を作製し、従来の四探針法によりエピタキシャル層の抵
抗率を測定した。
【０００８】その結果は図９に示すとおりである。同一
バッチで製造されたエピタキシャル層であるから、この
層の抵抗率は同じ値を示さなければならないが、そうな
らなかった。すなわち、通常方法によりエピタキシャル
成長を行った場合、該エピタキシャル層表面に自然酸化
膜が発生するために、エピタキシャル層の膜厚が小さい
ほど初期抵抗率が高くなり、またその変化率も大きくな
ることがわかる。この経時変化のため、実測した抵抗率
が真の値を示すものであるかどうかが明確でなく見掛け
上、品質が不合格となることがあった。また、製品の保
証問題が発生したり、製造条件の設定に影響を与えると
いう問題があった。さらに、経時変化が発生しやすいエ
ピタキシャル層について真の抵抗率を測定しようとすれ
ば、エピタキシャル成長後、直ちに測定しなけらばなら
ないという不具合があった。
バッチで製造されたエピタキシャル層であるから、この
層の抵抗率は同じ値を示さなければならないが、そうな
らなかった。すなわち、通常方法によりエピタキシャル
成長を行った場合、該エピタキシャル層表面に自然酸化
膜が発生するために、エピタキシャル層の膜厚が小さい
ほど初期抵抗率が高くなり、またその変化率も大きくな
ることがわかる。この経時変化のため、実測した抵抗率
が真の値を示すものであるかどうかが明確でなく見掛け
上、品質が不合格となることがあった。また、製品の保
証問題が発生したり、製造条件の設定に影響を与えると
いう問題があった。さらに、経時変化が発生しやすいエ
ピタキシャル層について真の抵抗率を測定しようとすれ
ば、エピタキシャル成長後、直ちに測定しなけらばなら
ないという不具合があった。
【０００９】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、試料に所定の前処理を施すことにより
ｎ型シリコンエピタキシャル層の真の抵抗率を簡便に、
四探針法で測定できる方法を提供することにある。
で、その目的は、試料に所定の前処理を施すことにより
ｎ型シリコンエピタキシャル層の真の抵抗率を簡便に、
四探針法で測定できる方法を提供することにある。
【００１０】ここで、ｎ型シリコンエピタキシャル層の
抵抗率の経時変化に関する本発明者による考察内容につ
いて、図１１を参照して説明する。四探針測定によりエ
ピタキシャル層の抵抗率を求める方法は、前述の〔数
１〕にあるように、四探針で測定したエピタキシャル層
のシート抵抗Ｒと、ＦＴＩＲで求めたエピタキシャル層
の膜厚ｔと、定数ａの積である。四探針測定で経時変化
が起きたというのは、実際は、四探針法でシート抵抗が
ΔＲだけ増加したために、抵抗率がΔρだけ上昇したこ
とを表現しているのである。すなわち、実測抵抗率ρ＋
Δρは、下記〔数２〕で求めることができる。
抵抗率の経時変化に関する本発明者による考察内容につ
いて、図１１を参照して説明する。四探針測定によりエ
ピタキシャル層の抵抗率を求める方法は、前述の〔数
１〕にあるように、四探針で測定したエピタキシャル層
のシート抵抗Ｒと、ＦＴＩＲで求めたエピタキシャル層
の膜厚ｔと、定数ａの積である。四探針測定で経時変化
が起きたというのは、実際は、四探針法でシート抵抗が
ΔＲだけ増加したために、抵抗率がΔρだけ上昇したこ
とを表現しているのである。すなわち、実測抵抗率ρ＋
Δρは、下記〔数２〕で求めることができる。
【００１１】
【数２】ρ＋Δρ＝ａ（Ｒ＋ΔＲ）ｔ
【００１２】エピタキシャル成長工程終了後のシリコン
基板サンプルは加熱されておらず冶金学的に変化してい
ないので、〔数２〕においてエピタキシャル層の膜厚ｔ
は一定と考えられる。一方、物理的ドープ量で決定され
る真の抵抗率ρは経時変化せず一定である。従って、電
気的な観点からは、ρが一定となるように〔数２〕にお
いて増加分ΔＲだけエピタキシャル層の膜厚がΔｔだけ
減少したと考えるべきである。すなわち、ρは下記〔数
３〕で求めることができる。
基板サンプルは加熱されておらず冶金学的に変化してい
ないので、〔数２〕においてエピタキシャル層の膜厚ｔ
は一定と考えられる。一方、物理的ドープ量で決定され
る真の抵抗率ρは経時変化せず一定である。従って、電
気的な観点からは、ρが一定となるように〔数２〕にお
いて増加分ΔＲだけエピタキシャル層の膜厚がΔｔだけ
減少したと考えるべきである。すなわち、ρは下記〔数
３〕で求めることができる。
【００１３】
【数３】ρ＝ａ（Ｒ＋ΔＲ）（ｔ−Δｔ）
【００１４】この減少分Δｔは、冶金学的でなく電気的
に誘起されものであり、具体的には図９に示すように電
気が通らない層である空乏層６がシリコン基板（シリコ
ンウエーハ）表面に形成されたものと考えられる（Δｔ
は、空乏層の広がりを示す）。
に誘起されものであり、具体的には図９に示すように電
気が通らない層である空乏層６がシリコン基板（シリコ
ンウエーハ）表面に形成されたものと考えられる（Δｔ
は、空乏層の広がりを示す）。
【００１５】上記経時変化がｐ型シリコンには見られず
ｎ型にのみ発生することから、空乏層６が形成されるの
はシリコン表面に形成されている自然酸化膜中に負電荷
が現れるためであると推定され、事実これを裏付ける実
験結果も得られている。
ｎ型にのみ発生することから、空乏層６が形成されるの
はシリコン表面に形成されている自然酸化膜中に負電荷
が現れるためであると推定され、事実これを裏付ける実
験結果も得られている。
【００１６】さて、〔数１〕，〔数２〕，〔数３〕より Δρ＝ａ（Ｒ＋ΔＲ）Δｔ＝ａΔＲｔ よって、 Δｔ＝［ΔＲ／（Ｒ＋ΔＲ）］ｔ となる。また、Δｔを誘起する自然酸化膜中の負電荷量
Ｎｓ（／ｃｍ2 ）は、電荷中性条件によりＮｓ＝Δｔ
・Ｎｐ（Ｎｐ：エピタキシャル層のドーパント量）とな
る。
Ｎｓ（／ｃｍ2 ）は、電荷中性条件によりＮｓ＝Δｔ
