JP7148011B2 - 同軸ケーブル及びケーブルアセンブリ - Google Patents

Description

本発明は、同軸ケーブル及びケーブルアセンブリに関する。

自動運転等に用いられる撮像装置や、スマートフォン、タブレット端末等電子機器の内部配線、あるいは、産業用ロボット等の工作機械で配線として用いられる高周波信号伝送用のケーブルとして、同軸ケーブルが用いられている。

従来の同軸ケーブルとして、樹脂層上に銅箔を設けた銅テープ等のテープ部材を、絶縁体の周囲に螺旋状に巻き付けてシールド層を構成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０００－２８５７４７号公報

しかしながら、上述の従来の同軸ケーブルでは、所定の周波数帯域（例えば、１．２５ＧＨｚ等の数ＧＨｚの帯域）で急激な減衰が生じるサックアウトと呼ばれる現象が発生してしまうという課題がある。

これに対して、例えば、絶縁体の外表面にめっきを施してシールド層を構成することで、サックアウトの発生を抑制することが可能である。しかし、同軸ケーブルを繰り返し曲げたときに、めっきからなるシールド層に亀裂や絶縁体外面からのはく離が発生することがある。めっきからなるシールド層に亀裂や絶縁体外面からのはく離が発生すると、シールド効果が低下してしまう。すなわち、同軸ケーブルに生じるノイズをシールド層よって遮蔽する効果が低下してしまう。

そこで、本発明は、シールド効果の低下が生じにくく、所定の周波数帯域で急激な減衰が生じにくい同軸ケーブル及びケーブルアセンブリを提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、導体と、前記導体の周囲に有する絶縁体と、前記絶縁体の周囲に有するシールド層と、を備え、前記シールド層は、前記絶縁体の周囲に複数の金属素線が螺旋状に巻き付けされた横巻きシールド部と、前記横巻きシールド部の周囲に有する一括めっき部と、前記複数の金属素線と前記一括めっき部との間に有する金属間化合物と、を有し、前記シールド層は、前記横巻きシールド部の少なくとも一部において、周方向に隣り合う前記複数の金属素線が離間しており、離間した前記複数の金属素線同士が前記一括めっき部を介して互いに連結された連結部を有し、前記一括めっき部は、前記連結部において、前記絶縁体と対向する内面が凹んだ形状を有する、同軸ケーブルを提供する。

また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルの少なくとも一方の端部に一体に設けられた端末部材と、を備えた、ケーブルアセンブリを提供する。

本発明によれば、シールド効果の低下が生じにくく、所定の周波数帯域で急激な減衰が生じにくい同軸ケーブル及びケーブルアセンブリを提供できる。

本発明の一実施の形態に係る同軸ケーブルを示す図であり、（ａ）は長手方向に垂直な断面を示す断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 周波数特性の評価結果を示すグラフ図である。 インピーダンスプロファイルの解析結果を示すグラフ図である。 シールド性能の評価結果を示すグラフ図である。 本発明の一実施の形態に係るケーブルアセンブリの端末部を示す断面図である。 本発明の一変形例に係る同軸ケーブルの要部を拡大した断面図である。 本発明の一変形例に係る同軸ケーブルの長手方向に垂直な断面を示す断面図である。

［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。

図１は、本実施の形態に係る同軸ケーブルを示す図であり、（ａ）は長手方向に垂直な断面を示す断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。

図１（ａ），（ｂ）に示すように、同軸ケーブル１は、導体２と、導体２の周囲を覆うように設けられている絶縁体３と、絶縁体３の周囲を覆うように設けられているシールド層４と、シールド層４の周囲を覆うように設けられているシース５と、を備えている。

導体２は、複数本の金属素線２１を撚り合わせた撚線導体からなる。本実施の形態では、外径０．０２ｍｍの軟銅線からなる金属素線２１を７本撚り合わせた導体２を用いた。これに限らず、導体２としては、金属素線２１を撚り合わせた後、ケーブル長手方向に垂直な断面形状が円形状となるように圧縮加工された圧縮撚線導体を用いることもできる。導体２として圧縮撚線導体を用いることで、導電率が向上し良好な伝送特性が得られると共に、曲げやすさも維持できる。また、金属素線２１は、導電率や機械的強度を向上させる観点から、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）等を含む銅合金線であってもよい。

