JP2022138873A - 信号伝送ケーブル - Google Patents

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節夫 安藤
Setsuo Ando
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Takehiro Sugiyama
和史 末永
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Abstract

【課題】外部導体をめっき層で形成した信号伝送ケーブルにおいて、段剥加工を容易にでき、かつ電気的な接続の際にめっき層の割れを抑制する。【解決手段】内部導体と、内部導体の外周に設けられる第１絶縁体層と、第１絶縁体層の外周に設けられる第２絶縁体層と、第２絶縁体層の外周に設けられるめっき層と、を備え、第２絶縁体層の線膨張係数が第１絶縁体層よりも小さい、信号伝送ケーブルである。【選択図】図１

Description

本発明は、信号伝送ケーブルに関する。
信号伝送ケーブルは、例えば電子機器間で信号を伝送するために用いられ、外部からの電磁波の影響を低減するため芯線（内部導体）の周囲に、電磁シールドとして作用する外部導体が設けられて構成される。具体的には、信号伝送ケーブルは、内部導体の周囲に絶縁体層、外部導体およびシースを順に積層させて構成される。
信号伝送ケーブルを電子機器へ接続する際は、信号伝送ケーブルの端末を段剥加工し、内部導体および外部導体を例えば半田付けにより、それぞれ電子機器へと電気的に接続する。このとき、内部導体の接続箇所と外部導体の接続箇所とは、絶縁性を確保すべく、一定の距離をおいて配置される。
外部導体の形成方法としては、例えば導電性テープを絶縁体層の周囲に巻き付ける方法がある。また例えば、めっき法により外部導体を絶縁体層上に直接形成する方法もある（例えば特許文献１を参照）。めっき法によれば、導電性テープを巻き付ける方法と比較して、信号伝送ケーブルを細径化・高性能化することができる。
特開２０１９－１６４５１号公報
しかし、外部導体をめっき層で形成する場合、以下のような問題が生じることがあった。すなわち、めっき層を半田付けにより電気的に接続する際等において、めっき層の下地である絶縁体層が熱膨張することがあり、めっき層がその熱膨張に追従できずに割れたりすることがあった。
本発明は、上記課題を解決し、外部導体をめっき層で形成した信号伝送ケーブルにおいて、電気的な接続の際等にめっき層の割れを抑制できる技術を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、
内部導体と、
前記内部導体の外周に設けられる第１絶縁体層と、
前記第１絶縁体層の外周に設けられる第２絶縁体層と、
前記第２絶縁体層の外周に設けられるめっき層と、を備え、
前記第２絶縁体層の線膨張係数が前記第１絶縁体層よりも小さい、信号伝送ケーブルである。
本発明によれば、外部導体をめっき層で形成した信号伝送ケーブルにおいて、電気的な接続の際等にめっき層の割れを抑制することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る信号伝送ケーブルの長手方向に垂直な断面図を示す。 図２は、本発明の一実施形態に係る信号伝送ケーブルの端末を段剥加工した状態を説明するための図である。
本発明者等は上記課題について検討を行い、絶縁体層からめっき層のみを剥離することは容易ではないことから、絶縁体層を、内部導体側の第１絶縁体層と、めっき層側の第２絶縁体層の２層で構成することに着目した。この構成によれば、第１絶縁体層から第２絶縁体層を剥離することで、めっき層を第２絶縁体層とともに第１絶縁体層から剥離し、段剥加工を容易に行うことができる。
しかも、絶縁体層を２層構造とすることにより、それぞれを異なる樹脂材料で形成することも可能になる。そして、各絶縁体層を形成する樹脂材料についてさらに検討を行い、めっき層の下地となる第２絶縁体層を、第１絶縁体層よりも熱膨張しにくい樹脂材料で形成するとよいことを見出した。この構成によれば、めっき層を半田付けするときに、第２絶縁体層を過度に熱膨張させることなく、その上に設けられるめっき層の割れを抑制することができる。
本発明は、上記知見に基づいてなされたものである。
