JP2929161B2 - 端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法 - Google Patents
端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法Info
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- JP2929161B2 JP2929161B2 JP6082376A JP8237694A JP2929161B2 JP 2929161 B2 JP2929161 B2 JP 2929161B2 JP 6082376 A JP6082376 A JP 6082376A JP 8237694 A JP8237694 A JP 8237694A JP 2929161 B2 JP2929161 B2 JP 2929161B2
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B11/00—Communication cables or conductors
- H01B11/18—Coaxial cables; Analogous cables having more than one inner conductor within a common outer conductor
- H01B11/1808—Construction of the conductors
- H01B11/1817—Co-axial cables with at least one metal deposit conductor
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B11/18—Coaxial cables; Analogous cables having more than one inner conductor within a common outer conductor
- H01B11/1834—Construction of the insulation between the conductors
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同軸ケーブルおよびそ
の製造方法に関し、さらに詳しくは、情報通信機器，情
報処理機器等の電子機器の高周波回路基板，高周波部品
の信号伝達線路として用いられる端末むきが容易なセミ
リジット同軸ケーブルおよびその製造方法に関する。
の製造方法に関し、さらに詳しくは、情報通信機器，情
報処理機器等の電子機器の高周波回路基板，高周波部品
の信号伝達線路として用いられる端末むきが容易なセミ
リジット同軸ケーブルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に、公知の一般の同軸ケーブルの一
例を示す。この同軸ケーブル１０は、中心導体１の外周
に低誘電率の絶縁体７２を形成し、その絶縁体７２の外
周に金属細線の編組，横巻き，金属箔の巻回等による外
部導体７３を設け、その外部導体７３の外周に例えばポ
リ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂を溶融押出しした保護被覆
層４を設けた構造である。
例を示す。この同軸ケーブル１０は、中心導体１の外周
に低誘電率の絶縁体７２を形成し、その絶縁体７２の外
周に金属細線の編組，横巻き，金属箔の巻回等による外
部導体７３を設け、その外部導体７３の外周に例えばポ
リ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂を溶融押出しした保護被覆
層４を設けた構造である。
【０００３】図５に公知のセミリジット同軸ケーブルの
一例を示す。このセミリジット同軸ケーブル９は、銅導
体等からなる中心導体１の外周に低誘電率の絶縁体６
２，例えば四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニル
エーテル共重合体（ＰＦＡ）樹脂等を溶融押出しにより
形成し、その外周に銅パイプ等の金属パイプを密着して
設けて外部導体６３を形成した構造である。
一例を示す。このセミリジット同軸ケーブル９は、銅導
体等からなる中心導体１の外周に低誘電率の絶縁体６
２，例えば四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニル
エーテル共重合体（ＰＦＡ）樹脂等を溶融押出しにより
形成し、その外周に銅パイプ等の金属パイプを密着して
設けて外部導体６３を形成した構造である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の一般の同軸
ケーブル１０では、外部導体７３に隙間があるので、シ
ールド特性が良好でない問題点がある。
ケーブル１０では、外部導体７３に隙間があるので、シ
ールド特性が良好でない問題点がある。
【０００５】一方、上記従来のセミリジット同軸ケーブ
ル９では、外部導体６３に隙間がないので、シールド特
性が良好である。しかし、次の問題点がある。セミリジ
ット同軸ケーブル９を製造するには、まず絶縁導体６０
を作成し、その絶縁導体６０を太めの銅パイプに封入す
る。次に、その銅パイプをダイスを用いて引抜加工し、
絶縁導体６０と銅パイプを密着させて外部導体６３とす
る。密着性を良くするために絶縁導体６０の外径と銅パ
イプの内径とを近似値とする必要があるが、そうすると
摩擦が大きくなって封入が困難となる。このため、短尺