・Ｎｐ（Ｎｐ：エピタキシャル層のドーパント量）とな
る。
【００１７】以上のように、ｎ型シリコンに抵抗率の経
時変化が起きるのは、エピタキシャル層表面に成長する
自然酸化膜中に存在する負電荷が時間と共に増加し、こ
れに伴ってエピタキシャル層表面に空乏層が形成される
ため、電気的な実効エピタキシャル層の膜厚がΔｔだけ
減少することに起因するものと考えられる。
時変化が起きるのは、エピタキシャル層表面に成長する
自然酸化膜中に存在する負電荷が時間と共に増加し、こ
れに伴ってエピタキシャル層表面に空乏層が形成される
ため、電気的な実効エピタキシャル層の膜厚がΔｔだけ
減少することに起因するものと考えられる。
【００１８】本発明は、このような考察に基づくもので
あって、その骨子は、経時変化の原因である自然酸化膜
のない試料を調製することにより、直接的に真の抵抗率
を測定するか、または、経時変化のない安定な自然酸化
膜を意図的に形成して抵抗率を測定することにより、間
接的に真の抵抗率を測定する点にある。
あって、その骨子は、経時変化の原因である自然酸化膜
のない試料を調製することにより、直接的に真の抵抗率
を測定するか、または、経時変化のない安定な自然酸化
膜を意図的に形成して抵抗率を測定することにより、間
接的に真の抵抗率を測定する点にある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のｎ型シ
リコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法は、シリコン
基板上に成長させたｎ型エピタキシャル層の抵抗率を測
定する方法において、ｎ型エピタキシャル層の表面を水
素終端させた後、該水素終端状態に維持して四探針法に
よりシート抵抗を測定することを特徴とする。
リコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法は、シリコン
基板上に成長させたｎ型エピタキシャル層の抵抗率を測
定する方法において、ｎ型エピタキシャル層の表面を水
素終端させた後、該水素終端状態に維持して四探針法に
よりシート抵抗を測定することを特徴とする。
【００２０】請求項２に記載のｎ型シリコンエピタキシ
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項１において、シリコ
ン基板上にｎ型エピタキシャル層を成長させた後、エピ
タキシャル装置内を水素置換してシリコン基板を４００
℃以下に冷却することにより前記水素終端処理を行い、
次いでエピタキシャル装置内を不活性ガス置換すると共
にシリコン基板を常温に冷却してエピタキシャル装置か
ら取り出し、四探針法によりシート抵抗を測定すること
を特徴とする。
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項１において、シリコ
ン基板上にｎ型エピタキシャル層を成長させた後、エピ
タキシャル装置内を水素置換してシリコン基板を４００
℃以下に冷却することにより前記水素終端処理を行い、
次いでエピタキシャル装置内を不活性ガス置換すると共
にシリコン基板を常温に冷却してエピタキシャル装置か
ら取り出し、四探針法によりシート抵抗を測定すること
を特徴とする。
【００２１】請求項３に記載のｎ型シリコンエピタキシ
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項１において、シリコ
ン基板上に成長させたｎ型エピタキシャル層の抵抗率を
測定する方法において、シリコン基板を希フッ酸水溶液
に接触させることにより、ｎ型エピタキシャル層表面に
成長した自然酸化膜を除去すると共に前記水素終端処理
を行い、純水によるリンス、乾燥後、四探針法によりシ
ート抵抗を測定することを特徴とする。
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項１において、シリコ
ン基板上に成長させたｎ型エピタキシャル層の抵抗率を
測定する方法において、シリコン基板を希フッ酸水溶液
に接触させることにより、ｎ型エピタキシャル層表面に
成長した自然酸化膜を除去すると共に前記水素終端処理
を行い、純水によるリンス、乾燥後、四探針法によりシ
ート抵抗を測定することを特徴とする。
【００２２】請求項４に記載のｎ型シリコンエピタキシ
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項１，２または３にお
いて、四探針法により測定したシート抵抗と、ＦＴＩＲ
法またはＳＲ（ Spreading Resistance ：広がり抵抗）
法により測定したｎ型エピタキシャル層の膜厚と、定数
（π／ｌｎ２）との積を抵抗率とすることを特徴とす
る。
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項１，２または３にお
いて、四探針法により測定したシート抵抗と、ＦＴＩＲ
法またはＳＲ（ Spreading Resistance ：広がり抵抗）
法により測定したｎ型エピタキシャル層の膜厚と、定数
（π／ｌｎ２）との積を抵抗率とすることを特徴とす
る。
【００２３】請求項５に記載のｎ型シリコンエピタキシ
ャル層の抵抗率測定方法は、シリコン基板上に成長させ
たｎ型エピタキシャル層の抵抗率を測定する方法におい
て、種々の抵抗率を有するｎ型エピタキシャル層につい
て予め抵抗率の経時変化を求めておき、抵抗率測定対象
のシリコン基板のｎ型エピタキシャル層表面を薬液処理
して該表面に安定な酸化膜を形成し、純水によるリン
ス、乾燥後、四探針法によりシート抵抗を測定して経時
変化完了後の抵抗率を求め、該抵抗値と前記抵抗率の変
化率とから真の抵抗率を求めることを特徴とする。