＜一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態に係る信号伝送ケーブルについて図面を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る信号伝送ケーブルの長手方向に垂直な断面図を示す。図２は、本発明の一実施形態に係る信号伝送ケーブルの端末を段剥加工した状態を説明するための図である。
（信号伝送ケーブル）
信号伝送ケーブル１は、図１に示すように、内部導体１０と、第１絶縁体層１１ａと、第２絶縁体層１１ｂと、外部導体としてのめっき層１２と、シース１３と、を備えて構成される。
（内部導体）
内部導体１０は、１本の金属素線、もしくは複数の金属素線を撚り合わせた撚り線で構成される。信号伝送ケーブル１の可とう性や屈曲特性を向上させる観点からは内部導体１０は撚り線であることが好ましい。金属素線としては、特に限定されないが、銅やアルミニウム、もしくはこれらの合金を含む素線を用いることができる。なお、内部導体１０の外径は特に限定されず、信号伝送ケーブル１の用途に応じて適宜変更することができる。例えば、内部導体としては、外径０．２５４ｍｍ（３０ＡＷＧ）などを用いることができる。
（絶縁体層）
内部導体１０の外周には、絶縁体層が設けられる。上述したように、本実施形態では、絶縁体層を、内側の第１絶縁体層１１ａと、その外側の第２絶縁体層１１ｂとの２層構造で形成している。以下、それぞれの絶縁体層について説明する。
第１絶縁体層１１ａは、内部導体１０の外周を被覆するように設けられる。第１絶縁体層１１ａは、第１の樹脂材料から形成されて、比誘電率が小さくなるように構成されている。これにより、第１絶縁体層１１ａは、信号伝送ケーブル１において高周波信号を伝送したときの減衰を抑制することができる。第１絶縁体層の比誘電率は特に限定されないが、信号の減衰をより抑制する観点からは３．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましい。
第２絶縁体層１１ｂは、第１絶縁体層１１ａの外周に設けられる。第２絶縁体層１１ｂは、第１の樹脂材料とは異なる第２の樹脂材料から形成され、第１絶縁体層１１ａと同様に比誘電率が小さくなるように構成される。また、第２絶縁体層１１ｂは、外部導体としてのめっき層１２の下地となり、信号伝送ケーブル１の端末を段剥加工する際に、めっき層１２とともに第１絶縁体層１１ａから剥離される。また、第２絶縁体層１１ｂは、第１絶縁体層１１ａよりも線膨張係数が小さくなるように構成されている。これにより、第２絶縁体層１１ｂは、めっき層１２を半田付けして信号伝送ケーブル１の端末を電気的に接続する際に、めっき層１２に対して過度に熱膨張することなく、めっき層１２の割れを抑制することができる。つまり、第２絶縁体層１１ｂは、めっき層１２の剥離を容易にするとともに、信号伝送ケーブル１を接続するときのめっき層１２の割れを抑制することができる。
第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数は、第１絶縁体層１１ａよりも小さければ特に限定されないが、めっき層１２との間での熱膨張差に起因する割れを抑制する観点からは、めっき層１２の線膨張係数との乖離が小さいほど好ましい。具体的には、第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数はめっき層１２の線膨張係数の２．５倍以下であることが好ましい。このような比率となるように第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数を設定することにより、めっき層１２との線膨張係数の乖離を小さくすることができる。また、第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数は７×１０－５／℃以下であることが好ましい。なお、樹脂からなる第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数は、金属を含むめっき層１２よりも大きくなる。つまり、第１絶縁体層１１ａ、第２絶縁体層１１ｂおよびめっき層１２の線膨張係数をそれぞれｘ１、ｘ２、ｘ３としたとき、ｘ１＞ｘ２＞ｘ３となる。第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数は例えば１．８×１０－５／℃以上となる。