絶縁体３は、例えば、ＰＦＡやＦＥＰ（四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体）等のフッ素樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン等からなる。絶縁体３は、発泡樹脂であってもよく、耐熱性を向上すべく架橋された樹脂で構成されてもよい。また、絶縁体３は、さらに多層構造となっていてもよい。例えば、導体２の周囲に非発泡のポリエチレンからなる第１非発泡層を設け、第１非発泡層の周囲に発泡ポリエチレンからなる発泡層を設け、発泡層の周囲に非発泡のポリエチレンからなる第２非発泡層を設けた３層構成とすることもできる。本実施の形態では、導体２の周囲に、ＰＦＡからなる絶縁体３をチューブ押出しにより形成した。絶縁体３をチューブ押出しにより形成することで、端末加工時に導体２から絶縁体３を剥がし易くなり、端末加工性が向上する。

本実施の形態に係る同軸ケーブル１では、シールド層４は、絶縁体３の周囲に複数の金属素線４１１を螺旋状に巻き付けた横巻きシールド部４１と、横巻きシールド部４１の周囲を一括して覆うように設けられた導電性の一括めっき部４２と、を有する。なお、周方向に隣り合う全ての金属素線４１１同士が接触し、その周囲を覆うように一括めっき部４２が設けられていてもよいし、周方向に隣り合う一部の金属素線４１１間に隙間が存在し、当該隙間を塞ぐように横巻きシールド部４１の周囲に一括めっき部４２が設けられていてもよい。つまり、周方向に隣り合う全ての金属素線４１１同士が接触することは必須ではなく、周方向に隣り合う一部の金属素線４１１が離間しており一括めっき部４２を介して互いに連結されていてもよい。一括めっき部４２は、周方向および軸方向において横巻きシールド部４１の周囲全体（ただし、後述する内周部分４ｂを除く）を一括して覆い、複数の金属素線４１１を機械的及び電気的に接続するように設けられることが望ましい。

シールド層４では、横巻きシールド部４１の少なくとも一部において、周方向に隣り合う一部の金属素線４１１が離間しており、金属素線４１１の離間部分が一括めっき部４２を介して互いに連結された連結部４３を有していることが望ましい。連結部４３を有することにより、周方向に隣り合う全ての金属素線４１１同士が接触する場合と比べて、曲げや捩れを加えたときに一括めっき部４２が割れたり剥がれたりしにくくなる。すなわち、金属素線４４１同士が離間している部分が一括めっき部４２によって連結された連結部４３は、金属素線４１１よりも柔軟性のある溶融めっきからなる一括めっき部４２のみで構成される。曲げや捻回が加わったときに、連結部分の一括めっき部４２が伸張するように作用し、シールド層４全体の柔軟性が向上する。これにより、曲げや捩れを加えたときに一括めっき部４２が割れたり剥がれたりしにくくなる。なお、周方向に隣り合う金属素線４１１同士が離間する距離は、一方の金属素線４１１の表面から他方の金属素線４１１までの最短距離が金属素線４１１の外径の半分以下であると、上述した作用効果が得られやすい。

また、連結部４３における一括めっき部４２の径方向に沿った厚さＷ（連結部４３における一括めっき部４２の内面から外面までの最小の直線距離）は、例えば、金属素線４１１の外径（直径）ｄの３０％（０．３×ｄ）以上であると、一括めっき部４２の割れが生じにくくなる。特に、連結部４３における一括めっき部４２の厚さＷは、金属素線４１１の外径（直径）ｄと同じか、それよりも大きい場合に、金属素線４１１同士の接合強度が大きくなり、更に割れが生じにくくなる。また、同軸ケーブル１では、一括めっき部４２が上述したような連結部４３を有することにより、ケーブルアセンブリを行うときに、横巻シールド部４１を構成する複数の金属素線４１１が一括めっき部４２にくっついた状態で、複数の金属素線４１１の巻き方向に沿って螺旋状に巻き回しながらシールド層４が除去しやすくなる。連結部４３における一括めっき部４２の厚さＷの上限値としては、例えば、金属素線４１１の外径ｄの１３０％（１．３×ｄ）であるとよい。なお、金属素線４１１の外径ｄは、例えば、０．０２ｍｍ～０．１０ｍｍである。金属素線４１１が表面にめっき層を有する場合は、めっき層を含めた外径を金属素線４１１の外径ｄとする。連結部４３の厚さＷや金属素線４１１の外径ｄは、例えば、光学顕微鏡あるいは電子顕微鏡を用いて、同軸ケーブル１の横断面（同軸ケーブル１の長手方向に垂直な断面）を観察することにより求められる。

例えば、シールド層４を横巻きシールド部４１のみで構成すると、金属素線４１１間に隙間が発生してノイズ特性が低下してしまう。さらに、金属素線４１１の間に生じる隙間の影響により、所定の周波数帯域（例えば、１０ＧＨｚ～２５ＧＨｚの帯域）で急激な減衰が生じるサックアウトと呼ばれる現象が発生してしまう。本実施の形態のように、横巻きシールド部４１の周囲全体を覆うように溶融めっきからなる一括めっき部４２を設けることで、一括めっき部４２により金属素線４１１間の隙間を塞ぐことができ、シールド効果を向上できる。これにより、信号伝送の損失が生じにくくなる。さらに、金属素線４１１間の隙間がなくなることにより、サックアウトの発生を抑制することが可能になる。

さらに、横巻きシールド部４１の周囲を覆うように一括めっき部４２を設けることで、端末加工時にケーブル端末部においてシース５を除去しシールド層４を露出させた際に、金属素線４１１が解けにくくなり、端末加工を容易に行うことが可能になる。さらにまた、横巻きシールド部４１の周囲を覆うように一括めっき部４２を設けることで、ケーブル長手方向においてインピーダンスを安定して一定に維持することも可能になる。

図１（ｂ）に示すように、一括めっき部４２は、横巻きシールド部４１を構成する各金属素線４１１の外形に沿って波形に形成される。すなわち、一括めっき部４２は、周方向に隣り合う金属素線４２の間に相当する周方向位置（すなわち連結部４３の位置）において凹んだ形状となっており、その凹んだ部分の一括めっき部４２とシース５との間に、空隙６を有している。連結部４３に空隙６を有することにより、同軸ケーブル１を屈曲した際に、当該屈曲に追従するように一括めっき部４２の外面が伸びることが可能となるため、一括めっき部４２が割れにくくなる。また、連結部４３に空隙６を有することで、同軸ケーブル１の可とう性も向上する。

本実施の形態では、一括めっき部４２によって金属素線４１１が固定されることになるため、同軸ケーブル１の曲げやすさを確保するために、金属素線４１１としては、塑性変形しやすい低耐力な材質からなるものを用いる必要がある。より具体的には、金属素線４１１としては、引張強さが２００ＭＰａ以上３８０Ｐａ以下であり、かつ伸びが７％以上２０％以下であるものを用いるとよい。

本実施の形態では、金属素線４１１として、軟銅線からなる金属線４１１ａの周囲に銀からなるめっき層４１１ｂを有する銀めっき軟銅線を用いた。なお、金属線４１１ａとしては、軟銅線に限らず、銅合金線、アルミニウム線、アルミニウム合金線、あるいは純銅に微量の金属元素（例えば、チタン、マグネシウム等）を添加した低軟化温度の線材等を用いることができる。また、めっき層４１１ｂを構成する金属は銀に限らず、例えば錫や金であってもよく、めっき層４１１ｂを省略することも可能である。ここでは、外径０．０２ｍｍの銀めっき軟銅線からなる金属素線４１１を２６本用いることで、横巻きシールド部４１を形成した。

また、本実施の形態では、溶融めっきからなる一括めっき部４２として、錫からなるものを用いた。ただし、これに限らず、一括めっき部４２として、例えば銀、金、銅、亜鉛等からなるものを用いることができる。ただし、製造の容易さの観点から、錫からなる一括めっき部４２を用いることがより好ましいといえる。

絶縁体３の周囲に複数本の金属素線４１１を撚り合わせて横巻きシールド部４１を形成した後、溶融した錫を貯留した槽に通すことで、一括めっき部４２が形成される。すなわち、一括めっき部４２は、溶融めっきによって形成された溶融めっき層である。横巻きシールド部４１の周囲に錫が付着しやすくするために、横巻きシールド部４１の周囲にフラックスを塗布した後に、溶融した錫を貯留した槽に通すことが望ましい。フラックスとしては、例えばロジン系のフラックス等を用いることができる。横巻きシールド部４１の周囲全体に錫が一括して付着しやすくするために、横巻きシールド部４１の周囲にフラックスを塗布した後に、２５０℃以上３００℃未満の温度に溶融した錫が貯留された槽に通すことが望ましい。横巻きシールド部４１を形成した線材を槽に通すときの線速度は、例えば、４０ｍ／ｍｉｎ以上８０ｍ／ｍｉｎ以下であり、より好ましくは、５０ｍ／ｍｉｎ以上７０ｍ／ｍｉｎ以下である。これにより、横巻きシールド部４１を一括して覆う一括めっき部４２が形成されるとともに、後述する金属間化合物４１１ｃがシールド部４１を構成する金属素線４１１と一括めっき部４２との間に形成される。