ャル層の抵抗率測定方法は、シリコン基板上に成長させ
たｎ型エピタキシャル層の抵抗率を測定する方法におい
て、種々の抵抗率を有するｎ型エピタキシャル層につい
て予め抵抗率の経時変化を求めておき、抵抗率測定対象
のシリコン基板のｎ型エピタキシャル層表面を薬液処理
して該表面に安定な酸化膜を形成し、純水によるリン
ス、乾燥後、四探針法によりシート抵抗を測定して経時
変化完了後の抵抗率を求め、該抵抗値と前記抵抗率の変
化率とから真の抵抗率を求めることを特徴とする。
【００２４】請求項６に記載のｎ型シリコンエピタキシ
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項５において、前記薬
液処理用の薬液として、アンモニア、過酸化水素および
水よりなる混合液、または塩酸、過酸化水素および水よ
りなる混合液または過酸化水素水または純水を用いるこ
とを特徴とする。
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項５において、前記薬
液処理用の薬液として、アンモニア、過酸化水素および
水よりなる混合液、または塩酸、過酸化水素および水よ
りなる混合液または過酸化水素水または純水を用いるこ
とを特徴とする。
【００２５】請求項７に記載のｎ型シリコンエピタキシ
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項５または６におい
て、四探針法により測定したシート抵抗と、ＦＴＩＲ法
またはＳＲ法により測定したｎ型エピタキシャル層の膜
厚と、定数（π／ｌｎ２）との積を経時変化完了後の抵
抗率とすることを特徴とする。
ャル層の抵抗率測定方法は、請求項５または６におい
て、四探針法により測定したシート抵抗と、ＦＴＩＲ法
またはＳＲ法により測定したｎ型エピタキシャル層の膜
厚と、定数（π／ｌｎ２）との積を経時変化完了後の抵
抗率とすることを特徴とする。
【００２６】
【作用】請求項１に記載の抵抗率測定方法においては、
ｎ型エピタキシャル層の表面を水素終端させた状態に維
持してシート抵抗を測定するので、真の抵抗率を正確に
測定することができる。
ｎ型エピタキシャル層の表面を水素終端させた状態に維
持してシート抵抗を測定するので、真の抵抗率を正確に
測定することができる。
【００２７】請求項２に記載の抵抗率測定方法において
水素終端処理したシリコン基板表面では、通常の温湿度
条件下に保管した場合でも、自然酸化膜の形成速度は非
常に緩慢であり長時間、水素終端された状態に維持され
る。このため、エピタキシャル装置から取り出したシリ
コン基板は、必ずしも低湿度条件下に保管する必要はな
く、通常の温湿度雰囲気下で遅滞なくシート抵抗を測定
すればよく、真の抵抗率を正確に測定することができ
る。
水素終端処理したシリコン基板表面では、通常の温湿度
条件下に保管した場合でも、自然酸化膜の形成速度は非
常に緩慢であり長時間、水素終端された状態に維持され
る。このため、エピタキシャル装置から取り出したシリ
コン基板は、必ずしも低湿度条件下に保管する必要はな
く、通常の温湿度雰囲気下で遅滞なくシート抵抗を測定
すればよく、真の抵抗率を正確に測定することができ
る。
【００２８】請求項３に記載の抵抗率測定方法において
水素終端処理したシリコン基板表面では、自然酸化膜の
形成速度が、請求項２の方法による水素終端処理の場合
に比べて若干速いが、試料を所定温湿度の雰囲気下に保
管することにより、ｎ型エピタキシャル層の表面が水素
終端された状態に維持されるので、真の抵抗率を正確に
測定することができる。また、前記保管しない場合は、
自然酸化膜が形成されないうちに測定するので、真の抵
抗率を正確に測定することができる。
水素終端処理したシリコン基板表面では、自然酸化膜の
形成速度が、請求項２の方法による水素終端処理の場合
に比べて若干速いが、試料を所定温湿度の雰囲気下に保
管することにより、ｎ型エピタキシャル層の表面が水素
終端された状態に維持されるので、真の抵抗率を正確に
測定することができる。また、前記保管しない場合は、
自然酸化膜が形成されないうちに測定するので、真の抵
抗率を正確に測定することができる。
【００２９】請求項５に記載の抵抗率測定方法において
は、新たに測定して得られた経時変化完了後の抵抗率
と、あらかじめ求められた抵抗率の変化率との積を算出
することにより、簡単に真の抵抗率を求めることができ
る。
は、新たに測定して得られた経時変化完了後の抵抗率
と、あらかじめ求められた抵抗率の変化率との積を算出
することにより、簡単に真の抵抗率を求めることができ
る。
【００３０】請求項６に記載の抵抗率測定方法において
は、薬液としてアンモニア、過酸化水素および水よりな
る混合液（以下アンモニア過水という）または、塩酸、
過酸化水素および水よりなる混合液（以下塩酸過水とい
う）または過酸化水素水または純水を使用することで簡
便に、ｎ型エピタキシャル層表面に安定な酸化膜を形成
することができ、該酸化膜の存在により抵抗率の経時変
化が防止される。また、該酸化膜のついたウエーハの抵
抗率値は、経時変化収束値に一致する。
は、薬液としてアンモニア、過酸化水素および水よりな
る混合液（以下アンモニア過水という）または、塩酸、
過酸化水素および水よりなる混合液（以下塩酸過水とい
う）または過酸化水素水または純水を使用することで簡
便に、ｎ型エピタキシャル層表面に安定な酸化膜を形成
することができ、該酸化膜の存在により抵抗率の経時変
化が防止される。また、該酸化膜のついたウエーハの抵
抗率値は、経時変化収束値に一致する。
【００３１】
【実施例】次に、実施例および比較例を挙げて本発明を
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
【００３２】つぎに、本発明の実施例について、従来法
と比較しながら説明する。 実施例１ 目標抵抗率が３０Ωｃｍのｎ型、＜１１１＞のエピタキ
シャル層を膜厚１５μｍで成長させたシリコンウエーハ
の複数枚を試料として使用し、これらを温度がほぼ一定
（常温）で、湿度が異なる雰囲気下（相対湿度が５０
％、６０％および９５％）に同一時間放置した後、四探
針測定装置により従来と同一の要領でシート抵抗を測定
した。一方、エピタキシャル層の膜厚はＳＲにより測定
した（実験１）。また、抵抗率がある一定値に収束（経
時変化完了）したシリコンウエーハの複数枚を用意し、
濃度５重量％以下の希フッ酸（ＨＦの水溶液）に１分間
浸漬し、純水によるリンスおよび常温乾燥を行った後、
温度がほぼ一定（常温）で、湿度が異なる雰囲気下（相
対湿度５０％、６０％および９５％）に同一時間放置し
た後、それぞれ上記と同じ方法により抵抗率を測定し、
放置時間による抵抗率の変化状況を調べた。また、抵抗
率はＣ−Ｖ法（ショットキー法）によっても測定した
（実験２）。
と比較しながら説明する。 実施例１ 目標抵抗率が３０Ωｃｍのｎ型、＜１１１＞のエピタキ
シャル層を膜厚１５μｍで成長させたシリコンウエーハ
の複数枚を試料として使用し、これらを温度がほぼ一定
（常温）で、湿度が異なる雰囲気下（相対湿度が５０
％、６０％および９５％）に同一時間放置した後、四探
針測定装置により従来と同一の要領でシート抵抗を測定
した。一方、エピタキシャル層の膜厚はＳＲにより測定
した（実験１）。また、抵抗率がある一定値に収束（経
時変化完了）したシリコンウエーハの複数枚を用意し、
濃度５重量％以下の希フッ酸（ＨＦの水溶液）に１分間
浸漬し、純水によるリンスおよび常温乾燥を行った後、
温度がほぼ一定（常温）で、湿度が異なる雰囲気下（相
対湿度５０％、６０％および９５％）に同一時間放置し
た後、それぞれ上記と同じ方法により抵抗率を測定し、
放置時間による抵抗率の変化状況を調べた。また、抵抗
率はＣ−Ｖ法（ショットキー法）によっても測定した
（実験２）。
【００３３】実施例２ 気相反応を利用するエピタキシャル装置にｐ型シリコン
ウエーハをセットし常用の温度で、目標抵抗率が３０Ω
ｃｍのｎ型、＜１１１＞のエピタキシャル層を膜厚１５
μｍで成長させた後、炉内に水素を流したままで炉内温
度を約２００℃に冷却した。次いで、炉内を窒素置換し
て常温に冷却し、シリコンウエーハを取り出し、速やか
にシート抵抗を測定した。次に実施例１と同様に、温度
がほぼ一定（常温）で、湿度が異なる雰囲気下（相対湿
度５０％、６０％および９５％）に同一時間放置した
後、シート抵抗を測定した。
ウエーハをセットし常用の温度で、目標抵抗率が３０Ω
ｃｍのｎ型、＜１１１＞のエピタキシャル層を膜厚１５
μｍで成長させた後、炉内に水素を流したままで炉内温
度を約２００℃に冷却した。次いで、炉内を窒素置換し
て常温に冷却し、シリコンウエーハを取り出し、速やか
にシート抵抗を測定した。次に実施例１と同様に、温度
がほぼ一定（常温）で、湿度が異なる雰囲気下（相対湿
度５０％、６０％および９５％）に同一時間放置した
後、シート抵抗を測定した。
【００３４】実施例３ 従来法で得られた、抵抗率の経時変化が進み、ほぼ一定
値に収束したシリコンウエーハを実施例１と同様にして
ＨＦ処理により水素終端した後、アンモニア、過酸化
水素及び水よりなる混合液（アンモニア過水）、塩
酸、過酸化水素及び水よりなる混合液（塩酸過水）、
過酸化水素水、純水にそれぞれ別別に浸漬して強制的
に自然酸化膜を形成し、純水によるリンス（〜の場
合）および常温乾燥を行った後、実施例１と同じ要領で
エピタキシャル層のシート抵抗を、ＳＲによりエピタキ
シャル層の膜厚をそれぞれ測定した。
値に収束したシリコンウエーハを実施例１と同様にして
ＨＦ処理により水素終端した後、アンモニア、過酸化
水素及び水よりなる混合液（アンモニア過水）、塩
酸、過酸化水素及び水よりなる混合液（塩酸過水）、
過酸化水素水、純水にそれぞれ別別に浸漬して強制的
に自然酸化膜を形成し、純水によるリンス（〜の場
合）および常温乾燥を行った後、実施例１と同じ要領で
エピタキシャル層のシート抵抗を、ＳＲによりエピタキ
シャル層の膜厚をそれぞれ測定した。
【００３５】実施例４ ｐ型シリコンウエーハの鏡面研磨面上に通常の方法によ
り、目標抵抗率が約１．５、約３．５、約１０および約
２５Ωｃｍのｎ型、＜１１１＞のエピタキシャル層を成
長させたシリコンウエーハを作製して試料とし、シート
抵抗とエピタキシャル層の膜厚を測定した。すなわち、
エピタキシャル成長後、直ちにまたは、ＨＦ処理を行っ
たのち直ちに四探針法によりシート抵抗を測定すると共
に、これらの試料について実施例３と同様にしてエピタ
キシャル層表面に自然酸化膜を形成した後、実施例１と
同じ要領でエピタキシャル層のシート抵抗を、ＳＲによ
りエピタキシャル層の膜厚をそれぞれ測定した。このよ
うにして得られた経時変化開始前のシート抵抗（真の抵
抗率）と、経時変化完了後（アンモニア過水処理後）の
シート抵抗と、エピタキシャル層の膜厚とから経時変化
開始前の抵抗率および経時変化完了後の抵抗率を求め、
下記〔数４〕から空乏層の広がりΔｔを算出した。
り、目標抵抗率が約１．５、約３．５、約１０および約
２５Ωｃｍのｎ型、＜１１１＞のエピタキシャル層を成
長させたシリコンウエーハを作製して試料とし、シート
抵抗とエピタキシャル層の膜厚を測定した。すなわち、
エピタキシャル成長後、直ちにまたは、ＨＦ処理を行っ
たのち直ちに四探針法によりシート抵抗を測定すると共
に、これらの試料について実施例３と同様にしてエピタ
キシャル層表面に自然酸化膜を形成した後、実施例１と
同じ要領でエピタキシャル層のシート抵抗を、ＳＲによ
りエピタキシャル層の膜厚をそれぞれ測定した。このよ
うにして得られた経時変化開始前のシート抵抗（真の抵