第１絶縁体層１１ａおよび第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数は、第１試料および第２試料の線膨張係数をＪＩＳ Ｋ７１９７に基づき測定することで求められる。なお、第１試料は、第１絶縁体層１１ａを形成する第１の樹脂材料を用いて、長さ１０ｍｍ、一辺の長さが５ｍｍの角柱状に作成される。第２試料は、第２絶縁体層１１ｂを形成する第２の樹脂材料を用いて、長さ１０ｍｍ、一辺の長さが５ｍｍの角柱状に作成される。また、めっき層１２の線膨張係数は、第３試料の線膨張係数をＪＩＳ Ｚ２２８５に基づき測定することで求められる。なお、第３試料は、直径３ｍｍのアクリル製樹脂棒をめっき層１２の形成に使用するめっき浴に浸漬して１００μｍ厚さのめっき膜を形成し、クロロホルムによりアクリル製樹脂棒を溶解することで円筒状に作成される。
第１および第２の樹脂材料は、第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数を第１絶縁体層１１ａよりも小さく調整できるものを適宜組み合わせるとよい。高周波信号の減衰を抑制する観点からは、第１の樹脂材料は、第２の樹脂材料よりも比誘電率が小さいことが好ましい。つまり、内部導体１０の周囲に設ける第１絶縁体層１１ａの比誘電率を第２絶縁体層１１ｂより小さくすることが好ましい。これにより、信号伝送ケーブル１の高周波特性をより向上させることができる。
具体的には、第１の樹脂材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）等のフッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル系樹脂などを用いることができる。これらの樹脂によれば、第１絶縁体層１１ａの比誘電率を所望の高周波特性を得られるような範囲に調整することができる。また、これらの樹脂は融点が比較的高いので、第２絶縁体層１１ｂの上にめっき層１２を形成するときに第１絶縁体層１１ａの溶融変形を抑制することができる。これらの中でも、フッ素樹脂が好ましい。フッ素樹脂によれば、第１絶縁体層１１ａの第２絶縁体層１１ｂとの密着性適度な範囲に調整できるため、第２絶縁体層１１ｂを容易に剥離することができる。
第２の樹脂材料は、第１の樹脂材料よりも線膨張係数が小さく、かつ、めっき層１２を形成しやすいものであれば特に限定されないが、ポリイミド樹脂やポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。これらの樹脂は、比誘電率が小さく高周波特性に寄与するとともに、樹脂の中でも線膨張係数が小さいため、めっき層１２を構成する金属との間で線膨張係数の乖離をより低減することができる。これにより、めっき層１２の割れをより確実に抑制することができる。
なお、第１および第２の樹脂材料として列挙した樹脂の線膨張係数は以下のとおりである。ポリイミド樹脂の線膨張係数は２．７×１０－５／℃、ポリアミドイミド樹脂の線膨張係数は３×１０－５／℃、フッ素樹脂としてＰＴＦＥの線膨張係数は１０×１０－５／℃、ＦＥＰの線膨張係数は９×１０－５／℃、ポリエチレンの線膨張係数は１１×１０－５／℃である。
第１絶縁体層１１ａおよび第２絶縁体層１１ｂの厚さは、特に限定されず、適宜変更することができる。線膨張係数の小さな第２絶縁体層１１ｂは、第１絶縁体層１１ａよりも比誘電率が高い傾向にあるので、信号伝送ケーブル１の外径を小さく維持しつつ所望の高周波特性を得る観点からは、第１絶縁体層１１ａを厚くする一方で、第２絶縁体層１１ｂを薄く構成するとよい。具体的には、第１絶縁体層１１ａと第２絶縁体層１１ｂとの厚さの比率を１５：１～３：２とすることが好ましい。また、第２絶縁体層１１ｂは、信号伝送ケーブル１の段剥加工の際に剥離しやすくする観点から、その厚さを０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ以下とすることが好ましい。また、第１絶縁体層１１ａの厚さは、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下とすることが好ましい。
（めっき層）
めっき層１２は、第２絶縁体層１１ｂの周囲に設けられ、外部導体として外部からのノイズの影響を抑制するシールド部材である。めっき層１２を構成する金属は特に限定されないが、例えば、銅、銀およびニッケルから選択される。
