JP3994698B2 - セミフレキシブル極細同軸線及びその端末接続方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外径が０．１５ｍｍ以下の内部導体とその外周に配置された外部導体とを備える同軸線及びその端末接続方法に係り、特に、多数本の金属線からなる横巻シールドの外周に外側めっき層を形成して外部導体とし、シールド特性、可とう性、端末処理性、屈曲特性の向上を図った低コストなセミフレキシブル極細同軸線及びその端末接続方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器、ＩＣテスタ、医療機器の小型化に伴い、それらに適用されている機器電線も細径化が進んでいる。また、機器の高性能化（例えば、画像の高精細化、通信速度の高速化など）に伴い、機器電線には、機器間及び機器内部の伝送において、より高い伝送品質が求められている。
【０００３】
特に、医療機器用電線や、パーソナルコンピューター、サーバーなどの内部配線には、細径化の他に厳しいＥＭＩ（Electro Magnetic Interference：電磁波障害）ノイズの要求をクリアすることが求められている。現在、実用化されている同軸線は、図５〜図７に示す下記のものが主流である。
【０００４】
図５に示す同軸線５０は、内部導体５１の外周を絶縁体５２で被覆し、絶縁体５２の外周に、素線径が０．０２ｍｍ〜０．０５ｍｍの多数本の素線５３ａ，５３ｂ…をスパイラル状に巻き付けて外部導体５３とし、外部導体５３をジャケット５４で被覆したものであり、横巻シールド構造となっている。
【０００５】
図６に示す同軸線６０は、同軸線５０の外部導体５３の外周に、プラスチックテープ６１の片面に金属蒸着層６２が形成された複合テープ６３を巻き付けたものであり、横巻シールド＋蒸着テープ構造となっている。
【０００６】
図７に示す同軸線７０は、外部導体７１として、素線径が０．０５ｍｍ以下の多数本の素線を隙間のない網目状に組んだ編組を用いたものであり、編組シールド構造となっている。
【０００７】
また、上述した同軸線は、図８に示すように、複数本の同軸線の外部素線を一括グランド処理するのが一般的である。横巻シールド構造の同軸線５０を例にとって説明すれば、端末部の被覆を除去した複数本の同軸線５０Ａ，５０Ｂ…を並列に配列し、露出した外部導体５３Ａ，５３Ｂ…に予備半田を施した後、外部導体５３Ａ，５３Ｂ…を、電子機器などの基板８０上のアース接続用パターン８１に一括半田接続すると共に、露出した内部導体５１Ａ，５１Ｂ…を、基板８０上の信号線接続パターン８２Ａ，８２Ｂ…に半田接続し、複数本の同軸線５０Ａ，５０Ｂ…と基板８０を接続している。よって、端末処理の作業性も重要な要求特性である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題 】
しかしながら、従来の同軸線５０では、可とう性に優れるものの、横巻シールドを形成する素線５３ａ，５３ｂ…間には微小な隙間を生じることがあり、その隙間より信号が漏れるため、ノイズ耐性が弱いという問題がある。また、端末接続時に予備半田などを必要とし、端末接続作業性が悪いという問題もある。
【０００９】
従来の同軸線６０は、素線５３ａ，５３ｂ…間に生じる隙間を金属蒸着層６２が形成された複合テープ６３により塞ぐ方法であるが、複合テープ６３が高価であること、また十分な可とう性を有するためには金属蒸着層６２を薄くしなければならず、十分なシールド効果が得られないこと、などの問題がある。また、端末接続時には同軸線５０と同様に予備半田が必要であることから、やはり端末接続作業性が悪いという問題がある。
【００１０】
従来の編組シールド構造の同軸線７０では、外部導体（シールド）７１の厚さが横巻シールド構造に比べて厚いため、細径化には不向きであること、また、可とう性に劣ること、素線を小さいピッチで編み込むため製造スピードが他に比べて遅く、製造コストが高いこと、などの問題がある。さらに、シールド７１の厚さが同軸線の外径方向に対して不均一であるため、機械的、あるいは熱的にシールド７１を取り除く端末処理加工がしにくいなどの問題がある。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、全周波数領域に亘り優れたシールド効果を有し、可とう性、端末処理性に優れ、実用上十分な屈曲特性を持つ低コストなセミフレキシブル極細同軸線を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、電子機器の基板上のアース接続用パターンに、ジャケットによる被覆を除去して露出した外部導体を予備半田なしで半田接続するためのセミフレキシブル極細同軸線であって、該同軸線は、外径が０．１４７ｍｍ以下の内部導体と、内部導体の外周を被覆する絶縁体と、絶縁体の外周に設けられ、多数本の金属線からなる横巻シールドの外周に、厚さが１０〜５０μｍであって、スズ、銀又は半田のいずれかからなる半田接続するための外側めっき層が形成された外部導体と、該外部導体を被覆するジャケットとを備えることを特徴とするセミフレキシブル極細同軸線である。
【００１３】
請求項２の発明は、各金属線は、素線径が０．１ｍｍ以下で、且つその電気導電率が７０％ＩＡＣＳ以上であると共に、銅または銅合金線からなる請求項１記載のセミフレキシブル極細同軸線である。
【００１４】
請求項３の発明は、各金属線の素線の伸びが１％以上であり、各金属線の外周にはスズめっき又は銀めっきが施された請求項１または２記載のセミフレキシブル極細同軸線である。
【００１６】
請求項４の発明は、外径が０．１４７ｍｍ以下の内部導体と、内部導体の外周を被覆する絶縁体と、絶縁体の外周に設けられ、多数本の金属線からなる横巻シールドの外周に、厚さが１０〜５０μｍであって、スズ、銀又は半田のいずれかからなる半田接続するための外側めっき層が形成された外部導体と、該外部導体を被覆するジャケットとを備えるセミフレキシブル極細同軸線を用い、同軸線の端末部のジャケットによる被覆を除去して複数本並列に配列し、各同軸線の露出した外部導体を、電子機器の基板上のアース接続用パターンに、予備半田なしで一括半田接続することを特徴とするセミフレキシブル極細同軸線の端末接続方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１８】
図１は、本発明の好適実施の形態であるセミフレキシブル極細同軸線の断面図を示したものである。
【００１９】
図１に示すように、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１は、例えば、医療機器、電子機器、ＩＣテスタなどに使用されるものである。セミフレキシブル極細同軸線１は、外径φｉが０．１４７ｍｍ以下の内部導体２の外周を、フッ素樹脂からなる絶縁体３で被覆し、絶縁体３の外周に、多数本の金属線４ａ，４ｂ…を所定ピッチでらせん状に横巻きして横巻シールド４を形成し、横巻シールド４の外周に、厚さが少なくとも０．５μｍ以上の外側めっき層５を形成し、外側めっき層５の外周をジャケット７で被覆したものである。
【００２０】
外部導体６は、横巻シールド４と外側めっき層５からなっている。セミフレキシブル極細同軸線１は、内部導体２の外周を絶縁体３で被覆したコア８が１心からなっており、断面が円形状となっている。内部導体２の外径φｉは、言い換えれば、３６ＡＷＧ（American Wire Gauge：アメリカ式針金ゲージ）サイズである。
【００２１】
内部導体２としては、例えば、スズめっき銅合金線、銀めっき銅合金線からなる素線２ａ，２ｂ…を撚り合わせた撚り線導体を使用している。
【００２２】
絶縁体３としては、例えば、充実フッ素樹脂を使用している。具体的には、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ：Copolymer of Tetrafluoroethylene and Hexafluoropropylene）、四フッ化エチレン・パーフロロプロピルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ：Copolymer of Tetrafluoroethylene and Perfluoroalkoxy）、エチレン・四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ：Copolymer of Ethylene and Tetrafluoroethylene）などが挙げられる。
【００２３】
各金属線４ａ，４ｂ…は、素線径φｓが０．１ｍｍ以下で、且つその電気導電率が７０％ＩＡＣＳ（International Annealed Copper Standard：国際軟銅規格）以上であると共に、銅または銅合金線からなっている。また、各金属線４ａ，４ｂ…の素線の伸びは１％以上であり、各金属線４ａ，４ｂ…の外周には、例えば、スズめっき又は銀めっきが施されている。
【００２４】
国際軟銅規格は、温度２０℃において、長さが１ｍ、均一な切断面積が１ｍｍ2 の万国標準軟銅の抵抗を１／５８Ω＝０．０１７２４１Ωとし、その導電率を１００％としたものである。
【００２５】
各金属線４ａ，４ｂ…の素線径φｓを０．１ｍｍ以下としたのは、同軸線１の十分な可とう性を保持するためであり、電気導電率が７０％ＩＡＣＳ以上とした根拠は、金属の電気導電率低下によりシールド効果が低下するため、シールド効果を十分に発揮するために必要であるためである。各金属線４ａ，４ｂ…の素線の伸びを１％以上としたのは、同軸線１に十分な屈曲特性と、端末加工性を確保させるためである。
【００２６】
外側めっき層５としては、例えば、スズ、銀、又は半田からなるものを使用している。厚さが０．５μｍ以上の外側めっき層５を使用しているのは、同軸線１に十分なシールド効果を持たせると同時に、端末接続時の予備半田を不要にするためである。外側めっき層５の厚さは、より詳細には、１０μｍ以上とするのが好ましい。また、外側めっき層５の厚さの上限値は、あまり厚くするとコストが高くなるので、５０μｍとするのが好ましい。外側めっき層５の材質をスズ、銀、半田としたのは、一括接続性がよく、また入手性がよいため、安価に製造可能なためである。
【００２７】
ジャケット７は、同軸線１の防水や機械的保護のためのものである。ジャケット７としては、例えば、ＦＥＰを用いている。
【００２８】
次に、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１の端末接続方法を説明する。同軸線１は、複数本の同軸線の外部導体を一括グランド処理するのが一般的である。
【００２９】
図２は、図１に示したセミフレキシブル極細同軸線１の端末接続方法の一例を示す概略図である。
【００３０】
図２に示すように、セミフレキシブル極細同軸線１の端末接続方法は、端末部の被覆を除去した複数本の同軸線１Ａ，１Ｂ…を並列に配列し、露出した外部導体６Ａ，６Ｂ…を、電子機器などの基板８０上のアース接続用パターン８１に、予備半田なしで一括半田接続すると共に、露出した内部導体２Ａ，２Ｂ…を、基板８０上の信号線接続パターン８２Ａ，８２Ｂ…に半田接続し、複数本の同軸線１Ａ，１Ｂ…と基板８０を接続する方法である。
【００３１】
同軸線１の端末接続を並列構造としたのは、複数本の同軸線１Ａ，１Ｂ…の内部導体２Ａ，２Ｂ…と外部導体６Ａ，６Ｂ…とを、一括して並列端末接続することにより、著しい端末処理性の向上、シールド効果の向上が図られるためである。
【００３２】
このように、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１Ａ，１Ｂ…は、各横巻シールド４Ａ，４Ｂ…の外周に、厚さが０．５μｍ以上の外側めっき層５Ａ，５Ｂ…が形成されているので、横巻シールド４Ａ，４Ｂ…が外側めっき層５Ａ，５Ｂ…によって固定されている。
【００３３】
すなわち、従来例の同軸線５０，６０とは異なり、外側めっき層５Ａ，５Ｂ…により、横巻シールド４Ａ，４Ｂ…を形成する各金属線間の隙間を埋めているので、予備半田が不要となり、横巻シールド４Ａ，４Ｂ…がばらけることもなく、端末接続作業性を著しく向上させることができる。言い換えれば、端末接続の際には、外側めっき層５Ａ，５Ｂ…が予備半田の役割を果たしていると言える。
【００３４】
次に、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１のシールド特性、可とう性、端末接続作業性、製造コスト比、屈曲特性を評価するべく、実施例として外側めっき層５としてのスズめっきを用いた６個のサンプルと、比較例として外側めっき層５がない４個のサンプルとを製作した。
【００３５】
実施例１の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍの素線２ａ，２ｂ…としてのスズめっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径φｉが約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体２とし、素線径φｓが０．０３ｍｍの金属線４ａ，４ｂ…としてのスズめっき銅線を２５本横巻きして横巻シールド４を形成し、横巻シールド４の外周に外側めっき層５としての厚さが２０μｍのスズめっき層を形成して外部導体６とし、図１で説明したセミフレキシブル極細同軸線１と同じ構造としたものである。
【００３６】
実施例２の同軸線は、実施例１の外側めっき層５を、厚さが１０μｍのスズ外側めっき層としたものである。
【００３７】
参考例１の同軸線は、実施例１の外側めっき層５を、厚さが５μｍのスズめっき層としたものである。
【００３８】
実施例３の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍの素線２ａ，２ｂ…としての銀めっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径φｉが約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体２とし、素線径φｓが０．０３ｍｍの金属線４ａ，４ｂ…としての銀めっき銅線を２５本横巻きして横巻シールド４を形成し、横巻シールド４の外周に外側めっき層５としての厚さが２０μｍのスズめっき層を形成して外部導体６とし、図１で説明したセミフレキシブル極細同軸線１と同じ構造としたものである。
【００３９】
実施例４の同軸線は、実施例３の外側めっき層５を、厚さが１０μｍのスズめっき層としたものである。
【００４０】
実施例５の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍの素線２ａ，２ｂ…としてのスズめっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径φｉが約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体２とし、素線径φｓが０．０３ｍｍの金属線４ａ，４ｂ…としてのスズめっき銅合金線を２５本横巻きして横巻シールド４を形成し、横巻シールド４の外周に外側めっき層５としての厚さが１０μｍのスズめっき層を形成して外部導体６とし、図１で説明したセミフレキシブル極細同軸線１と同じ構造としたものである。
【００４１】
比較例１の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍのスズめっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径が約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体５１とし、素線径が０．０３ｍｍの素線５３ａ，５３ｂ…としてのスズめっき線を２５本横巻きして横巻シールド構造の外部導体５３とし、図５で説明した同軸線５０と同じ構造としたものである。
【００４２】
比較例２の同軸線は、比較例１の外部導体５３の外周に、プラスチックテープ６１の片面に金属蒸着層６２としての厚さが０．１μｍ以上の銅蒸着層が形成された複合テープ６３を巻き付けたものであり、図６で説明した同軸線６０と同じ構造としたものである。
【００４３】
比較例３の同軸線は、比較例１の外部導体５３の外周に、プラスチックテープの両面に金属蒸着層としての厚さが０．１μｍ以上の銅蒸着層が形成された複合テープを巻き付けたものである。
【００４４】
比較例４の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍのスズめっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径が約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体５１とし、素線径が０．０３ｍｍの素線５３ａ，５３ｂ…としてのスズめっき線により編組シールド構造の外部導体７１とし、図７で説明した同軸線７０と同じ構造としたものである。
【００４５】
以上説明した各試料のシールド特性、可とう性、端末接続作業性、製造コスト比の評価結果を表１に示す。表１では、非常に優れているものを◎、優れているものを○、やや劣っているものを△、劣っているものを×でそれぞれ表している。
【００４６】
【表１】
【００４７】
まず、シールド特性を評価する。シールド特性は、吸収クランプを用いた測定によっており、各試料の周波数が０．３ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおけるノイズの減衰量（ｄＢ）で比較した。
【００４８】
表１に示すように、実施例１〜５、参考例１は、全周波数領域（０．３ＭＨｚ〜１ＧＨｚ）に亘ってノイズの減衰量が最低でも７０ｄＢ以上と良好であり、特に、実施例３および実施例４では、ノイズの減衰量が９０ｄＢ以上と最高レベルのシールド特性であることがわかる。実施例３および実施例４は、金属線として電気特性に優れた銀めっき銅合金線を使用しているので、金属線としてスズめっき銅合金線を使用した実施例１、２、参考例１と比較すると、よりシールド特性が良好となるからである。また、可とう性についても、実施例１〜５、参考例１の全てにおいて優れていることがわかる。
【００４９】
一方、比較例１〜４は、ノイズの減衰量が５０ｄＢから７５ｄＢとなっており、シールド特性が悪い。シールド特性は、可とう性とも密接な関係がある。
【００５０】
比較例１は、横巻シールド構造なので可とう性には非常に優れているものの、横巻シールドを形成する素線間に微小な隙間を生じることがあるため、ノイズ耐性が弱い。比較例２および比較例３では、素線間に生じる隙間を複合テープによって塞いでいるので、比較例１と比較すればシールド特性がやや向上している。しかし、十分な可とう性を持たせるために複合テープに形成される銅蒸着層を薄くする必要があるので、実施例１〜５、参考例１と比較するとシールド特性が悪い。比較例４は、編組シールド構造なので外部導体が厚く、シールド特性が比較的良好であるものの、可とう性が最も劣っている。
【００５１】
端末接続作業性を評価する。端末接続作業性は、図２で説明したように、同軸線の端末を電子機器などの基板に接続する際の作業のしやすさで評価した。
【００５２】
実施例１〜５、参考例１は、横巻シールドの外周に形成された外側めっき層によって予備半田が不要となるので、端末接続性が非常に優れていることがわかる。参考例１については、外側めっき層の厚さが５μｍと若干薄くなっているので、他の実施例に比べると端末接続作業性がやや劣っている。このことから、外側めっき層の厚さは、１０μｍ以上とするのが好ましいことがわかる。
【００５３】
一方、比較例１〜４では、端末接続時に予備半田を必要とするので、端末接続作業性が悪い。比較例４は、編組シールド構造なので外部導体を取り除く作業もしにくく、端末接続作業性が最も劣っている。
【００５４】
製造コスト比を評価する。製造コスト比は、比較例１を基準の１００として評価した。
【００５５】
実施例１〜５、参考例１は、製造コスト比が１０５〜１１５となっており、比較例２および３の製造コスト比１１０〜１２０と同等またはそれ以下となっており、低コストで製造できることがわかる。比較例４は、編組シールド構造なので、素線を小さいピッチで編み込むため製造スピードが他に比べて遅く、製造コストが最も高い。
【００５６】
屈曲特性については、屈曲寿命試験を行って評価した。屈曲寿命試験の条件は、荷重＝０．９８Ｎ、曲げ半径＝２ｍｍ、速度＝３０回／分である。この条件で同軸線の左右９０度曲げ試験を行い、内部導体の素線が破断するまでの回数を評価した。実施例１〜６は、横巻シールドの外周に外側めっき層が形成されているため、横巻シールドのみの比較例１に比べて屈曲特性が劣るが、実用上十分な屈曲特性を擁していた。
【００５７】
このように、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１は、シールド特性、可とう性、端末処理性、屈曲特性、製造コストを非常に高い次元でバランスさせた同軸線である。特に、シールド特性、端末接続作業性（端末処理性）において著しい向上が見られ、ノイズ対策の向上、ケーブル組み立て品の製造原価低減を図ることができる。
【００５８】
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。
【００５９】
上記実施の形態では、内部導体の外周を絶縁体で被覆したコアが１心からなるセミフレキシブル極細同軸線の例で説明したが、セミフレキシブル極細同軸線は、１心のコアに限られるものではなく、２心のコアが並列に配置された２心平行極細同軸ケーブルも含む。以下に、本発明を適用した２心平行極細同軸ケーブルの一例を説明する。
【００６０】
図３は、本発明の第２の実施の形態であるセミフレキシブル極細同軸線の断面図である。図４は、図３に示したセミフレキシブル極細同軸線の構造図である。
【００６１】
図３および図４に示すように、セミフレキシブル極細同軸線３０は、例えば、ノートパソコンのヒンジ部などの狭いスペースに配線するケーブルとして用いられるものであり、より詳細には、ノートパソコンの本体と液晶画面を、ヒンジ部を通して接続するためのものである。
【００６２】
セミフレキシブル極細同軸線３０は、外径φｉが０．１４７ｍｍ以下の内部導体２Ｘ，２Ｙの外周を、フッ素樹脂からなる絶縁体３Ｘ，３Ｙでそれぞれ被覆したコア８Ｘ，８Ｙを２本並列に配列し、コア８Ｘ，８Ｙの外周に、多数本の金属線４ａ，４ｂ…を所定ピッチでらせん状に横巻きして横巻シールド３１を形成し、横巻シールド３１の外周に、厚さが少なくとも０．５μｍ以上の外側めっき層３２を形成し、外側めっき層３２の外周をジャケット７で被覆したものである。外部導体３３は、横巻シールド３１と外側めっき層３２からなっている。その他の構成は、図１で説明したセミフレキシブル極細同軸線１と同じ構成である。
【００６３】
外側めっき層３２としては、例えば、スズ、銀、又は半田からなるものを使用している。外側めっき層３２の厚さは、より詳細には、１０μｍ以上とするのが好ましい。また、外側めっき層３２の厚さの上限値は、あまり厚くするとコストが高くなるので、５０μｍとするのが好ましい。
【００６４】
内部導体２Ｘ，２Ｙの外径φｉは、言い換えれば、３６ＡＷＧ（American Wire Gauge：アメリカ式針金ゲージ）サイズである。セミフレキシブル極細同軸線３０は、ジャケット７を被覆したときの長軸方向の外径φが１．０ｍｍ以下となっている。
【００６５】
このセミフレキシブル極細同軸線３０も図１で説明した同軸線１と同様に、シールド特性、可とう性、端末処理性、屈曲特性、製造コストを非常に高い次元でバランスさせた同軸線である。特に、シールド特性、端末接続作業性（端末処理性）において著しい向上が見られ、ノイズ対策の向上、ケーブル組み立て品の製造原価低減を図ることができる。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のごとき優れた効果を発揮する。
【００６７】
（１）シールド特性、可とう性、端末処理性、屈曲特性、製造コストを非常に高い次元でバランスさせた同軸線を得ることができる。
【００６８】
（２）特に、シールド特性、端末処理性において著しい向上が見られ、ノイズ対策の向上、ケーブル組み立て品の製造原価低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１に示したセミフレキシブル極細同軸線の端末接続方法の一例を示す概略図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す断面図である。
【図４】図３に示したセミフレキシブル極細同軸線の構造図である。
【図５】従来の極細同軸線の一例を示す断面図である。
【図６】従来の極細同軸線の一例を示す断面図である。
【図７】従来の極細同軸線の一例を示す断面図である。
【図８】従来の極細同軸線の端末接続方法の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１ セミフレキシブル極細同軸線
２ 内部導体
３ 絶縁体
４ａ，４ｂ… 金属線
４ 横巻シールド
５ 外側めっき層
６ 外部導体
７ ジャケット
８ コア
φｉ 内部導体の外径
φｓ 金属線の外径
【発明の属する技術分野】
本発明は、外径が０．１５ｍｍ以下の内部導体とその外周に配置された外部導体とを備える同軸線及びその端末接続方法に係り、特に、多数本の金属線からなる横巻シールドの外周に外側めっき層を形成して外部導体とし、シールド特性、可とう性、端末処理性、屈曲特性の向上を図った低コストなセミフレキシブル極細同軸線及びその端末接続方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器、ＩＣテスタ、医療機器の小型化に伴い、それらに適用されている機器電線も細径化が進んでいる。また、機器の高性能化（例えば、画像の高精細化、通信速度の高速化など）に伴い、機器電線には、機器間及び機器内部の伝送において、より高い伝送品質が求められている。
【０００３】
特に、医療機器用電線や、パーソナルコンピューター、サーバーなどの内部配線には、細径化の他に厳しいＥＭＩ（Electro Magnetic Interference：電磁波障害）ノイズの要求をクリアすることが求められている。現在、実用化されている同軸線は、図５〜図７に示す下記のものが主流である。
【０００４】
図５に示す同軸線５０は、内部導体５１の外周を絶縁体５２で被覆し、絶縁体５２の外周に、素線径が０．０２ｍｍ〜０．０５ｍｍの多数本の素線５３ａ，５３ｂ…をスパイラル状に巻き付けて外部導体５３とし、外部導体５３をジャケット５４で被覆したものであり、横巻シールド構造となっている。
【０００５】
図６に示す同軸線６０は、同軸線５０の外部導体５３の外周に、プラスチックテープ６１の片面に金属蒸着層６２が形成された複合テープ６３を巻き付けたものであり、横巻シールド＋蒸着テープ構造となっている。
【０００６】
図７に示す同軸線７０は、外部導体７１として、素線径が０．０５ｍｍ以下の多数本の素線を隙間のない網目状に組んだ編組を用いたものであり、編組シールド構造となっている。
【０００７】
また、上述した同軸線は、図８に示すように、複数本の同軸線の外部素線を一括グランド処理するのが一般的である。横巻シールド構造の同軸線５０を例にとって説明すれば、端末部の被覆を除去した複数本の同軸線５０Ａ，５０Ｂ…を並列に配列し、露出した外部導体５３Ａ，５３Ｂ…に予備半田を施した後、外部導体５３Ａ，５３Ｂ…を、電子機器などの基板８０上のアース接続用パターン８１に一括半田接続すると共に、露出した内部導体５１Ａ，５１Ｂ…を、基板８０上の信号線接続パターン８２Ａ，８２Ｂ…に半田接続し、複数本の同軸線５０Ａ，５０Ｂ…と基板８０を接続している。よって、端末処理の作業性も重要な要求特性である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題 】
しかしながら、従来の同軸線５０では、可とう性に優れるものの、横巻シールドを形成する素線５３ａ，５３ｂ…間には微小な隙間を生じることがあり、その隙間より信号が漏れるため、ノイズ耐性が弱いという問題がある。また、端末接続時に予備半田などを必要とし、端末接続作業性が悪いという問題もある。
【０００９】
従来の同軸線６０は、素線５３ａ，５３ｂ…間に生じる隙間を金属蒸着層６２が形成された複合テープ６３により塞ぐ方法であるが、複合テープ６３が高価であること、また十分な可とう性を有するためには金属蒸着層６２を薄くしなければならず、十分なシールド効果が得られないこと、などの問題がある。また、端末接続時には同軸線５０と同様に予備半田が必要であることから、やはり端末接続作業性が悪いという問題がある。
【００１０】
従来の編組シールド構造の同軸線７０では、外部導体（シールド）７１の厚さが横巻シールド構造に比べて厚いため、細径化には不向きであること、また、可とう性に劣ること、素線を小さいピッチで編み込むため製造スピードが他に比べて遅く、製造コストが高いこと、などの問題がある。さらに、シールド７１の厚さが同軸線の外径方向に対して不均一であるため、機械的、あるいは熱的にシールド７１を取り除く端末処理加工がしにくいなどの問題がある。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、全周波数領域に亘り優れたシールド効果を有し、可とう性、端末処理性に優れ、実用上十分な屈曲特性を持つ低コストなセミフレキシブル極細同軸線を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、電子機器の基板上のアース接続用パターンに、ジャケットによる被覆を除去して露出した外部導体を予備半田なしで半田接続するためのセミフレキシブル極細同軸線であって、該同軸線は、外径が０．１４７ｍｍ以下の内部導体と、内部導体の外周を被覆する絶縁体と、絶縁体の外周に設けられ、多数本の金属線からなる横巻シールドの外周に、厚さが１０〜５０μｍであって、スズ、銀又は半田のいずれかからなる半田接続するための外側めっき層が形成された外部導体と、該外部導体を被覆するジャケットとを備えることを特徴とするセミフレキシブル極細同軸線である。
【００１３】
請求項２の発明は、各金属線は、素線径が０．１ｍｍ以下で、且つその電気導電率が７０％ＩＡＣＳ以上であると共に、銅または銅合金線からなる請求項１記載のセミフレキシブル極細同軸線である。
【００１４】
請求項３の発明は、各金属線の素線の伸びが１％以上であり、各金属線の外周にはスズめっき又は銀めっきが施された請求項１または２記載のセミフレキシブル極細同軸線である。
【００１６】
請求項４の発明は、外径が０．１４７ｍｍ以下の内部導体と、内部導体の外周を被覆する絶縁体と、絶縁体の外周に設けられ、多数本の金属線からなる横巻シールドの外周に、厚さが１０〜５０μｍであって、スズ、銀又は半田のいずれかからなる半田接続するための外側めっき層が形成された外部導体と、該外部導体を被覆するジャケットとを備えるセミフレキシブル極細同軸線を用い、同軸線の端末部のジャケットによる被覆を除去して複数本並列に配列し、各同軸線の露出した外部導体を、電子機器の基板上のアース接続用パターンに、予備半田なしで一括半田接続することを特徴とするセミフレキシブル極細同軸線の端末接続方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１８】
図１は、本発明の好適実施の形態であるセミフレキシブル極細同軸線の断面図を示したものである。
【００１９】
図１に示すように、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１は、例えば、医療機器、電子機器、ＩＣテスタなどに使用されるものである。セミフレキシブル極細同軸線１は、外径φｉが０．１４７ｍｍ以下の内部導体２の外周を、フッ素樹脂からなる絶縁体３で被覆し、絶縁体３の外周に、多数本の金属線４ａ，４ｂ…を所定ピッチでらせん状に横巻きして横巻シールド４を形成し、横巻シールド４の外周に、厚さが少なくとも０．５μｍ以上の外側めっき層５を形成し、外側めっき層５の外周をジャケット７で被覆したものである。
【００２０】
外部導体６は、横巻シールド４と外側めっき層５からなっている。セミフレキシブル極細同軸線１は、内部導体２の外周を絶縁体３で被覆したコア８が１心からなっており、断面が円形状となっている。内部導体２の外径φｉは、言い換えれば、３６ＡＷＧ（American Wire Gauge：アメリカ式針金ゲージ）サイズである。
【００２１】
内部導体２としては、例えば、スズめっき銅合金線、銀めっき銅合金線からなる素線２ａ，２ｂ…を撚り合わせた撚り線導体を使用している。
【００２２】
絶縁体３としては、例えば、充実フッ素樹脂を使用している。具体的には、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ：Copolymer of Tetrafluoroethylene and Hexafluoropropylene）、四フッ化エチレン・パーフロロプロピルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ：Copolymer of Tetrafluoroethylene and Perfluoroalkoxy）、エチレン・四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ：Copolymer of Ethylene and Tetrafluoroethylene）などが挙げられる。
【００２３】
各金属線４ａ，４ｂ…は、素線径φｓが０．１ｍｍ以下で、且つその電気導電率が７０％ＩＡＣＳ（International Annealed Copper Standard：国際軟銅規格）以上であると共に、銅または銅合金線からなっている。また、各金属線４ａ，４ｂ…の素線の伸びは１％以上であり、各金属線４ａ，４ｂ…の外周には、例えば、スズめっき又は銀めっきが施されている。
【００２４】
国際軟銅規格は、温度２０℃において、長さが１ｍ、均一な切断面積が１ｍｍ2 の万国標準軟銅の抵抗を１／５８Ω＝０．０１７２４１Ωとし、その導電率を１００％としたものである。
【００２５】
各金属線４ａ，４ｂ…の素線径φｓを０．１ｍｍ以下としたのは、同軸線１の十分な可とう性を保持するためであり、電気導電率が７０％ＩＡＣＳ以上とした根拠は、金属の電気導電率低下によりシールド効果が低下するため、シールド効果を十分に発揮するために必要であるためである。各金属線４ａ，４ｂ…の素線の伸びを１％以上としたのは、同軸線１に十分な屈曲特性と、端末加工性を確保させるためである。
【００２６】
外側めっき層５としては、例えば、スズ、銀、又は半田からなるものを使用している。厚さが０．５μｍ以上の外側めっき層５を使用しているのは、同軸線１に十分なシールド効果を持たせると同時に、端末接続時の予備半田を不要にするためである。外側めっき層５の厚さは、より詳細には、１０μｍ以上とするのが好ましい。また、外側めっき層５の厚さの上限値は、あまり厚くするとコストが高くなるので、５０μｍとするのが好ましい。外側めっき層５の材質をスズ、銀、半田としたのは、一括接続性がよく、また入手性がよいため、安価に製造可能なためである。
【００２７】
ジャケット７は、同軸線１の防水や機械的保護のためのものである。ジャケット７としては、例えば、ＦＥＰを用いている。
【００２８】
次に、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１の端末接続方法を説明する。同軸線１は、複数本の同軸線の外部導体を一括グランド処理するのが一般的である。
【００２９】
図２は、図１に示したセミフレキシブル極細同軸線１の端末接続方法の一例を示す概略図である。
【００３０】
図２に示すように、セミフレキシブル極細同軸線１の端末接続方法は、端末部の被覆を除去した複数本の同軸線１Ａ，１Ｂ…を並列に配列し、露出した外部導体６Ａ，６Ｂ…を、電子機器などの基板８０上のアース接続用パターン８１に、予備半田なしで一括半田接続すると共に、露出した内部導体２Ａ，２Ｂ…を、基板８０上の信号線接続パターン８２Ａ，８２Ｂ…に半田接続し、複数本の同軸線１Ａ，１Ｂ…と基板８０を接続する方法である。
【００３１】
同軸線１の端末接続を並列構造としたのは、複数本の同軸線１Ａ，１Ｂ…の内部導体２Ａ，２Ｂ…と外部導体６Ａ，６Ｂ…とを、一括して並列端末接続することにより、著しい端末処理性の向上、シールド効果の向上が図られるためである。
【００３２】
このように、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１Ａ，１Ｂ…は、各横巻シールド４Ａ，４Ｂ…の外周に、厚さが０．５μｍ以上の外側めっき層５Ａ，５Ｂ…が形成されているので、横巻シールド４Ａ，４Ｂ…が外側めっき層５Ａ，５Ｂ…によって固定されている。
【００３３】
すなわち、従来例の同軸線５０，６０とは異なり、外側めっき層５Ａ，５Ｂ…により、横巻シールド４Ａ，４Ｂ…を形成する各金属線間の隙間を埋めているので、予備半田が不要となり、横巻シールド４Ａ，４Ｂ…がばらけることもなく、端末接続作業性を著しく向上させることができる。言い換えれば、端末接続の際には、外側めっき層５Ａ，５Ｂ…が予備半田の役割を果たしていると言える。
【００３４】
次に、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１のシールド特性、可とう性、端末接続作業性、製造コスト比、屈曲特性を評価するべく、実施例として外側めっき層５としてのスズめっきを用いた６個のサンプルと、比較例として外側めっき層５がない４個のサンプルとを製作した。
【００３５】
実施例１の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍの素線２ａ，２ｂ…としてのスズめっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径φｉが約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体２とし、素線径φｓが０．０３ｍｍの金属線４ａ，４ｂ…としてのスズめっき銅線を２５本横巻きして横巻シールド４を形成し、横巻シールド４の外周に外側めっき層５としての厚さが２０μｍのスズめっき層を形成して外部導体６とし、図１で説明したセミフレキシブル極細同軸線１と同じ構造としたものである。
【００３６】
実施例２の同軸線は、実施例１の外側めっき層５を、厚さが１０μｍのスズ外側めっき層としたものである。
【００３７】
参考例１の同軸線は、実施例１の外側めっき層５を、厚さが５μｍのスズめっき層としたものである。
【００３８】
実施例３の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍの素線２ａ，２ｂ…としての銀めっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径φｉが約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体２とし、素線径φｓが０．０３ｍｍの金属線４ａ，４ｂ…としての銀めっき銅線を２５本横巻きして横巻シールド４を形成し、横巻シールド４の外周に外側めっき層５としての厚さが２０μｍのスズめっき層を形成して外部導体６とし、図１で説明したセミフレキシブル極細同軸線１と同じ構造としたものである。
【００３９】
実施例４の同軸線は、実施例３の外側めっき層５を、厚さが１０μｍのスズめっき層としたものである。
【００４０】
実施例５の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍの素線２ａ，２ｂ…としてのスズめっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径φｉが約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体２とし、素線径φｓが０．０３ｍｍの金属線４ａ，４ｂ…としてのスズめっき銅合金線を２５本横巻きして横巻シールド４を形成し、横巻シールド４の外周に外側めっき層５としての厚さが１０μｍのスズめっき層を形成して外部導体６とし、図１で説明したセミフレキシブル極細同軸線１と同じ構造としたものである。
【００４１】
比較例１の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍのスズめっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径が約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体５１とし、素線径が０．０３ｍｍの素線５３ａ，５３ｂ…としてのスズめっき線を２５本横巻きして横巻シールド構造の外部導体５３とし、図５で説明した同軸線５０と同じ構造としたものである。
【００４２】
比較例２の同軸線は、比較例１の外部導体５３の外周に、プラスチックテープ６１の片面に金属蒸着層６２としての厚さが０．１μｍ以上の銅蒸着層が形成された複合テープ６３を巻き付けたものであり、図６で説明した同軸線６０と同じ構造としたものである。
【００４３】
比較例３の同軸線は、比較例１の外部導体５３の外周に、プラスチックテープの両面に金属蒸着層としての厚さが０．１μｍ以上の銅蒸着層が形成された複合テープを巻き付けたものである。
【００４４】
比較例４の同軸線は、素線径が０．０３ｍｍのスズめっき銅合金線を７本撚り合わせ、外径が約０．０９２ｍｍ（４０ＡＷＧ）の内部導体５１とし、素線径が０．０３ｍｍの素線５３ａ，５３ｂ…としてのスズめっき線により編組シールド構造の外部導体７１とし、図７で説明した同軸線７０と同じ構造としたものである。
【００４５】
以上説明した各試料のシールド特性、可とう性、端末接続作業性、製造コスト比の評価結果を表１に示す。表１では、非常に優れているものを◎、優れているものを○、やや劣っているものを△、劣っているものを×でそれぞれ表している。
【００４６】
【表１】
まず、シールド特性を評価する。シールド特性は、吸収クランプを用いた測定によっており、各試料の周波数が０．３ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおけるノイズの減衰量（ｄＢ）で比較した。
【００４８】
表１に示すように、実施例１〜５、参考例１は、全周波数領域（０．３ＭＨｚ〜１ＧＨｚ）に亘ってノイズの減衰量が最低でも７０ｄＢ以上と良好であり、特に、実施例３および実施例４では、ノイズの減衰量が９０ｄＢ以上と最高レベルのシールド特性であることがわかる。実施例３および実施例４は、金属線として電気特性に優れた銀めっき銅合金線を使用しているので、金属線としてスズめっき銅合金線を使用した実施例１、２、参考例１と比較すると、よりシールド特性が良好となるからである。また、可とう性についても、実施例１〜５、参考例１の全てにおいて優れていることがわかる。
【００４９】
一方、比較例１〜４は、ノイズの減衰量が５０ｄＢから７５ｄＢとなっており、シールド特性が悪い。シールド特性は、可とう性とも密接な関係がある。
【００５０】
比較例１は、横巻シールド構造なので可とう性には非常に優れているものの、横巻シールドを形成する素線間に微小な隙間を生じることがあるため、ノイズ耐性が弱い。比較例２および比較例３では、素線間に生じる隙間を複合テープによって塞いでいるので、比較例１と比較すればシールド特性がやや向上している。しかし、十分な可とう性を持たせるために複合テープに形成される銅蒸着層を薄くする必要があるので、実施例１〜５、参考例１と比較するとシールド特性が悪い。比較例４は、編組シールド構造なので外部導体が厚く、シールド特性が比較的良好であるものの、可とう性が最も劣っている。
【００５１】
端末接続作業性を評価する。端末接続作業性は、図２で説明したように、同軸線の端末を電子機器などの基板に接続する際の作業のしやすさで評価した。
【００５２】
実施例１〜５、参考例１は、横巻シールドの外周に形成された外側めっき層によって予備半田が不要となるので、端末接続性が非常に優れていることがわかる。参考例１については、外側めっき層の厚さが５μｍと若干薄くなっているので、他の実施例に比べると端末接続作業性がやや劣っている。このことから、外側めっき層の厚さは、１０μｍ以上とするのが好ましいことがわかる。
【００５３】
一方、比較例１〜４では、端末接続時に予備半田を必要とするので、端末接続作業性が悪い。比較例４は、編組シールド構造なので外部導体を取り除く作業もしにくく、端末接続作業性が最も劣っている。
【００５４】
製造コスト比を評価する。製造コスト比は、比較例１を基準の１００として評価した。
【００５５】
実施例１〜５、参考例１は、製造コスト比が１０５〜１１５となっており、比較例２および３の製造コスト比１１０〜１２０と同等またはそれ以下となっており、低コストで製造できることがわかる。比較例４は、編組シールド構造なので、素線を小さいピッチで編み込むため製造スピードが他に比べて遅く、製造コストが最も高い。
【００５６】
屈曲特性については、屈曲寿命試験を行って評価した。屈曲寿命試験の条件は、荷重＝０．９８Ｎ、曲げ半径＝２ｍｍ、速度＝３０回／分である。この条件で同軸線の左右９０度曲げ試験を行い、内部導体の素線が破断するまでの回数を評価した。実施例１〜６は、横巻シールドの外周に外側めっき層が形成されているため、横巻シールドのみの比較例１に比べて屈曲特性が劣るが、実用上十分な屈曲特性を擁していた。
【００５７】
このように、本発明に係るセミフレキシブル極細同軸線１は、シールド特性、可とう性、端末処理性、屈曲特性、製造コストを非常に高い次元でバランスさせた同軸線である。特に、シールド特性、端末接続作業性（端末処理性）において著しい向上が見られ、ノイズ対策の向上、ケーブル組み立て品の製造原価低減を図ることができる。
【００５８】
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。
【００５９】
上記実施の形態では、内部導体の外周を絶縁体で被覆したコアが１心からなるセミフレキシブル極細同軸線の例で説明したが、セミフレキシブル極細同軸線は、１心のコアに限られるものではなく、２心のコアが並列に配置された２心平行極細同軸ケーブルも含む。以下に、本発明を適用した２心平行極細同軸ケーブルの一例を説明する。
【００６０】
図３は、本発明の第２の実施の形態であるセミフレキシブル極細同軸線の断面図である。図４は、図３に示したセミフレキシブル極細同軸線の構造図である。
【００６１】
図３および図４に示すように、セミフレキシブル極細同軸線３０は、例えば、ノートパソコンのヒンジ部などの狭いスペースに配線するケーブルとして用いられるものであり、より詳細には、ノートパソコンの本体と液晶画面を、ヒンジ部を通して接続するためのものである。
【００６２】
セミフレキシブル極細同軸線３０は、外径φｉが０．１４７ｍｍ以下の内部導体２Ｘ，２Ｙの外周を、フッ素樹脂からなる絶縁体３Ｘ，３Ｙでそれぞれ被覆したコア８Ｘ，８Ｙを２本並列に配列し、コア８Ｘ，８Ｙの外周に、多数本の金属線４ａ，４ｂ…を所定ピッチでらせん状に横巻きして横巻シールド３１を形成し、横巻シールド３１の外周に、厚さが少なくとも０．５μｍ以上の外側めっき層３２を形成し、外側めっき層３２の外周をジャケット７で被覆したものである。外部導体３３は、横巻シールド３１と外側めっき層３２からなっている。その他の構成は、図１で説明したセミフレキシブル極細同軸線１と同じ構成である。
【００６３】
外側めっき層３２としては、例えば、スズ、銀、又は半田からなるものを使用している。外側めっき層３２の厚さは、より詳細には、１０μｍ以上とするのが好ましい。また、外側めっき層３２の厚さの上限値は、あまり厚くするとコストが高くなるので、５０μｍとするのが好ましい。
【００６４】
内部導体２Ｘ，２Ｙの外径φｉは、言い換えれば、３６ＡＷＧ（American Wire Gauge：アメリカ式針金ゲージ）サイズである。セミフレキシブル極細同軸線３０は、ジャケット７を被覆したときの長軸方向の外径φが１．０ｍｍ以下となっている。
【００６５】
このセミフレキシブル極細同軸線３０も図１で説明した同軸線１と同様に、シールド特性、可とう性、端末処理性、屈曲特性、製造コストを非常に高い次元でバランスさせた同軸線である。特に、シールド特性、端末接続作業性（端末処理性）において著しい向上が見られ、ノイズ対策の向上、ケーブル組み立て品の製造原価低減を図ることができる。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のごとき優れた効果を発揮する。
【００６７】
（１）シールド特性、可とう性、端末処理性、屈曲特性、製造コストを非常に高い次元でバランスさせた同軸線を得ることができる。
【００６８】
（２）特に、シールド特性、端末処理性において著しい向上が見られ、ノイズ対策の向上、ケーブル組み立て品の製造原価低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１に示したセミフレキシブル極細同軸線の端末接続方法の一例を示す概略図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す断面図である。
【図４】図３に示したセミフレキシブル極細同軸線の構造図である。
【図５】従来の極細同軸線の一例を示す断面図である。
【図６】従来の極細同軸線の一例を示す断面図である。
【図７】従来の極細同軸線の一例を示す断面図である。
【図８】従来の極細同軸線の端末接続方法の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１ セミフレキシブル極細同軸線
２ 内部導体
３ 絶縁体
４ａ，４ｂ… 金属線
４ 横巻シールド
５ 外側めっき層
６ 外部導体
７ ジャケット
８ コア
φｉ 内部導体の外径
φｓ 金属線の外径
Claims (4)
- 電子機器の基板上のアース接続用パターンに、ジャケットによる被覆を除去して露出した外部導体を予備半田なしで半田接続するためのセミフレキシブル極細同軸線であって、該同軸線は、外径が０．１４７ｍｍ以下の内部導体と、内部導体の外周を被覆する絶縁体と、絶縁体の外周に設けられ、多数本の金属線からなる横巻シールドの外周に、厚さが１０〜５０μｍであって、スズ、銀又は半田のいずれかからなる半田接続するための外側めっき層が形成された外部導体と、該外部導体を被覆するジャケットとを備えることを特徴とするセミフレキシブル極細同軸線。
- 各金属線は、素線径が０．１ｍｍ以下で、且つその電気導電率が７０％ＩＡＣＳ以上であると共に、銅または銅合金線からなる請求項１記載のセミフレキシブル極細同軸線。
- 各金属線の素線の伸びが１％以上であり、各金属線の外周にはスズめっき又は銀めっきが施された請求項１または２記載のセミフレキシブル極細同軸線。
- 外径が０．１４７ｍｍ以下の内部導体と、内部導体の外周を被覆する絶縁体と、絶縁体の外周に設けられ、多数本の金属線からなる横巻シールドの外周に、厚さが１０〜５０μｍであって、スズ、銀又は半田のいずれかからなる半田接続するための外側めっき層が形成された外部導体と、該外部導体を被覆するジャケットとを備えるセミフレキシブル極細同軸線を用い、同軸線の端末部のジャケットによる被覆を除去して複数本並列に配列し、各同軸線の露出した外部導体を、電子機器の基板上のアース接続用パターンに、予備半田なしで一括半田接続することを特徴とするセミフレキシブル極細同軸線の端末接続方法。
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