JPH03228031A - 非線形抵抗素子の製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子の製造方法Info
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- JPH03228031A JPH03228031A JP2023458A JP2345890A JPH03228031A JP H03228031 A JPH03228031 A JP H03228031A JP 2023458 A JP2023458 A JP 2023458A JP 2345890 A JP2345890 A JP 2345890A JP H03228031 A JPH03228031 A JP H03228031A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶等と組み合わせて画像表示装置を構成す
る非線形抵抗素子に関する。
る非線形抵抗素子に関する。
非線形抵抗素子と液晶等を組み合わせた画像表示Ｗｉｔ
のうち、従来の技術として、例えば特開昭６１−９０１
９２号公報に示されるように、非線形抵抗素子を各液晶
画素と直列に設けた２端子アクティブマトリクス液晶表
示装置がある。
のうち、従来の技術として、例えば特開昭６１−９０１
９２号公報に示されるように、非線形抵抗素子を各液晶
画素と直列に設けた２端子アクティブマトリクス液晶表
示装置がある。
次に前記液晶表示装置の構造について説明する。
第３図は非線形抵抗素子を形成した基板６と対向する基
板１２との間に液晶１０を封止して構成される液晶表示
装置の縦断面構造の一画素について明示した図であり、
偏光板は省略した。第３図において、基板６は透明ガラ
ス、画素電極７は透明導電膜、非線形抵抗膜８はシリコ
ンを主体としたアモルファス材料、電極９は金属、液晶
層１０、基板１２は基板６の対向基板で透明ガラス、画
素電極１１は７の対向透明導電膜であり、行列電極の一
方の電極群を構成した液晶表示装置である。
板１２との間に液晶１０を封止して構成される液晶表示
装置の縦断面構造の一画素について明示した図であり、
偏光板は省略した。第３図において、基板６は透明ガラ
ス、画素電極７は透明導電膜、非線形抵抗膜８はシリコ
ンを主体としたアモルファス材料、電極９は金属、液晶
層１０、基板１２は基板６の対向基板で透明ガラス、画
素電極１１は７の対向透明導電膜であり、行列電極の一
方の電極群を構成した液晶表示装置である。
第４図は前記アモルファス材料（例えば５ｉＮＸ）を用
いた非線形抵抗素子１３の一画素の電流■電圧■特性で
あり、実線１４は前記アモルファス材料に光照射が無い
状態であり、波線１５は光照射（３万ルクス程度）が有
る状態でのＩ−Ｖ特性である。前証非線形抵抗素子１３
に光が照射されることにより、低電圧領域での電流が増
大して、光が照射されなかった時よりも非線形性が悪く
なる。
いた非線形抵抗素子１３の一画素の電流■電圧■特性で
あり、実線１４は前記アモルファス材料に光照射が無い
状態であり、波線１５は光照射（３万ルクス程度）が有
る状態でのＩ−Ｖ特性である。前証非線形抵抗素子１３
に光が照射されることにより、低電圧領域での電流が増
大して、光が照射されなかった時よりも非線形性が悪く
なる。
従来、このＳｉＮｘ等のアモルファス材料を用いた非線
形抵抗素子は、第３図の透明ガラス６と透明導電膜７を
通して、あるいはその周囲から光が照射されることによ
り、前記非線形抵抗素子にリーク電流が流れて、第４図
に見られるように実Ｍ１４から波ｖ１１５にＩ−Ｖ特性
が変化し、非線形性が悪化し、液晶の保持特性が悪くな
り、結果として液晶の表示状態を悪くするという問題点
があった。
形抵抗素子は、第３図の透明ガラス６と透明導電膜７を
通して、あるいはその周囲から光が照射されることによ
り、前記非線形抵抗素子にリーク電流が流れて、第４図
に見られるように実Ｍ１４から波ｖ１１５にＩ−Ｖ特性
が変化し、非線形性が悪化し、液晶の保持特性が悪くな
り、結果として液晶の表示状態を悪くするという問題点
があった。
（課題を解決するための手段〕
本発明は、この問題点を解決するために、非線形抵抗素
子のアモルファス材料に可能な限り光が照射されないよ
うに、非線形抵抗素子上に不透明な有機膜を積層するも
のである。前記不透明な有機膜は例えば、カーボンＣな
どを含有したＰＯ３１型ＲＥＳ Ｉ ＳＴなどである。
子のアモルファス材料に可能な限り光が照射されないよ
うに、非線形抵抗素子上に不透明な有機膜を積層するも
のである。前記不透明な有機膜は例えば、カーボンＣな
どを含有したＰＯ３１型ＲＥＳ Ｉ ＳＴなどである。
不透明な有機膜を積層した非線形抵抗素子は、第２図（
実線１６は非光照射、波線１７は光照射）に示されるよ
うなＩ−Ｖ特性を示した。第２図は第４図と比較して明
らかなように、不透明な有Ｉｇ膜によって光が遮断され
たことにより、リーク電流が減少し、非線形性が極めて
向上し、液晶の保持特性が向上し、表示性能の優れた液
晶表示装置等が得られることを示している。
実線１６は非光照射、波線１７は光照射）に示されるよ
うなＩ−Ｖ特性を示した。第２図は第４図と比較して明
らかなように、不透明な有Ｉｇ膜によって光が遮断され
たことにより、リーク電流が減少し、非線形性が極めて
向上し、液晶の保持特性が向上し、表示性能の優れた液
晶表示装置等が得られることを示している。
第１図は本発明の実施例であり、その一画素の製造方法
の縦断面図であり、基板１は透明ガラスである。第１図
１ａｌの金属電橋２はクロム金属をスパッタによって約
３０００人形成し、フォトエツチングによって、パター
ンを形成した。−クロムの他にＡ１．Ｃｕ、ＮｉＣｒ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｔａなどを使用することが出来る。次に第
１図中）の非線形抵抗膜３はシリコンを主体とするアモ
ルファス材料であり、例えばシリコン窒化膜の場合は、
シランガスと窒素ガスの混合ガスによるプラズマＣＶＤ
法によって約１０００人形成し、フォトエツチングによ
ってパターンを形成した。次に第１図１ａｌの画素電極
４は透明導電膜であり、インジウムスズ酸化膜をマグネ
トロンスパッタ等によって約１００人から５００ 人形
成し、フォトエツチングによってパターンを形成した０
次に第１図１ｄｌの不透明な有機膜５は、本実施例では
ポジ型のレジスト中にカーボンを数％含有したものを塗
布した。次に裏面より露光し、現像することにより、前
記不透明な有機Ｍ５を第１図１ａｌのように金属電極２
と同じパターンに形成した。次に熱処理（例えば２００
℃、２時間）によって、前記不透明な有機膜５を第１図
（ｆｌのように変形させた。
の縦断面図であり、基板１は透明ガラスである。第１図
１ａｌの金属電橋２はクロム金属をスパッタによって約
３０００人形成し、フォトエツチングによって、パター
ンを形成した。−クロムの他にＡ１．Ｃｕ、ＮｉＣｒ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｔａなどを使用することが出来る。次に第
１図中）の非線形抵抗膜３はシリコンを主体とするアモ
ルファス材料であり、例えばシリコン窒化膜の場合は、
シランガスと窒素ガスの混合ガスによるプラズマＣＶＤ
法によって約１０００人形成し、フォトエツチングによ
ってパターンを形成した。次に第１図１ａｌの画素電極
４は透明導電膜であり、インジウムスズ酸化膜をマグネ
トロンスパッタ等によって約１００人から５００ 人形
成し、フォトエツチングによってパターンを形成した０
次に第１図１ｄｌの不透明な有機膜５は、本実施例では
ポジ型のレジスト中にカーボンを数％含有したものを塗
布した。次に裏面より露光し、現像することにより、前
記不透明な有機Ｍ５を第１図１ａｌのように金属電極２
と同じパターンに形成した。次に熱処理（例えば２００
℃、２時間）によって、前記不透明な有機膜５を第１図
（ｆｌのように変形させた。
前記第１図の製造方法で形成した基板と液晶等を組み合
わせて、２端子アクティブマ、トリクス液晶表示装置等
が形成できる。
わせて、２端子アクティブマ、トリクス液晶表示装置等
が形成できる。
本実施例は非線形抵抗素子上の不透明な有機膜によって
、非線形抵抗素子の非線形性が極めて向上し、液晶の保
持特性が向上し、液晶の表示性能が優れ、信頼性が向上
する効果がある。
、非線形抵抗素子の非線形性が極めて向上し、液晶の保
持特性が向上し、液晶の表示性能が優れ、信頼性が向上
する効果がある。
また、不透明な有機膜のパターニングの工程で裏面露光
を用いることにより、金属電極２と同じパターンがマス
クを用いずに容易に形成することが可能である。
を用いることにより、金属電極２と同じパターンがマス
クを用いずに容易に形成することが可能である。
第１図（ａ）〜（ｆｌは本発明の実施例を示す非線形抵
抗素子の製造方法の縦断面図、第２図は本実施例の非線
形抵抗素子のＩ−Ｖ特性、第３図は従来の非線形抵抗素
子を用いた液晶表示装置であり、第４図は本実施例の非
線形抵抗素子のＩ−Ｖ特性である。 １．６．１２・ ２、９ ・ ・ ・ ３、８ ・ ・ ・ ４．７．１１・ ５ ・ ・ ・ ・ ・ １０・ ・ ・ ・
抗素子の製造方法の縦断面図、第２図は本実施例の非線
形抵抗素子のＩ−Ｖ特性、第３図は従来の非線形抵抗素
子を用いた液晶表示装置であり、第４図は本実施例の非
線形抵抗素子のＩ−Ｖ特性である。 １．６．１２・ ２、９ ・ ・ ・ ３、８ ・ ・ ・ ４．７．１１・ ５ ・ ・ ・ ・ ・ １０・ ・ ・ ・
Claims (1)
- 絶縁性基板上に透明導電性被膜からなる画素電極と、非
線形抵抗膜と金属膜とを積層構造とする非線形抵抗素子
において、上記非線形抵抗素子上に遮光膜用の有機膜を
形成したことを特徴とする非線形抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2345890A JP2934677B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2345890A JP2934677B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228031A true JPH03228031A (ja) | 1991-10-09 |
| JP2934677B2 JP2934677B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=12111066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2345890A Expired - Fee Related JP2934677B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 非線形抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2934677B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012253377A (ja) * | 2007-03-22 | 2012-12-20 | Panasonic Corp | 記憶素子及び記憶装置 |
-
1990
- 1990-02-01 JP JP2345890A patent/JP2934677B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012253377A (ja) * | 2007-03-22 | 2012-12-20 | Panasonic Corp | 記憶素子及び記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2934677B2 (ja) | 1999-08-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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