金属を含むめっき層１２の線膨張係数は、樹脂から形成される第２絶縁体層１１ｂよりも小さくなる。めっき層１２の線膨張係数は、金属の種類によっても異なるが、例えば２×１０－５／℃以下となる。具体的には、銅の線膨張係数は１．６８×１０－５／℃、銀の線膨張係数は１．９７×１０－５／℃、ニッケルの線膨張係数は１．３３×１０－５／℃となる。
また、めっき層１２の厚さは、特に限定されないが、所望のシールド特性を得る観点からは１μｍ以上であることが好ましい。また、信号伝送ケーブル１において所望の屈曲性を得る観点からは５μｍ以下であることが好ましい。
めっき層１２は、第２絶縁体層１１ｂに接合して形成される。一方、第２絶縁体層１１ｂは第１絶縁体層１１ａに密着して形成される。そのため、第１絶縁体層１１ａと第２絶縁体層１１ｂとの界面接合力は、めっき層１２と第２絶縁体層１１ｂとの界面接合力よりも小さくなる。つまり、信号伝送ケーブル１に段剥加工を行う際、めっき層１２よりも第２絶縁体層１１ｂを容易に剥離することができる。
（シース）
シース１３は、めっき層１２の周囲に設けられ、その内部の部材を被覆保護するものである。シース１３の形成材料としては、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）やウレタンなど従来公知の材料を用いることができる。シース１３の厚さは特に限定されないが、例えば０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下とするとよい。
（信号伝送ケーブルの製造方法）
上述した信号伝送ケーブル１は、例えば以下のように作製することができる。
まず、内部導体１０を準備する。続いて、内部導体１０の外周に第１の樹脂材料を押出被覆することにより、第１絶縁体層１１ａを形成する。続いて、第１絶縁体層１１ａの外周に第２の樹脂材料を押出被覆することにより、第２絶縁体層１１ｂを形成する。続いて、第２絶縁体層１１ｂを形成した線材をめっき浴に浸漬させることにより、第２絶縁体層１１ｂの周囲にめっき層１２を形成する。続いて、めっき層１２の外周にシース材を押出被覆することにより、シース１３を形成する。これにより、本実施形態の信号伝送ケーブル１を得ることができる。
第１絶縁体層１１ａには、第２絶縁体層１１ｂを形成する前に、プラズマやコロナ放電により表面処理を行い、濡れ性を向上させてもよい。また、第１絶縁体層１１ａや第２絶縁体層１１ｂの押出成形は２層を同時に行ってもよい。また、めっき層１２の形成方法は特に限定されず、公知の方法を採用することができる。
（端末加工方法）
信号伝送ケーブル１の端末加工は、例えば以下のように行うことができる。まず、信号伝送ケーブル１からシース１３の一部を取り除き、めっき層１２を露出させる。続いて、図２に示すように、第１絶縁体層１１ａが露出するように第２絶縁体層１１ｂを取り除く。このとき、第２絶縁体層１１ｂとともにめっき層１２も取り除かれることになる。続いて、第１絶縁体層１１ａの一部を取り除き、内部導体１０を露出させる。以上により、信号伝送ケーブル１の段剥加工を行う。
＜本実施形態に係る効果＞
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
（ａ）本実施形態の信号伝送ケーブル１は、内部導体１０の周囲に第１絶縁体層１１ａ、第１絶縁体層１１ａよりも線膨張係数が小さな第２絶縁体層１１ｂ、および、めっき層１２を順に備えて構成される。この信号伝送ケーブル１によれば、めっき層１２が設けられた第２絶縁体層１１ｂを第１絶縁体層１１ａから剥離することで、その端末を容易に段剥加工することができる。また、第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数を第１絶縁体層１１ａよりも小さくし、第２絶縁体層１１ｂとめっき層１２との線膨張係数の乖離を小さくしているので、めっき層１２に半田付けを行い、信号伝送ケーブル１を接続するときに、めっき層１２が第２絶縁体層１１ｂの熱膨張に追従しきれずに割れてしまうことを抑制することができる。
ここで、本実施形態の信号伝送ケーブル１による効果について、比較形態との違いから具体的に説明する。