品（例えば３０ｍ程度）しか製造できない問題点があ
る。
ル９では、外部導体６３に隙間がないので、シールド特
性が良好である。しかし、次の問題点がある。セミリジ
ット同軸ケーブル９を製造するには、まず絶縁導体６０
を作成し、その絶縁導体６０を太めの銅パイプに封入す
る。次に、その銅パイプをダイスを用いて引抜加工し、
絶縁導体６０と銅パイプを密着させて外部導体６３とす
る。密着性を良くするために絶縁導体６０の外径と銅パ
イプの内径とを近似値とする必要があるが、そうすると
摩擦が大きくなって封入が困難となる。このため、短尺
品（例えば３０ｍ程度）しか製造できない問題点があ
る。
【０００６】また、銅パイプは、独立した別工程で製造
されるうえに、真円度を要求される。このため、かなり
の厚みが必要とされる（例えば0.30ｍｍ) 。この厚み
は、引抜加工しても少ししか変わらない（例えば0.26ｍ
ｍ) ので、曲げにくく、巻取りが困難である。この点で
も、短尺品しか製造できない問題点がある。また、上記
のように短尺品しか製造できないので、保護被覆層を効
率よく形成することが出来ず、保護被覆層がない。この
ため、用途が限定される問題点がある。
されるうえに、真円度を要求される。このため、かなり
の厚みが必要とされる（例えば0.30ｍｍ) 。この厚み
は、引抜加工しても少ししか変わらない（例えば0.26ｍ
ｍ) ので、曲げにくく、巻取りが困難である。この点で
も、短尺品しか製造できない問題点がある。また、上記
のように短尺品しか製造できないので、保護被覆層を効
率よく形成することが出来ず、保護被覆層がない。この
ため、用途が限定される問題点がある。
【０００７】また、引抜加工時にかなり強いストレスが
加わり、寸法精度が低下しやすい。このため、特性イン
ピーダンス，電圧定在波比（ＶＳＷＲ）等の高周波伝送
特性が安定しない問題点がある。更に、引抜加工により
製造するため、量産レベルでは約０．６ｍｍの仕上り外
径が限度である。すなわち、細径化が困難な問題点もあ
る。
加わり、寸法精度が低下しやすい。このため、特性イン
ピーダンス，電圧定在波比（ＶＳＷＲ）等の高周波伝送
特性が安定しない問題点がある。更に、引抜加工により
製造するため、量産レベルでは約０．６ｍｍの仕上り外
径が限度である。すなわち、細径化が困難な問題点もあ
る。
【０００８】なお、前記した従来の一般の同軸ケーブル
１０の外部導体をめっきにより設けた構造の同軸ケーブ
ルも、例えば特開平５−８１９３８号公報に記載されて
いるように公知である。この同軸ケーブルにおいて、ワ
イヤ絶縁層がフッ素系樹脂の場合には、テトラエッチ
（（株）潤工社，商品名）液によって表面を粗化し、銅
めっきとの密着性を高めることが望ましいと記載されて
いる。また表面の粗化方法としては実公昭４３−２００
１４号公報にも金属ナトリウムを用いて低誘電率絶縁体
の表面を化学的エッチングを行うことが記載されてい
る。しかしながらこれらの処理剤は高価であるうえに危
険性が高く実用性に欠けているものである。またこのよ
うな処理を施すことにより低誘電率絶縁体とめっき層と
の密着性を高めているため、保護被覆層と低誘電率絶縁
体との分離が困難であり、高周波回路基板等に接続する
ために端末処理する際は、端末むきが難しかった。
１０の外部導体をめっきにより設けた構造の同軸ケーブ
ルも、例えば特開平５−８１９３８号公報に記載されて
いるように公知である。この同軸ケーブルにおいて、ワ
イヤ絶縁層がフッ素系樹脂の場合には、テトラエッチ
（（株）潤工社，商品名）液によって表面を粗化し、銅
めっきとの密着性を高めることが望ましいと記載されて
いる。また表面の粗化方法としては実公昭４３−２００
１４号公報にも金属ナトリウムを用いて低誘電率絶縁体
の表面を化学的エッチングを行うことが記載されてい
る。しかしながらこれらの処理剤は高価であるうえに危
険性が高く実用性に欠けているものである。またこのよ
うな処理を施すことにより低誘電率絶縁体とめっき層と
の密着性を高めているため、保護被覆層と低誘電率絶縁
体との分離が困難であり、高周波回路基板等に接続する
ために端末処理する際は、端末むきが難しかった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、良好なシールド
特性を有し，長尺品の製造が可能であり、保護被覆層を
効率良く形成でき，高周波伝送特性が安定であり，細径
化が可能であり、無電解めっきが低誘電率絶縁体に直接
するよりも容易であり、更に端末むきが容易なセミリジ
ット同軸ケーブルを提供することを目的とする。また、
そのセミリジット同軸ケーブルを好適に製造しうる製造
方法を提供することを目的とする。
特性を有し，長尺品の製造が可能であり、保護被覆層を
効率良く形成でき，高周波伝送特性が安定であり，細径
化が可能であり、無電解めっきが低誘電率絶縁体に直接
するよりも容易であり、更に端末むきが容易なセミリジ
ット同軸ケーブルを提供することを目的とする。また、
そのセミリジット同軸ケーブルを好適に製造しうる製造
方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、中心導体の外周に、絶縁体として、第１層
のフッ素樹脂系の低誘電率絶縁体，及び該第１層の絶縁
体よりも無電解めっきが容易な樹脂からなり，絶縁体の
厚さが５μｍ以上で且つ第１層の絶縁体の厚さの２０％
以下で，第１層の絶縁体との密着力が弱い第２層の絶縁
体を順次設け、この外周に外部導体として、前記第２層
の絶縁体との密着力が強い無電解めっきアンカー金属層
及び該アンカー金属層との密着力が強い電気めっき良導
電性金属層を順次設けた端末むきが容易なセミリジット
同軸ケーブル（以下、同軸ケーブルと略記する）にあ
る。
に本発明は、中心導体の外周に、絶縁体として、第１層
のフッ素樹脂系の低誘電率絶縁体，及び該第１層の絶縁
体よりも無電解めっきが容易な樹脂からなり，絶縁体の
厚さが５μｍ以上で且つ第１層の絶縁体の厚さの２０％
以下で，第１層の絶縁体との密着力が弱い第２層の絶縁
体を順次設け、この外周に外部導体として、前記第２層
の絶縁体との密着力が強い無電解めっきアンカー金属層
及び該アンカー金属層との密着力が強い電気めっき良導
電性金属層を順次設けた端末むきが容易なセミリジット
同軸ケーブル（以下、同軸ケーブルと略記する）にあ
る。
【００１１】また本発明は、前記外部導体の外周に、該
外部導体と保護被覆層間の密着力が前記第１層と第２層
間の密着力よりも強い保護被覆層を設け、また前記良導
電性金属層が銅めっき層と，光沢銅めっき層と，ストラ
イクニッケルめっき層あるいは錫めっき層とからなり、
また前記第２層の絶縁体が樹脂の溶融押出層或はテープ
巻回層からなり、更に前記中心導体の外径が0.20ｍｍ以
下であり、同軸ケーブルの仕上外径が 0.90 ｍｍ以下の
細径である同軸ケーブルにある。
外部導体と保護被覆層間の密着力が前記第１層と第２層
間の密着力よりも強い保護被覆層を設け、また前記良導
電性金属層が銅めっき層と，光沢銅めっき層と，ストラ
イクニッケルめっき層あるいは錫めっき層とからなり、
また前記第２層の絶縁体が樹脂の溶融押出層或はテープ
巻回層からなり、更に前記中心導体の外径が0.20ｍｍ以
下であり、同軸ケーブルの仕上外径が 0.90 ｍｍ以下の
細径である同軸ケーブルにある。
【００１２】また本発明は、中心導体の外周に第１層の
フッ素樹脂系の低誘電率絶縁体（以下、第１層の絶縁体
と略記する）を被覆する第１層の絶縁体被覆工程と、前
記第１層の外周に該第１層の絶縁体よりも無電解めっき
が容易な樹脂からなり，絶縁体の厚さが５μｍ以上で且
つ第１層の絶縁体の厚さの２０％以下で，第１層の絶縁
体との密着力が弱い第２層の絶縁体（以下、第２層の絶
縁体と略記する）を被覆する第２層の絶縁体被覆工程
と、前記第２層の絶縁体の表面に，該第２層との密着力
が強いアンカー金属層を形成する無電解めっき工程と、
前記アンカー金属層の外周に，該アンカー金属層との密
着力が強い良導電性金属層を形成する電気めっき工程と
を有する同軸ケーブルの製造方法にある。
フッ素樹脂系の低誘電率絶縁体（以下、第１層の絶縁体
と略記する）を被覆する第１層の絶縁体被覆工程と、前
記第１層の外周に該第１層の絶縁体よりも無電解めっき
が容易な樹脂からなり，絶縁体の厚さが５μｍ以上で且
つ第１層の絶縁体の厚さの２０％以下で，第１層の絶縁
体との密着力が弱い第２層の絶縁体（以下、第２層の絶
縁体と略記する）を被覆する第２層の絶縁体被覆工程
と、前記第２層の絶縁体の表面に，該第２層との密着力
が強いアンカー金属層を形成する無電解めっき工程と、
前記アンカー金属層の外周に，該アンカー金属層との密
着力が強い良導電性金属層を形成する電気めっき工程と
を有する同軸ケーブルの製造方法にある。
【００１３】更に本発明は、前記良導電性金属層の外周
に、該良導電性金属層と保護被覆層間の密着力が前記第
１層と第２層間の密着力よりも強い保護被覆層を設ける
外被形成工程をさらに有し、また前記電気めっき工程は
銅めっき層を形成する銅めっき工程と，光沢銅めっき層
を形成する光沢銅めっき工程と，ストライクニッケルめ
っき層を形成するストライクニッケルめっき工程あるい
は錫めっき層を形成する錫めっき工程とを有し、更に前
記電気めっき工程の後に熱処理工程を有する同軸ケーブ
ルの製造方法にある。
に、該良導電性金属層と保護被覆層間の密着力が前記第
１層と第２層間の密着力よりも強い保護被覆層を設ける
外被形成工程をさらに有し、また前記電気めっき工程は
銅めっき層を形成する銅めっき工程と，光沢銅めっき層
を形成する光沢銅めっき工程と，ストライクニッケルめ
っき層を形成するストライクニッケルめっき工程あるい
は錫めっき層を形成する錫めっき工程とを有し、更に前
記電気めっき工程の後に熱処理工程を有する同軸ケーブ
ルの製造方法にある。
【００１４】本発明において第２層の絶縁体の厚さを５
μｍ以上で、かつ第１層の絶縁体の厚さの２０％以下と
限定した理由は、この第２層の絶縁体の厚さの５μｍと
いう値は現在の技術レベルで設けられるほぼ下限の値
で、まためっきが可能でさや抜け出来る厚さであるため
であり、かつ２０％以下としたのは、第１層の低誘電率
絶縁体を使用している同軸ケーブルの各種特性を保持す
るためである。
μｍ以上で、かつ第１層の絶縁体の厚さの２０％以下と
限定した理由は、この第２層の絶縁体の厚さの５μｍと
いう値は現在の技術レベルで設けられるほぼ下限の値
で、まためっきが可能でさや抜け出来る厚さであるため
であり、かつ２０％以下としたのは、第１層の低誘電率
絶縁体を使用している同軸ケーブルの各種特性を保持す
るためである。
【００１５】
【作用】本発明の同軸ケーブルでは第１層の絶縁体２ａ
の外周に、第２層の絶縁体２ｂを設けてから、まず無電
解めっきアンカー金属層３ａを設け、さらにその外周
に、電気めっき良導電性金属層３ｂを設け、両者を合わ
せて外部導体３としている。従って、外部導体に隙間が
ないので、シールド特性は良好である。また、無電解め
っき及び電解めっきで外部導体３を形成するので、絶縁
導体を銅パイプに封入する必要がなく、さらに外部導体
を薄く（例えば 0.10 ｍｍ）形成できるので、曲げやす
く、巻取りも容易になり、一条1000ｍ以上の長尺品を製
造できる。また、長尺品を製造できるので、保護被覆層
４を効率良く形成できる。このため、広い用途に使用で
きる。また、めっきの液圧しか加わらないため、寸法精
度の低下がなく、特性インピーダンス，電圧定在波比
（ＶＳＷＲ）等の高周波伝送特性が安定になる。さら
に、仕上り外径0.90ｍｍ以下の細径化も可能となる。
の外周に、第２層の絶縁体２ｂを設けてから、まず無電
解めっきアンカー金属層３ａを設け、さらにその外周
に、電気めっき良導電性金属層３ｂを設け、両者を合わ
せて外部導体３としている。従って、外部導体に隙間が
ないので、シールド特性は良好である。また、無電解め
っき及び電解めっきで外部導体３を形成するので、絶縁
導体を銅パイプに封入する必要がなく、さらに外部導体
を薄く（例えば 0.10 ｍｍ）形成できるので、曲げやす
く、巻取りも容易になり、一条1000ｍ以上の長尺品を製
造できる。また、長尺品を製造できるので、保護被覆層
４を効率良く形成できる。このため、広い用途に使用で
きる。また、めっきの液圧しか加わらないため、寸法精
度の低下がなく、特性インピーダンス，電圧定在波比
（ＶＳＷＲ）等の高周波伝送特性が安定になる。さら
に、仕上り外径0.90ｍｍ以下の細径化も可能となる。
【００１6 】上記構成の同軸ケーブルにおいて、前記良
導電性金属層３ｂを、銅めっき層３ｃと，光沢銅めっき
層３ｄと，ストライクニッケルめっき層あるいは錫めっ
き層３ｅとから構成すれば、アンカー金属層３ａを介し
た銅めっき層３ｃにより第２層の絶縁体２ｂとの密着性
が向上し、光沢銅めっき層３ｄにより導電性が向上し、
ストライクニッケルめっき層あるいは錫めっき層３ｅに
より耐蝕性，はんだ付け性が向上するので、特に好まし
い。
導電性金属層３ｂを、銅めっき層３ｃと，光沢銅めっき
層３ｄと，ストライクニッケルめっき層あるいは錫めっ
き層３ｅとから構成すれば、アンカー金属層３ａを介し
た銅めっき層３ｃにより第２層の絶縁体２ｂとの密着性
が向上し、光沢銅めっき層３ｄにより導電性が向上し、
ストライクニッケルめっき層あるいは錫めっき層３ｅに
より耐蝕性，はんだ付け性が向上するので、特に好まし
い。
【００１７】上記構成の同軸ケーブルにおいて、前記第
１層のフッ素樹脂系の低誘電率絶縁体を、例えば四弗化
エチレン樹脂（ＰＴＦＥ），四弗化エチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ），四
弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合体樹脂（ＦＥ
Ｐ），四弗化エチレン−エチレン共重合体樹脂（ＥＴＦ
Ｅ）等から構成し、この外周に第２層の絶縁体，例えば
ポリエステル樹脂，ポリアミド樹脂等の溶融押出層或は
テープ巻回層を設けることにより、表面を粗化しなくて
も無電解めっき及び電気めっきで外部導体を形成できる
ので、好ましい。なおＰＶＣ樹脂を用いることもできる
が、この場合ＰＶＣははっ水性があるので強酸等による
表面処理をしたほうが好ましい。
１層のフッ素樹脂系の低誘電率絶縁体を、例えば四弗化
エチレン樹脂（ＰＴＦＥ），四弗化エチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ），四
弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合体樹脂（ＦＥ
Ｐ），四弗化エチレン−エチレン共重合体樹脂（ＥＴＦ
Ｅ）等から構成し、この外周に第２層の絶縁体，例えば
ポリエステル樹脂，ポリアミド樹脂等の溶融押出層或は
テープ巻回層を設けることにより、表面を粗化しなくて
も無電解めっき及び電気めっきで外部導体を形成できる
ので、好ましい。なおＰＶＣ樹脂を用いることもできる
が、この場合ＰＶＣははっ水性があるので強酸等による
表面処理をしたほうが好ましい。
【００１８】上記構成の同軸ケーブルにおいて、前記中
心導体の外径を0.20ｍｍ以下とし、同軸ケーブルの仕上
外径を 0.90 ｍｍ以下のより細径とすれば、電子機器の
機器内配線材として好適に利用でき、好ましい。
心導体の外径を0.20ｍｍ以下とし、同軸ケーブルの仕上
外径を 0.90 ｍｍ以下のより細径とすれば、電子機器の
機器内配線材として好適に利用でき、好ましい。
【００１９】また本発明の同軸ケーブルに於いては、第
２層の絶縁体２ｂが第１層の絶縁体２ａの外周に薄くチ
ュービング或はテープ巻きされているだけなので第１層
と第２層の密着力は弱い。これに対し、第２層の絶縁体
２ｂとアンカー金属層３ａの密着力，アンカー金属層３
ａと良導電性金属層３ｂの密着力，また良導電性金属層
３ｂと保護被覆層の密着力は前記第１層と第２層間の密
着力と比較してかなり強い。従って、ストリッパー等に
よる端末処理の際は、本発明の同軸ケーブルの端末むき
を説明するための略図７に示す如く、外部導体３が設け
られた第２層の絶縁体２ｂと保護被覆層４とが一体とな
って第１層の絶縁体２ａから容易にさや抜け出来るよう
になり、端末むきが容易となる。なお、図７（ａ）は端
末むきされた同軸ケーブルを示す斜視図であり、また同
図（ｂ）はさや抜けした部分を示す斜視図である。
２層の絶縁体２ｂが第１層の絶縁体２ａの外周に薄くチ
ュービング或はテープ巻きされているだけなので第１層
と第２層の密着力は弱い。これに対し、第２層の絶縁体
２ｂとアンカー金属層３ａの密着力，アンカー金属層３
ａと良導電性金属層３ｂの密着力，また良導電性金属層
３ｂと保護被覆層の密着力は前記第１層と第２層間の密
着力と比較してかなり強い。従って、ストリッパー等に
よる端末処理の際は、本発明の同軸ケーブルの端末むき
を説明するための略図７に示す如く、外部導体３が設け
られた第２層の絶縁体２ｂと保護被覆層４とが一体とな
って第１層の絶縁体２ａから容易にさや抜け出来るよう
になり、端末むきが容易となる。なお、図７（ａ）は端
末むきされた同軸ケーブルを示す斜視図であり、また同
図（ｂ）はさや抜けした部分を示す斜視図である。
【００２０】本発明の同軸ケーブルの製造方法によれ
ば、前記第１層の絶縁体被覆工程，第２層の絶縁体被覆
工程，無電解めっき工程，及び電気めっき工程，更には
外被形成工程により前記端末むきが容易なセミリジット
同軸ケーブルが効率良く製造できる。更に説明すると、
そのままでは無電解めっきが困難な第１層の低誘電率絶
縁体の外周に，第１層の絶縁体よりも無電解めっきが容
易な樹脂からなる第２層の絶縁体を設けることにより、
表面を粗化しなくても無電解めっきによりアンカー金属
層を設けることができる。そして、このアンカー金属層
の外周に電気めっきにより良導電性金属層を設けて、外
部導体が形成できる。このため、第２層の絶縁体の外周
に、密着性良く，十分な厚さに，ストレスを加えること
なく、外部導体を形成できる。そして、これにより、上
記作用を持つ同軸ケーブルを好適に製造できる。
ば、前記第１層の絶縁体被覆工程，第２層の絶縁体被覆
工程，無電解めっき工程，及び電気めっき工程，更には
外被形成工程により前記端末むきが容易なセミリジット
同軸ケーブルが効率良く製造できる。更に説明すると、
そのままでは無電解めっきが困難な第１層の低誘電率絶
縁体の外周に，第１層の絶縁体よりも無電解めっきが容
易な樹脂からなる第２層の絶縁体を設けることにより、
表面を粗化しなくても無電解めっきによりアンカー金属
層を設けることができる。そして、このアンカー金属層
の外周に電気めっきにより良導電性金属層を設けて、外
部導体が形成できる。このため、第２層の絶縁体の外周
に、密着性良く，十分な厚さに，ストレスを加えること
なく、外部導体を形成できる。そして、これにより、上
記作用を持つ同軸ケーブルを好適に製造できる。
【００２１】また本発明の同軸ケーブルの製造方法は、
第１層の絶縁体２ａよりも無電解めっきが容易な樹脂か
らなる第２層の絶縁体２ｂを設けてから無電解めっきす
るので、低誘電率絶縁体の外周に直接無電解めっきする
際に必要とされる金属ナトリウム等を用いた化学的エッ
チングが不要となる。
第１層の絶縁体２ａよりも無電解めっきが容易な樹脂か
らなる第２層の絶縁体２ｂを設けてから無電解めっきす
るので、低誘電率絶縁体の外周に直接無電解めっきする
際に必要とされる金属ナトリウム等を用いた化学的エッ
チングが不要となる。
【００２２】更に、上記構成の同軸ケーブルの製造方法
において、前記電気めっきにより良導電性金属層を設け
た後、熱処理すれば、同軸ケーブルの屈曲性を向上で
き、好ましい。
において、前記電気めっきにより良導電性金属層を設け
た後、熱処理すれば、同軸ケーブルの屈曲性を向上で
き、好ましい。
【００２３】
【実施例】以下、図に示す実施例により本発明をさらに
説明する。なお、これにより本発明が限定されるもので
はない。
説明する。なお、これにより本発明が限定されるもので
はない。
【００２４】実施例１ 図１は、本発明の実施例１の細径セミリジット同軸ケー
ブルを示す断面図である。この細径同軸ケーブル５は、
中心導体１と，絶縁体２と，外部導体３と，保護被覆層
４を順に設けた構造であり、外径0.93ｍｍ, 条長1000ｍ
以上である。前記中心導体１は、外径 0.20 ｍｍの銀め
っき銅線である。前記絶縁体２は厚さ 0.20 ｍｍのＰＴ
ＦＥの焼成体からなる第１層の絶縁体２ａと厚さ0.015
ｍｍのポリアミド樹脂の溶融押出体からなる第２層の絶
縁体２ｂとからなっている。前記外部導体３は、厚さ２
μｍのＮｉ−Ｐ無電解めっきによるアンカー金属層３ａ
と，厚さ 107μｍの電気めっきによる良導電性金属層３
ｂとからなっている。その良導電性金属層３ｂは、図４
の（ｆ）に示すように、厚さ５μｍの銅めっき層３ｃ
と，厚さ 100μｍの光沢銅めっき層３ｄと，厚さ２μｍ
のストライクニッケルめっき層３ｅとからなっている前
記保護被覆層４は、厚さ0.041 ｍｍのＰＶＣ樹脂であ
る。
ブルを示す断面図である。この細径同軸ケーブル５は、
中心導体１と，絶縁体２と，外部導体３と，保護被覆層
４を順に設けた構造であり、外径0.93ｍｍ, 条長1000ｍ
以上である。前記中心導体１は、外径 0.20 ｍｍの銀め
っき銅線である。前記絶縁体２は厚さ 0.20 ｍｍのＰＴ
ＦＥの焼成体からなる第１層の絶縁体２ａと厚さ0.015
ｍｍのポリアミド樹脂の溶融押出体からなる第２層の絶
縁体２ｂとからなっている。前記外部導体３は、厚さ２
μｍのＮｉ−Ｐ無電解めっきによるアンカー金属層３ａ
と，厚さ 107μｍの電気めっきによる良導電性金属層３
ｂとからなっている。その良導電性金属層３ｂは、図４
の（ｆ）に示すように、厚さ５μｍの銅めっき層３ｃ
と，厚さ 100μｍの光沢銅めっき層３ｄと，厚さ２μｍ
のストライクニッケルめっき層３ｅとからなっている前
記保護被覆層４は、厚さ0.041 ｍｍのＰＶＣ樹脂であ
る。
【００２５】図３は、本発明の細径セミリジット同軸ケ
ーブルの製造方法のフロー図である。上記細径同軸ケー
ブル５の製造を例にとって説明する。第１層の絶縁体被
覆工程Ｆ１では、外径 0.20 ｍｍの銀めっき銅線を中心
導体１として用い、この外周上にペースト状のＰＴＦＥ
をペースト押出し、焼成し、0.20ｍｍ厚の第１層の絶縁
体２ａを設ける。続いて、第２層の絶縁体被覆工程Ｆ２
として前記第１層の絶縁体２ａの外周上にポリアミド樹
脂を0.015 ｍｍ厚さに溶融押出しして第２層の絶縁体２
ｂを設ける。続いてこの絶縁体２ｂの表面をアルコール
により洗浄し、図４の（ａ）に示す表面の油等の汚れ３
０を除去する。
ーブルの製造方法のフロー図である。上記細径同軸ケー
ブル５の製造を例にとって説明する。第１層の絶縁体被
覆工程Ｆ１では、外径 0.20 ｍｍの銀めっき銅線を中心
導体１として用い、この外周上にペースト状のＰＴＦＥ
をペースト押出し、焼成し、0.20ｍｍ厚の第１層の絶縁
体２ａを設ける。続いて、第２層の絶縁体被覆工程Ｆ２
として前記第１層の絶縁体２ａの外周上にポリアミド樹
脂を0.015 ｍｍ厚さに溶融押出しして第２層の絶縁体２
ｂを設ける。続いてこの絶縁体２ｂの表面をアルコール
により洗浄し、図４の（ａ）に示す表面の油等の汚れ３
０を除去する。
【００２６】無電解めっき工程Ｆ３では、まず前処理と
して、湯洗，水洗を行い、二塩化第一錫（ＳｎＣ１2)を
吸着させ（感受性化，センシタイジング）、さらに二塩
化パラジウム（ＰｄＣ１2)溶液に浸漬して、図４の
（ｂ）に示すようにパラジウム（Ｐｄ）３１を第２層の
絶縁体２ｂの表面に還元析出（アクチベイティング）さ
せる。次に、８０℃の無電解ニッケル−リン（Ｎｉ−
Ｐ）めっき液（Ｐ＝３％）を用いて５分間，無電解めっ
きを行い、図４の（ｃ）に示すようにＮｉ−Ｐを析出さ
せ、２μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。続いて、
超音波水洗を行う。
して、湯洗，水洗を行い、二塩化第一錫（ＳｎＣ１2)を
吸着させ（感受性化，センシタイジング）、さらに二塩
化パラジウム（ＰｄＣ１2)溶液に浸漬して、図４の
（ｂ）に示すようにパラジウム（Ｐｄ）３１を第２層の
絶縁体２ｂの表面に還元析出（アクチベイティング）さ
せる。次に、８０℃の無電解ニッケル−リン（Ｎｉ−
Ｐ）めっき液（Ｐ＝３％）を用いて５分間，無電解めっ
きを行い、図４の（ｃ）に示すようにＮｉ−Ｐを析出さ
せ、２μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。続いて、
超音波水洗を行う。
【００２７】電気めっき工程Ｆ４では、２５℃の硫酸銅
めっき液を用いて１Ａ／ｄｍ2 の電流条件で２０分間，
銅の電気めっきを行い、図４の（ｄ）に示すように５μ
ｍ厚の銅めっき層３ｃを設ける。続いて、２５℃の光沢
硫酸銅めっき液を用いて５Ａ／ｄｍ2 の電流条件で９０
分間，電気めっきを行い、図４の（ｅ）に示すように10
0μｍ厚の光沢銅めっき層３ｄを設ける。続いて、２０
℃のストライクニッケルめっき液を用いて５Ａ／ｄｍ2
の電流条件で５分間，電気めっきを行い、図４の（ｆ）
に示すように２μｍ厚のストライクニッケルめっき層３
ｅを設ける。以上により、良導電性金属層３ｂを形成し
たら、超音波水洗を行い，乾燥させる。
めっき液を用いて１Ａ／ｄｍ2 の電流条件で２０分間，
銅の電気めっきを行い、図４の（ｄ）に示すように５μ
ｍ厚の銅めっき層３ｃを設ける。続いて、２５℃の光沢
硫酸銅めっき液を用いて５Ａ／ｄｍ2 の電流条件で９０
分間，電気めっきを行い、図４の（ｅ）に示すように10
0μｍ厚の光沢銅めっき層３ｄを設ける。続いて、２０
℃のストライクニッケルめっき液を用いて５Ａ／ｄｍ2
の電流条件で５分間，電気めっきを行い、図４の（ｆ）
に示すように２μｍ厚のストライクニッケルめっき層３
ｅを設ける。以上により、良導電性金属層３ｂを形成し
たら、超音波水洗を行い，乾燥させる。
【００２８】この後、150 ℃で１０分間，熱処理する。
この熱処理は必ずしも必要ないが、この熱処理を行えば
細径同軸ケーブルの屈曲性が向上する。外被形成工程Ｆ
５では、ＰＶＣ樹脂を押出しして、0.041 ｍｍ厚の保護
被覆層４を設ける。
この熱処理は必ずしも必要ないが、この熱処理を行えば
細径同軸ケーブルの屈曲性が向上する。外被形成工程Ｆ
５では、ＰＶＣ樹脂を押出しして、0.041 ｍｍ厚の保護
被覆層４を設ける。
【００２９】実施例２ 図２は、本発明の実施例２の細径セミリジット同軸ケー
ブルを示す断面図である。この細径同軸ケーブル６は、
中心導体１と，第１層の絶縁体２０ａ及び第２層の絶縁
体２０ｂからなる絶縁体２と，外部導体３と，保護被覆
層４を順に設けた構造であり、外径0.72ｍｍ, 条長1000
ｍ以上である。前記中心導体１は、外径0.10ｍｍの銀め
っき銅線である。前記第１層の絶縁体２０ａは、厚さ0.
10ｍｍの四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニルエ
ーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）である。第２層の絶縁体
２０ｂは、0.005 ｍｍ厚×３ｍｍ幅のポリエステルテー
プをスパイラル状に２重巻きした0.010 ｍｍ厚のテープ
巻回層である。前記外部導体３は、厚さ１μｍのＮｉ−
Ｐ無電解めっきによるアンカー金属層３ａと，厚さ８０
μｍの良導電性金属層３ｂとからなっている。その良導
電性金属層３ｂは、５μｍ厚の銅めっき層３ｃと７３μ
ｍ厚の光沢銅めっき層３ｄと、２μｍ厚の錫めっき層３
ｅとからなっている。前記保護被覆層４は、厚さ0.119
ｍｍのＰＶＣ樹脂である。
ブルを示す断面図である。この細径同軸ケーブル６は、
中心導体１と，第１層の絶縁体２０ａ及び第２層の絶縁
体２０ｂからなる絶縁体２と，外部導体３と，保護被覆
層４を順に設けた構造であり、外径0.72ｍｍ, 条長1000
ｍ以上である。前記中心導体１は、外径0.10ｍｍの銀め
っき銅線である。前記第１層の絶縁体２０ａは、厚さ0.
10ｍｍの四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニルエ
ーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）である。第２層の絶縁体
２０ｂは、0.005 ｍｍ厚×３ｍｍ幅のポリエステルテー
プをスパイラル状に２重巻きした0.010 ｍｍ厚のテープ
巻回層である。前記外部導体３は、厚さ１μｍのＮｉ−
Ｐ無電解めっきによるアンカー金属層３ａと，厚さ８０
μｍの良導電性金属層３ｂとからなっている。その良導
電性金属層３ｂは、５μｍ厚の銅めっき層３ｃと７３μ
ｍ厚の光沢銅めっき層３ｄと、２μｍ厚の錫めっき層３
ｅとからなっている。前記保護被覆層４は、厚さ0.119
ｍｍのＰＶＣ樹脂である。
【００３０】図３のフロー図により、上記細径同軸ケー
ブル６の製造方法を説明する。第１層の絶縁体被覆工程
Ｆ１では、外径0.10ｍｍの銀めっき銅線を中心導体１と
して用い、この外周上に四弗化エチレン−パーフロロア
ルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）を押出
し、0.10ｍｍ厚の第１層の絶縁体２０ａを設ける。第２
層の絶縁体被覆工程Ｆ２では、0.005 ｍｍ厚×３ｍｍ幅
のポリエステルテープを第１層の絶縁体２０ａの外周に
２重にスパイラル状に巻回し0.010 ｍｍ厚のテープ巻回
層とし、第２層の絶縁体２０ｂを設ける。
ブル６の製造方法を説明する。第１層の絶縁体被覆工程
Ｆ１では、外径0.10ｍｍの銀めっき銅線を中心導体１と
して用い、この外周上に四弗化エチレン−パーフロロア
ルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）を押出
し、0.10ｍｍ厚の第１層の絶縁体２０ａを設ける。第２
層の絶縁体被覆工程Ｆ２では、0.005 ｍｍ厚×３ｍｍ幅
のポリエステルテープを第１層の絶縁体２０ａの外周に
２重にスパイラル状に巻回し0.010 ｍｍ厚のテープ巻回
層とし、第２層の絶縁体２０ｂを設ける。
【００３１】無電解めっき工程Ｆ３では、まず実施例１
と同様に前処理し、次に８０℃の無電解ニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを行い、１
μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。続いて、超音波
水洗を行う。電気めっき工程Ｆ４では、２５℃の硫酸銅
めっき液を用いて電気めっきを行い、５μｍ厚の銅めっ
き層３ｃを設ける。続いて、２５℃の光沢硫酸銅めっき
液を用いて電気めっきを行い、７３μｍ厚の光沢銅めっ
き層３ｄを設ける。続いて、２５℃の酸性錫めっき液を
用いて５Ａ／ｄｍ2 の電流条件で５分間，電気めっきを
行い、２μｍ厚の錫めっき層３ｅを設ける。以上によ
り、良導電性金属層３ｂを形成したら、超音波水洗を行
い，乾燥させる。外被形成工程Ｆ５では、ＰＶＣ樹脂を
溶融押出しして、厚さ0.119 ｍｍの保護被覆層４を設け
る。
と同様に前処理し、次に８０℃の無電解ニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを行い、１
μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。続いて、超音波
水洗を行う。電気めっき工程Ｆ４では、２５℃の硫酸銅
めっき液を用いて電気めっきを行い、５μｍ厚の銅めっ
き層３ｃを設ける。続いて、２５℃の光沢硫酸銅めっき
液を用いて電気めっきを行い、７３μｍ厚の光沢銅めっ
き層３ｄを設ける。続いて、２５℃の酸性錫めっき液を
用いて５Ａ／ｄｍ2 の電流条件で５分間，電気めっきを
行い、２μｍ厚の錫めっき層３ｅを設ける。以上によ
り、良導電性金属層３ｂを形成したら、超音波水洗を行
い，乾燥させる。外被形成工程Ｆ５では、ＰＶＣ樹脂を
溶融押出しして、厚さ0.119 ｍｍの保護被覆層４を設け
る。
【００３２】前記実施例１，２により得られた細径同軸
ケーブル５，６についてストリッパーを用いて端末むき
を行ったところ、外部導体３が設けられた第２層の絶縁
体２ｂと保護被覆層４とが一体となって第１層の絶縁体
２ａから容易にさや抜け出来た。
ケーブル５，６についてストリッパーを用いて端末むき
を行ったところ、外部導体３が設けられた第２層の絶縁
体２ｂと保護被覆層４とが一体となって第１層の絶縁体
２ａから容易にさや抜け出来た。
【００３３】他の実施例 上記実施例１，２の無電解Ｎｉ−Ｐめっきの代わりに、
銅，ニッケル−硼素（Ｎｉ−Ｂ）等の無電解めっきを行
って、アンカー金属層３ａを形成してもよい。また、電
気めっきの銅の代わりに、銀を使って、良導電性金属層
３ｂを形成してもよい。
銅，ニッケル−硼素（Ｎｉ−Ｂ）等の無電解めっきを行
って、アンカー金属層３ａを形成してもよい。また、電
気めっきの銅の代わりに、銀を使って、良導電性金属層
３ｂを形成してもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明の同軸ケーブルおよびその製造方
法によれば、外部導体をめっきで薄く形成するので、外
部導体に隙間がなく、シールド特性が良好となる。ま
た、曲げやすく、巻取りも容易になり、一条1000ｍ以上
の長尺品を製造できる。また、保護被覆層を効率良く形
成できるため、広い用途に使用できる。また、寸法精度
が高く、高周波伝送特性が安定になる。また、仕上がり
外径 0.90 ｍｍ以下の細径化も可能となる。また、無電
解めっきが低誘電率絶縁体に直接するよりも容易とな
り、更に端末むきが容易となる。そこで、高周波回路基
板，高周波部品等における高周波信号の伝送線路，機器
内配線材あるいはコイル等の巻線材として有用である。
法によれば、外部導体をめっきで薄く形成するので、外
部導体に隙間がなく、シールド特性が良好となる。ま
た、曲げやすく、巻取りも容易になり、一条1000ｍ以上
の長尺品を製造できる。また、保護被覆層を効率良く形
成できるため、広い用途に使用できる。また、寸法精度
が高く、高周波伝送特性が安定になる。また、仕上がり
外径 0.90 ｍｍ以下の細径化も可能となる。また、無電
解めっきが低誘電率絶縁体に直接するよりも容易とな
り、更に端末むきが容易となる。そこで、高周波回路基
板，高周波部品等における高周波信号の伝送線路，機器
内配線材あるいはコイル等の巻線材として有用である。
【００３５】特に、外部導体を、無電解めっきアンカー
金属層と，このアンカー金属層の外周に設けた電気めっ
き良導電性金属層とから構成し、その良導電性金属層
を、銅めっき層と，光沢銅めっき層と，ストライクニッ
ケルめっき層あるいは錫めっき層とから構成すれば、密
着性，導電性，耐蝕性，はんだ付け性を向上することが
出来る。
金属層と，このアンカー金属層の外周に設けた電気めっ
き良導電性金属層とから構成し、その良導電性金属層
を、銅めっき層と，光沢銅めっき層と，ストライクニッ
ケルめっき層あるいは錫めっき層とから構成すれば、密
着性，導電性，耐蝕性，はんだ付け性を向上することが
出来る。
【図１】本発明の実施例１の細径セミリジット同軸ケー
ブルを示す断面図である。
ブルを示す断面図である。
【図２】本発明の実施例２の細径セミリジット同軸ケー
ブルを示す断面図である。
ブルを示す断面図である。
【図３】本発明の細径セミリジット同軸ケーブルの製造
方法を示すフロー図である。
方法を示すフロー図である。
【図４】図１の細径セミリジット同軸ケーブルの外部導
体の形成過程を示す説明図である。
体の形成過程を示す説明図である。
【図５】公知のセミリジット同軸ケーブルの一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】公知の一般の同軸ケーブルの一例を示す一部切
り欠き正面図である。
り欠き正面図である。
【図７】本発明のセミリジット同軸ケーブルの端末むき
を説明するための略図である。（ａ）は端末むきされた
セミリジット同軸ケーブルを示す斜視図である。（ｂ）
はさや抜けした部分を示す斜視図である。
を説明するための略図である。（ａ）は端末むきされた
セミリジット同軸ケーブルを示す斜視図である。（ｂ）
はさや抜けした部分を示す斜視図である。
１ 中心導体 ２ 絶縁体 ２ａ 低誘電率絶縁体（第１層の絶縁体） ２ｂ 第１層の絶縁体よりも無電解めっきが容易な樹脂
からなる第２層の絶縁体（第２層の絶縁体） ３ 外部導体 ３ａ アンカー金属層 ３ｂ 良導電性金属層 ３ｃ 銅めっき層 ３ｄ 光沢銅めっき層 ３ｅ ストライクニッケルめっき層あるいは錫めっき層 ４ 保護被覆層 ５，６ 細径セミリジット同軸ケーブル
からなる第２層の絶縁体（第２層の絶縁体） ３ 外部導体 ３ａ アンカー金属層 ３ｂ 良導電性金属層 ３ｃ 銅めっき層 ３ｄ 光沢銅めっき層 ３ｅ ストライクニッケルめっき層あるいは錫めっき層 ４ 保護被覆層 ５，６ 細径セミリジット同軸ケーブル
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−129377（ＪＰ，Ａ) 実公 昭49−4704（ＪＰ，Ｙ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01B 11/18 H01B 13/00 553 C23C 18/00 - 20/08
Claims (9)
- 【請求項１】 中心導体の外周に、絶縁体として、第１
層のフッ素樹脂系の低誘電率絶縁体，及び該第１層の絶
縁体よりも無電解めっきが容易な樹脂からなり，絶縁体
の厚さが５μｍ以上で且つ第１層の絶縁体の厚さの２０
％以下で，第１層の絶縁体との密着力が弱い第２層の絶
縁体を順次設け、この外周に外部導体として、前記第２
層の絶縁体との密着力が強い無電解めっきアンカー金属
層及び該アンカー金属層との密着力が強い電気めっき良
導電性金属層を順次設けたことを特徴とする端末むきが
容易なセミリジット同軸ケーブル。 - 【請求項２】 前記外部導体の外周に、該外部導体と保
護被覆層間の密着力が前記第１層と第２層間の密着力よ
りも強い保護被覆層を設けたことを特徴とする請求項１
記載の端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブル。 - 【請求項３】 前記良導電性金属層が銅めっき層と，光
沢銅めっき層と，ストライクニッケルめっき層あるいは
錫めっき層とからなることを特徴とする請求項１または
２記載の端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブル。 - 【請求項４】 前記第２層の絶縁体が樹脂の溶融押出層
或はテープ巻回層からなることを特徴とする請求項１，
２または３記載の端末むきが容易なセミリジット同軸ケ
ーブル。 - 【請求項５】 前記中心導体の外径が0.20ｍｍ以下であ
り、同軸ケーブルの仕上外径が 0.90 ｍｍ以下の細径で
あることを特徴とする請求項１，２，３または４記載の
端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブル。 - 【請求項６】 中心導体の外周に第１層のフッ素樹脂系
の低誘電率絶縁体を被覆する第１層の絶縁体被覆工程
と、前記第１層の外周に該第１層の絶縁体よりも無電解
めっきが容易な樹脂からなり，絶縁体の厚さが５μｍ以
上で且つ第１層の絶縁体の厚さの２０％以下で，第１層
の絶縁体との密着力が弱い第２層の絶縁体を被覆する第
２層の絶縁体被覆工程と、前記第２層の絶縁体の表面
に，該第２層との密着力が強いアンカー金属層を形成す
る無電解めっき工程と、前記アンカー金属層の外周に，
該アンカー金属層との密着力が強い良導電性金属層を形
成する電気めっき工程とを有することを特徴とする端末
むきが容易なセミリジット同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項７】 前記良導電性金属層の外周に、該良導電
性金属層と保護被覆層間の密着力が前記第１層と第２層
間の密着力よりも強い保護被覆層を設ける外被形成工程
をさらに有することを特徴とする請求項６記載の端末む
きが容易なセミリジット同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項８】 前記電気めっき工程は銅めっき層を形成
する銅めっき工程と，光沢銅めっき層を形成する光沢銅
めっき工程と，ストライクニッケルめっき層を形成する
ストライクニッケルめっき工程あるいは錫めっき層を形
成する錫めっき工程とを有することを特徴とする請求項
６または７記載の端末むきが容易なセミリジット同軸ケ
ーブルの製造方法。 - 【請求項９】 前記電気めっき工程の後に熱処理工程を
有することを特徴とする請求項６，７または８記載の端
末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6082376A JP2929161B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法 |
| EP19950301962 EP0675507B1 (en) | 1994-03-28 | 1995-03-23 | Semirigid coaxial cable and its method of manufacture |
| DE1995617462 DE69517462T2 (de) | 1994-03-28 | 1995-03-23 | Semirigides Koaxialkabel sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6082376A JP2929161B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07272553A JPH07272553A (ja) | 1995-10-20 |
| JP2929161B2 true JP2929161B2 (ja) | 1999-08-03 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6082376A Expired - Fee Related JP2929161B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法 |
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|---|---|
| EP (1) | EP0675507B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69517462T2 (ja) |
Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
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| KR100617289B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2006-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 백라이트 와이어의 단선방지 구조 |
| DE10063542A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Alcatel Sa | Elektrische Leitung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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| JP3671919B2 (ja) | 2002-03-05 | 2005-07-13 | 日立電線株式会社 | 同軸ケーブル及び同軸多心ケーブル |
| US10109904B2 (en) | 2015-08-11 | 2018-10-23 | Keysight Technologies, Inc. | Coaxial transmission line including electrically thin resistive layer and associated methods |
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