抗率）と、経時変化完了後（アンモニア過水処理後）の
シート抵抗と、エピタキシャル層の膜厚とから経時変化
開始前の抵抗率および経時変化完了後の抵抗率を求め、
下記〔数４〕から空乏層の広がりΔｔを算出した。
【００３６】
【数４】ρ＝［（ｔ−Δｔ）／ｔ］・（ρＮＨ4 ＯＨ）
【００３７】 ρ：経時変化開始前のエピタキシャル層の抵抗率 Δｔ：空乏層の広がり ρＮＨ4 ＯＨ：経時変化完了後のエピタキシャル層の抵
抗率
抗率
【００３８】ここで上記〔数４〕の導入要領について説
明すると、前記式〔数２〕，〔数３〕の辺々を割れば、
下記〔数５〕が得られる。
明すると、前記式〔数２〕，〔数３〕の辺々を割れば、
下記〔数５〕が得られる。
【００３９】
【数５】（ρ＋Δρ）／ρ＝ｔ／（ｔ−Δｔ）
【００４０】この式をΔｔについて解くと、〔数６〕が
得られる。
得られる。
【００４１】
【数６】Δｔ＝［Δρ／（Δρ＋ρ）］ｔ
【００４２】Δρは、経時変化による抵抗率の増大分す
なわち、ρＮＨ4 ＯＨ−ρであるから、〔数６〕より、
下記〔数７〕が得られる。
なわち、ρＮＨ4 ＯＨ−ρであるから、〔数６〕より、
下記〔数７〕が得られる。
【００４３】
【数７】 Δｔ＝［（ρＮＨ4 ＯＨ−ρ）／ρＮＨ4 ＯＨ］ｔ
【００４４】この式をρについて解けば〔数４〕が得ら
れる。また、〔数４〕をρについて解けば、〔数８〕が
得られる。
れる。また、〔数４〕をρについて解けば、〔数８〕が
得られる。
【００４５】
【数８】ρ＝［（ｔ−Δｔ）／ｔ］ρＮＨ4 ＯＨ
【００４６】ここで、（ｔ−Δｔ）／ｔをα（換算係
数）で表せば、〔数９〕が得られる。
数）で表せば、〔数９〕が得られる。
【００４７】
【数９】ρ＝α・ρＮＨ4 ＯＨ
【００４８】したがって、〔数８〕から、あらかじめ実
測によりρＮＨ4 ＯＨとΔｔとの関係を求めておけば、
別の試料のρについては、実測により得られたρＮＨ4
ＯＨに基づいてΔｔを求め、これと実測して得たｔとか
らαを求め、このαとρＮＨ4 ＯＨの実測値との積を算
出することで、真の抵抗率ρを求めることができる。
測によりρＮＨ4 ＯＨとΔｔとの関係を求めておけば、
別の試料のρについては、実測により得られたρＮＨ4
ＯＨに基づいてΔｔを求め、これと実測して得たｔとか
らαを求め、このαとρＮＨ4 ＯＨの実測値との積を算
出することで、真の抵抗率ρを求めることができる。
【００４９】つぎに、上記実施例の結果について説明す
る。 実施例１：実験１の結果については、試料保管雰囲気の
相対湿度が高いほど抵抗率および、その経時変化が大き
くなる傾向が見られた（図示せず）。実験２の結果につ
いては、相対湿度５０％の雰囲気下では抵抗率の経時変
化は見られず、図１に示すように、Ｃ−Ｖ法による測定
値とほぼ一致した。このＣ−Ｖ法ではｎ型エピタキシャ
ル層の抵抗率の経時変化が見られないことを考慮する
と、実験２の方法によればエピタキシャル層の真の抵抗
率が測定できることがわかる。また、比較的高湿度の雰
囲気、例えば湿度６０％の場合の経時変化は図２の曲線
ｌａとなり、エピタキシャル成長後の試料をそのまま通
常の温湿度の雰囲気に放置した場合の曲線ｌｂに近い結
果が得られた。なお、従来法で用いたものと同一のシリ
コンウエーハを使用して実験２と同様の実験を行った結
果、試料を相対湿度５０％以下の雰囲気下に放置した場
合の抵抗率は、図３の曲線ｌｃに示すとおりエピタキシ
ャル層の膜厚に関係なくほぼ一定値となった。
る。 実施例１：実験１の結果については、試料保管雰囲気の
相対湿度が高いほど抵抗率および、その経時変化が大き
くなる傾向が見られた（図示せず）。実験２の結果につ
いては、相対湿度５０％の雰囲気下では抵抗率の経時変
化は見られず、図１に示すように、Ｃ−Ｖ法による測定
値とほぼ一致した。このＣ−Ｖ法ではｎ型エピタキシャ
ル層の抵抗率の経時変化が見られないことを考慮する
と、実験２の方法によればエピタキシャル層の真の抵抗
率が測定できることがわかる。また、比較的高湿度の雰
囲気、例えば湿度６０％の場合の経時変化は図２の曲線
ｌａとなり、エピタキシャル成長後の試料をそのまま通
常の温湿度の雰囲気に放置した場合の曲線ｌｂに近い結
果が得られた。なお、従来法で用いたものと同一のシリ
コンウエーハを使用して実験２と同様の実験を行った結
果、試料を相対湿度５０％以下の雰囲気下に放置した場
合の抵抗率は、図３の曲線ｌｃに示すとおりエピタキシ
ャル層の膜厚に関係なくほぼ一定値となった。
【００５０】実施例２：相対湿度５０％の雰囲気下では
抵抗率の経時変化は見られず、エピタキシャル層成長後
の抵抗率と同じでＣ−Ｖ法による測定値ともほぼ一致し
た。また、相対湿度６０％および９５％の雰囲気下では
前記実施例１と比較して遅いが経時変化が見られた。
抵抗率の経時変化は見られず、エピタキシャル層成長後
の抵抗率と同じでＣ−Ｖ法による測定値ともほぼ一致し
た。また、相対湿度６０％および９５％の雰囲気下では
前記実施例１と比較して遅いが経時変化が見られた。
【００５１】実施例３：アンモニア過水を用いた場合の
抵抗率は図４の曲線ｌｄのようになった。また、従来法
における収束後の抵抗率は曲線ｌｅのとおりとなった。
この図から、前記収束後の抵抗率と実施例３における抵
抗率は略一致し、アンモニア過水処理により、ｎ型エピ
タキシャル層の抵抗率（シート抵抗）の経時変化を完了
させた状態にできることがわかる。また、図５に曲線ｌ
ｆとして記したとおり、実施例３によりアンモニア過水
処理した試料では、これを常温・９５％ＲＨの雰囲気下
に放置した場合でも抵抗率の経時変化は認められなかっ
た。さらに、塩酸過水を用いた場合にはアンモニア過水
の場合と同様な結果が得られ、過酸化水素水または純水
を用いたのものでは、酸化膜形成速度はアンモニア過水
に比べて遅いものの、浸漬時間を長くすることで安定な