比較形態１として、例えば、内部導体の外周に、ポリエチレン樹脂からなる絶縁体層、外部導体としてＣｕを含むめっき層、およびシース１３が設けられた信号伝送ケーブルでは、絶縁体層からめっき層を剥離できず、端末を容易に段剥加工できないことが確認された。また、めっき層を半田付けにより電気的に接続する際、絶縁体層が熱膨張し、絶縁体層の表面に配置されるめっき層が割れてしまうことが確認された。めっき層の割れは、銅の線膨張係数が１．６８×１０－５／℃であり、ポリエチレンの線膨張係数が１１×１０－５／℃であり、絶縁体層とめっき層の線膨張係数が大きく乖離したためである。
比較形態２として、例えば、内部導体１０の外周に、ＦＥＰからなる第１絶縁体層、ポリエチレン樹脂からなる第２絶縁体層、外部導体としてＣｕを含むめっき層、およびシースが設けられた信号伝送ケーブルでは、第２絶縁体層をめっき層とともに剥離することで、端末を容易に段剥加工できることが確認された。しかし、めっき層を半田付けにより電気的に接続する際、絶縁体層が熱膨張し、絶縁体層の表面に配置されるめっき層が割れてしまうことが確認された。めっき層の割れは、比較形態１と同様、第２絶縁体層とめっき層の線膨張係数が大きく乖離したためである。
これに対して、内部導体１０の外周に、例えば、ＦＥＰからなる第１絶縁体層１１ａ、ポリイミド樹脂からなる第２絶縁体層１１ｂ、外部導体としてＣｕを含むめっき層１２、およびシースが設けられた本実施形態の信号伝送ケーブル１では、第２絶縁体層１１ｂをめっき層１２とともに剥離することで、端末を容易に段剥加工できることが確認された。しかも、めっき層１２を半田付けする際、第２絶縁体層１１ｂの熱膨張を抑制できるため、めっき層１２の割れを抑制できることが確認された。これは、第２絶縁体層１１ｂを線膨張係数が３×１０－５／℃であるポリイミド樹脂で形成し、線膨張係数が１．６８×１０－５／℃であるＣｕを含むめっき層１２との線膨張係数の乖離を低減させたためである。
このように、本実施形態の信号伝送ケーブル１によれば、外部導体をめっき層１２で形成した場合でも、段剥加工を容易にでき、かつ電気的な接続の際にめっき層１２の割れを抑制することができる。
（ｂ）第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数は７×１０－５／℃以下であることが好ましい。このような線膨張係数となるように第２絶縁体層１１ｂを構成することにより、第２絶縁体層１１ｂとめっき層１２との熱膨張の差を低減でき、熱膨張差に起因するめっき層１２の割れをより確実に抑制することができる。
（ｃ）また、第１絶縁体層１１ａと第２絶縁体層１１ｂの厚さの比率を１５：１～３：２とすることが好ましい。このような比率とすることにより、信号伝送ケーブル１の端末を容易に段剥加工できるとともに、信号伝送ケーブル１の細径に維持しながらも高い高周波特性を得ることができる。
（ｄ）また、第２絶縁体層１１ｂの厚さを０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ以下とすることにより、第２絶縁体層１１ｂを第１絶縁体層１１ａから剥離しやすい厚さとすることができる。そのため、信号伝送ケーブル１の段剥加工をより容易にすることができる。
（ｅ）また、第１絶縁体層１１ａの比誘電率を第２絶縁体層１１ｂよりも小さくすることが好ましい。これにより、信号伝送ケーブル１において、高周波特性をより高くすることができる。
（ｆ）また、第１絶縁体層１１ａは、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂およびポリエステル系樹脂の少なくとも１つを含み、第２絶縁体層１１ｂは、ポリイミド樹脂およびポリアミドイミド樹脂の少なくとも１つを含むことが好ましい。第１絶縁体層１１ａおよび第２絶縁体層１１ｂのそれぞれを形成する樹脂を上記の組み合わせとすることにより、上述した（ａ）～（ｅ）の効果をより確実に得ることができる。
（ｇ）また、本実施形態の信号伝送ケーブル１によれば、第２絶縁体層１１ｂの線膨張係数を小さくしているので、半田付けの温度を高く設定し、部材の昇温速度が高くなるような場合であっても、例えば昇温速度が６０℃／ｓｅｃ以下の場合であっても、めっき層１２の割れを抑制することができる。
＜他の実施形態＞
以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
上述の実施形態では、第１絶縁体層１１ａが第１の樹脂材料からなる単層構造の場合を説明したが、本発明はこれに限定されない。第１絶縁体層１１ａは、異なる樹脂材料から形成される複数の樹脂層を積層させて形成してもよい。この場合、第２の絶縁体層を、その線膨張係数が複数の樹脂層の線膨張係数よりも小さくなるように構成するとよい。
