JP3443784B2 - 高周波用同軸ケーブルの製造方法 - Google Patents
高周波用同軸ケーブルの製造方法Info
- Publication number
- JP3443784B2 JP3443784B2 JP29545495A JP29545495A JP3443784B2 JP 3443784 B2 JP3443784 B2 JP 3443784B2 JP 29545495 A JP29545495 A JP 29545495A JP 29545495 A JP29545495 A JP 29545495A JP 3443784 B2 JP3443784 B2 JP 3443784B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thickness
- coaxial cable
- outer conductor
- conductor
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Communication Cables (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用同軸ケー
ブルの製造方法に関し、更に詳しくは、良好な減衰特性
と小さな最小曲げ半径とを有し、情報通信機器，情報処
理機器等の電子機器における０．５ＧＨｚ以上の高周波
の信号伝送線路として使用するのに好適な高周波用同軸
ケーブルの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】図６に、従来のセミリジッド同軸ケーブ
ルの断面図を示す。このセミリジッド同軸ケーブル５０
は、中心導体１の外周に樹脂を押し出して絶緑体２を形
成し、その外周に無継目銅パイプや無継目アルミニウム
パイプを被せ、全体を延伸して外部導体３を形成するパ
イプ延伸方式によって製造され、主に０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用されている。尚、
０．５ＧＨｚ未満の信号伝送線路には、主に編組同軸ケ
ーブルが使用されている。図７に、ＭＩＬ−Ｃ−１７Ｇ
の規格に定められているセミリジッド同軸ケーブルの各
種寸法を示す。外部導体厚さは、最小でも１００μｍで
ある。 【０００３】―方、特開平６−１８７８４７号公報や特
開平６−２５１６４２号公報において、多層配線基板内
の配線材料として、中心導体の外周に樹脂を押し出して
絶緑体を形成し、その絶縁体表面に無電解銅めっき或は
電気銅めっき等によりシールド層を設けたシールド線が
開示されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】従来のセミリジッド同
軸ケーブル５０では、外部導体３の厚さが１００μｍ以
上あり、剛直すぎる問題点がある。すなわち、高周波用
機器の内部配線として使用する場合、高密度実装化の要
求から最小曲げ半径を３．０ｍｍ以下まで要求される場
合が多く、この要求に対応できない問題点がある。ま
た、従来のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法である
パイプ延伸方式では、延伸加工に耐えられるだけのパイ
プ厚さが必要であるため、外部導体の厚さを１００μｍ
未満にすることが難しい問題点がある。また、パイプ延
伸方式では、製造コストが高くなり、かつ、長尺ケーブ
ルが得られないという問題点がある。さらに、延伸加工
によりストレスが蓄積し、ケーブルの端末接続に際し半
田付け等で加熱された時に絶緑体が収縮してしまう現象
が現われる問題点がある。そして、この現象を防止する
ためには、２４時間から４８時間の熱履歴処理を施さな
ければならず、作業性低下やコスト増加の大きな要因と
なる問題点がある。 【０００５】一方、特開平６−１８７８４７号公報や特
開平６−２５１６４２号公報に開示のシールド線では、
シールド層の厚さに対する考慮が全くなされていない問
題点がある。シールド層の厚さに対する考慮がなされて
いない理由は、シールド層の役割が専ら電磁誘導を防止
することにあるため、その厚さを規定する必要が特にな
いからと考えられる。しかしながら、０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用する場合には、外部
導体の厚さを考慮する必要がある。なぜならば、外部導
体の厚さは、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路
の最も重要な特性である減衰特性を規定するからであ
る。 【０００６】そこで、本発明の発明者らは、０．５ＧＨ
ｚ以上の高周波の信号伝送線路として使用する場合にお
ける外部導体の厚さおよび高周波用同軸ケーブルの製造
方法について鋭意研究し、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線
路として良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の
内部配線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する
高周波用同軸ケーブルの製造方法を提供するものであ
る。 【０００７】 【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線などの
中心導体の外周にＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂），
ＰＦＡ（四フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニル
エーテル共重合体樹脂），ＦＥＰ（四フッ化エチレン−
六フッ化プロピレン共重合体樹脂），ＥＴＦＥ（四フッ
化エチレン−エチレン共重合体樹脂）などのフッ素系の
低誘電率絶縁体を形成し、その外周に外部導体を形成
し、更に必要があればＰＥ（ポリエチレン樹脂），ＰＶ
Ｃ（ポリ塩化ビニル樹脂），ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被
を設けてなる構造を有し、０．５ＧＨｚ以上の高周波の
信号伝送線路として使用される高周波用同軸ケーブルで
あって、表皮深さをδ（μｍ）とし、外部導体厚さをｘ
（μｍ）とするとき、 ２．７５・δ≦ｘ≦７０ …(１) であることを特徴とする高周波用同軸ケーブルを提供す
る。表皮深さδは、後述する（３）式により求められ
る。 【０００８】図１は、種々の厚さの外部導体を有する同
軸ケーブルの減衰特性を表した図表である。なお、中心
導体は銀めっき銅クラッド鋼線で外径ｄは０．２０３ｍ
ｍ、絶縁体はＰＴＦＥで外径は０．６６ｍｍ、外部導体
は銅とした。 ａは、外部導体の厚さｘを表皮深さδに対する比で表し
た値である。すなわち、ａ＝ｘ／δである。 ｋは、外部導体の最外表皮における電流密度Ｉo に対す
る最内表皮における電流密度Ｉx の割合である。すなわ
ち、ｋ＝（Ｉx／Ｉo）×１００＝ exp｛−ａ｝である。 ρx は、見掛け上の固有抵抗値である。すなわち、外部
導体が十分厚い場合の固有抵抗値をρo とするとき、ρ
x＝ρo／（１−ｋ／１００）である。 ρx／ρoは、外部導体が十分厚い場合の固有抵抗値ρo
に対する見掛け上の固有抵抗値ρx の比である。この値
が“１”に近いほど好ましい。 αは、周波数Ｆ（ＧＨｚ）＝０．５，１，３，５，１
０，３０における減衰量である。すなわち、 α＝8.686×10２×2.287×10−３×√｛εｒ×Ｆ）／
｛log１０（Ｄ／ｄ）｝ ×｛√（ρo）／ｄ＋√（ρx）／Ｄ｝×１０ ＋0.9094×√（εｒ）×tanΔ×Ｆ εｒ：比誘電率、Ｆ：周波数（ＭＨｚ）、Ｄ：外部導体
内径（ｍｍ） ｄ：中心導体外径（ｍｍ）、tanΔ：誘電正接 である。上式の第１項は抵抗値減衰量を表し、第２項は
