JP2946873B2 - セラミックパッケージ - Google Patents
セラミックパッケージInfo
- Publication number
- JP2946873B2 JP2946873B2 JP26807891A JP26807891A JP2946873B2 JP 2946873 B2 JP2946873 B2 JP 2946873B2 JP 26807891 A JP26807891 A JP 26807891A JP 26807891 A JP26807891 A JP 26807891A JP 2946873 B2 JP2946873 B2 JP 2946873B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stud
- plating layer
- lead base
- ceramic package
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックパッケージに
係わり、放熱フィンを取り付けるためにろう接されるス
タッドの側壁にろう材が這い上がることを防止してなる
セラミックパッケージに関する。
係わり、放熱フィンを取り付けるためにろう接されるス
タッドの側壁にろう材が這い上がることを防止してなる
セラミックパッケージに関する。
【０００２】近年、半導体素子を封止してなる半導体装
置の進展は目覚ましいが、この素子の高機能化や高密度
化の傾向がますます増しており、それに伴って素子から
の発熱も大きくなっている。
置の進展は目覚ましいが、この素子の高機能化や高密度
化の傾向がますます増しており、それに伴って素子から
の発熱も大きくなっている。
【０００３】こうした発熱の大きな半導体装置のパッケ
ージには、耐熱性がよく熱伝導性の優れたセラミックが
用いられる。そして、半導体素子から発した熱をパッケ
ージを介して外部に放熱のためにいろいろな手段が施さ
れている。
ージには、耐熱性がよく熱伝導性の優れたセラミックが
用いられる。そして、半導体素子から発した熱をパッケ
ージを介して外部に放熱のためにいろいろな手段が施さ
れている。
【０００４】そうした中で、放熱フィンはパッケージの
上に熱伝導性のよいひれ状の金属薄板を隙間を空けて重
積して放熱表面積を拡大したもので、液冷はもちろん空
冷によっても効率よく放熱させることができる。しか
し、セラミック製のパッケージと金属製の放熱フィンを
接合させるに際しては、熱伝導効率を落とさないように
するために一工夫が必要である。
上に熱伝導性のよいひれ状の金属薄板を隙間を空けて重
積して放熱表面積を拡大したもので、液冷はもちろん空
冷によっても効率よく放熱させることができる。しか
し、セラミック製のパッケージと金属製の放熱フィンを
接合させるに際しては、熱伝導効率を落とさないように
するために一工夫が必要である。
【０００５】
【従来の技術】半導体装置は、素子を保護したり実装や
取り扱いを容易にしたりするために、いろいろなパッケ
ージ形態で封止されている。簡単な封止にはポッティン
グなども用いられるが、樹脂モールドによって封止され
たプラスチックパッケージが最も一般的である。しか
し、高集積度で高機能な半導体装置の場合には、素子か
らの発熱が無視できなくなる。そこで、耐熱性がよく熱
伝導性に優れたセラミックパッケージが用いられる。
取り扱いを容易にしたりするために、いろいろなパッケ
ージ形態で封止されている。簡単な封止にはポッティン
グなども用いられるが、樹脂モールドによって封止され
たプラスチックパッケージが最も一般的である。しか
し、高集積度で高機能な半導体装置の場合には、素子か
らの発熱が無視できなくなる。そこで、耐熱性がよく熱
伝導性に優れたセラミックパッケージが用いられる。
【０００６】セラミックパッケージには、例えば、パッ
ケージの四方から水平方向にリードが突出しているＱＦ
Ｐ(quad flat package) とか、パッケージの下方に垂直
にリードが突出しているＰＧＡ(pin grid array)などの
パッケージ形態がよく用いられる。そして、リードベー
スと呼ばれるセラミックの基板に半導体素子のチップを
マウントして蓋を被せた構成になっており、セラミック