また、上述の実施形態では、信号伝送ケーブル１が１本の内部導体１０を備える同軸ケーブルである場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。信号伝送ケーブル１は、例えば、内部導体１０として１対の金属線を被覆するように第１絶縁体層１１ａ、第２絶縁体層１１ｂ、めっき層１２およびシースを備え、差動信号伝送用ケーブルとして構成されていてもよい。
＜本開示の好ましい態様＞
以下、本開示の好ましい態様を付記する。
（付記１）
内部導体と、
前記内部導体の外周に設けられる第１絶縁体層と、
前記第１絶縁体層の外周に設けられる第２絶縁体層と、
前記第２絶縁体層の外周に設けられるめっき層と、を備え、
前記第２絶縁体層の線膨張係数が前記第１絶縁体層よりも小さい、信号伝送ケーブル。
（付記２）
前記第２絶縁体層の線膨張係数が７×１０－５／℃以下である、
付記１に記載の信号伝送ケーブル。
（付記３）
前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層の厚さの比率が１５：１～３：２である、
付記１又は２に記載の信号伝送ケーブル。
（付記４）
前記第２絶縁体層の厚さは０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である、
付記１～３のいずれか１項に記載の信号伝送ケーブル。
（付記５）
前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層との界面接合力は、前記第２絶縁体層と前記めっき層との界面接合力よりも小さい、
付記１～４のいずれか１項に記載の信号伝送ケーブル。
（付記６）
前記第１絶縁体層は、前記第２絶縁体層よりも比誘電率が小さい、
付記１～５のいずれか１項に記載の信号伝送ケーブル。
（付記７）
前記第１絶縁体層は、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂およびポリエステル系樹脂の少なくとも１つを含み、
前記第２絶縁体層は、ポリイミド樹脂およびポリアミドイミド樹脂の少なくとも１つを含む、
付記１～６のいずれか１項に記載の信号伝送ケーブル。
１ 信号伝送ケーブル
１０ 内部導体
１１ａ 第１絶縁体層
１１ｂ 第２絶縁体層
１２ めっき層
１３ シース

Claims (7)

  1. 内部導体と、
    前記内部導体の外周に設けられる第１絶縁体層と、
    前記第１絶縁体層の外周に設けられる第２絶縁体層と、
    前記第２絶縁体層の外周に設けられるめっき層と、を備え、
    前記第２絶縁体層の線膨張係数が前記第１絶縁体層よりも小さい、信号伝送ケーブル。
  2. 前記第２絶縁体層の線膨張係数が７×１０－５／℃以下である、
    請求項１に記載の信号伝送ケーブル。
  3. 前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層の厚さの比率が１５：１～３：２である、
    請求項１又は２に記載の信号伝送ケーブル。
  4. 前記第２絶縁体層の厚さは０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である、
    請求項１～３のいずれか１項に記載の信号伝送ケーブル。
  5. 前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層との界面接合力は、前記第２絶縁体層と前記めっき層との界面接合力よりも小さい、
    請求項１～４のいずれか１項に記載の信号伝送ケーブル。
  6. 前記第１絶縁体層は、前記第２絶縁体層よりも比誘電率が小さい、
    請求項１～５のいずれか１項に記載の信号伝送ケーブル。
  7. 前記第１絶縁体層は、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂およびポリエステル系樹脂の少なくとも１つを含み、
    前記第２絶縁体層は、ポリイミド樹脂およびポリアミドイミド樹脂の少なくとも１つを含む、
    請求項１～６のいずれか１項に記載の信号伝送ケーブル。
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