漏洩減衰量を表している。また、比誘電率εｒ は例え
ばＰＴＦＥで２．０、外部導体内径Ｄは例えば０．６６
ｍｍ、中心導体外径ｄは例えば０．２０３ｍｍ、誘電正
接tanΔ は例えばＰＴＦＥで２×１０−４である。０．
５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として使用される
高周波用同軸ケーブルとしての減衰量αの許容値は、従
来のセミリジッド同軸ケーブルの性能から判断して、Ｆ
＝０．５で約１０．６、Ｆ＝１で約１５．１、Ｆ＝５で
約３４．４、Ｆ＝１０で約４９．４である。この許容量
よりも減衰量αが小さくなる比ａの 値を図１で調べる
と、ａ≧２．７５であることが判る。この式に前述のａ
＝ｘ／δを代入すると、ｘ／δ≧２．７５となる。この
式を変形すれば、２．７５・δ≦ｘとすればよいことが
判る。 【０００９】図２は、種々の厚さの外部導体を有する同
軸ケーブルの最小曲げ特性を表した図表である。なお、
中心導体は銀めっき銅クラッド鋼線で外径ｄは０．２０
３ｍｍ、絶縁体はＰＴＦＥで外径は０．６６ｍｍ、外部
導体は銅とした。この結果より、外部導体厚さｘを７０
μｍ以下にすると、最小曲げ半径が３．０ｍｍより小さ
くなり、高周波用機器の内部配線として使用する場合の
高密度実装化の要求に対応できることが判る。 【００１０】以上より、２．７５・δ≦ｘ≦７０とする
ことで、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路とし
て良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部配
線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周波
用同軸ケーブルを得ることが出来る。なお、使用周波数
を０．５ＧＨｚ以上に限定する理由は、ケーブル長さ方
向の構造の均一性が劣ることによって反射等の特性に影
響が生じるのは概ね０．５ＧＨｚ以上であり、それより
低い周波数では一般的な編組同軸ケーブル等でも特性上
十分であるためである。 【００１１】第２の観点では、本発明は、銀めっき銅線
または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周に
ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の
低誘電率絶縁体を形成し、その外周に銅の外部導体を形
成し、更に必要があればＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡ
などの外被を設けてなる構造を有し、０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用される高周波用同軸
ケーブルであって、使用周波数をＦ（ＧＨｚ）とし、外
部導体厚さをｘ（μｍ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ …(２) であることを特徴とする高周波用同軸ケーブルを提供す
る。 【００１２】表皮深さδは、透磁率をμ、導電率をσと
するとき、 δ＝√｛１／πＦμσ｝ …(３) で表される。ここで、外部導体が銅ならμ＝μo、σ＝
０．５×１０8（Ｓ／ｍ）である。これらの数値を(３)
式に代入し、(３)式を(１)式に代入して整理すると、
(２)式を導くことが出来る。以上より、exp｛−０．５
・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ とすることで、
０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として良好な
減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部配線として
使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周波用同軸ケ
ーブルを得ることが出来る。 【００１３】第３の観点では、本発明は、銀めっき銅線
または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周に
ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の
低誘電率絶縁体を押し出して被覆し、その外周に電気め
っき，無電解めっき，蒸着，スパッタリングなどの各種
成膜プロセスを利用することによって厚さｘ（μｍ）の
銅の外部導体を形成し、更に必要があればその外周にＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどを押し出して外被を設
けることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方法
であって、当該高周波用同軸ケーブルの使用周波数をＦ
（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ …(２) とすることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方
法を提供する。これにより、０．５ＧＨｚ以上の高周波
の信号伝送線路として良好な減衰特性を有し、かつ、高
周波用機器の内部配線として使用できる小さな最小曲げ
半径を有する高周波用同軸ケーブルを製造することが出
来る。 【００１４】第４の観点では、本発明は、外径０．２０
３ｍｍの銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線な
どの中心導体の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴ
ＦＥなどのフッ素系の低誘電率絶縁体を押し出して厚さ
０．６６ｍｍで被覆し、その外周に電気めっき，無電解
めっき，蒸着，スパッタリングなどの各種成膜プロセス
を利用することによって厚さ６μｍ以上，７０μｍ以下
の銅の外部導体を形成し、更に必要があればその外周に
ＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡ等を押し出して外被を設
ける事を特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方法を
提供する。上記(２)式において、Ｆ＝０．５とすると、
５．６＜ｘ≦７０が導かれる。従って、銅の外部導体の
厚さを６μｍ以上，７０μｍ以下とすれば、０．５ＧＨ
ｚ以上の高周波の信号伝送線路として良好な減衰特性を
有し、かつ、高周波用機器の内部配線として使用できる
小さな最小曲げ半径を有する高周波用同軸ケーブルを製
造することが出来る。 【００１５】 【発明の実施の形態】以下、図に示すこの発明の実施形
態に基づいてこの発明をさらに詳しく説明する。なお、
これによりこの発明が限定されるものではない。 【００１６】図３に、本発明の高周波用同軸ケーブルの
断面図を示す。この高周波用同軸ケーブル１０は、銀め
っき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体
１の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどの
フッ素系の低誘電率絶縁体２を押し出して被覆し、その
外周に電気めっき，無電解めっき，蒸着，スパッタリン
グなどの各種成膜プロセスを利用することによって厚さ
ｘ（μｍ）の銅の外部導体３を形成したものであって、
前記厚さｘは、当該高周波用同軸ケーブル１０の使用周
波数をＦ（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ にしたものである。なお、必要があれば、その外周にＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどを押し出して外被を設