の熱伝導性の良さを活かして放熱させる。
ケージの四方から水平方向にリードが突出しているＱＦ
Ｐ(quad flat package) とか、パッケージの下方に垂直
にリードが突出しているＰＧＡ(pin grid array)などの
パッケージ形態がよく用いられる。そして、リードベー
スと呼ばれるセラミックの基板に半導体素子のチップを
マウントして蓋を被せた構成になっており、セラミック
の熱伝導性の良さを活かして放熱させる。
【０００７】ところが、チップの発熱がパッケージから
の自然放熱だけでは賄い切れなくなると、パッケージの
見かけの表面積を拡大して放熱能力を増大させるため
に、パッケージの上に放熱フィンが取り付けられる。
の自然放熱だけでは賄い切れなくなると、パッケージの
見かけの表面積を拡大して放熱能力を増大させるため
に、パッケージの上に放熱フィンが取り付けられる。
【０００８】図４は放熱フィン付き半導体装置の一例の
一部切欠き斜視図、図５は図４の要部の拡大断面図で、
図５（Ａ）は正常な接合状態、図５（Ｂ）は不具合な接
合状態である。図において、１はリードベース、1aはキ
ャビティ、1bは蓋、1cは放熱底板、1dはリード、２は放
熱フィン、2aは取付け孔、2bはフィン、３はスタッド、
４はめっき層、５はチップ、６はろう材、８は接着材、
10はパッケージである。
一部切欠き斜視図、図５は図４の要部の拡大断面図で、
図５（Ａ）は正常な接合状態、図５（Ｂ）は不具合な接
合状態である。図において、１はリードベース、1aはキ
ャビティ、1bは蓋、1cは放熱底板、1dはリード、２は放
熱フィン、2aは取付け孔、2bはフィン、３はスタッド、
４はめっき層、５はチップ、６はろう材、８は接着材、
10はパッケージである。
【０００９】図４において、こゝで例示したパッケージ
10はフェースダウン（キャビティダウン）形のＰＧＡで
あり、リードベース１はかつてはセラミック製であった
が、最近ではプラスチック製も開発されている。このリ
ードベース１の中央部にはキャビティ1aが設けられてい
る。また、キャビティ1aの回りには多数のリード1dが格
子状に植立してリードベース１の上面または下面から突
出している。そして、キャビティ1aの底部にはチップ５
がマウントされている。
10はフェースダウン（キャビティダウン）形のＰＧＡで
あり、リードベース１はかつてはセラミック製であった
が、最近ではプラスチック製も開発されている。このリ
ードベース１の中央部にはキャビティ1aが設けられてい
る。また、キャビティ1aの回りには多数のリード1dが格
子状に植立してリードベース１の上面または下面から突
出している。そして、キャビティ1aの底部にはチップ５
がマウントされている。
【００１０】ところで、マウントされたチップ５が、例
えば集積度が非常に高かったり高速動作させるために大
電流を流すとかして発熱が大きい場合には、プラスチッ
クパッケージにしろセラミックパッケージにしろ、パッ
ケージ10の放熱表面積を大きくして放熱効率を上げる必
要がある。そこで、マウントされたチップ５と背向する
リードベース１の上面に放熱フィン２が取り付けられ
る。
えば集積度が非常に高かったり高速動作させるために大
電流を流すとかして発熱が大きい場合には、プラスチッ
クパッケージにしろセラミックパッケージにしろ、パッ
ケージ10の放熱表面積を大きくして放熱効率を上げる必
要がある。そこで、マウントされたチップ５と背向する
リードベース１の上面に放熱フィン２が取り付けられ
る。
【００１１】この放熱フィン２は、例えばＡｌなどの熱
伝導性のよい金属の10〜30ｍｍφ程度の薄い円板からな
るフィン2bを３枚とか７枚とか適宜間隔を空けて積み上
げた構成になっており、主として強制空冷する装置に適
用される。
伝導性のよい金属の10〜30ｍｍφ程度の薄い円板からな
るフィン2bを３枚とか７枚とか適宜間隔を空けて積み上
げた構成になっており、主として強制空冷する装置に適
用される。
【００１２】図５（Ａ）において、放熱フィン２の接合
は、リードベース１の反りを補正するために、例えばＣ
ｕとＭｏのクラッド材などからなる放熱底板1cを、例え
ばＷなどでメタライズしたリードベース１にろう接し、