酸化膜を形成することができた。
抵抗率は図４の曲線ｌｄのようになった。また、従来法
における収束後の抵抗率は曲線ｌｅのとおりとなった。
この図から、前記収束後の抵抗率と実施例３における抵
抗率は略一致し、アンモニア過水処理により、ｎ型エピ
タキシャル層の抵抗率（シート抵抗）の経時変化を完了
させた状態にできることがわかる。また、図５に曲線ｌ
ｆとして記したとおり、実施例３によりアンモニア過水
処理した試料では、これを常温・９５％ＲＨの雰囲気下
に放置した場合でも抵抗率の経時変化は認められなかっ
た。さらに、塩酸過水を用いた場合にはアンモニア過水
の場合と同様な結果が得られ、過酸化水素水または純水
を用いたのものでは、酸化膜形成速度はアンモニア過水
に比べて遅いものの、浸漬時間を長くすることで安定な
酸化膜を形成することができた。
【００５２】実施例４：図６に示すように、経時変化完
了後の抵抗率ρＮＨ4 ＯＨを横軸にとり、空乏層の広が
りΔｔを縦軸にとると、各試料のデータがほぼ１本の直
線上に乗ることがわかる。したがって、真の抵抗率ρが
未知の試料については、ｔとρＮＨ4 ＯＨを実測し、図
６からρＮＨ4 ＯＨを基にしてΔｔを求め、次いでｔと
Δｔとから前記αを算出し、これとρＮＨ4 ＯＨとの積
を求めることにより（〔数９〕を参照）、抵抗率ρを求
めることができる。図６を用いるαの算出方法を改良し
たものが図７であり、この図は、あらかじめρＮＨ4 Ｏ
Ｈ、ｔが異なる種々の試料について図６と同様のデータ
を求め、ρＮＨ4 ＯＨとｔで決まるαをグラフ化したも
のである。この図７によれば、横軸上にρＮＨ4 ＯＨを
拾って横軸に垂線を引き、同様に縦軸上にｔを拾って縦
軸に垂線を引いて、これら垂線同士の交点を求め、この
交点が複数のα表示線（換算係数表示線）のうち例えば
表示線０．８上にあれば、αは０．８と求めることがで
きる。また、実施例４および従来法の結果から、図６お
よび図８に示すように、抵抗率が収束したシリコンウエ
ーハにおける空乏層の広がりΔｔの値は、エピタキシャ
ル層の膜厚ｔには依存せず、抵抗率にのみ依存すること
が判明した。
了後の抵抗率ρＮＨ4 ＯＨを横軸にとり、空乏層の広が
りΔｔを縦軸にとると、各試料のデータがほぼ１本の直
線上に乗ることがわかる。したがって、真の抵抗率ρが
未知の試料については、ｔとρＮＨ4 ＯＨを実測し、図
６からρＮＨ4 ＯＨを基にしてΔｔを求め、次いでｔと
Δｔとから前記αを算出し、これとρＮＨ4 ＯＨとの積
を求めることにより（〔数９〕を参照）、抵抗率ρを求
めることができる。図６を用いるαの算出方法を改良し
たものが図７であり、この図は、あらかじめρＮＨ4 Ｏ
Ｈ、ｔが異なる種々の試料について図６と同様のデータ
を求め、ρＮＨ4 ＯＨとｔで決まるαをグラフ化したも
のである。この図７によれば、横軸上にρＮＨ4 ＯＨを
拾って横軸に垂線を引き、同様に縦軸上にｔを拾って縦
軸に垂線を引いて、これら垂線同士の交点を求め、この
交点が複数のα表示線（換算係数表示線）のうち例えば
表示線０．８上にあれば、αは０．８と求めることがで
きる。また、実施例４および従来法の結果から、図６お
よび図８に示すように、抵抗率が収束したシリコンウエ
ーハにおける空乏層の広がりΔｔの値は、エピタキシャ
ル層の膜厚ｔには依存せず、抵抗率にのみ依存すること
が判明した。
【００５３】
【発明の効果】以上の説明で明らかように、請求項１に
記載の抵抗率測定方法では、ｎ型エピタキシャル層の表
面を水素終端させた後、該水素終端状態に維持して四探
針法によりシート抵抗を測定することにより、確実にｎ
型エピタキシャル層の真の抵抗率を測定することができ
る。従って、シリコンウエーハの品質保証が容易とな
り、製造工程管理を的確に行うことができる効果があ
る。請求項２，３に記載の抵抗率測定方法によれば、簡
便な操作で試料のｎ型エピタキシャル層表面の水素終端
処理および、水素終端状態の維持を行うことができ、確
実に真の抵抗率を測定することができる。また、請求項
３に記載の方法において試料を所定の温湿度雰囲気下に
保管しない場合は、自然酸化膜が形成されないうちに測
定するので、真の正確に抵抗率を測定することができ
る。請求項５に記載の抵抗率測定方法によれば、新たに
測定して得られた経時変化完了後の抵抗率と、あらかじ
め求められた抵抗率の変化率との積を算出することによ
り、簡単に真の抵抗率を求めることができる。請求項６
に記載の抵抗率測定方法によれば、薬液としてアンモニ
ア過水等を使用することで簡便に、ｎ型エピタキシャル
層表面に安定な酸化膜を形成することができ、該酸化膜
の存在により抵抗率の経時変化が防止されるので、請求
項５の測定方法を有効に生かすことができる効果があ
る。
記載の抵抗率測定方法では、ｎ型エピタキシャル層の表
面を水素終端させた後、該水素終端状態に維持して四探
針法によりシート抵抗を測定することにより、確実にｎ
型エピタキシャル層の真の抵抗率を測定することができ
る。従って、シリコンウエーハの品質保証が容易とな
り、製造工程管理を的確に行うことができる効果があ
る。請求項２，３に記載の抵抗率測定方法によれば、簡
便な操作で試料のｎ型エピタキシャル層表面の水素終端
処理および、水素終端状態の維持を行うことができ、確
実に真の抵抗率を測定することができる。また、請求項
３に記載の方法において試料を所定の温湿度雰囲気下に
保管しない場合は、自然酸化膜が形成されないうちに測
定するので、真の正確に抵抗率を測定することができ
る。請求項５に記載の抵抗率測定方法によれば、新たに
測定して得られた経時変化完了後の抵抗率と、あらかじ
め求められた抵抗率の変化率との積を算出することによ
り、簡単に真の抵抗率を求めることができる。請求項６
に記載の抵抗率測定方法によれば、薬液としてアンモニ
ア過水等を使用することで簡便に、ｎ型エピタキシャル
層表面に安定な酸化膜を形成することができ、該酸化膜
の存在により抵抗率の経時変化が防止されるので、請求
項５の測定方法を有効に生かすことができる効果があ
る。
【図１】実施例１の結果を示すグラフである。
【図２】従来法、実施例１の結果を示すグラフである。
【図３】実施例１の結果を示すグラフである。
【図４】従来法、実施例３の結果を示すグラフである。
【図５】実施例３の結果を示すグラフである。
【図６】実施例４の結果を示すグラフである。
【図７】経時変化完了後の抵抗率と、エピタキシャル層
の膜厚から真の抵抗率を求めるための線図である。
の膜厚から真の抵抗率を求めるための線図である。
【図８】従来法および実施例４の結果を示すグラフであ
る。
る。
【図９】従来法の結果に係るもので、ｎ型エピタキシャ
ル層の抵抗率測定値の経時変化を示すグラフである。
ル層の抵抗率測定値の経時変化を示すグラフである。
【図１０】四探針法によるシート抵抗の測定要領説明図
である。
である。
【図１１】ｎエピタキシャル層の表面に形成された空乏
層の説明図である。
層の説明図である。
１〜４ 探針 ５ ｐ−ｎ接合 ６ 空乏層 ｔ エピタキシャル層の膜厚 Δｔ 空乏層の広がり
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 川端 修 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66
Claims (7)
- 【請求項１】 シリコン基板上に成長させたｎ型エピタ
キシャル層の抵抗率を測定する方法において、ｎ型エピ
タキシャル層の表面を水素終端させた後、該水素終端状
態に維持して四探針法によりシート抵抗を測定すること
を特徴とするｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測
定方法。 - 【請求項２】 シリコン基板上にｎ型エピタキシャル層
を成長させた後、エピタキシャル装置内を水素置換して
シリコン基板を４００℃以下に冷却することにより前記
水素終端処理を行い、次いでエピタキシャル装置内を不
活性ガス置換すると共にシリコン基板を常温に冷却して
エピタキシャル装置から取り出し、四探針法によりシー
ト抵抗を測定することを特徴とする請求項１に記載のｎ
型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法。 - 【請求項３】 シリコン基板上に成長させたｎ型エピタ
キシャル層の抵抗率を測定する方法において、シリコン
基板を希フッ酸水溶液に接触させることにより、ｎ型エ
ピタキシャル層表面に成長した自然酸化膜を除去すると
共に前記水素終端処理を行い、純水によるリンス、乾燥
後、四探針法によりシート抵抗を測定することを特徴と
する請求項１に記載のｎ型シリコンエピタキシャル層の
抵抗率測定方法。 - 【請求項４】 四探針法により測定したシート抵抗と、
ＦＴＩＲ法またはＳＲ法により測定したｎ型エピタキシ
ャル層の膜厚と、定数（π／ｌｎ２）との積を抵抗率の
測定値とすることを特徴とする請求項１，２または３に
記載のｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方
法。 - 【請求項５】 シリコン基板上に成長させたｎ型エピタ
キシャル層の抵抗率を測定する方法において、種々の抵
抗率を有するｎ型エピタキシャル層について予め抵抗率
の経時変化を求めておき、抵抗率測定対象のシリコン基
板のｎ型エピタキシャル層表面を薬液処理して該表面に
安定な酸化膜を形成し、純水によるリンス、乾燥後、四
探針法によりシート抵抗を測定して経時変化完了後の抵
抗率を求め、該抵抗値と前記抵抗率の変化率とから真の
抵抗率を求めることを特徴とするｎ型シリコンエピタキ
シャル層の抵抗率測定方法。 - 【請求項６】 前記薬液処理用の薬液として、アンモニ
ア、過酸化水素および水よりなる混合液、または塩酸、
過酸化水素および水よりなる混合液または過酸化水素水
または純水を用いることを特徴とする請求項５に記載の
ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法。 - 【請求項７】 四探針法により測定したシート抵抗と、
ＦＴＩＲ法またはＳＲ法により測定したｎ型エピタキシ
ャル層の膜厚と、定数（π／ｌｎ２）との積を経時変化
完了後の抵抗率の測定値とすることを特徴とする請求項
５または６に記載のｎ型シリコンエピタキシャル層の抵
抗率測定方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199009A JP2953263B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法 |
| DE69421014T DE69421014T2 (de) | 1993-07-16 | 1994-07-12 | Widerstandsbestimmungsmethode von N-Typ-Siliziumepitaxieschichten |
| EP94305081A EP0634790B1 (en) | 1993-07-16 | 1994-07-12 | Method for determination of resistivity of N-Type silicon Epitaxial layer |
| EP98118294A EP0889514A1 (en) | 1993-07-16 | 1994-07-12 | Method for determination of resistivity of N-type silicon epitaxial layer |
| US08/275,540 US5578504A (en) | 1993-07-16 | 1994-07-15 | Method for determination of resistivity of N-type silicon epitaxial layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199009A JP2953263B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737953A JPH0737953A (ja) | 1995-02-07 |
| JP2953263B2 true JP2953263B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=16400596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5199009A Expired - Lifetime JP2953263B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5578504A (ja) |
| EP (2) | EP0889514A1 (ja) |
| JP (1) | JP2953263B2 (ja) |
| DE (1) | DE69421014T2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3039911B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2000-05-08 | 高砂熱学工業株式会社 | 基板表面の有機物汚染の評価装置および方法 |
| US5872017A (en) * | 1997-01-24 | 1999-02-16 | Seh America, Inc. | In-situ epitaxial passivation for resistivity measurement |
| JP3632364B2 (ja) * | 1997-03-26 | 2005-03-23 | 信越半導体株式会社 | ｐ型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法 |
| US6168961B1 (en) * | 1998-05-21 | 2001-01-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the preparation of epitaxial wafers for resistivity measurements |
| US6511921B1 (en) | 1999-01-12 | 2003-01-28 | Sumco Phoenix Corporation | Methods for reducing the reactivity of a semiconductor substrate surface and for evaluating electrical properties of a semiconductor substrate |
| US6528336B2 (en) * | 2000-05-23 | 2003-03-04 | Xerox Corporation | Method for fabrication of a silicon photosensor array on a wafer and testing the same |
| JP4600707B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2010-12-15 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコン基板の抵抗率測定方法、半導体シリコン基板の導電型判定方法、及び半導体シリコン基板の製造方法 |
| US6815959B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-11-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measuring properties of conductive layers |
| JP2003077854A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| KR100678468B1 (ko) * | 2005-01-14 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 인-시츄 세정방법 및 이를 채택하는 반도체소자의 제조방법 |
| WO2007032057A1 (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Tadahiro Ohmi | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP4973133B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2012-07-11 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の評価方法並びにエピタキシャル層の評価装置 |
| JP5744401B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2015-07-08 | カプレス・アクティーゼルスカブＣａｐｒｅｓ Ａ／Ｓ | 浅い半導体注入のシート抵抗およびリーク電流密度の測定方法 |
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