一括めっき部４２を形成する際、溶融した錫（すなわち、溶融めっき）に接触する部分のめっき層４１１ｂを構成する銀は槽内の錫に拡散し、金属素線４１１と一括めっき部４２との間（すなわち、金属線４１１ａと一括めっき部４２との間であって、当該金属線４１１の表面と接する部分）に銅と錫を含む金属間化合物４１１ｃが形成される。本発明者らがＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いたＥＤＸ分析（エネルギー分散型Ｘ線分光法による分析）を行ったところ、金属素線４１１の表面（金属素線４１１と一括めっき部４２との間）に、銅と錫とからなる金属間化合物４１１ｃが層状に存在することが確認できた。すなわち、金属間化合物４１１ｃは、溶融めっきからなる一括めっき部４２を構成する金属元素（錫等）と金属素線４１１の主成分を構成する金属元素（銅等）とが金属的に拡散反応して金属素線４１１の表面に化合物層が形成されたものである。金属間化合物４１１ｃの層の厚さは、例えば０．２μｍ～１．５μｍ程度である。なお、金属間化合物４１１ｃには、めっき層４１１ｂを構成する銀が含まれていると考えられるが、金属間化合物４１１ｃにおける銀の含有量は、ＥＤＸ分析で検出が難しい程度のごく微量である。シールド層４は、金属素線４１１と一括めっき部４２との間に金属間化合物４１１ｃが形成されることにより、同軸ケーブル１を繰り返し曲げたときや捩ったときに、金属素線４１１の表面から一括めっき部４２が剥がれにくく、金属素線４１１と一括めっき部４２との間に隙間が生じにくくなる。これにより、同軸ケーブル１では、曲げや捩りが加わった場合にも、横巻シールド部４１の外側から一括めっき部４２によって横巻シールド部４１を固定した状態を保つことができ、シールド層４と導体２との距離が変化しにくくなる。そのため、同軸ケーブル１では、曲げや捩りによってシールド効果の低下が生じにくく、所定の周波数帯域で急激な減衰も生じにくくすることができる。金属間化合物４１１ｃの層の厚さは、例えば、光学顕微鏡あるいは電子顕微鏡を用いて、同軸ケーブル１の横断面（同軸ケーブル１の長手方向に垂直な断面）を観察することにより求められる。

一括めっき部４２と接触しない部分の金属素線４１１（めっき時に溶融した錫と接触しない部分の金属素線４１１）には、銀からなるめっき層４１１ｂが残存する。すなわち、ケーブル径方向において内側（絶縁体３側）の部分の金属素線４１１には、銀からなるめっき層４１１ｂが残存する。すなわち、本実施の形態に係る同軸ケーブル１におけるシールド層４は、複数の金属素線４１１が一括めっき部４によって覆われる外周部分４ａよりも、複数の金属素線４１１が一括めっき部４１で覆われていない内周部分４ｂの導電率が高くなっていることがよい。高周波信号の伝送においては、電流はシールド層４における絶縁体３側に集中するため、銀等の高い導電率を有するめっき層４１１ｂがシールド層４の内周部分４ｂに存在することにより、シールド層４の導電性の低下を抑制し、良好な減衰特性を維持することが可能になる。一括めっき部４２を構成する錫めっきの導電率は１５％ＩＡＣＳであり、めっき層４１１ｂを構成する銀めっきの導電率は１０８％ＩＡＣＳである。

なお、ここでいう外周部分４ａとは、金属素線４１１が溶融めっき時に溶融しためっき（錫等）に接触する部分（すなわち金属間化合物４１１ｃが形成された部分）である。また、内周部分４ｂとは、銀めっき等からなるめっき層４１１ｂが残存している部分である。

シース５は、例えば、ＰＦＡやＦＥＰ等のフッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、架橋ポリオレフィン等からなる。本実施の形態では、フッ素樹脂からなるシース５をチューブ押出しにより形成した。

（同軸ケーブル１の特性評価）
本実施の形態に係る同軸ケーブル１を作製して実施例とし、特性評価を行った。また、一括めっき部４２を省略した以外は実施例と同じ構成の比較例の同軸ケーブルを作製し、同様に特性評価を行った。ケーブル長は、実施例、比較例共に１ｍとした。なお、実施例における同軸ケーブル１では、導体２として外径が０．０２ｍｍの軟銅線からなる金属素線２１を７本撚り合わせたものを用い、絶縁体３としてＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）をチューブ押出ししてなるものを用い、横巻シールド部４１として外径が０．０２ｍｍで表面に銀めっきを有する金属素線４１１を螺旋状に巻き付けしたものを用い、一括めっき部４２として溶融した錫からなる溶融めっきを用い、シース５としてフッ素樹脂からなるものを用いた。

まず、周波数特性の評価を行った。周波数特性の評価では、ネットワークアナライザを用いて、伝送特性Ｓ２１の測定を行った。測定範囲は１０ＭＨｚ～３０ＧＨｚとし、出力パワーは－８ｄＢｍとした。測定結果を図２及び表１に示す。

図２及び表１に示すように、実施例の同軸ケーブル１では、２０ＧＨｚ以降まで（例えば、２６ＧＨｚまで）急激な減衰がみられず、サックアウトが抑制されていることが確認できた。これに対して、比較例の同軸ケーブルでは、１２ＧＨｚ～２５ＧＨｚの周波数範囲において急激な減衰が発生しており、サックアウトが生じていることが分かる。

次に、インピーダンスプロファイルの評価を行った。インピーダンスプロファイルの評価では、Ｋｅｙｓｉｇｈｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製のＡＤＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ Ｓｙｓｔｅｍ）リニアシミュレータを用いて反射特性を時間領域に変換し、ケーブル長手方向のインピーダンスの解析を行った。解析の際の周波数帯域は２０ＧＨｚとした。解析結果を図３に示す。

図３に示すように、実施例の同軸ケーブル１では、時間に対するインピーダンスの傾きが安定しており、ケーブル長手方向でインピーダンスの変動が抑えられていることが分かる。これに対して、比較例の同軸ケーブルでは、時間に対するインピーダンスの傾きが大きく変動しており、ケーブル長手方向でインピーダンスが変動していることが分かる。

次に、シールド性能の評価を行った。シールド性能の評価では、ＥＭＩテスタを用い、同軸ケーブル１から漏洩する近傍磁界の測定を行った。測定の際の周波数範囲は１ＭＨｚ～３ＧＨｚとし、遠端側は５０Ωで終端した。近傍磁界強度が最大となる点での近傍磁界強度の測定結果を図４に示す。

図４に示すように、実施例の同軸ケーブル１では、比較例の同軸ケーブルと比較して、近傍磁界強度が低く抑えられており、特に２４ＧＨｚ以下の周波数範囲において、シールド性能が向上していることが確認できた。

（ケーブルアセンブリ）
次に、同軸ケーブル１を用いたケーブルアセンブリについて説明する。図５は、本実施の形態に係るケーブルアセンブリの端末部を示す断面図である。

図５に示すように、ケーブルアセンブリ１０は、本実施の形態に係る同軸ケーブル１と、同軸ケーブル１の少なくとも一方の端部に一体に設けられた端末部材１１と、を備えている。

端末部材１１は、例えば、コネクタ、センサ、コネクタやセンサ内に搭載される基板、あるいは電子機器内の基板等である。図５では、端末部材１１が基板１１ａである場合を示している。基板１１ａには、導体２が接続される信号電極１２、及び、シールド層４が接続されるグランド電極１３が形成されている。基板１１ａは、樹脂からなる基材１６に信号電極１２及びグランド電極１３を含む導体パターンが印刷されたプリント基板からなる。

同軸ケーブル１の端末部においては、端末から所定長さの部分のシース５が除去されシールド層４が露出されており、さらに露出されたシールド層４及び絶縁体３の端末部が除去され導体２が露出されている。露出された導体２が半田等の接続材１４によって信号電極１２に固定され、導体２が信号電極１２に電気的に接続されている。また、露出されたシールド層４が半田等の接続材１５によってグランド電極１３に固定され、シールド層４がグランド電極１３に電気的に接続されている。なお、導体２やシールド層４の接続は半田等の接続材１４，１５を用いずともよく、例えば、固定用の金具に導体２やシールド層４を加締め等により固定することで、導体２やシールド層４を接続してもよい。また、端末部材１１がコネクタやセンサである場合、導体２やシールド層４を直接電極や素子に接続する構成としてもよい。

（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本実施の形態に係る同軸ケーブル１では、シールド層４は、絶縁体３の周囲に複数の金属素線４１１を螺旋状に巻き付けた横巻きシールド部４１と、横巻きシールド部４１の周囲を覆う溶融めっきからなる一括めっき部４２と、を有し、シールド層４１は、複数の金属素線４１１が一括めっき部４２によって覆われた外周部分４ａと、複数の金属素線４１１が一括めっき部４２で覆われていない内周部分と４ｂ、を有し、外周部分４ａは、複数の金属素線４１１と一括めっき部４２との間に金属間化合物４１１ｃを有する。このとき、シールド層４は、複数の金属素線４１１が一括めっき部４２を介して互いに連結された外周部分４ａよりも、複数の金属素線４１１が一括めっき部４２で覆われていない内周部分４ｂの導電率が高いことが好ましい。

このように構成することで、シールド層４が一括めっき部４２を介して全周で繋がることになり、横巻きシールド部４１の金属素線４１１間の隙間を一括めっき部４２で塞ぐことが可能になり、ノイズ特性を向上し、サックアウトの発生を抑制することが可能になる。すなわち、本実施の形態によれば、シールド効果の低下が生じにくく、所定の周波数帯域（例えば、２６ＧＨｚまでの周波数帯域）で急激な減衰が生じにくい同軸ケーブル１を実現できる。さらに、シールド層４が一括めっき部４２を介して全周で繋がることにより、シース５を除去した際に金属素線４１１が解けてしまうことが抑制され、端末加工性を向上できると共に、ケーブル端末部におけるシールド層４の乱れを抑制して電気特性を向上させることができる。さらにまた、高周波信号の伝送においては、電流はシールド層４における絶縁体３側に集中するため、シールド層４の外周部分４ａよりも内周部分４ｂの導電率を高くすることで、錫等の比較的導電率が低い金属で一括めっき部４２を構成した場合であっても、シールド層４の導電性の低下を抑制し、良好な減衰特性を維持することが可能になる。

（変形例）
上記実施の形態では、連結部４３の一括めっき部４２とシース５との間に空隙６を有する場合について説明したが、図６に示すように、一括めっき部４２とシース５との間に空隙６を有さず、一括めっき部４２の外面とシース５の内面とが隙間無く接触していてもよい。このとき、連結部４３における一括めっき部４２の厚さＷは、金属素線４１１の外径（直径）ｄと同じか、それよりも大きいことがよい。この場合では、一括めっき部４２の厚さ（特に連結部４３での厚さＷ）を金属素線４１１の外径ｄの１３０％（１．３×ｄ）以下の範囲で十分に確保することにより、空隙６を有する場合と比べて、金属素線４１１同士の接合強度を大きくすることができるため、シールド層４の割れの発生を抑制することが可能である。なお、この場合、一括めっき部４２は、図６に示すように、隣り合う金属素線４１１同士の間（例えば、連結部４３の位置）において、絶縁体３と対向する内面がシース５側へ凹んだ形状となっていることがよい。

また、図７に示すように、金属素線４１１が絶縁体３に埋め込まれるように配置されていてもよい。この場合、絶縁体３は、金属素線４１１と接触する部分の表面に、金属素線４１１と嵌合するくぼみ３１を有している。また、金属素線４１１の周方向における絶縁体３と接触する部分が、絶縁体３のくぼみ３１と嵌合している。これにより、金属素線４１１が絶縁体３に対して固定された状態となるため、金属素線４１１間の隙間が広がりにくくなる。これにより、同軸ケーブル１では、曲げたときに一括めっき部４２に割れがより生じ難くなり、同軸ケーブル１の耐屈曲性をより向上することが可能になる。また、金属素線４１１が絶縁体３に埋め込まれることで、端末加工時に金属素線４１１がより解けにくくなり、端末加工をより容易に行うことが可能になる。さらに、金属素線４１１が絶縁体３に密着されるため、導体２とシールド層４との距離を長手方向において一定に維持することが可能になり、ケーブル長手方向においてインピーダンスを安定して一定に維持することや、所定の周波数帯域（例えば、２６ＧＨｚまでの周波数帯域）において急激な減衰を生じにくくすることも可能になる。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］導体（２）と、前記導体（２）の周囲を覆う絶縁体（３）と、前記絶縁体（３）の周囲を覆うシールド層（４）と、前記シールド層（４）の周囲を覆うシース（５）と、を備え、前記シールド層（４）は、前記絶縁体（３）の周囲を覆うように複数の金属素線（４１１）が螺旋状に巻き付けされた横巻きシールド部（４１）と、前記横巻きシールド部（４１）の周囲を覆う溶融めっきからなる一括めっき部（４２）と、を有し、前記シールド層（４）は、前記複数の金属素線（４１１）が前記一括めっき部（４２）によって覆われた外周部分（４ａ）と、前記複数の金属素線（４１１）が前記一括めっき部（４２）で覆われていない内周部分（４ｂ）と、を有し、前記外周部分（４ａ）は、前記複数の金属素線（４１１）と前記一括めっき部（４２）との間に金属間化合物（４１１ｃ）を有する、同軸ケーブル（１）。

［２］前記シールド層（４）は、前記外周部分よりも、前記内周部分の導電率が高い、［１］に記載の同軸ケーブル。

［３］前記シールド層（４）は、周方向に隣り合う前記複数の金属素線（４１１）が離間しており、離間した前記複数の金属素線（４１１）同士が前記一括めっき部（４２）を介して互いに連結されている、［１］または［２］に記載の同軸ケーブル（１）。

［４］前記一括めっき部（４２）が錫からなり、前記金属素線（４１１）が、銀めっき軟銅線からなり、前記金属素線（４１１）と前記一括めっき部（４２）との間に、銅と錫を含む前記金属間化合物（４１１ｃ）が形成されている、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の同軸ケーブル（１）。

［５］前記金属素線（４１１）は、引張強さが２００ＭＰａ以上３８０Ｐａ以下であり、伸びが７％以上２０％以下である、［１］乃至［４］の何れか１項に記載の同軸ケーブル（１）。

［６］［１］乃至［５］の何れか１項に記載の同軸ケーブル（１）と、前記同軸ケーブル（１）の少なくとも一方の端部に一体に設けられた端末部材（１１）と、を備えた、ケーブルアセンブリ（１０）。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。

１…同軸ケーブル
２…導体
３…絶縁体
４…シールド層
４１…横巻きシールド部
４１１…金属素線
４１１ａ…金属線
４１１ｂ…めっき層
４１１ｃ…金属間化合物
４２…一括めっき部
４ａ…外周部分
４ｂ…内周部分
５…シース
１０…ケーブルアセンブリ
１１…端末部材

Claims (6)

1. 導体と、
   前記導体の周囲に有する絶縁体と、
   前記絶縁体の周囲に有するシールド層と、を備え、
   前記シールド層は、前記絶縁体の周囲に複数の金属素線が螺旋状に巻き付けされた横巻きシールド部と、前記横巻きシールド部の周囲に有する一括めっき部と、前記複数の金属素線と前記一括めっき部との間に有する金属間化合物と、を有し、
   前記シールド層は、前記横巻きシールド部の少なくとも一部において、周方向に隣り合う前記複数の金属素線が離間しており、離間した前記複数の金属素線同士が前記一括めっき部を介して互いに連結された連結部を有し、
   前記一括めっき部は、前記連結部において、前記絶縁体と対向する内面が凹んだ形状を有する、
   同軸ケーブル。
2. 前記金属間化合物の厚さは、０．２μｍ以上１．５μｍ以下である、
   請求項１に記載の同軸ケーブル。
3. 前記シールド層は、前記連結部において、前記一括めっき部の前記内面から径方向に沿った厚さが前記金属素線の外径の３０％以上１３０％以下である、
   請求項１または２に記載の同軸ケーブル。
4. ２０ＧＨｚでの周波数帯域における挿入損失（Ｓ２１）が５０ｄＢより小さい、
   請求項１乃至３の何れか１項に記載の同軸ケーブル。
5. ２６ＧＨｚでの周波数帯域における挿入損失（Ｓ２１）が６０ｄＢより小さい、
   請求項４に記載の同軸ケーブル。
6. 請求項１乃至５の何れか１項に記載の同軸ケーブルと、
   前記同軸ケーブルの少なくとも一方の端部に設けられた端末部材と、を備えた、
   ケーブルアセンブリ。

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