その放熱底板1cの上にスタッド(stud)３をろう接してぼ
たん状に突出させる。そして、そのスタッド３に放熱フ
ィン２の底部に設けられた取付け孔2aを嵌合し、熱硬化
性の接着材８で固着することによって行われる。
は、リードベース１の反りを補正するために、例えばＣ
ｕとＭｏのクラッド材などからなる放熱底板1cを、例え
ばＷなどでメタライズしたリードベース１にろう接し、
その放熱底板1cの上にスタッド(stud)３をろう接してぼ
たん状に突出させる。そして、そのスタッド３に放熱フ
ィン２の底部に設けられた取付け孔2aを嵌合し、熱硬化
性の接着材８で固着することによって行われる。
【００１３】ところで、放熱フィン２をリードベース１
に接合するためのスタッド３は、リードベース１がプラ
スチック製の場合には、リードベース１と一体成形して
設けることができる。ところが、リードベース１が積層
セラミック構成のセラミック製の場合には、リードベー
ス１にスタッド３を一体構成に設けることが困難であ
る。そこで、別個に作ったスタッド３をろう接によって
固着することが行われている。
に接合するためのスタッド３は、リードベース１がプラ
スチック製の場合には、リードベース１と一体成形して
設けることができる。ところが、リードベース１が積層
セラミック構成のセラミック製の場合には、リードベー
ス１にスタッド３を一体構成に設けることが困難であ
る。そこで、別個に作ったスタッド３をろう接によって
固着することが行われている。
【００１４】スタッド３をリードベース１固着するに
は、リードベース１の上にろう接した放熱底板1cを介し
てろう接するが、リードベース１の反りが無視できる場
合には、直にろう接することもある。
は、リードベース１の上にろう接した放熱底板1cを介し
てろう接するが、リードベース１の反りが無視できる場
合には、直にろう接することもある。
【００１５】スタッド３には通常Ｍｏ製が用いられ、こ
のＭｏ製のスタッド３はろう材６に濡れ難い。そこで、
ろう材６によく濡れるように、予め例えばＮｉめっきを
施してめっき層４を被着する。そして、銀ろうなどのろ
う材６を用いて放熱底板1cにろう接する。
のＭｏ製のスタッド３はろう材６に濡れ難い。そこで、
ろう材６によく濡れるように、予め例えばＮｉめっきを
施してめっき層４を被着する。そして、銀ろうなどのろ
う材６を用いて放熱底板1cにろう接する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このスタッド３のろう
接に際しては、放熱底板1cとの衝合面にろう材６が過不
足なく一様に濡れることが必要である。ところが、ろう
材６の量を予め調整することはなかなか厄介である。
接に際しては、放熱底板1cとの衝合面にろう材６が過不
足なく一様に濡れることが必要である。ところが、ろう
材６の量を予め調整することはなかなか厄介である。
【００１７】そのため、ろう材６が不足すると、ろう接
面に巣が空いて放熱底板1cとスタッド３との熱伝導特性
が阻害されたり、機械的な強度が不足してそのあと接合
した放熱フィン２が脱落してしまったりする。
面に巣が空いて放熱底板1cとスタッド３との熱伝導特性
が阻害されたり、機械的な強度が不足してそのあと接合
した放熱フィン２が脱落してしまったりする。
【００１８】それに対して、ろう材６を多めにすると、
図５（Ｂ）に示したように、ろう材６がスタッド３の側
壁に被着されためっき層４を濡らしながらに這い上が
る。ところが、スタッド３は、例えば、直径が２〜４ｍ
ｍφ程度、高さが１〜４ｍｍ程度の小さな形状である。
そのために、放熱フィン２に設けた取付け孔2aとの嵌合
性が悪くなり、嵌合できなくなってしまうことが間々起
こる。
図５（Ｂ）に示したように、ろう材６がスタッド３の側
壁に被着されためっき層４を濡らしながらに這い上が
る。ところが、スタッド３は、例えば、直径が２〜４ｍ
ｍφ程度、高さが１〜４ｍｍ程度の小さな形状である。
そのために、放熱フィン２に設けた取付け孔2aとの嵌合
性が悪くなり、嵌合できなくなってしまうことが間々起
こる。
【００１９】そこで本発明は、スタッドがろう材に対し
てよく濡れるように被着するめっき層をろう接に必要な
部位のみに局限して、ろう材の這い上がりを防止してな
るセラミックパッケージを提供することを目的としてい
る。
てよく濡れるように被着するめっき層をろう接に必要な
部位のみに局限して、ろう材の這い上がりを防止してな
るセラミックパッケージを提供することを目的としてい
る。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、リー
ドベースと、放熱フィンと、スタッドを有し、前記リー
ドベースは、キャビティにチップがマウントされるもの
であって、セラミック材料からなり、前記放熱フィン
は、前記チップから発せられる熱を放散するものであっ
て、熱良導性の金属材料からなり、前記スタッドは、下
部の端面が、前記チップに背向する前記リードベースの
壁面に衝合してろう接され、上部が、前記放熱フィンに
穿たれた取付け孔に嵌合して該放熱フィンを固着するも
のであって、ろう材に濡れるようにめっき層が被着され
た柱状の耐熱性の金属材料からなり、前記スタッドは、
下部の端面近傍より上部が、めっき層から露出している
ように構成されたセラミックパッケージによって解決さ
れる。
ドベースと、放熱フィンと、スタッドを有し、前記リー
ドベースは、キャビティにチップがマウントされるもの
であって、セラミック材料からなり、前記放熱フィン
は、前記チップから発せられる熱を放散するものであっ
て、熱良導性の金属材料からなり、前記スタッドは、下
部の端面が、前記チップに背向する前記リードベースの
壁面に衝合してろう接され、上部が、前記放熱フィンに
穿たれた取付け孔に嵌合して該放熱フィンを固着するも
のであって、ろう材に濡れるようにめっき層が被着され
た柱状の耐熱性の金属材料からなり、前記スタッドは、
下部の端面近傍より上部が、めっき層から露出している
ように構成されたセラミックパッケージによって解決さ
れる。
【００２１】
【作用】本発明においては、セラミックパッケージに放
熱フィンを取り付けるためスタッドをろう接する際、放
熱フィンの取付けの障害となるろう材が這い上がりが起
こらないようにしている。
熱フィンを取り付けるためスタッドをろう接する際、放
熱フィンの取付けの障害となるろう材が這い上がりが起
こらないようにしている。
【００２２】すなわち、スタッドは、ろう材に濡れにく
い高耐熱性の金属材料からなるのでめっきが施される
が、このめっき膜を濡らしながらろう材が這い上がる。
ところが、スタッドのろう接は、スタッドの下部の端面
をリードベースに衝合して行うので、下部の端面近傍に
のみめっき層を被着してろう材の濡れ性をよくするよう
にしている。それに対して、スタッドの下部の端面近傍
よりも上部は、スタッドの側壁を直に露出させ、ろう材
を弾くようにしている。
い高耐熱性の金属材料からなるのでめっきが施される
が、このめっき膜を濡らしながらろう材が這い上がる。
ところが、スタッドのろう接は、スタッドの下部の端面
をリードベースに衝合して行うので、下部の端面近傍に
のみめっき層を被着してろう材の濡れ性をよくするよう
にしている。それに対して、スタッドの下部の端面近傍
よりも上部は、スタッドの側壁を直に露出させ、ろう材
を弾くようにしている。
【００２３】こうすると、放熱フィンを取り付ける際、
不具合にならないようにろう材を多めにしても、ろう材
の這い上がりが起こらないので、放熱フィンの取付け不
具合を防ぐこきができる。
不具合にならないようにろう材を多めにしても、ろう材
の這い上がりが起こらないので、放熱フィンの取付け不
具合を防ぐこきができる。
【００２４】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明する要部の斜視
図で、図１（Ａ）は断面斜視図、図１（Ｂ）はスタッド
の切欠き斜視図、図１（Ｃ）はろう接状態の切欠き斜視
図、図２はめっき層形成の一手段で、図２（Ａ）はレジ
スト塗布、図２（Ｂ）は部分めっき、図２（Ｃ）はレジ
スト剥離して完成したスタッド、図３はめっき層形成の
他の手段で、図３（Ａ）は機械的な切削加工、図３
（Ｂ）は鉢巻き状にめっき層が剥離されて完成したスタ
ッドである。図において、１はリードベース、1aはキャ
ビティ、1bは蓋、1cは放熱底板、２は放熱フィン、2aは
取付け孔、2bはフィン、３はスタッド、４はめっき層、
５はチップ、６はろう材、７はレジスト、８は接着材、
10はパッケージである。
図で、図１（Ａ）は断面斜視図、図１（Ｂ）はスタッド
の切欠き斜視図、図１（Ｃ）はろう接状態の切欠き斜視
図、図２はめっき層形成の一手段で、図２（Ａ）はレジ
スト塗布、図２（Ｂ）は部分めっき、図２（Ｃ）はレジ
スト剥離して完成したスタッド、図３はめっき層形成の
他の手段で、図３（Ａ）は機械的な切削加工、図３
（Ｂ）は鉢巻き状にめっき層が剥離されて完成したスタ
ッドである。図において、１はリードベース、1aはキャ
ビティ、1bは蓋、1cは放熱底板、２は放熱フィン、2aは
取付け孔、2bはフィン、３はスタッド、４はめっき層、
５はチップ、６はろう材、７はレジスト、８は接着材、
10はパッケージである。
【００２５】図１（Ａ）において、パッケージ10のリー
ドベース１は、Ａｌ2 Ｏ3 やＡｌＮなどの積層セラミッ
クからなり、中央部にキャビティ1aが設けられている。
そして、キャビティ1aの底にはチップ５がマウントさ
れ、キャビティ1aの開口は蓋1bで封じられている。ま
た、図示してないが、ＱＦＰならばリードベース１の周
壁面から水平方向に、ＰＧＡならばリードベース１の上
または下の壁面から垂直方向にリードが突出した構成に
なっている。
ドベース１は、Ａｌ2 Ｏ3 やＡｌＮなどの積層セラミッ
クからなり、中央部にキャビティ1aが設けられている。
そして、キャビティ1aの底にはチップ５がマウントさ
れ、キャビティ1aの開口は蓋1bで封じられている。ま
た、図示してないが、ＱＦＰならばリードベース１の周
壁面から水平方向に、ＰＧＡならばリードベース１の上
または下の壁面から垂直方向にリードが突出した構成に
なっている。
【００２６】放熱フィン２は、例えばＡｌのような軽く
て熱伝導性のよい金属からなり、フィン2bの大きさや枚
数は、チップ５の発熱量に応じて適宜決められる。ま
た、底部には取付け孔2aが設けられている。
て熱伝導性のよい金属からなり、フィン2bの大きさや枚
数は、チップ５の発熱量に応じて適宜決められる。ま
た、底部には取付け孔2aが設けられている。
【００２７】リードベース１の、チップ５と背向する壁
面はＷなどがメタライズされ、必要に応じてリードベー
ス１の放熱フィン２の取付け面が平滑になるように、例
えば、Ｃｕ／Ｍｏのクラッド材やＷの焼結体にＣｕを含
浸させた高耐熱性で熱良導体の薄板からなる放熱底板1c
がろう接されている。
面はＷなどがメタライズされ、必要に応じてリードベー
ス１の放熱フィン２の取付け面が平滑になるように、例
えば、Ｃｕ／Ｍｏのクラッド材やＷの焼結体にＣｕを含
浸させた高耐熱性で熱良導体の薄板からなる放熱底板1c
がろう接されている。
【００２８】スタッド３は、ろう接に耐える高融点のＭ
ｏのような金属材料からなる柱状の小さい部材で、メタ
ライズしたリードベース１の上に直立するように直にろ
う接されるか、リードベース１にろう接された放熱底板
1cの上に直立するようにろう接される。このスタッド３
のろう接に用いるろう材６には銀ろうがよく用いられ
る。
ｏのような金属材料からなる柱状の小さい部材で、メタ
ライズしたリードベース１の上に直立するように直にろ
う接されるか、リードベース１にろう接された放熱底板
1cの上に直立するようにろう接される。このスタッド３
のろう接に用いるろう材６には銀ろうがよく用いられ
る。
【００２９】ところで、スタッド３には、ろう材６によ
く濡れるようにＮｉなどのめっき層４が被着されてい
る。このめっき層４は、図１（Ｂ）に示したように、ス
タッド３の下部の端面近傍に被着されている。そして、
図１（Ｃ）に示したように、ろう材６がスタッド３の下
部の端面近傍よりも上部の方まで這い上がらないように
している。
く濡れるようにＮｉなどのめっき層４が被着されてい
る。このめっき層４は、図１（Ｂ）に示したように、ス
タッド３の下部の端面近傍に被着されている。そして、
図１（Ｃ）に示したように、ろう材６がスタッド３の下
部の端面近傍よりも上部の方まで這い上がらないように
している。
【００３０】めっき層４の形成は、いろいろな手段によ
って行うことができる。まず、図２（Ａ）に示したよう
に、スタッド３の下部の端面の上の方にめっきの被着を
妨げるレジスト７を塗着し、次いで、図２（Ｂ）に示し
たように、下部の端面近傍の露出した面にＮｉめっきを
施してめっき層４を形成する。次いで、レジスト７を剥
離すれば、図２（Ｃ）に示したようにスタッド３に下部
の端面近傍にのみめっき層４を設けることができる。
って行うことができる。まず、図２（Ａ）に示したよう
に、スタッド３の下部の端面の上の方にめっきの被着を
妨げるレジスト７を塗着し、次いで、図２（Ｂ）に示し
たように、下部の端面近傍の露出した面にＮｉめっきを
施してめっき層４を形成する。次いで、レジスト７を剥
離すれば、図２（Ｃ）に示したようにスタッド３に下部
の端面近傍にのみめっき層４を設けることができる。
【００３１】あるいは、図３に例示したように機械的に
切削してめっき層４を設ける。つまり、図３（Ａ）に示
したようにスタッド３の全面にＮｉめっきを施してめっ
き層４を形成し、下部の端面近傍を切削してＮｉめっき
を取り除く。そうすると、図３（Ｂ）に示したようにめ
っき層４が下部の端面近傍と上部が帯状に途切れた構成
になり、鉢巻き状にＭｏの下地が露出する。
切削してめっき層４を設ける。つまり、図３（Ａ）に示
したようにスタッド３の全面にＮｉめっきを施してめっ
き層４を形成し、下部の端面近傍を切削してＮｉめっき
を取り除く。そうすると、図３（Ｂ）に示したようにめ
っき層４が下部の端面近傍と上部が帯状に途切れた構成
になり、鉢巻き状にＭｏの下地が露出する。
【００３２】こうして、再び図１（Ａ）において、スタ
ッド３の下部の端面近傍より上部は、ろう材６に濡れ難
いＭｏの下地が露出しているので、スタッド３をリード
ベース１や放熱底板1cの上にろう接する際、ろう材６が
這い上がることが防げる。
ッド３の下部の端面近傍より上部は、ろう材６に濡れ難
いＭｏの下地が露出しているので、スタッド３をリード
ベース１や放熱底板1cの上にろう接する際、ろう材６が
這い上がることが防げる。
【００３３】放熱フィン２の取付けは、リードベース１
のキャビティ1aにチップ５をマウントし、ワイヤボンデ
ィングやポッティングなどを行ってから蓋1bを固着した
後に行う。取付けの手段は、放熱フィン２の底部に穿た
れた取付け孔2aをスタッド３に嵌合させ、耐熱性を考慮
して熱硬化性の有機の接着材９による接着である。こう
して、パッケージ10ができあがる。
のキャビティ1aにチップ５をマウントし、ワイヤボンデ
ィングやポッティングなどを行ってから蓋1bを固着した
後に行う。取付けの手段は、放熱フィン２の底部に穿た
れた取付け孔2aをスタッド３に嵌合させ、耐熱性を考慮
して熱硬化性の有機の接着材９による接着である。こう
して、パッケージ10ができあがる。
【００３４】スタッド３の下部の端面近傍にめっき層４
を設ける手段には、レジストを用いないで、治具をよっ
て部分的にめっきを行う手段もあり、また、機械的に切
削してめっきを鉢巻き状に取り除く替わりに、レジスト
を塗着して部分めっきする手段もあり、種々の変形が可
能である。
を設ける手段には、レジストを用いないで、治具をよっ
て部分的にめっきを行う手段もあり、また、機械的に切
削してめっきを鉢巻き状に取り除く替わりに、レジスト
を塗着して部分めっきする手段もあり、種々の変形が可
能である。
【００３５】
【発明の効果】リードベースにスタッドをろう接する
際、スタッドは形状、寸法が小さいのでろう材を這い上
がりが起こると放熱フィンの取付けの障害となるが、本
発明によれば、ろう材を這い上がりを抑えることができ
る。
際、スタッドは形状、寸法が小さいのでろう材を這い上
がりが起こると放熱フィンの取付けの障害となるが、本
発明によれば、ろう材を這い上がりを抑えることができ
る。
【００３６】従って、今後ますます高集積、高機能化が
進み、如何に効率よく発熱するかが重要な課題となって
いる半導体装置における放熱フィン付きのセラミックパ
ッケージの生産性の向上に対して、本発明に寄与すると
ころが大である。
進み、如何に効率よく発熱するかが重要な課題となって
いる半導体装置における放熱フィン付きのセラミックパ
ッケージの生産性の向上に対して、本発明に寄与すると
ころが大である。
【図１】 本発明の実施例を説明する要部の斜視図で、
（Ａ）は断面斜視図、（Ｂ）はスタッドの切欠き斜視
図、（Ｃ）はろう接状態の切欠き斜視図である。
（Ａ）は断面斜視図、（Ｂ）はスタッドの切欠き斜視
図、（Ｃ）はろう接状態の切欠き斜視図である。
【図２】 めっき層形成の一手段で、（Ａ）はレジスト
塗布、（Ｂ）は部分めっき、（Ｃ）はレジスト剥離して
完成したスタッドである。
塗布、（Ｂ）は部分めっき、（Ｃ）はレジスト剥離して
完成したスタッドである。
【図３】 めっき層形成の他の手段で、（Ａ）は機械的
な切削加工、（Ｂ）は鉢巻き状にめっき層が剥離されて
完成したスタッドである。
な切削加工、（Ｂ）は鉢巻き状にめっき層が剥離されて
完成したスタッドである。
【図４】 放熱フィン付き半導体装置の一例の一部切欠
き斜視図である。
き斜視図である。
【図５】 図４の要部の拡大断面図で、（Ａ）は正常な
接合状態、（Ｂ）は不具合な接合状態である。
接合状態、（Ｂ）は不具合な接合状態である。
１ リードベース 1a キャビティ 1b
蓋 1c 放熱底板 ２ 放熱フィン 2a 取付け孔 2b
フィン ３ スタッド ４ めっき層 ５ チップ ６ ろう材 ７ レジスト ８ 接着材 10 パッケージ
蓋 1c 放熱底板 ２ 放熱フィン 2a 取付け孔 2b
フィン ３ スタッド ４ めっき層 ５ チップ ６ ろう材 ７ レジスト ８ 接着材 10 パッケージ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/34 H01L 23/40
Claims (5)
- 【請求項１】 リードベース(1) と、放熱フィン(2)
と、スタッド(3) を有し、 前記リードベース(1) は、キャビティ(1a)にチップ(5)
がマウントされるものであって、セラミック材料からな
り、 前記放熱フィン(2) は、前記チップ(5) から発せられる
熱を放散するものであって、熱良導性の金属材料からな
り、 前記スタッド(3) は、下部の端面が、前記チップ(5) に
背向する前記リードベース(1) の壁面に衝合してろう接
され、上部が、前記放熱フィン(2) に穿たれた取付け孔
(2a)に嵌合して該放熱フィン(2) を固着するものであっ
て、ろう材(6)に濡れるようにめっき層(4) が被着され
た柱状の耐熱性の金属材料からなり、 前記スタッド(3) は、下部の端面近傍よりも上部が、め
っき層(4)から露出していることを特徴とするセラミッ
クパッケージ。 - 【請求項２】 前記スタッド(3) は、めっき層(4) が下
部の端面近傍で帯状に途切れている請求項１記載のセラ
ミックパッケージ。 - 【請求項３】 前記スタッド(3) は、Ｍｏ金属からな
り、かつめっき層(4)がＮｉめっきからなる請求項１記
載のセラミックパッケージ。 - 【請求項４】 前記スタッド(3) は、めっき層(4) が下
部の端面近傍で部分めっき手段によって途切れている請
求項１記載のセラミックパッケージ。 - 【請求項５】 前記スタッド(3) は、めっき層(4) が下
部の端面近傍で機械的加工によって途切れている請求項
１記載のセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26807891A JP2946873B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | セラミックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26807891A JP2946873B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | セラミックパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109948A JPH05109948A (ja) | 1993-04-30 |
| JP2946873B2 true JP2946873B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=17453583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26807891A Expired - Fee Related JP2946873B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | セラミックパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2946873B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP26807891A patent/JP2946873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05109948A (ja) | 1993-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6246115B1 (en) | Semiconductor package having a heat sink with an exposed surface | |
| US6049125A (en) | Semiconductor package with heat sink and method of fabrication | |
| JP3230348B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| US6650006B2 (en) | Semiconductor package with stacked chips | |
| JPH0777247B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7405474B1 (en) | Low cost thermally enhanced semiconductor package | |
| EP0380570A1 (en) | Heat dissipating interconnect tape for use in tape automated bonding | |
| KR100781100B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| KR0156622B1 (ko) | 반도체 패키지,리드프레임 및 제조방법 | |
| JP2946873B2 (ja) | セラミックパッケージ | |
| JPS59208755A (ja) | 半導体装置のパツケ−ジ及びその製造方法 | |
| JPH0773122B2 (ja) | 封止型半導体装置 | |
| JP3655338B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03174749A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0817975A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09330994A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2946875B2 (ja) | セラミックパッケージ | |
| JPS63293928A (ja) | 電子装置 | |
| JP2521624Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR20050051806A (ko) | 방열특성이 개선된 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH08264910A (ja) | 放熱板付きプリント配線板の作製方法及びプリント配線板へのハイパワー部品の実装方法 | |
| JPH0513023Y2 (ja) | ||
| JPH0497554A (ja) | 高放熱型半導体パッケージ | |
| JPH0936276A (ja) | 半導体パッケージ用基板 | |
| JPH02288255A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990601 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |