JP2934677B2 - 非線形抵抗素子の製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子の製造方法Info
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- JP2934677B2 JP2934677B2 JP2345890A JP2345890A JP2934677B2 JP 2934677 B2 JP2934677 B2 JP 2934677B2 JP 2345890 A JP2345890 A JP 2345890A JP 2345890 A JP2345890 A JP 2345890A JP 2934677 B2 JP2934677 B2 JP 2934677B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶等と組み合わせて画像表示装置を構成
する非線形抵抗素子の製造方法に関する。
する非線形抵抗素子の製造方法に関する。
非線形抵抗素子と液晶等を組み合わせた画像表示装置
のうち、従来の技術として、例えば特開昭61−90192号
公報に示されるように、非線形抵抗素子を各液晶画素と
直列に設けた２端子アクティブマトリクス液晶表示装置
がある。
のうち、従来の技術として、例えば特開昭61−90192号
公報に示されるように、非線形抵抗素子を各液晶画素と
直列に設けた２端子アクティブマトリクス液晶表示装置
がある。
次に前記液晶表示装置の構造について説明する。第３
図は非線形抵抗素子を形成した基板６と対向する基板12
との間に液晶10を封止して構成される液晶表示装置の縦
断面構造の一画素について明示した図であり、偏光板は
省略した。第３図において、基板６は透明ガラス、画素
電極７は透明導電膜、非線形抵抗膜８はシリコンを主体
としたアモルファス材料、電極９は金属、液晶層10、基
板12は基板６の対向基板で透明ガラス、画素電極11は７
の対向透明導電膜であり、行列電極の一方の電極群を構
成した液晶表示装置である。
図は非線形抵抗素子を形成した基板６と対向する基板12
との間に液晶10を封止して構成される液晶表示装置の縦
断面構造の一画素について明示した図であり、偏光板は
省略した。第３図において、基板６は透明ガラス、画素
電極７は透明導電膜、非線形抵抗膜８はシリコンを主体
としたアモルファス材料、電極９は金属、液晶層10、基
板12は基板６の対向基板で透明ガラス、画素電極11は７
の対向透明導電膜であり、行列電極の一方の電極群を構
成した液晶表示装置である。
第４図は前記アモルファス材料（例えばSiNx）を用い
た非線形抵抗素子13の一画素の電流Ｉ−電圧Ｖ特性であ
り、実線14は前記アモルファス材料に光照射が無い状態
であり、波線15は光照射（３万ルクス程度）が有る状態
でのＩ−Ｖ特性である。前記非線形抵抗素子13に光が照
射されることにより、低電圧領域での電流が増大して、
光が照射されなかった時よりも非線形性が悪くなる。
た非線形抵抗素子13の一画素の電流Ｉ−電圧Ｖ特性であ
り、実線14は前記アモルファス材料に光照射が無い状態
であり、波線15は光照射（３万ルクス程度）が有る状態
でのＩ−Ｖ特性である。前記非線形抵抗素子13に光が照
射されることにより、低電圧領域での電流が増大して、
光が照射されなかった時よりも非線形性が悪くなる。
従来、このSiNx等のアモルファス材料を用いた非線形
抵抗素子は、第３図の透明ガラス６と透明導電膜７を通
して、あるいはその周囲から光が照射されることによ
り、前記非線形抵抗素子にリーク電流が流れて、第４図
に見られるように実線14から波線15にＩ−Ｖ特性が変化
し、非線形性が悪化し、液晶の保持特性が悪くなり、結
果として液晶の表示状態を悪くするという問題点があっ
た。
抵抗素子は、第３図の透明ガラス６と透明導電膜７を通
して、あるいはその周囲から光が照射されることによ
り、前記非線形抵抗素子にリーク電流が流れて、第４図
に見られるように実線14から波線15にＩ−Ｖ特性が変化
し、非線形性が悪化し、液晶の保持特性が悪くなり、結
果として液晶の表示状態を悪くするという問題点があっ
た。
本発明は、この問題点を解決するために、非線形抵抗
素子のアモルファス材料に可能な限り光が照射されない
ように、非線形抵抗素子上に不透明な有機膜を積層する
ものである。前記不透明な有機膜は例えば、カーボンＣ
などを含有したPOSI型RESISTなどである。
素子のアモルファス材料に可能な限り光が照射されない
ように、非線形抵抗素子上に不透明な有機膜を積層する
ものである。前記不透明な有機膜は例えば、カーボンＣ
などを含有したPOSI型RESISTなどである。
不透明な有機膜を積層した非線形抵抗素子は、第２図
（実線16は非光照射、波線17は光照射）に示されるよう
なＩ−Ｖ特性を示した。第２図は第４図と比較して明ら
かなように、不透明な有機膜によって光が遮断されたこ
とにより、リーク電流が減少し、非線形性が極めて向上
し、液晶の保持特性が向上し、表示性能の優れた液晶表
示装置等が得られることを示している。
（実線16は非光照射、波線17は光照射）に示されるよう
なＩ−Ｖ特性を示した。第２図は第４図と比較して明ら
かなように、不透明な有機膜によって光が遮断されたこ
とにより、リーク電流が減少し、非線形性が極めて向上
し、液晶の保持特性が向上し、表示性能の優れた液晶表
示装置等が得られることを示している。
第１図は本発明の実施例であり、その一画素の製造方
法の縦断面図であり、基板１は透明ガラスである。第１
図（ａ）の金属電極２はクロム金属をスパッタによって
約3000Å形成し、フォトエッチングによって、パターン
を形成した。クロムの他にAl,Cu,NiCr,Ag,Au,Taなどを
使用することが出来る。次に第１図（ｂ）の非線形抵抗
膜３はシリコンを主体とするアモルファス材料であり、
例えばシリコン窒化膜の場合は、シランガスと窒素ガス
の混合ガスによるプラズマCVD法によって約1000Å形成
し、フォトエッチングによってパターンを形成した。次
に第１図（ｃ）の画素電極４は透明導電膜であり、イン
ジウムスズ酸化膜をマグネトロンスパッタ等によって約
100Åから500Å形成し、フォトエッチングによってパタ
ーンを形成した。次に第１図（ｄ）の不透明な有機膜５
は、本実施例ではポジ型のレジスト中にカーボンを数％
含有したものを塗布した。次に裏面より露光し、現像す
ることにより、前記不透明な有機膜５を第１図（ｅ）の
ように金属電極２と同じパターンに形成した。次に熱処
理（例えば200℃、２時間）によって、前記不透明な有
機膜５を第１図（ｆ）のように変形させた。
法の縦断面図であり、基板１は透明ガラスである。第１
図（ａ）の金属電極２はクロム金属をスパッタによって
約3000Å形成し、フォトエッチングによって、パターン
を形成した。クロムの他にAl,Cu,NiCr,Ag,Au,Taなどを
使用することが出来る。次に第１図（ｂ）の非線形抵抗
膜３はシリコンを主体とするアモルファス材料であり、
例えばシリコン窒化膜の場合は、シランガスと窒素ガス
の混合ガスによるプラズマCVD法によって約1000Å形成
し、フォトエッチングによってパターンを形成した。次
に第１図（ｃ）の画素電極４は透明導電膜であり、イン
ジウムスズ酸化膜をマグネトロンスパッタ等によって約
100Åから500Å形成し、フォトエッチングによってパタ
ーンを形成した。次に第１図（ｄ）の不透明な有機膜５
は、本実施例ではポジ型のレジスト中にカーボンを数％
含有したものを塗布した。次に裏面より露光し、現像す
ることにより、前記不透明な有機膜５を第１図（ｅ）の
ように金属電極２と同じパターンに形成した。次に熱処
理（例えば200℃、２時間）によって、前記不透明な有
機膜５を第１図（ｆ）のように変形させた。
前記第１図の製造方法で形成した基板と液晶等を組み
合わせて、２端子アクティブマトリクス液晶表示装置等
が形成できる。
合わせて、２端子アクティブマトリクス液晶表示装置等
が形成できる。
本実施例は非線形抵抗素子上の不透明な有機膜によっ
て、非線形抵抗素子の非線形性が極めて向上し、液晶の
保持特性が向上し、液晶の表示性能が優れ、信頼性が向
上する効果がある。
て、非線形抵抗素子の非線形性が極めて向上し、液晶の
保持特性が向上し、液晶の表示性能が優れ、信頼性が向
上する効果がある。
また、不透明な有機膜のパターニングの工程で裏面露
光を用いることにより、金属電極２と同じパターンがマ
スクを用いずに容易に形成することが可能である。
光を用いることにより、金属電極２と同じパターンがマ
スクを用いずに容易に形成することが可能である。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施例を示す非線形抵
抗素子の製造方法の縦断面図、第２図は本実施例の非線
形抵抗素子のＩ−Ｖ特性、第３図は従来の非線形抵抗素
子を用いた液晶表示装置であり、第４図は本実施例の非
線形抵抗素子のＩ−Ｖ特性である。 1,6,12……基板 2,9……金属電極 3,8……アモルファス材料 4,7,11……画素電極 ５……不透明な有機膜 10……液晶層
抗素子の製造方法の縦断面図、第２図は本実施例の非線
形抵抗素子のＩ−Ｖ特性、第３図は従来の非線形抵抗素
子を用いた液晶表示装置であり、第４図は本実施例の非
線形抵抗素子のＩ−Ｖ特性である。 1,6,12……基板 2,9……金属電極 3,8……アモルファス材料 4,7,11……画素電極 ５……不透明な有機膜 10……液晶層
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板上に金属電極を形成する工程と、 前記金属電極上に非線形抵抗膜を形成する工程と、 前記非線形抵抗膜上に透明電極を形成することにより非
線形抵抗素子を構成する工程と、 前記透明基板の表面にポジ型レジストを含んだ不透明な
有機膜を形成し、該透明基板を裏面から露光することに
より、前記金属電極上のみに有機膜を形成する工程と、 前記金属電極上の有機膜を熱処理によって前記非線形抵
抗素子上に広げる工程と、を備えることを特徴とする非
線形抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2345890A JP2934677B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2345890A JP2934677B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228031A JPH03228031A (ja) | 1991-10-09 |
| JP2934677B2 true JP2934677B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=12111066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2345890A Expired - Fee Related JP2934677B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2934677B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101636841B (zh) * | 2007-03-22 | 2011-06-22 | 松下电器产业株式会社 | 存储元件和存储装置 |
-
1990
- 1990-02-01 JP JP2345890A patent/JP2934677B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03228031A (ja) | 1991-10-09 |
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Legal Events
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