けてもよい。 【００１７】図４および図５は、外部導体の形成方法や
外部導体の厚さを変えたときの実施例（特記事項の欄に
○印のもの）および比較例（特記事項の欄に×印のも
の）を示す図表である。各例において、中心導体１は、
銀めっき銅クラッド鋼，外径０．２０３ｍｍであり、伸
線加工（ドローイング）で形成した。絶縁体２は、ＰＴ
ＦＥ，外径０．６６ｍｍであり、押出し加工で形成し
た。 【００１８】例１．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電
解銅めっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚
さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であり、外部
導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例である。 【００１９】例２．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電
解ニッケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部
導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であ
り、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例
である。 【００２０】例３．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→パラジ
ウム付与→無電解銅めっき→電解銅めっき」の工程によ
る。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは本発明の実
施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００
μｍは比較例である。 【００２１】例４．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→パラジ
ウム付与→無電解ニッケルめっき→電解銅めっき」の工
程による。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは本発
明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，
１００μｍは比較例である。 【００２２】例５．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅め
っき」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μ
ｍは本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，
２μｍ，４μｍは比較例である。 【００２３】例６．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→スパッタリング→電解
銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１
０μｍは本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μ
ｍ，２μｍ，４μｍは比較例である。 【００２４】例７．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→銀鏡反
応→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝１
０μｍ，５０μｍは本発明の実施例であり、外部導体厚
さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは比較例である。 【００２５】例８．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッチ
ング→洗浄（アルコール）→銀鏡反応→電解銅めっき」
の工程による。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは
本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μ
ｍ，１００μｍは比較例である。 【００２６】例９．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッチ
ング→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解ニ
ッケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体
厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であり、外
部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例であ
る。 【００２７】例１０．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッ
チング→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅めっ
き」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍ
は本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２
μｍ，４μｍは比較例である。 【００２８】例１１．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解ニッ
ケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚
さｘ＝１０μｍ，５０μｍは、本発明の実施例である。
外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは、比較
例である。 【００２９】例１２．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解銅め
っき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝
１０μｍ，５０μｍは本発明の実施例であり、外部導体
厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは比較例である。 【００３０】例１３．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅めっき」
の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本
発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μ
ｍ，４μｍは比較例である。 【００３１】例１４．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→銀鏡反応→電解銅めっき」の
工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発
明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，
４μｍは比較例である。 【００３２】上記の外部導体３の形成方法は、従来のパ
イプ延伸方式に対し、連続的に実施でき、しかも低コス
卜になる。すなわち、供線から巻取りまで連続ラインで
行なうことができ、長尺品を得ることが出来る。ここ
で、上記の外部導体３の形成方法における各工程の説明
を示す。 (１)洗浄（アルコール）工程…市販の工業用エ夕ノール
を使用し、静電気による汚れ及びアンカー層形成時の汚
れを取り除く。 (２)アンカー層の形成工程 周回研磨（ダイヤモンドヤスリ）…外周を均一に研磨し
微細傷を付ける。 化学エッチング（ナトリウム−ナフタレン錯体）…化学
的にフッ素原子を取り除くことによる微細エッチング。 エキシマレーザーエッチング…微小波長（２４８ｎｍ，
１９３ｎｍ）によるＣ−Ｆ結合の切断。 窒化ホウ素（ＢＮ）塗布…低誘電率の六方晶窒化ホウ素
を塗布して形成。 (３)外部導体形成のための予備層の形成工程 パラジウム付与→無電解めっき…湿式法の無電解めっ
き、導電性に優れる銅でめっきする。但し、やや密着力
が低い。 パラジウム付与→無電解ニッケルめっき…湿式法の無電
解めっき、密着性に優れるニッケルでめっき、但し抵抗
が高いため厚さは０．１μｍ以下にした。 真空金蒸着…乾式法の真空蒸着、導電性と密着性が良い
金で行なった。 スパッタリング…乾式法のスパッタリング、これも導電
性と密着性が良い金で行なった。 銀鏡反応…湿式法の銀鏡反応、工程が簡素な銀鏡反応で
銀めっきした。但し、やや寿命が短い、しかし設備は安
く工程は簡素。 (４)外部導体の形成工程 電気銅めっき…硫酸銅めっき、ホウフッ化銅めっき、青
化銅めっき、ピロリン酸銅めっきのいずれでも良いが、
個々において条件は最適値に設定する必要がある。めっ
き電流値と電流効率とめっき時問によりめっき厚を設定
した。 【００３３】以上の例では、中心導体１を銀めっき銅ク
ラッド鋼としたが、銀めっき銅を用いても良い。また、
中心導体１の外径を０．２０３ｍｍとしたが、０．２８
７ｍｍ，０．５１０ｍｍ，０．９１９ｍｍとしても良
い。更に、これら以外のもの、例えば０．２０３ｍｍよ
り細いものとしても良い。また、絶縁体２をＰＴＦＥと
したが、ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥを用いても良い（た
だし、これらはＰＴＦＥより誘電率がやや大きいので特
性が若干異なる）。また、そのサイズは、ＭＩＬ規格等
で示された０．６６ｍｍ以外のものでも良い。また、外
部導体を銅としたが、銀を用いてもよい。 【００３４】 【発明の効果】本発明の高周波用同軸ケーブルの製造方
法によれば、次の効果が得られる。 (１)０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として良
好な減衰特性と高周波用機器の内部配線として使用でき
る小さな最小曲げ半径とを有する高周波用同軸ケーブル
を得ることが出来る。 (２)従来のようなパイプ延伸方式では全く不可能であっ
た長尺の高周波用同軸ケーブルを製造することが出来
る。 (３)パイプ延伸方式で加わるケーブルストレスの除去の
ため行なわれていた長時間の熱履歴処理も不要となり、
製造時問を著しく短縮でき、製造コストを低減すること
が出来る。 (４)長尺の高周波用同軸ケーブルが作れることから、外
部導体の外周上に連続押し出し法によりＰＥ，ＰＶＣ，
ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被を設けることができ、機器内
の高周波信号の伝送線として使用する際に、外部導体を
他の活電部分から確実に絶縁できるようになる。
ブルの製造方法に関し、更に詳しくは、良好な減衰特性
と小さな最小曲げ半径とを有し、情報通信機器，情報処
理機器等の電子機器における０．５ＧＨｚ以上の高周波
の信号伝送線路として使用するのに好適な高周波用同軸
ケーブルの製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】図６に、従来のセミリジッド同軸ケーブ
ルの断面図を示す。このセミリジッド同軸ケーブル５０
は、中心導体１の外周に樹脂を押し出して絶緑体２を形
成し、その外周に無継目銅パイプや無継目アルミニウム
パイプを被せ、全体を延伸して外部導体３を形成するパ
イプ延伸方式によって製造され、主に０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用されている。尚、
０．５ＧＨｚ未満の信号伝送線路には、主に編組同軸ケ
ーブルが使用されている。図７に、ＭＩＬ−Ｃ−１７Ｇ
の規格に定められているセミリジッド同軸ケーブルの各
種寸法を示す。外部導体厚さは、最小でも１００μｍで
ある。 【０００３】―方、特開平６−１８７８４７号公報や特
開平６−２５１６４２号公報において、多層配線基板内
の配線材料として、中心導体の外周に樹脂を押し出して
絶緑体を形成し、その絶縁体表面に無電解銅めっき或は
電気銅めっき等によりシールド層を設けたシールド線が
開示されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】従来のセミリジッド同
軸ケーブル５０では、外部導体３の厚さが１００μｍ以
上あり、剛直すぎる問題点がある。すなわち、高周波用
機器の内部配線として使用する場合、高密度実装化の要
求から最小曲げ半径を３．０ｍｍ以下まで要求される場
合が多く、この要求に対応できない問題点がある。ま
た、従来のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法である
パイプ延伸方式では、延伸加工に耐えられるだけのパイ
プ厚さが必要であるため、外部導体の厚さを１００μｍ
未満にすることが難しい問題点がある。また、パイプ延
伸方式では、製造コストが高くなり、かつ、長尺ケーブ
ルが得られないという問題点がある。さらに、延伸加工
によりストレスが蓄積し、ケーブルの端末接続に際し半
田付け等で加熱された時に絶緑体が収縮してしまう現象
が現われる問題点がある。そして、この現象を防止する
ためには、２４時間から４８時間の熱履歴処理を施さな
ければならず、作業性低下やコスト増加の大きな要因と
なる問題点がある。 【０００５】一方、特開平６−１８７８４７号公報や特
開平６−２５１６４２号公報に開示のシールド線では、
シールド層の厚さに対する考慮が全くなされていない問
題点がある。シールド層の厚さに対する考慮がなされて
いない理由は、シールド層の役割が専ら電磁誘導を防止
することにあるため、その厚さを規定する必要が特にな
いからと考えられる。しかしながら、０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用する場合には、外部
導体の厚さを考慮する必要がある。なぜならば、外部導
体の厚さは、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路
の最も重要な特性である減衰特性を規定するからであ
る。 【０００６】そこで、本発明の発明者らは、０．５ＧＨ
ｚ以上の高周波の信号伝送線路として使用する場合にお
ける外部導体の厚さおよび高周波用同軸ケーブルの製造
方法について鋭意研究し、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線
路として良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の
内部配線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する
高周波用同軸ケーブルの製造方法を提供するものであ
る。 【０００７】 【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線などの
中心導体の外周にＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂），
ＰＦＡ（四フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニル
エーテル共重合体樹脂），ＦＥＰ（四フッ化エチレン−
六フッ化プロピレン共重合体樹脂），ＥＴＦＥ（四フッ
化エチレン−エチレン共重合体樹脂）などのフッ素系の
低誘電率絶縁体を形成し、その外周に外部導体を形成
し、更に必要があればＰＥ（ポリエチレン樹脂），ＰＶ
Ｃ（ポリ塩化ビニル樹脂），ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被
を設けてなる構造を有し、０．５ＧＨｚ以上の高周波の
信号伝送線路として使用される高周波用同軸ケーブルで
あって、表皮深さをδ（μｍ）とし、外部導体厚さをｘ
（μｍ）とするとき、 ２．７５・δ≦ｘ≦７０ …(１) であることを特徴とする高周波用同軸ケーブルを提供す
る。表皮深さδは、後述する（３）式により求められ
る。 【０００８】図１は、種々の厚さの外部導体を有する同
軸ケーブルの減衰特性を表した図表である。なお、中心
導体は銀めっき銅クラッド鋼線で外径ｄは０．２０３ｍ
ｍ、絶縁体はＰＴＦＥで外径は０．６６ｍｍ、外部導体
は銅とした。 ａは、外部導体の厚さｘを表皮深さδに対する比で表し
た値である。すなわち、ａ＝ｘ／δである。 ｋは、外部導体の最外表皮における電流密度Ｉo に対す
る最内表皮における電流密度Ｉx の割合である。すなわ
ち、ｋ＝（Ｉx／Ｉo）×１００＝ exp｛−ａ｝である。 ρx は、見掛け上の固有抵抗値である。すなわち、外部
導体が十分厚い場合の固有抵抗値をρo とするとき、ρ
x＝ρo／（１−ｋ／１００）である。 ρx／ρoは、外部導体が十分厚い場合の固有抵抗値ρo
に対する見掛け上の固有抵抗値ρx の比である。この値
が“１”に近いほど好ましい。 αは、周波数Ｆ（ＧＨｚ）＝０．５，１，３，５，１
０，３０における減衰量である。すなわち、 α＝8.686×10２×2.287×10−３×√｛εｒ×Ｆ）／
｛log１０（Ｄ／ｄ）｝ ×｛√（ρo）／ｄ＋√（ρx）／Ｄ｝×１０ ＋0.9094×√（εｒ）×tanΔ×Ｆ εｒ：比誘電率、Ｆ：周波数（ＭＨｚ）、Ｄ：外部導体
内径（ｍｍ） ｄ：中心導体外径（ｍｍ）、tanΔ：誘電正接 である。上式の第１項は抵抗値減衰量を表し、第２項は
漏洩減衰量を表している。また、比誘電率εｒ は例え
ばＰＴＦＥで２．０、外部導体内径Ｄは例えば０．６６
ｍｍ、中心導体外径ｄは例えば０．２０３ｍｍ、誘電正
接tanΔ は例えばＰＴＦＥで２×１０−４である。０．
５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として使用される
高周波用同軸ケーブルとしての減衰量αの許容値は、従
来のセミリジッド同軸ケーブルの性能から判断して、Ｆ
＝０．５で約１０．６、Ｆ＝１で約１５．１、Ｆ＝５で
約３４．４、Ｆ＝１０で約４９．４である。この許容量
よりも減衰量αが小さくなる比ａの 値を図１で調べる
と、ａ≧２．７５であることが判る。この式に前述のａ
＝ｘ／δを代入すると、ｘ／δ≧２．７５となる。この
式を変形すれば、２．７５・δ≦ｘとすればよいことが
判る。 【０００９】図２は、種々の厚さの外部導体を有する同
軸ケーブルの最小曲げ特性を表した図表である。なお、
中心導体は銀めっき銅クラッド鋼線で外径ｄは０．２０
３ｍｍ、絶縁体はＰＴＦＥで外径は０．６６ｍｍ、外部
導体は銅とした。この結果より、外部導体厚さｘを７０
μｍ以下にすると、最小曲げ半径が３．０ｍｍより小さ
くなり、高周波用機器の内部配線として使用する場合の
高密度実装化の要求に対応できることが判る。 【００１０】以上より、２．７５・δ≦ｘ≦７０とする
ことで、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路とし
て良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部配
線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周波
用同軸ケーブルを得ることが出来る。なお、使用周波数
を０．５ＧＨｚ以上に限定する理由は、ケーブル長さ方
向の構造の均一性が劣ることによって反射等の特性に影
響が生じるのは概ね０．５ＧＨｚ以上であり、それより
低い周波数では一般的な編組同軸ケーブル等でも特性上
十分であるためである。 【００１１】第２の観点では、本発明は、銀めっき銅線
または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周に
ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の
低誘電率絶縁体を形成し、その外周に銅の外部導体を形
成し、更に必要があればＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡ
などの外被を設けてなる構造を有し、０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用される高周波用同軸
ケーブルであって、使用周波数をＦ（ＧＨｚ）とし、外
部導体厚さをｘ（μｍ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ …(２) であることを特徴とする高周波用同軸ケーブルを提供す
る。 【００１２】表皮深さδは、透磁率をμ、導電率をσと
するとき、 δ＝√｛１／πＦμσ｝ …(３) で表される。ここで、外部導体が銅ならμ＝μo、σ＝
０．５×１０8（Ｓ／ｍ）である。これらの数値を(３)
式に代入し、(３)式を(１)式に代入して整理すると、
(２)式を導くことが出来る。以上より、exp｛−０．５
・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ とすることで、
０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として良好な
減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部配線として
使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周波用同軸ケ
ーブルを得ることが出来る。 【００１３】第３の観点では、本発明は、銀めっき銅線
または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周に
ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の
低誘電率絶縁体を押し出して被覆し、その外周に電気め
っき，無電解めっき，蒸着，スパッタリングなどの各種
成膜プロセスを利用することによって厚さｘ（μｍ）の
銅の外部導体を形成し、更に必要があればその外周にＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどを押し出して外被を設
けることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方法
であって、当該高周波用同軸ケーブルの使用周波数をＦ
（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ …(２) とすることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方
法を提供する。これにより、０．５ＧＨｚ以上の高周波
の信号伝送線路として良好な減衰特性を有し、かつ、高
周波用機器の内部配線として使用できる小さな最小曲げ
半径を有する高周波用同軸ケーブルを製造することが出
来る。 【００１４】第４の観点では、本発明は、外径０．２０
３ｍｍの銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線な
どの中心導体の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴ
ＦＥなどのフッ素系の低誘電率絶縁体を押し出して厚さ
０．６６ｍｍで被覆し、その外周に電気めっき，無電解
めっき，蒸着，スパッタリングなどの各種成膜プロセス
を利用することによって厚さ６μｍ以上，７０μｍ以下
の銅の外部導体を形成し、更に必要があればその外周に
ＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡ等を押し出して外被を設
ける事を特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方法を
提供する。上記(２)式において、Ｆ＝０．５とすると、
５．６＜ｘ≦７０が導かれる。従って、銅の外部導体の
厚さを６μｍ以上，７０μｍ以下とすれば、０．５ＧＨ
ｚ以上の高周波の信号伝送線路として良好な減衰特性を
有し、かつ、高周波用機器の内部配線として使用できる
小さな最小曲げ半径を有する高周波用同軸ケーブルを製
造することが出来る。 【００１５】 【発明の実施の形態】以下、図に示すこの発明の実施形
態に基づいてこの発明をさらに詳しく説明する。なお、
これによりこの発明が限定されるものではない。 【００１６】図３に、本発明の高周波用同軸ケーブルの
断面図を示す。この高周波用同軸ケーブル１０は、銀め
っき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体
１の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどの
フッ素系の低誘電率絶縁体２を押し出して被覆し、その
外周に電気めっき，無電解めっき，蒸着，スパッタリン
グなどの各種成膜プロセスを利用することによって厚さ
ｘ（μｍ）の銅の外部導体３を形成したものであって、
前記厚さｘは、当該高周波用同軸ケーブル１０の使用周
波数をＦ（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ にしたものである。なお、必要があれば、その外周にＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどを押し出して外被を設
けてもよい。 【００１７】図４および図５は、外部導体の形成方法や
外部導体の厚さを変えたときの実施例（特記事項の欄に
○印のもの）および比較例（特記事項の欄に×印のも
の）を示す図表である。各例において、中心導体１は、
銀めっき銅クラッド鋼，外径０．２０３ｍｍであり、伸
線加工（ドローイング）で形成した。絶縁体２は、ＰＴ
ＦＥ，外径０．６６ｍｍであり、押出し加工で形成し
た。 【００１８】例１．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電
解銅めっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚
さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であり、外部
導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例である。 【００１９】例２．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電
解ニッケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部
導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であ
り、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例
である。 【００２０】例３．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→パラジ
ウム付与→無電解銅めっき→電解銅めっき」の工程によ
る。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは本発明の実
施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００
μｍは比較例である。 【００２１】例４．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→パラジ
ウム付与→無電解ニッケルめっき→電解銅めっき」の工
程による。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは本発
明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，
１００μｍは比較例である。 【００２２】例５．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅め
っき」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μ
ｍは本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，
２μｍ，４μｍは比較例である。 【００２３】例６．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→スパッタリング→電解
銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１
０μｍは本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μ
ｍ，２μｍ，４μｍは比較例である。 【００２４】例７．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→銀鏡反
応→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝１
０μｍ，５０μｍは本発明の実施例であり、外部導体厚
さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは比較例である。 【００２５】例８．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッチ
ング→洗浄（アルコール）→銀鏡反応→電解銅めっき」
の工程による。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは
本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μ
ｍ，１００μｍは比較例である。 【００２６】例９．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッチ
ング→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解ニ
ッケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体
厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であり、外
部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例であ
る。 【００２７】例１０．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッ
チング→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅めっ
き」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍ
は本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２
μｍ，４μｍは比較例である。 【００２８】例１１．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解ニッ
ケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚
さｘ＝１０μｍ，５０μｍは、本発明の実施例である。
外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは、比較
例である。 【００２９】例１２．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解銅め
っき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝
１０μｍ，５０μｍは本発明の実施例であり、外部導体
厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは比較例である。 【００３０】例１３．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅めっき」
の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本
発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μ
ｍ，４μｍは比較例である。 【００３１】例１４．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→銀鏡反応→電解銅めっき」の
工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発
明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，
４μｍは比較例である。 【００３２】上記の外部導体３の形成方法は、従来のパ
イプ延伸方式に対し、連続的に実施でき、しかも低コス
卜になる。すなわち、供線から巻取りまで連続ラインで
行なうことができ、長尺品を得ることが出来る。ここ
で、上記の外部導体３の形成方法における各工程の説明
を示す。 (１)洗浄（アルコール）工程…市販の工業用エ夕ノール
を使用し、静電気による汚れ及びアンカー層形成時の汚
れを取り除く。 (２)アンカー層の形成工程 周回研磨（ダイヤモンドヤスリ）…外周を均一に研磨し
微細傷を付ける。 化学エッチング（ナトリウム−ナフタレン錯体）…化学
的にフッ素原子を取り除くことによる微細エッチング。 エキシマレーザーエッチング…微小波長（２４８ｎｍ，
１９３ｎｍ）によるＣ−Ｆ結合の切断。 窒化ホウ素（ＢＮ）塗布…低誘電率の六方晶窒化ホウ素
を塗布して形成。 (３)外部導体形成のための予備層の形成工程 パラジウム付与→無電解めっき…湿式法の無電解めっ
き、導電性に優れる銅でめっきする。但し、やや密着力
が低い。 パラジウム付与→無電解ニッケルめっき…湿式法の無電
解めっき、密着性に優れるニッケルでめっき、但し抵抗
が高いため厚さは０．１μｍ以下にした。 真空金蒸着…乾式法の真空蒸着、導電性と密着性が良い
金で行なった。 スパッタリング…乾式法のスパッタリング、これも導電
性と密着性が良い金で行なった。 銀鏡反応…湿式法の銀鏡反応、工程が簡素な銀鏡反応で
銀めっきした。但し、やや寿命が短い、しかし設備は安
く工程は簡素。 (４)外部導体の形成工程 電気銅めっき…硫酸銅めっき、ホウフッ化銅めっき、青
化銅めっき、ピロリン酸銅めっきのいずれでも良いが、
個々において条件は最適値に設定する必要がある。めっ
き電流値と電流効率とめっき時問によりめっき厚を設定
した。 【００３３】以上の例では、中心導体１を銀めっき銅ク
ラッド鋼としたが、銀めっき銅を用いても良い。また、
中心導体１の外径を０．２０３ｍｍとしたが、０．２８
７ｍｍ，０．５１０ｍｍ，０．９１９ｍｍとしても良
い。更に、これら以外のもの、例えば０．２０３ｍｍよ
り細いものとしても良い。また、絶縁体２をＰＴＦＥと
したが、ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥを用いても良い（た
だし、これらはＰＴＦＥより誘電率がやや大きいので特
性が若干異なる）。また、そのサイズは、ＭＩＬ規格等
で示された０．６６ｍｍ以外のものでも良い。また、外
部導体を銅としたが、銀を用いてもよい。 【００３４】 【発明の効果】本発明の高周波用同軸ケーブルの製造方
法によれば、次の効果が得られる。 (１)０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として良
好な減衰特性と高周波用機器の内部配線として使用でき
る小さな最小曲げ半径とを有する高周波用同軸ケーブル
を得ることが出来る。 (２)従来のようなパイプ延伸方式では全く不可能であっ
た長尺の高周波用同軸ケーブルを製造することが出来
る。 (３)パイプ延伸方式で加わるケーブルストレスの除去の
ため行なわれていた長時間の熱履歴処理も不要となり、
製造時問を著しく短縮でき、製造コストを低減すること
が出来る。 (４)長尺の高周波用同軸ケーブルが作れることから、外
部導体の外周上に連続押し出し法によりＰＥ，ＰＶＣ，
ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被を設けることができ、機器内
の高周波信号の伝送線として使用する際に、外部導体を
他の活電部分から確実に絶縁できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】種々の厚さの外部導体を有する同軸ケーブルの
特性を表した図表である。 【図２】種々の厚さの外部導体を有する同軸ケーブルの
最小曲げ特性を表した図表である。 【図３】本発明の高周波用同軸ケーブルの断面図であ
る。 【図４】外部導体の形成方法や外部導体の厚さを変えた
ときの実施例および比較例を示す図表である。 【図５】外部導体の形成方法や外部導体の厚さを変えた
ときの実施例および比較例を示す別の図表である。 【図６】従来のセミリジッド同軸ケーブルの断面図であ
る。 【図７】ＭＩＬ−Ｃ−１７Ｇの規格に定められているセ
ミリジッド同軸ケーブルの各種寸法を示す図表である。 【符号の説明】 １ 中心導体 ２ 絶縁体 ３ 外部導体 １０ 高周波用同軸ケーブル ５０ セミリジッド同軸ケーブル
特性を表した図表である。 【図２】種々の厚さの外部導体を有する同軸ケーブルの
最小曲げ特性を表した図表である。 【図３】本発明の高周波用同軸ケーブルの断面図であ
る。 【図４】外部導体の形成方法や外部導体の厚さを変えた
ときの実施例および比較例を示す図表である。 【図５】外部導体の形成方法や外部導体の厚さを変えた
ときの実施例および比較例を示す別の図表である。 【図６】従来のセミリジッド同軸ケーブルの断面図であ
る。 【図７】ＭＩＬ−Ｃ−１７Ｇの規格に定められているセ
ミリジッド同軸ケーブルの各種寸法を示す図表である。 【符号の説明】 １ 中心導体 ２ 絶縁体 ３ 外部導体 １０ 高周波用同軸ケーブル ５０ セミリジッド同軸ケーブル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−169341（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−71216（ＪＰ，Ａ)
実開 平４−24227（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 11/18
H01B 13/00 553
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 外径０．２０３ｍｍの銀めっき銅線また
は銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周にＰＴ
ＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の低誘
電率絶縁体を押し出して厚さ０．６６ｍｍで被覆し、そ
の外周に電気めっき，無電解めっき，蒸着，スパッタリ
ングなどの各種成膜プロセスを利用することによって厚
さ６μｍ以上，７０μｍ以下の銅の外部導体を形成し、
更に必要があればその外周にＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，Ｐ
ＦＡなどを押し出して外被を設けることを特徴とする高
周波用同軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29545495A JP3443784B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高周波用同軸ケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29545495A JP3443784B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高周波用同軸ケーブルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139122A JPH09139122A (ja) | 1997-05-27 |
| JP3443784B2 true JP3443784B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=17820801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29545495A Expired - Fee Related JP3443784B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高周波用同軸ケーブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3443784B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102973A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nokia Corporation | A coaxial cable and a manufacturing method |
| JP2007146247A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi Cable Ltd | 金属と樹脂からなる複合材料及びその製造方法並びにそれを用いた製品 |
| ATE523920T1 (de) * | 2006-01-20 | 2011-09-15 | Alcatel Lucent | Hochfrequenz-wellenleiter mit elektrischem leiter aus einer mit einer leitfähigen schicht beschichteten plastikfolie |
| WO2007147271A1 (de) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Huber+Suhner Ag | Hochfrequenzbauteil sowie ein verfahren zum herstellen eines solchen bauteils |
| EP2071588A3 (en) * | 2007-12-12 | 2011-11-23 | Alcatel Lucent | Bi-material radio frequency transmission line and the associated manufacturing method |
| JP2009181804A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Hitachi Cable Ltd | シールド付き伝送線路 |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP29545495A patent/JP3443784B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09139122A (ja) | 1997-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5483020A (en) | Twin-ax cable | |
| US6506976B1 (en) | Electrical cable apparatus and method for making | |
| US4423282A (en) | Flat cable | |
| US6677534B2 (en) | Double-laterally-wound two-core parallel extrafine coaxial cable | |
| EP0518968B1 (en) | Conductively-jacketed electrical cable | |
| US5132491A (en) | Shielded jacketed coaxial cable | |
| US6218624B1 (en) | Coaxial cable | |
| WO1993015511A1 (en) | Externally and internally shielded double layered flat cable assembly | |
| JP3900864B2 (ja) | ２心平行極細同軸ケーブル | |
| JP3443784B2 (ja) | 高周波用同軸ケーブルの製造方法 | |
| JP2001035270A (ja) | 低ｓｋｅｗ平行型同軸ケーブル及びその製造方法 | |
| JP2929161B2 (ja) | 端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法 | |
| JP3994698B2 (ja) | セミフレキシブル極細同軸線及びその端末接続方法 | |
| JP3010336B2 (ja) | 同軸ケーブルおよびその製造方法 | |
| JP2007280762A (ja) | ノンハロゲン同軸ケーブル及びこれを用いた多芯ケーブル | |
| JP3013637B2 (ja) | 高周波用同軸ケーブル及びその製造方法 | |
| JP2003187649A (ja) | セミフレキシブル同軸線 | |
| JPH0896631A (ja) | 多対シールドケーブル | |
| JP2003031046A (ja) | 蒸着テープ縦添え２心平行極細同軸ケーブル | |
| JP2003141944A (ja) | 低スキュー高速差動ケーブル | |
| JP2003031045A (ja) | 蒸着テープ縦添え２心平行極細同軸ケーブル | |
| JP2005302309A (ja) | 同軸ケーブル | |
| JP3345271B2 (ja) | 同軸ケーブルの外部導体形成方法 | |
| JP2022138873A (ja) | 信号伝送ケーブル | |
| JPH0877843A (ja) | 高周波絶縁電線 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |