JPH0895077A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0895077A JPH0895077A JP22970094A JP22970094A JPH0895077A JP H0895077 A JPH0895077 A JP H0895077A JP 22970094 A JP22970094 A JP 22970094A JP 22970094 A JP22970094 A JP 22970094A JP H0895077 A JPH0895077 A JP H0895077A
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- substrate
- common electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 正スタガー型ＴＦＴを用いた液晶表示装置に
おいて、共通電極入力端子とゲート入力端子の間の通電
による電極腐食を防止し、信頼性を向上する。 【構成】 共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２）を、そ
れが隣接するゲート入力端子（ＧＴ）と同一の材料によ
り形成する。これにより、共通電極入力端子（ＣＴ１，
ＣＴ２）とゲート入力端子（ＧＴ）との間で通電が生じ
ても、両端子電極間で標準電極電位の差がないので、電
極腐食にまでは至らず、上記目的が達成される。
おいて、共通電極入力端子とゲート入力端子の間の通電
による電極腐食を防止し、信頼性を向上する。 【構成】 共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２）を、そ
れが隣接するゲート入力端子（ＧＴ）と同一の材料によ
り形成する。これにより、共通電極入力端子（ＣＴ１，
ＣＴ２）とゲート入力端子（ＧＴ）との間で通電が生じ
ても、両端子電極間で標準電極電位の差がないので、電
極腐食にまでは至らず、上記目的が達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、特
に、歩留まり低下の原因となる材料上の欠陥を改良して
歩留まりを向上した液晶表示装置に関する。
に、歩留まり低下の原因となる材料上の欠陥を改良して
歩留まりを向上した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は薄型、軽量、低消費電力
などの特徴があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクテ
ィブマトリクス型は、原理的にデューティ比１００％の
スタティック駆動をマルチプレクス的に行うことがで
き、大画面、高精細な動画ディスプレイに使用されてい
る。
などの特徴があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、スイッチング素子として、薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いたアクテ
ィブマトリクス型は、原理的にデューティ比１００％の
スタティック駆動をマルチプレクス的に行うことがで
き、大画面、高精細な動画ディスプレイに使用されてい
る。
【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
マトリクス状に配置された表示電極と各表示電極に接続
されたＴＦＴを有する基板（ＴＦＴ基板）と、全面的に
形成された共通電極を有する基板（対向基板）を貼り合
わせ、隙間に液晶を封入することにより構成される。Ｔ
ＦＴは表示電極へのデータ信号入力を選択するスイッチ
ング素子であり、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電
極、及び、非単結晶半導体層より構成される。それぞれ
の電極はゲートライン、ドレインライン及び表示電極に
接続され、また、非単結晶半導体層はアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）であり、
チャンネル層として機能する。ゲートライン群は線順次
に走査選択されて１走査線上の全てのＴＦＴをＯＮと
し、これと同期したデータ信号が各ドレインラインを介
してそれぞれの表示電極に入力される。共通電極は走査
信号に同期して電圧が設定されて、対向する各表示電極
との間の電圧により間隙の液晶層に電界を印加し、液晶
の電気光学的効果により光を変調する。このように表示
画素ごとに光の透過率が調整され、これらの光の合成が
表示画像として視認される。
マトリクス状に配置された表示電極と各表示電極に接続
されたＴＦＴを有する基板（ＴＦＴ基板）と、全面的に
形成された共通電極を有する基板（対向基板）を貼り合
わせ、隙間に液晶を封入することにより構成される。Ｔ
ＦＴは表示電極へのデータ信号入力を選択するスイッチ
ング素子であり、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電
極、及び、非単結晶半導体層より構成される。それぞれ
の電極はゲートライン、ドレインライン及び表示電極に
接続され、また、非単結晶半導体層はアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）であり、
チャンネル層として機能する。ゲートライン群は線順次
に走査選択されて１走査線上の全てのＴＦＴをＯＮと
し、これと同期したデータ信号が各ドレインラインを介
してそれぞれの表示電極に入力される。共通電極は走査
信号に同期して電圧が設定されて、対向する各表示電極
との間の電圧により間隙の液晶層に電界を印加し、液晶
の電気光学的効果により光を変調する。このように表示
画素ごとに光の透過率が調整され、これらの光の合成が
表示画像として視認される。
【０００４】ＴＦＴとして、ゲートを上層に配した正ス
タガー型を用いた場合、ＴＦＴ基板の製造はマスク数３
枚で製造が可能であり、コストが低い。図２は、正スタ
ガー型ＴＦＴを用いた液晶表示装置の画素部の平面図
（ａ）とその断面図（ｂ）である。ガラスなどの透明な
基板（１０）上に、ＴＦＴへの光の入射を防ぐ遮光層
（１１）が、Ｃｒなどにより形成され、これを覆ってＳ
ｉＮXなどの層間絶縁層（１２）が形成されている。層
間絶縁層（１２）上には、ソース電極（１３Ｓ）部を有
した表示電極（１３Ｐ）と、ドレイン電極（１３Ｄ）部
を有したドレインライン（１３Ｌ）がいずれもＩＴＯに
より形成されている。ソース電極（１３Ｓ）とドレイン
電極（１３Ｄ）上には、チャンネル層となるａ−Ｓｉ
（１４）、ＳｉＮXなどのゲート絶縁層（１５）、及
び、Ａｌなどのゲート電極（１６Ｇ）が積層されてＴＦ
Ｔを構成している。ＴＦＴ部と一体のａ−Ｓｉ（１４）
及びゲート絶縁層（１５）からなる積層体上にはゲート
電極（１６Ｇ）と一体のゲートライン（１６Ｌ）が配置
されている。また、ａ−Ｓｉ（１４）とソース電極（１
３Ｓ）、及び、ａ−Ｓｉ（１４）とドレイン電極（１３
Ｄ）の間には、燐などの不純物イオンを大量に注入にし
て抵抗を下げたＮ+型ａ−Ｓｉ（１４Ｎ）を介在させ、
オーミック特性を向上している。最表面には液晶の初期
配向を指定する配向膜（１７）が形成されている。
タガー型を用いた場合、ＴＦＴ基板の製造はマスク数３
枚で製造が可能であり、コストが低い。図２は、正スタ
ガー型ＴＦＴを用いた液晶表示装置の画素部の平面図
（ａ）とその断面図（ｂ）である。ガラスなどの透明な
基板（１０）上に、ＴＦＴへの光の入射を防ぐ遮光層
（１１）が、Ｃｒなどにより形成され、これを覆ってＳ
ｉＮXなどの層間絶縁層（１２）が形成されている。層
間絶縁層（１２）上には、ソース電極（１３Ｓ）部を有
した表示電極（１３Ｐ）と、ドレイン電極（１３Ｄ）部
を有したドレインライン（１３Ｌ）がいずれもＩＴＯに
より形成されている。ソース電極（１３Ｓ）とドレイン
電極（１３Ｄ）上には、チャンネル層となるａ−Ｓｉ
（１４）、ＳｉＮXなどのゲート絶縁層（１５）、及
び、Ａｌなどのゲート電極（１６Ｇ）が積層されてＴＦ
Ｔを構成している。ＴＦＴ部と一体のａ−Ｓｉ（１４）
及びゲート絶縁層（１５）からなる積層体上にはゲート
電極（１６Ｇ）と一体のゲートライン（１６Ｌ）が配置
されている。また、ａ−Ｓｉ（１４）とソース電極（１
３Ｓ）、及び、ａ−Ｓｉ（１４）とドレイン電極（１３
Ｄ）の間には、燐などの不純物イオンを大量に注入にし
て抵抗を下げたＮ+型ａ−Ｓｉ（１４Ｎ）を介在させ、
オーミック特性を向上している。最表面には液晶の初期
配向を指定する配向膜（１７）が形成されている。
【０００５】こような構造のＴＦＴ基板に対向して配置
された透明基板（２０）上には、ＩＴＯの共通電極（２
１）が全面的に形成され、更に最表面に配向膜（２２）
が形成されて対向基板を構成している。両基板の間隙に
は液晶（３０）が密封されて液晶表示装置を構成してい
る。図３は液晶表示装置の配線図である。画素部ではゲ
ートライン（１６Ｌ）とドレインライン（１３Ｌ）が交
差して配置され、各交点にはＴＦＴが形成されて、それ
ぞれ表示電極（１３Ｐ）に接続されている。ゲートライ
ン（１６Ｌ）は画素部から延在されて基板端部のゲート
入力端子（ＧＴ）に接続されている。また、ドレインラ
イン（１３Ｌ）も画素部から延在されてドレイン入力端
子（ＤＴ）に接続されている。更に、ゲート入力端子
（１６Ｔ）の配列された最端部には共通電極入力端子
（ＣＴ）が形成され、銀ペースト（ＡＰ）により対向基
板側の共通電極に接続される。
された透明基板（２０）上には、ＩＴＯの共通電極（２
１）が全面的に形成され、更に最表面に配向膜（２２）
が形成されて対向基板を構成している。両基板の間隙に
は液晶（３０）が密封されて液晶表示装置を構成してい
る。図３は液晶表示装置の配線図である。画素部ではゲ
ートライン（１６Ｌ）とドレインライン（１３Ｌ）が交
差して配置され、各交点にはＴＦＴが形成されて、それ
ぞれ表示電極（１３Ｐ）に接続されている。ゲートライ
ン（１６Ｌ）は画素部から延在されて基板端部のゲート
入力端子（ＧＴ）に接続されている。また、ドレインラ
イン（１３Ｌ）も画素部から延在されてドレイン入力端
子（ＤＴ）に接続されている。更に、ゲート入力端子
（１６Ｔ）の配列された最端部には共通電極入力端子
（ＣＴ）が形成され、銀ペースト（ＡＰ）により対向基
板側の共通電極に接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置で
は、ゲート入力端子（ＧＴ）は、ゲートライン（１６
Ｌ）と一体でＡｌにより形成され、ドレイン入力端子
（ＤＴ）は、ドレインライン（１３Ｌ）と一体でＩＴＯ
により形成されている。また、共通電極入力端子（Ｃ
Ｔ）もＩＴＯにより形成されている。図３に示すよう
に、共通電極入力端子（ＣＴ）をゲート入力端子（Ｇ
Ｔ）群に隣接して配置する構造では、両端子（ＣＴ，Ｇ
Ｔ）間で通電して端子の電極腐食が生じていた。即ち、
共通電極入力端子（ＣＴ）を形成するＩＴＯは酸化作用
が強く、また、ゲート入力端子（ＧＴ）を形成するＡｌ
は還元作用が強く、標準電極電位、即ち、ある溶液に対
する各元素電極の電位差により電気化学反応の起こり易
さを示すもの、の差が大きい。このため両金属間では、
湿気などの雰囲気中で電気化学的反応を引き起こして、
端子電極が破壊されていた。
は、ゲート入力端子（ＧＴ）は、ゲートライン（１６
Ｌ）と一体でＡｌにより形成され、ドレイン入力端子
（ＤＴ）は、ドレインライン（１３Ｌ）と一体でＩＴＯ
により形成されている。また、共通電極入力端子（Ｃ
Ｔ）もＩＴＯにより形成されている。図３に示すよう
に、共通電極入力端子（ＣＴ）をゲート入力端子（Ｇ
Ｔ）群に隣接して配置する構造では、両端子（ＣＴ，Ｇ
Ｔ）間で通電して端子の電極腐食が生じていた。即ち、
共通電極入力端子（ＣＴ）を形成するＩＴＯは酸化作用
が強く、また、ゲート入力端子（ＧＴ）を形成するＡｌ
は還元作用が強く、標準電極電位、即ち、ある溶液に対
する各元素電極の電位差により電気化学反応の起こり易
さを示すもの、の差が大きい。このため両金属間では、
湿気などの雰囲気中で電気化学的反応を引き起こして、
端子電極が破壊されていた。
【０００７】特に、ゲート信号電圧と共通電極信号電圧
間の電圧差が大きく、ゲート入力端子（ＧＴ）と共通電
極入力端子（ＣＴ）間には大きな電圧がかかるため、電
極腐食が起こりやすい。また、日常的な装置の取扱にお
けるわずかの水分でも、微細に形成された配線パターン
には電極腐食を引き起こすに十分な湿気雰囲気となるの
で、装置の寿命を縮める原因になっていた。
間の電圧差が大きく、ゲート入力端子（ＧＴ）と共通電
極入力端子（ＣＴ）間には大きな電圧がかかるため、電
極腐食が起こりやすい。また、日常的な装置の取扱にお
けるわずかの水分でも、微細に形成された配線パターン
には電極腐食を引き起こすに十分な湿気雰囲気となるの
で、装置の寿命を縮める原因になっていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するために成されたもので、液晶を挟んで対向して配置
された第１及び第２の基板、前記第１の基板の対向面側
に行列状に配置された表示電極、前記表示電極の行間に
配置されたゲートライン、前記表示電極の列間に配置さ
れたドレインライン、前記第２の基板の対向面側に全面
的に形成された共通電極、前記第１の基板の辺に沿って
配列され、前記ゲートラインに接続されたゲート入力端
子、前記第１の基板の別の辺に沿って配列され、前記ド
レインラインに接続されたドレイン入力端子、及び、前
記第１の基板端部の複数個所に設けられ、導電物を介し
て前記共通電極に接続された共通電極入力端子を有する
液晶表示装置において、前記ゲート入力端子群に隣接し
て配置された前記共通電極入力端子は、前記ゲート入力
端子と同一の材料により形成され、前記ドレイン入力端
子群に隣接して配置された前記共通電極入力端子は、前
記ドレイン入力端子と同一の材料により形成された構成
である。
するために成されたもので、液晶を挟んで対向して配置
された第１及び第２の基板、前記第１の基板の対向面側
に行列状に配置された表示電極、前記表示電極の行間に
配置されたゲートライン、前記表示電極の列間に配置さ
れたドレインライン、前記第２の基板の対向面側に全面
的に形成された共通電極、前記第１の基板の辺に沿って
配列され、前記ゲートラインに接続されたゲート入力端
子、前記第１の基板の別の辺に沿って配列され、前記ド
レインラインに接続されたドレイン入力端子、及び、前
記第１の基板端部の複数個所に設けられ、導電物を介し
て前記共通電極に接続された共通電極入力端子を有する
液晶表示装置において、前記ゲート入力端子群に隣接し
て配置された前記共通電極入力端子は、前記ゲート入力
端子と同一の材料により形成され、前記ドレイン入力端
子群に隣接して配置された前記共通電極入力端子は、前
記ドレイン入力端子と同一の材料により形成された構成
である。
【０００９】
【作用】前記構成で、共通電極入力端子を、ゲート入力
端子が配列された端子群に隣接して配置する場合にはゲ
ート入力端子と同一材料により形成し、ドレイン入力端
子が配列された端子群に隣接して配置する場合にはドレ
イン入力端子と同一材料により形成することにより、共
通電極入力端子とそれが隣接する入力端子との間の通電
による端子電極の腐食が防止される。即ち、共通電極入
力端子とそれが隣接する入力端子との間で標準電極電位
の差が無くなるため、両端子間で大きな電圧がかかった
り、また、湿気雰囲気が生じても化学反応が起こらず、
端子電極は破壊されない。
端子が配列された端子群に隣接して配置する場合にはゲ
ート入力端子と同一材料により形成し、ドレイン入力端
子が配列された端子群に隣接して配置する場合にはドレ
イン入力端子と同一材料により形成することにより、共
通電極入力端子とそれが隣接する入力端子との間の通電
による端子電極の腐食が防止される。即ち、共通電極入
力端子とそれが隣接する入力端子との間で標準電極電位
の差が無くなるため、両端子間で大きな電圧がかかった
り、また、湿気雰囲気が生じても化学反応が起こらず、
端子電極は破壊されない。
【００１０】
【実施例】続いて、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本実施例に係る液晶表示装置の全
体平面図である。画素部では図２に示すように、基板
（１０）側に互いに交差して配置された複数のゲートラ
イン（１６Ｌ）と複数のドレインライン（１３Ｌ）の各
交点にＴＦＴが形成され、それぞれ液晶表示用画素容量
の一方の電極となる表示電極（１３Ｐ）に接続されてい
る。各ゲートライン（１６Ｌ）は基板（１０）の端部に
延在されて各ゲート入力端子（ＧＴ）に接続されてい
る。また、各ドレインライン（１３Ｌ）は基板（１０）
の上下両端に交互に取り出されて、各ドレイン入力端子
（ＤＴ）に接続されている。また、基板（２０）側に
は、画素容量の他方の電極となる共通電極（２１）が全
面的に形成されている。これら両基板は間隙に液晶を挟
んで貼り合わされている。共通電極（２１）は基板（２
０）の４隅で銀ペースト（ＡＰ）により基板（１０）側
に接続され、共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２，ＣＴ
３，ＣＴ４）により外部に取り出される。
ら説明する。図１は、本実施例に係る液晶表示装置の全
体平面図である。画素部では図２に示すように、基板
（１０）側に互いに交差して配置された複数のゲートラ
イン（１６Ｌ）と複数のドレインライン（１３Ｌ）の各
交点にＴＦＴが形成され、それぞれ液晶表示用画素容量
の一方の電極となる表示電極（１３Ｐ）に接続されてい
る。各ゲートライン（１６Ｌ）は基板（１０）の端部に
延在されて各ゲート入力端子（ＧＴ）に接続されてい
る。また、各ドレインライン（１３Ｌ）は基板（１０）
の上下両端に交互に取り出されて、各ドレイン入力端子
（ＤＴ）に接続されている。また、基板（２０）側に
は、画素容量の他方の電極となる共通電極（２１）が全
面的に形成されている。これら両基板は間隙に液晶を挟
んで貼り合わされている。共通電極（２１）は基板（２
０）の４隅で銀ペースト（ＡＰ）により基板（１０）側
に接続され、共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２，ＣＴ
３，ＣＴ４）により外部に取り出される。
【００１１】ゲート入力端子（ＧＴ）群の配列に隣接し
て配置された共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２）は、
ゲート入力端子（ＧＴ）と同一材料であるＡｌにより形
成され、ドレイン入力端子（ＤＴ）群の配列に隣接して
配置された共通電極入力端子（ＣＴ３，ＣＴ４）は、ド
レイン入力端子（ＤＴ）と同一材料であるＩＴＯにより
形成されている。
て配置された共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２）は、
ゲート入力端子（ＧＴ）と同一材料であるＡｌにより形
成され、ドレイン入力端子（ＤＴ）群の配列に隣接して
配置された共通電極入力端子（ＣＴ３，ＣＴ４）は、ド
レイン入力端子（ＤＴ）と同一材料であるＩＴＯにより
形成されている。
【００１２】このように、共通電極入力端子（ＣＴ１，
ＣＴ２，ＣＴ３，ＣＴ４）は、ＴＡＢなどにより取り付
けられる外部の駆動回路素子との接続のため、ゲート入
力端子（ＧＴ）群及びドレイン入力端子（ＤＴ）群の配
列に隣接して配置される。このため、共通電極入力端子
（ＣＴ１，ＣＴ２）とゲート入力端子（ＧＴ）、及び、
共通電極入力端子（ＣＴ３，ＣＴ４）とドレイン入力端
子（ＤＴ）は非常に近接して配置され、通電を引き起こ
しやすくなっている。特に、共通電極入力端子（ＣＴ
１，ＣＴ２）とゲート入力端子（ＧＴ）間には大きな電
圧がかかるので通電しやすく、わずかの水分が付着して
も両端子電極間で溶媒として働き、電極腐食の原因とな
る。
ＣＴ２，ＣＴ３，ＣＴ４）は、ＴＡＢなどにより取り付
けられる外部の駆動回路素子との接続のため、ゲート入
力端子（ＧＴ）群及びドレイン入力端子（ＤＴ）群の配
列に隣接して配置される。このため、共通電極入力端子
（ＣＴ１，ＣＴ２）とゲート入力端子（ＧＴ）、及び、
共通電極入力端子（ＣＴ３，ＣＴ４）とドレイン入力端
子（ＤＴ）は非常に近接して配置され、通電を引き起こ
しやすくなっている。特に、共通電極入力端子（ＣＴ
１，ＣＴ２）とゲート入力端子（ＧＴ）間には大きな電
圧がかかるので通電しやすく、わずかの水分が付着して
も両端子電極間で溶媒として働き、電極腐食の原因とな
る。
【００１３】このため、本発明では、共通電極入力端子
（ＣＴ１，ＣＴ２）をゲート入力端子（ＧＴ）と同一材
料で形成し、共通電極入力端子（ＣＴ３，ＣＴ４）をド
レイン入力端子（ＤＴ）と同一材料で形成することによ
り、互いに近接配置された端子電極間で標準電極電位の
差が無くなるので、例え通電が生じても端子電極の破壊
にまでは至らない。
（ＣＴ１，ＣＴ２）をゲート入力端子（ＧＴ）と同一材
料で形成し、共通電極入力端子（ＣＴ３，ＣＴ４）をド
レイン入力端子（ＤＴ）と同一材料で形成することによ
り、互いに近接配置された端子電極間で標準電極電位の
差が無くなるので、例え通電が生じても端子電極の破壊
にまでは至らない。
【００１４】このような液晶表示装置は以下のように製
造される。まず、ガラスなどの透明な基板（１０）上
に、Ｃｒをスパッタリングにより２０００Å程度の厚さ
に積層し、これをエッチングすることにより遮光層（１
１）を形成する。続いて、ＳｉＮXをＣＶＤにより成膜
して層間絶縁層（１２）を形成し、遮光層（１１）を被
覆している。次に、層間絶縁層（１２）上に、ＩＴＯを
スパッタリングにより１０００Å程度の厚さに、Ｎ+ａ
−Ｓｉ（１４Ｎ）を２００〜３００Å程度の厚さに順次
積層し、これら両膜（１２，１４Ｎ）をエッチングする
ことにより、表示電極（１３Ｐ）、ドレインライン（１
３Ｌ）、ソース電極（１３Ｓ）、ドレイン電極（１３
Ｄ）、ドレイン入力端子（ＤＴ）及び共通電極入力端子
（ＣＴ３，ＣＴ４）を形成する。次に、ソース・ドレイ
ン配線（１３）が形成された基板上に、プラズマＣＶＤ
によりａ−Ｓｉ（１４）を５００〜１０００Å程度の厚
さに積層し、引き続き、プラズマＣＶＤによりゲート絶
縁層（１５）となるＳｉＮXを２０００〜４０００Åの
厚さに積層し、次に、ゲート配線（１６）となるＡｌを
スパッタリングにより４０００Å程度の厚さに積層す
る。このように順次積層されたＡｌ、ＳｉＮX、ａ−Ｓ
ｉ、及びＮ+ａ−Ｓｉは同一のマスクを用いたエッチン
グにより不要な部分を除去する。これにより、ソース及
びドレイン電極（１３Ｓ，１３Ｄ）上にＮ+ａ−Ｓｉ
（１４Ｎ）、ａ−Ｓｉ（１４）、ゲート絶縁層（１５）
及びゲート電極（１６Ｇ）が積層されてなるＴＦＴ、及
び、ＳｉＮXとａ−Ｓｉの積層体上のＡｌからなるゲー
トライン（１６Ｌ）を形成するとともに、ゲート入力端
子（ＧＴ）及び共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２）を
形成する。
造される。まず、ガラスなどの透明な基板（１０）上
に、Ｃｒをスパッタリングにより２０００Å程度の厚さ
に積層し、これをエッチングすることにより遮光層（１
１）を形成する。続いて、ＳｉＮXをＣＶＤにより成膜
して層間絶縁層（１２）を形成し、遮光層（１１）を被
覆している。次に、層間絶縁層（１２）上に、ＩＴＯを
スパッタリングにより１０００Å程度の厚さに、Ｎ+ａ
−Ｓｉ（１４Ｎ）を２００〜３００Å程度の厚さに順次
積層し、これら両膜（１２，１４Ｎ）をエッチングする
ことにより、表示電極（１３Ｐ）、ドレインライン（１
３Ｌ）、ソース電極（１３Ｓ）、ドレイン電極（１３
Ｄ）、ドレイン入力端子（ＤＴ）及び共通電極入力端子
（ＣＴ３，ＣＴ４）を形成する。次に、ソース・ドレイ
ン配線（１３）が形成された基板上に、プラズマＣＶＤ
によりａ−Ｓｉ（１４）を５００〜１０００Å程度の厚
さに積層し、引き続き、プラズマＣＶＤによりゲート絶
縁層（１５）となるＳｉＮXを２０００〜４０００Åの
厚さに積層し、次に、ゲート配線（１６）となるＡｌを
スパッタリングにより４０００Å程度の厚さに積層す
る。このように順次積層されたＡｌ、ＳｉＮX、ａ−Ｓ
ｉ、及びＮ+ａ−Ｓｉは同一のマスクを用いたエッチン
グにより不要な部分を除去する。これにより、ソース及
びドレイン電極（１３Ｓ，１３Ｄ）上にＮ+ａ−Ｓｉ
（１４Ｎ）、ａ−Ｓｉ（１４）、ゲート絶縁層（１５）
及びゲート電極（１６Ｇ）が積層されてなるＴＦＴ、及
び、ＳｉＮXとａ−Ｓｉの積層体上のＡｌからなるゲー
トライン（１６Ｌ）を形成するとともに、ゲート入力端
子（ＧＴ）及び共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２）を
形成する。
【００１５】以下、配向膜（１７）の形成，対向基板側
の共通電極（２１）及び配向膜（２２）の形成、両基板
の貼り合わせ、銀ペースト（ＡＰ）による共通電極（２
１）と共通電極入力端子（ＣＴ）の接続、及び、液晶の
注入を経て液晶表示装置が完成される。このように、Ｔ
ＦＴ基板の製造に要するマスク数は、遮光層（１１）の
形成、ソース・ドレイン配線（１３）と共通電極入力端
子（ＣＴ３，ＣＴ４）の形成、及び、ゲート配線（１
６）と共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２）の形成の３
枚であるため、低コストである。
の共通電極（２１）及び配向膜（２２）の形成、両基板
の貼り合わせ、銀ペースト（ＡＰ）による共通電極（２
１）と共通電極入力端子（ＣＴ）の接続、及び、液晶の
注入を経て液晶表示装置が完成される。このように、Ｔ
ＦＴ基板の製造に要するマスク数は、遮光層（１１）の
形成、ソース・ドレイン配線（１３）と共通電極入力端
子（ＣＴ３，ＣＴ４）の形成、及び、ゲート配線（１
６）と共通電極入力端子（ＣＴ１，ＣＴ２）の形成の３
枚であるため、低コストである。
【００１６】本発明の主旨は、共通電極入力端子を、そ
れが隣接する他の外部入力端子と同一材料で形成する点
にあり、これにより共通電極入力端子と他の外部入力端
子との間で通電が生じても、端子電極の腐食を防止する
ものである。そのため、本発明は前述の実施例の電極配
置に限定されることはなく、共通電極入力端子が他の外
部入力端子に隣接する配置であればどのような構造にで
も適用される。
れが隣接する他の外部入力端子と同一材料で形成する点
にあり、これにより共通電極入力端子と他の外部入力端
子との間で通電が生じても、端子電極の腐食を防止する
ものである。そのため、本発明は前述の実施例の電極配
置に限定されることはなく、共通電極入力端子が他の外
部入力端子に隣接する配置であればどのような構造にで
も適用される。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
より、共通電極入力端子と他の外部入力端子との間の通
電による端子電極の腐食が防止され、信頼性の向上、及
び、装置寿命の延長が達成された。
より、共通電極入力端子と他の外部入力端子との間の通
電による端子電極の腐食が防止され、信頼性の向上、及
び、装置寿命の延長が達成された。
【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置の全体平面
図である。
図である。
【図２】液晶表示装置の画素部の平面図と断面図であ
る。
る。
【図３】液晶表示装置の基板端部の平面図である。
１０，２０ 基板 １１ 遮光層 １２ 層間絶縁膜 １３，２１ ＩＴＯ １４ ａ−Ｓｉ １５ ＳｉＮX １６ Ａｌ １７，２２ 配向膜 ２１ 共通電極 ３０ 液晶 ４０ シール剤 ＧＴ ゲート入力端子 ＤＴ ドレイン入力端子 ＣＴ 共通電極入力端子 ＡＰ 銀ペースト
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶を挟んで対向して配置された第１及
び第２の基板、前記第１の基板の対向面側に行列状に配
置された表示電極、前記表示電極の行間に配置されたゲ
ートライン、前記表示電極の列間に配置されたドレイン
ライン、前記第２の基板の対向面側に全面的に形成され
た共通電極、前記第１の基板の辺に沿って配列され、前
記ゲートラインに接続されたゲート入力端子、前記第１
の基板の別の辺に沿って配列され、前記ドレインライン
に接続されたドレイン入力端子、及び、前記第１の基板
の端部に設けられ、導電物を介して前記共通電極に接続
された共通電極入力端子を有する液晶表示装置におい
て、 前記ゲート入力端子群に隣接して配置された前記共通電
極入力端子は、前記ゲート入力端子と同一の材料により
形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶を挟んで対向して配置された第１及
び第２の基板、前記第１の基板の対向面側に行列状に配
置された表示電極、前記表示電極の行間に配置されたゲ
ートライン、前記表示電極の列間に配置されたドレイン
ライン、前記第２の基板の対向面側に全面的に形成され
た共通電極、前記第１の基板の辺に沿って配列され、前
記ゲートラインに接続されたゲート入力端子、前記第１
の基板の別の辺に沿って配列され、前記ドレインライン
に接続されたドレイン入力端子、及び、前記第１の基板
の端部に設けられ、導電物を介して前記共通電極に接続
された共通電極入力端子を有する液晶表示装置におい
て、 前記ドレイン入力端子群に隣接して配置された前記共通
電極入力端子は、前記ドレイン入力端子と同一の材料に
より形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22970094A JPH0895077A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22970094A JPH0895077A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895077A true JPH0895077A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16896335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22970094A Pending JPH0895077A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0895077A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100864501B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-10-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP22970094A patent/JPH0895077A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100864501B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-10-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US7733312B2 (en) | 2002-11-19 | 2010-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Liquid crystal display with a structure for reducing corrosion of display signal lines |
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