JPH09139122A - 高周波用同軸ケーブルおよびその製造方法 - Google Patents
高周波用同軸ケーブルおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09139122A JPH09139122A JP7295454A JP29545495A JPH09139122A JP H09139122 A JPH09139122 A JP H09139122A JP 7295454 A JP7295454 A JP 7295454A JP 29545495 A JP29545495 A JP 29545495A JP H09139122 A JPH09139122 A JP H09139122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coaxial cable
- outer conductor
- frequency
- silver
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Communication Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路と
して良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部
配線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周
波用同軸ケーブルを提供する。 【解決手段】 銀めっき銅クラッド鋼線の中心導体１の
外周にＰＴＦＥの絶縁体２を形成し、その外周に外部導
体３を形成する。そして、表皮深さをδ（μｍ）とし、
外部導体厚さをｘ（μｍ）とするとき、 ２．７５・δ≦ｘ≦７０ とする。 【効果】 良好な減衰特性と小さな最小曲げ半径とを有
する高周波用同軸ケーブルを得られる。長尺の高周波用
同軸ケーブルを製造できる。熱履歴処理が不要となり、
製造時問を短縮でき、製造コストを低減できる。外部導
体の外周上に連続押し出し法により外被を設けることが
できる。
して良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部
配線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周
波用同軸ケーブルを提供する。 【解決手段】 銀めっき銅クラッド鋼線の中心導体１の
外周にＰＴＦＥの絶縁体２を形成し、その外周に外部導
体３を形成する。そして、表皮深さをδ（μｍ）とし、
外部導体厚さをｘ（μｍ）とするとき、 ２．７５・δ≦ｘ≦７０ とする。 【効果】 良好な減衰特性と小さな最小曲げ半径とを有
する高周波用同軸ケーブルを得られる。長尺の高周波用
同軸ケーブルを製造できる。熱履歴処理が不要となり、
製造時問を短縮でき、製造コストを低減できる。外部導
体の外周上に連続押し出し法により外被を設けることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用同軸ケー
ブルおよびその製造方法に関し、更に詳しくは、良好な
減衰特性と小さな最小曲げ半径とを有し、情報通信機
器，情報処理機器等の電子機器における０．５ＧＨｚ以
上の高周波の信号伝送線路として使用するのに好適な高
周波用同軸ケーブルおよびその製造方法に関する。
ブルおよびその製造方法に関し、更に詳しくは、良好な
減衰特性と小さな最小曲げ半径とを有し、情報通信機
器，情報処理機器等の電子機器における０．５ＧＨｚ以
上の高周波の信号伝送線路として使用するのに好適な高
周波用同軸ケーブルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に、従来のセミリジッド同軸ケーブ
ルの断面図を示す。このセミリジッド同軸ケーブル５０
は、中心導体１の外周に樹脂を押し出して絶緑体２を形
成し、その外周に無継目銅パイプや無継目アルミニウム
パイプを被せ、全体を延伸して外部導体３を形成するパ
イプ延伸方式によって製造され、主に０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用されている。尚、
０．５ＧＨｚ未満の信号伝送線路には、主に編組同軸ケ
ーブルが使用されている。図７に、ＭＩＬ−Ｃ−１７Ｇ
の規格に定められているセミリジッド同軸ケーブルの各
種寸法を示す。外部導体厚さは、最小でも１００μｍで
ある。
ルの断面図を示す。このセミリジッド同軸ケーブル５０
は、中心導体１の外周に樹脂を押し出して絶緑体２を形
成し、その外周に無継目銅パイプや無継目アルミニウム
パイプを被せ、全体を延伸して外部導体３を形成するパ
イプ延伸方式によって製造され、主に０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用されている。尚、
０．５ＧＨｚ未満の信号伝送線路には、主に編組同軸ケ
ーブルが使用されている。図７に、ＭＩＬ−Ｃ−１７Ｇ
の規格に定められているセミリジッド同軸ケーブルの各
種寸法を示す。外部導体厚さは、最小でも１００μｍで
ある。
【０００３】―方、特開平６−１８７８４７号公報や特
開平６−２５１６４２号公報において、多層配線基板内
の配線材料として、中心導体の外周に樹脂を押し出して
絶緑体を形成し、その絶縁体表面に無電解銅めっき或は
電気銅めっき等によりシールド層を設けたシールド線が
開示されている。
開平６−２５１６４２号公報において、多層配線基板内
の配線材料として、中心導体の外周に樹脂を押し出して
絶緑体を形成し、その絶縁体表面に無電解銅めっき或は
電気銅めっき等によりシールド層を設けたシールド線が
開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のセミリジッド同
軸ケーブル５０では、外部導体３の厚さが１００μｍ以
上あり、剛直すぎる問題点がある。すなわち、ＭＩＬ規
格などからＭ１７／１５４サイズ以上のセミリジッド同
軸ケーブルの最小曲げ半径は３．２ｍｍであることが読
み取れる。しかし、高周波用機器の内部配線として使用
する場合、高密度実装化の要求から最小曲げ半径を３．
０ｍｍ以下まで要求される場合が多く、この要求に対応
できない問題点がある。また、従来のセミリジッド同軸
ケーブルの製造方法であるパイプ延伸方式では、延伸加
工に耐えられるだけのパイプ厚さが必要であるため、外
部導体の厚さを１００μｍ未満にすることが難しい問題
点がある。また、パイプ延伸方式では、製造コストが高
くなり、かつ、長尺ケーブルが得られないという問題点
がある。さらに、延伸加工によりストレスが蓄積し、ケ
ーブルの端末接続に際し半田付け等で加熱された時に絶
緑体が収縮してしまう現象が現われる問題点がある。そ
して、この現象を防止するためには、２４時間から４８
時間の熱履歴処理を施さなければならず、作業性低下や
コスト増加の大きな要因となる問題点がある。
軸ケーブル５０では、外部導体３の厚さが１００μｍ以
上あり、剛直すぎる問題点がある。すなわち、ＭＩＬ規
格などからＭ１７／１５４サイズ以上のセミリジッド同
軸ケーブルの最小曲げ半径は３．２ｍｍであることが読
み取れる。しかし、高周波用機器の内部配線として使用
する場合、高密度実装化の要求から最小曲げ半径を３．
０ｍｍ以下まで要求される場合が多く、この要求に対応
できない問題点がある。また、従来のセミリジッド同軸
ケーブルの製造方法であるパイプ延伸方式では、延伸加
工に耐えられるだけのパイプ厚さが必要であるため、外
部導体の厚さを１００μｍ未満にすることが難しい問題
点がある。また、パイプ延伸方式では、製造コストが高
くなり、かつ、長尺ケーブルが得られないという問題点
がある。さらに、延伸加工によりストレスが蓄積し、ケ
ーブルの端末接続に際し半田付け等で加熱された時に絶
緑体が収縮してしまう現象が現われる問題点がある。そ
して、この現象を防止するためには、２４時間から４８
時間の熱履歴処理を施さなければならず、作業性低下や
コスト増加の大きな要因となる問題点がある。
【０００５】一方、特開平６−１８７８４７号公報や特
開平６−２５１６４２号公報に開示のシールド線では、
シールド層の厚さに対する考慮が全くなされていない問
題点がある。シールド層の厚さに対する考慮がなされて
いない理由は、シールド層の役割が専ら電磁誘導を防止
することにあるため、その厚さを規定する必要が特にな
いからと考えられる。しかしながら、０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用する場合には、外部
導体の厚さを考慮する必要がある。なぜならば、外部導
体の厚さは、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路
の最も重要な特性である減衰特性を規定するからであ
る。
開平６−２５１６４２号公報に開示のシールド線では、
シールド層の厚さに対する考慮が全くなされていない問
題点がある。シールド層の厚さに対する考慮がなされて
いない理由は、シールド層の役割が専ら電磁誘導を防止
することにあるため、その厚さを規定する必要が特にな
いからと考えられる。しかしながら、０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用する場合には、外部
導体の厚さを考慮する必要がある。なぜならば、外部導
体の厚さは、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路
の最も重要な特性である減衰特性を規定するからであ
る。
【０００６】そこで、本発明の発明者らは、０．５ＧＨ
ｚ以上の高周波の信号伝送線路として使用する場合にお
ける外部導体の厚さおよび高周波用同軸ケーブルの製造
方法について鋭意研究し、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線
路として良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の
内部配線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する
高周波用同軸ケーブルおよびその製造方法を提供するも
のである。
ｚ以上の高周波の信号伝送線路として使用する場合にお
ける外部導体の厚さおよび高周波用同軸ケーブルの製造
方法について鋭意研究し、本発明を完成した。すなわ
ち、本発明は、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線
路として良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の
内部配線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する
高周波用同軸ケーブルおよびその製造方法を提供するも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線などの
中心導体の外周にＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂），
ＰＦＡ（四フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニル
エーテル共重合体樹脂），ＦＥＰ（四フッ化エチレン−
六フッ化プロピレン共重合体樹脂），ＥＴＦＥ（四フッ
化エチレン−エチレン共重合体樹脂）などのフッ素系の
低誘電率絶縁体を形成し、その外周に外部導体を形成
し、更に必要があればＰＥ（ポリエチレン樹脂），ＰＶ
Ｃ（ポリ塩化ビニル樹脂），ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被
を設けてなる構造を有し、０．５ＧＨｚ以上の高周波の
信号伝送線路として使用される高周波用同軸ケーブルで
あって、表皮深さをδ（μｍ）とし、外部導体厚さをｘ
（μｍ）とするとき、 ２．７５・δ≦ｘ≦７０ …(１) であることを特徴とする高周波用同軸ケーブルを提供す
る。
は、銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線などの
中心導体の外周にＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂），
ＰＦＡ（四フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニル
エーテル共重合体樹脂），ＦＥＰ（四フッ化エチレン−
六フッ化プロピレン共重合体樹脂），ＥＴＦＥ（四フッ
化エチレン−エチレン共重合体樹脂）などのフッ素系の
低誘電率絶縁体を形成し、その外周に外部導体を形成
し、更に必要があればＰＥ（ポリエチレン樹脂），ＰＶ
Ｃ（ポリ塩化ビニル樹脂），ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被
を設けてなる構造を有し、０．５ＧＨｚ以上の高周波の
信号伝送線路として使用される高周波用同軸ケーブルで
あって、表皮深さをδ（μｍ）とし、外部導体厚さをｘ
（μｍ）とするとき、 ２．７５・δ≦ｘ≦７０ …(１) であることを特徴とする高周波用同軸ケーブルを提供す
る。
【０００８】図１は、種々の厚さの外部導体を有する同
軸ケーブルの減衰特性を表した図表である。なお、中心
導体は銀めっき銅クラッド鋼線で外径ｄは０．２０３ｍ
ｍ、絶縁体はＰＴＦＥで外径は０．６６ｍｍ、外部導体
は銅とした。ａは、外部導体の厚さｘを表皮深さδに対
する比で表した値である。すなわち、ａ＝ｘ／δであ
る。ｋは、外部導体の最外表皮における電流密度Ｉo に
対する最内表皮における電流密度Ｉx の割合である。す
なわち、ｋ＝（Ｉx／Ｉo）×１００＝ exp｛−ａ｝であ
る。ρx は、見掛け上の固有抵抗値である。すなわち、
外部導体が十分厚い場合の固有抵抗値をρo とすると
き、ρx＝ρo／（１−ｋ／１００）である。ρx／ρo
は、外部導体が十分厚い場合の固有抵抗値ρo に対する
見掛け上の固有抵抗値ρx の比である。この値が“１”
に近いほど好ましい。αは、周波数Ｆ（ＧＨｚ）＝０．
５，１，３，５，１０，３０における減衰量である。す
なわち、 α＝8.686×102×2.287×10-3×√｛εr×Ｆ）／｛log
10（Ｄ／ｄ）｝×｛√（ρo）／ｄ＋√（ρx）／Ｄ｝×
１０＋0.9094×√（εr）×tanΔ×Ｆ εr：比誘電率、Ｆ：周波数（ＭＨｚ）、Ｄ：外部導体
内径（ｍｍ） ｄ：中心導体外径（ｍｍ）、tanΔ：誘電正接 である。上式の第１項は抵抗値減衰量を表し、第２項は
漏洩減衰量を表している。また、比誘電率εr は例えば
ＰＴＦＥで２．０、外部導体内径Ｄは例えば０．６６ｍ
ｍ、中心導体外径ｄは例えば０．２０３ｍｍ、誘電正接
tanΔ は例えばＰＴＦＥで２×１０-4である。０．５Ｇ
Ｈｚ以上の高周波の信号伝送線路として使用される高周
波用同軸ケーブルとしての減衰量αの許容値は、従来の
セミリジッド同軸ケーブルの性能から判断して、Ｆ＝
０．５で約１０．６、Ｆ＝１で約１５．１、Ｆ＝５で約
３４．４、Ｆ＝１０で約４９．４である。従って、図１
から、２．７５・δ≦ｘとすればよいことが判る。
軸ケーブルの減衰特性を表した図表である。なお、中心
導体は銀めっき銅クラッド鋼線で外径ｄは０．２０３ｍ
ｍ、絶縁体はＰＴＦＥで外径は０．６６ｍｍ、外部導体
は銅とした。ａは、外部導体の厚さｘを表皮深さδに対
する比で表した値である。すなわち、ａ＝ｘ／δであ
る。ｋは、外部導体の最外表皮における電流密度Ｉo に
対する最内表皮における電流密度Ｉx の割合である。す
なわち、ｋ＝（Ｉx／Ｉo）×１００＝ exp｛−ａ｝であ
る。ρx は、見掛け上の固有抵抗値である。すなわち、
外部導体が十分厚い場合の固有抵抗値をρo とすると
き、ρx＝ρo／（１−ｋ／１００）である。ρx／ρo
は、外部導体が十分厚い場合の固有抵抗値ρo に対する
見掛け上の固有抵抗値ρx の比である。この値が“１”
に近いほど好ましい。αは、周波数Ｆ（ＧＨｚ）＝０．
５，１，３，５，１０，３０における減衰量である。す
なわち、 α＝8.686×102×2.287×10-3×√｛εr×Ｆ）／｛log
10（Ｄ／ｄ）｝×｛√（ρo）／ｄ＋√（ρx）／Ｄ｝×
１０＋0.9094×√（εr）×tanΔ×Ｆ εr：比誘電率、Ｆ：周波数（ＭＨｚ）、Ｄ：外部導体
内径（ｍｍ） ｄ：中心導体外径（ｍｍ）、tanΔ：誘電正接 である。上式の第１項は抵抗値減衰量を表し、第２項は
漏洩減衰量を表している。また、比誘電率εr は例えば
ＰＴＦＥで２．０、外部導体内径Ｄは例えば０．６６ｍ
ｍ、中心導体外径ｄは例えば０．２０３ｍｍ、誘電正接
tanΔ は例えばＰＴＦＥで２×１０-4である。０．５Ｇ
Ｈｚ以上の高周波の信号伝送線路として使用される高周
波用同軸ケーブルとしての減衰量αの許容値は、従来の
セミリジッド同軸ケーブルの性能から判断して、Ｆ＝
０．５で約１０．６、Ｆ＝１で約１５．１、Ｆ＝５で約
３４．４、Ｆ＝１０で約４９．４である。従って、図１
から、２．７５・δ≦ｘとすればよいことが判る。
【０００９】図２は、種々の厚さの外部導体を有する同
軸ケーブルの最小曲げ特性を表した図表である。なお、
中心導体は銀めっき銅クラッド鋼線で外径ｄは０．２０
３ｍｍ、絶縁体はＰＴＦＥで外径は０．６６ｍｍ、外部
導体は銅とした。この結果より、外部導体厚さｘを７０
μｍ以下にすると、最小曲げ半径が３．０ｍｍより小さ
くなり、高周波用機器の内部配線として使用する場合の
高密度実装化の要求に対応できることが判る。
軸ケーブルの最小曲げ特性を表した図表である。なお、
中心導体は銀めっき銅クラッド鋼線で外径ｄは０．２０
３ｍｍ、絶縁体はＰＴＦＥで外径は０．６６ｍｍ、外部
導体は銅とした。この結果より、外部導体厚さｘを７０
μｍ以下にすると、最小曲げ半径が３．０ｍｍより小さ
くなり、高周波用機器の内部配線として使用する場合の
高密度実装化の要求に対応できることが判る。
【００１０】以上より、２．７５・δ≦ｘ≦７０とする
ことで、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路とし
て良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部配
線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周波
用同軸ケーブルを得ることが出来る。なお、使用周波数
を０．５ＧＨｚ以上に限定する理由は、ケーブル長さ方
向の構造の均一性が劣ることによって反射等の特性に影
響が生じるのは概ね０．５ＧＨｚ以上であり、それより
低い周波数では一般的な編組同軸ケーブル等でも特性上
十分であるためである。
ことで、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路とし
て良好な減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部配
線として使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周波
用同軸ケーブルを得ることが出来る。なお、使用周波数
を０．５ＧＨｚ以上に限定する理由は、ケーブル長さ方
向の構造の均一性が劣ることによって反射等の特性に影
響が生じるのは概ね０．５ＧＨｚ以上であり、それより
低い周波数では一般的な編組同軸ケーブル等でも特性上
十分であるためである。
【００１１】第２の観点では、本発明は、銀めっき銅線
または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周に
ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の
低誘電率絶縁体を形成し、その外周に銅の外部導体を形
成し、更に必要があればＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡ
などの外被を設けてなる構造を有し、０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用される高周波用同軸
ケーブルであって、使用周波数をＦ（ＧＨｚ）とし、外
部導体厚さをｘ（μｍ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ …(２) であることを特徴とする高周波用同軸ケーブルを提供す
る。
または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周に
ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の
低誘電率絶縁体を形成し、その外周に銅の外部導体を形
成し、更に必要があればＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡ
などの外被を設けてなる構造を有し、０．５ＧＨｚ以上
の高周波の信号伝送線路として使用される高周波用同軸
ケーブルであって、使用周波数をＦ（ＧＨｚ）とし、外
部導体厚さをｘ（μｍ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ …(２) であることを特徴とする高周波用同軸ケーブルを提供す
る。
【００１２】表皮深さδは、透磁率をμ、導電率をσと
するとき、 δ＝√｛１／πＦμσ｝ …(３) で表される。ここで、外部導体が銅ならμ＝μo、σ＝
０．５×１０8（Ｓ／ｍ）である。これらの数値を(３)
式に代入し、(３)式を(１)式に代入して整理すると、
(２)式を導くことが出来る。以上より、exp｛−０．５
・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ とすることで、
０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として良好な
減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部配線として
使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周波用同軸ケ
ーブルを得ることが出来る。
するとき、 δ＝√｛１／πＦμσ｝ …(３) で表される。ここで、外部導体が銅ならμ＝μo、σ＝
０．５×１０8（Ｓ／ｍ）である。これらの数値を(３)
式に代入し、(３)式を(１)式に代入して整理すると、
(２)式を導くことが出来る。以上より、exp｛−０．５
・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ とすることで、
０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として良好な
減衰特性を有し、かつ、高周波用機器の内部配線として
使用できる小さな最小曲げ半径を有する高周波用同軸ケ
ーブルを得ることが出来る。
【００１３】第３の観点では、本発明は、銀めっき銅線
または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周に
ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の
低誘電率絶縁体を押し出して被覆し、その外周に電気め
っき，無電解めっき，蒸着，スパッタリングなどの各種
成膜プロセスを利用することによって厚さｘ（μｍ）の
銅の外部導体を形成し、更に必要があればその外周にＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどを押し出して外被を設
けることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方法
であって、当該高周波用同軸ケーブルの使用周波数をＦ
（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ …(２) とすることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方
法を提供する。これにより、０．５ＧＨｚ以上の高周波
の信号伝送線路として良好な減衰特性を有し、かつ、高
周波用機器の内部配線として使用できる小さな最小曲げ
半径を有する高周波用同軸ケーブルを製造することが出
来る。
または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周に
ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の
低誘電率絶縁体を押し出して被覆し、その外周に電気め
っき，無電解めっき，蒸着，スパッタリングなどの各種
成膜プロセスを利用することによって厚さｘ（μｍ）の
銅の外部導体を形成し、更に必要があればその外周にＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどを押し出して外被を設
けることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方法
であって、当該高周波用同軸ケーブルの使用周波数をＦ
（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ …(２) とすることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方
法を提供する。これにより、０．５ＧＨｚ以上の高周波
の信号伝送線路として良好な減衰特性を有し、かつ、高
周波用機器の内部配線として使用できる小さな最小曲げ
半径を有する高周波用同軸ケーブルを製造することが出
来る。
【００１４】第４の観点では、本発明は、外径０．２０
３ｍｍの銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線な
どの中心導体の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴ
ＦＥなどのフッ素系の低誘電率絶縁体を押し出して厚さ
０．６６ｍｍで被覆し、その外周に電気めっき，無電解
めっき，蒸着，スパッタリングなどの各種成膜プロセス
を利用することによって厚さ６μｍ以上，７０μｍ以下
の銅の外部導体を形成し、更に必要があればその外周に
ＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡ等を押し出して外被を設
ける事を特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方法を
提供する。上記(２)式において、Ｆ＝０．５とすると、
５．６＜ｘ≦７０が導かれる。従って、銅の外部導体の
厚さを６μｍ以上，７０μｍ以下とすれば、０．５ＧＨ
ｚ以上の高周波の信号伝送線路として良好な減衰特性を
有し、かつ、高周波用機器の内部配線として使用できる
小さな最小曲げ半径を有する高周波用同軸ケーブルを製
造することが出来る。
３ｍｍの銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線な
どの中心導体の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴ
ＦＥなどのフッ素系の低誘電率絶縁体を押し出して厚さ
０．６６ｍｍで被覆し、その外周に電気めっき，無電解
めっき，蒸着，スパッタリングなどの各種成膜プロセス
を利用することによって厚さ６μｍ以上，７０μｍ以下
の銅の外部導体を形成し、更に必要があればその外周に
ＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡ等を押し出して外被を設
ける事を特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方法を
提供する。上記(２)式において、Ｆ＝０．５とすると、
５．６＜ｘ≦７０が導かれる。従って、銅の外部導体の
厚さを６μｍ以上，７０μｍ以下とすれば、０．５ＧＨ
ｚ以上の高周波の信号伝送線路として良好な減衰特性を
有し、かつ、高周波用機器の内部配線として使用できる
小さな最小曲げ半径を有する高周波用同軸ケーブルを製
造することが出来る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図に示すこの発明の実施形
態に基づいてこの発明をさらに詳しく説明する。なお、
これによりこの発明が限定されるものではない。
態に基づいてこの発明をさらに詳しく説明する。なお、
これによりこの発明が限定されるものではない。
【００１６】図３に、本発明の高周波用同軸ケーブルの
断面図を示す。この高周波用同軸ケーブル１０は、銀め
っき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体
１の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどの
フッ素系の低誘電率絶縁体２を押し出して被覆し、その
外周に電気めっき，無電解めっき，蒸着，スパッタリン
グなどの各種成膜プロセスを利用することによって厚さ
ｘ（μｍ）の銅の外部導体３を形成したものであって、
前記厚さｘは、当該高周波用同軸ケーブル１０の使用周
波数をＦ（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ にしたものである。なお、必要があれば、その外周にＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどを押し出して外被を設
けてもよい。
断面図を示す。この高周波用同軸ケーブル１０は、銀め
っき銅線または銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体
１の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどの
フッ素系の低誘電率絶縁体２を押し出して被覆し、その
外周に電気めっき，無電解めっき，蒸着，スパッタリン
グなどの各種成膜プロセスを利用することによって厚さ
ｘ（μｍ）の銅の外部導体３を形成したものであって、
前記厚さｘは、当該高周波用同軸ケーブル１０の使用周
波数をＦ（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ にしたものである。なお、必要があれば、その外周にＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどを押し出して外被を設
けてもよい。
【００１７】図４および図５は、外部導体の形成方法や
外部導体の厚さを変えたときの実施例（特記事項の欄に
○印のもの）および比較例（特記事項の欄に×印のも
の）を示す図表である。各例において、中心導体１は、
銀めっき銅クラッド鋼，外径０．２０３ｍｍであり、伸
線加工（ドローイング）で形成した。絶縁体２は、ＰＴ
ＦＥ，外径０．６６ｍｍであり、押出し加工で形成し
た。
外部導体の厚さを変えたときの実施例（特記事項の欄に
○印のもの）および比較例（特記事項の欄に×印のも
の）を示す図表である。各例において、中心導体１は、
銀めっき銅クラッド鋼，外径０．２０３ｍｍであり、伸
線加工（ドローイング）で形成した。絶縁体２は、ＰＴ
ＦＥ，外径０．６６ｍｍであり、押出し加工で形成し
た。
【００１８】例１．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電
解銅めっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚
さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であり、外部
導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例である。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電
解銅めっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚
さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であり、外部
導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例である。
【００１９】例２．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電
解ニッケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部
導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であ
り、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例
である。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電
解ニッケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部
導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であ
り、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例
である。
【００２０】例３．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→パラジ
ウム付与→無電解銅めっき→電解銅めっき」の工程によ
る。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは本発明の実
施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００
μｍは比較例である。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→パラジ
ウム付与→無電解銅めっき→電解銅めっき」の工程によ
る。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは本発明の実
施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００
μｍは比較例である。
【００２１】例４．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→パラジ
ウム付与→無電解ニッケルめっき→電解銅めっき」の工
程による。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは本発
明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，
１００μｍは比較例である。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→パラジ
ウム付与→無電解ニッケルめっき→電解銅めっき」の工
程による。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは本発
明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，
１００μｍは比較例である。
【００２２】例５．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅め
っき」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μ
ｍは本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，
２μｍ，４μｍは比較例である。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅め
っき」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μ
ｍは本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，
２μｍ，４μｍは比較例である。
【００２３】例６．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→スパッタリング→電解
銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１
０μｍは本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μ
ｍ，２μｍ，４μｍは比較例である。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→周回研磨（ダイヤモンド
ヤスリ）→洗浄（アルコール）→スパッタリング→電解
銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１
０μｍは本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μ
ｍ，２μｍ，４μｍは比較例である。
【００２４】例７．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→銀鏡反
応→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝１
０μｍ，５０μｍは本発明の実施例であり、外部導体厚
さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは比較例である。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→化学エッチング（ナトリ
ウム−ナフタレン錯体）→洗浄（アルコール）→銀鏡反
応→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝１
０μｍ，５０μｍは本発明の実施例であり、外部導体厚
さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは比較例である。
【００２５】例８．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッチ
ング→洗浄（アルコール）→銀鏡反応→電解銅めっき」
の工程による。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは
本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μ
ｍ，１００μｍは比較例である。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッチ
ング→洗浄（アルコール）→銀鏡反応→電解銅めっき」
の工程による。外部導体厚さｘ＝１０μｍ，５０μｍは
本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μ
ｍ，１００μｍは比較例である。
【００２６】例９．外部導体３の形成方法は、「ＰＴＦ
Ｅコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッチ
ング→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解ニ
ッケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体
厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であり、外
部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例であ
る。
Ｅコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッチ
ング→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解ニ
ッケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体
厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発明の実施例であり、外
部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，４μｍは比較例であ
る。
【００２７】例１０．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッ
チング→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅めっ
き」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍ
は本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２
μｍ，４μｍは比較例である。
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→エキシマレーザーエッ
チング→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅めっ
き」の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍ
は本発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２
μｍ，４μｍは比較例である。
【００２８】例１１．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解ニッ
ケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚
さｘ＝１０μｍ，５０μｍは、本発明の実施例である。
外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは、比較
例である。
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解ニッ
ケルめっき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚
さｘ＝１０μｍ，５０μｍは、本発明の実施例である。
外部導体厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは、比較
例である。
【００２９】例１２．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解銅め
っき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝
１０μｍ，５０μｍは本発明の実施例であり、外部導体
厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは比較例である。
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→パラジウム付与→無電解銅め
っき→電解銅めっき」の工程による。外部導体厚さｘ＝
１０μｍ，５０μｍは本発明の実施例であり、外部導体
厚さｘ＝１μｍ，５μｍ，１００μｍは比較例である。
【００３０】例１３．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅めっき」
の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本
発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μ
ｍ，４μｍは比較例である。
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→真空金蒸着→電解銅めっき」
の工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本
発明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μ
ｍ，４μｍは比較例である。
【００３１】例１４．外部導体３の形成方法は、「ＰＴ
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→銀鏡反応→電解銅めっき」の
工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発
明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，
４μｍは比較例である。
ＦＥコア→洗浄（アルコール）→窒化ホウ素（ＢＮ）塗
布→洗浄（アルコール）→銀鏡反応→電解銅めっき」の
工程による。外部導体厚さｘ＝６μｍ，１０μｍは本発
明の実施例であり、外部導体厚さｘ＝１μｍ，２μｍ，
４μｍは比較例である。
【００３２】上記の外部導体３の形成方法は、従来のパ
イプ延伸方式に対し、連続的に実施でき、しかも低コス
卜になる。すなわち、供線から巻取りまで連続ラインで
行なうことができ、長尺品を得ることが出来る。ここ
で、上記の外部導体３の形成方法における各工程の説明
を示す。 (１)洗浄（アルコール）工程…市販の工業用エ夕ノール
を使用し、静電気による汚れ及びアンカー層形成時の汚
れを取り除く。 (２)アンカー層の形成工程 周回研磨（ダイヤモンドヤスリ）…外周を均一に研磨し
微細傷を付ける。 化学エッチング（ナトリウム−ナフタレン錯体）…化学
的にフッ素原子を取り除くことによる微細エッチング。 エキシマレーザーエッチング…微小波長（２４８ｎｍ，
１９３ｎｍ）によるＣ−Ｆ結合の切断。 窒化ホウ素（ＢＮ）塗布…低誘電率の六方晶窒化ホウ素
を塗布して形成。 (３)外部導体形成のための予備層の形成工程 パラジウム付与→無電解めっき…湿式法の無電解めっ
き、導電性に優れる銅でめっきする。但し、やや密着力
が低い。 パラジウム付与→無電解ニッケルめっき…湿式法の無電
解めっき、密着性に優れるニッケルでめっき、但し抵抗
が高いため厚さは０．１μｍ以下にした。 真空金蒸着…乾式法の真空蒸着、導電性と密着性が良い
金で行なった。 スパッタリング…乾式法のスパッタリング、これも導電
性と密着性が良い金で行なった。 銀鏡反応…湿式法の銀鏡反応、工程が簡素な銀鏡反応で
銀めっきした。但し、やや寿命が短い、しかし設備は安
く工程は簡素。 (４)外部導体の形成工程 電気銅めっき…硫酸銅めっき、ホウフッ化銅めっき、青
化銅めっき、ピロリン酸銅めっきのいずれでも良いが、
個々において条件は最適値に設定する必要がある。めっ
き電流値と電流効率とめっき時問によりめっき厚を設定
した。
イプ延伸方式に対し、連続的に実施でき、しかも低コス
卜になる。すなわち、供線から巻取りまで連続ラインで
行なうことができ、長尺品を得ることが出来る。ここ
で、上記の外部導体３の形成方法における各工程の説明
を示す。 (１)洗浄（アルコール）工程…市販の工業用エ夕ノール
を使用し、静電気による汚れ及びアンカー層形成時の汚
れを取り除く。 (２)アンカー層の形成工程 周回研磨（ダイヤモンドヤスリ）…外周を均一に研磨し
微細傷を付ける。 化学エッチング（ナトリウム−ナフタレン錯体）…化学
的にフッ素原子を取り除くことによる微細エッチング。 エキシマレーザーエッチング…微小波長（２４８ｎｍ，
１９３ｎｍ）によるＣ−Ｆ結合の切断。 窒化ホウ素（ＢＮ）塗布…低誘電率の六方晶窒化ホウ素
を塗布して形成。 (３)外部導体形成のための予備層の形成工程 パラジウム付与→無電解めっき…湿式法の無電解めっ
き、導電性に優れる銅でめっきする。但し、やや密着力
が低い。 パラジウム付与→無電解ニッケルめっき…湿式法の無電
解めっき、密着性に優れるニッケルでめっき、但し抵抗
が高いため厚さは０．１μｍ以下にした。 真空金蒸着…乾式法の真空蒸着、導電性と密着性が良い
金で行なった。 スパッタリング…乾式法のスパッタリング、これも導電
性と密着性が良い金で行なった。 銀鏡反応…湿式法の銀鏡反応、工程が簡素な銀鏡反応で
銀めっきした。但し、やや寿命が短い、しかし設備は安
く工程は簡素。 (４)外部導体の形成工程 電気銅めっき…硫酸銅めっき、ホウフッ化銅めっき、青
化銅めっき、ピロリン酸銅めっきのいずれでも良いが、
個々において条件は最適値に設定する必要がある。めっ
き電流値と電流効率とめっき時問によりめっき厚を設定
した。
【００３３】以上の例では、中心導体１を銀めっき銅ク
ラッド鋼としたが、銀めっき銅を用いても良い。また、
中心導体１の外径を０．２０３ｍｍとしたが、０．２８
７ｍｍ，０．５１０ｍｍ，０．９１９ｍｍとしても良
い。更に、これら以外のもの、例えば０．２０３ｍｍよ
り細いものとしても良い。また、絶縁体２をＰＴＦＥと
したが、ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥを用いても良い（た
だし、これらはＰＴＦＥより誘電率がやや大きいので特
性が若干異なる）。また、そのサイズは、ＭＩＬ規格等
で示された０．６６ｍｍ以外のものでも良い。また、外
部導体を銅としたが、銀を用いてもよい。
ラッド鋼としたが、銀めっき銅を用いても良い。また、
中心導体１の外径を０．２０３ｍｍとしたが、０．２８
７ｍｍ，０．５１０ｍｍ，０．９１９ｍｍとしても良
い。更に、これら以外のもの、例えば０．２０３ｍｍよ
り細いものとしても良い。また、絶縁体２をＰＴＦＥと
したが、ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥを用いても良い（た
だし、これらはＰＴＦＥより誘電率がやや大きいので特
性が若干異なる）。また、そのサイズは、ＭＩＬ規格等
で示された０．６６ｍｍ以外のものでも良い。また、外
部導体を銅としたが、銀を用いてもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明の高周波用同軸ケーブルおよびそ
の製造方法によれば、次の効果が得られる。 (１)０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として良
好な減衰特性と高周波用機器の内部配線として使用でき
る小さな最小曲げ半径とを有する高周波用同軸ケーブル
を得ることが出来る。 (２)従来のようなパイプ延伸方式では全く不可能であっ
た長尺の高周波用同軸ケーブルを製造することが出来
る。 (３)パイプ延伸方式で加わるケーブルストレスの除去の
ため行なわれていた長時間の熱履歴処理も不要となり、
製造時問を著しく短縮でき、製造コストを低減すること
が出来る。 (４)長尺の高周波用同軸ケーブルが作れることから、外
部導体の外周上に連続押し出し法によりＰＥ，ＰＶＣ，
ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被を設けることができ、機器内
の高周波信号の伝送線として使用する際に、外部導体を
他の活電部分から確実に絶縁できるようになる。
の製造方法によれば、次の効果が得られる。 (１)０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路として良
好な減衰特性と高周波用機器の内部配線として使用でき
る小さな最小曲げ半径とを有する高周波用同軸ケーブル
を得ることが出来る。 (２)従来のようなパイプ延伸方式では全く不可能であっ
た長尺の高周波用同軸ケーブルを製造することが出来
る。 (３)パイプ延伸方式で加わるケーブルストレスの除去の
ため行なわれていた長時間の熱履歴処理も不要となり、
製造時問を著しく短縮でき、製造コストを低減すること
が出来る。 (４)長尺の高周波用同軸ケーブルが作れることから、外
部導体の外周上に連続押し出し法によりＰＥ，ＰＶＣ，
ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被を設けることができ、機器内
の高周波信号の伝送線として使用する際に、外部導体を
他の活電部分から確実に絶縁できるようになる。
【図１】種々の厚さの外部導体を有する同軸ケーブルの
特性を表した図表である。
特性を表した図表である。
【図２】種々の厚さの外部導体を有する同軸ケーブルの
最小曲げ特性を表した図表である。
最小曲げ特性を表した図表である。
【図３】本発明の高周波用同軸ケーブルの断面図であ
る。
る。
【図４】外部導体の形成方法や外部導体の厚さを変えた
ときの実施例および比較例を示す図表である。
ときの実施例および比較例を示す図表である。
【図５】外部導体の形成方法や外部導体の厚さを変えた
ときの実施例および比較例を示す別の図表である。
ときの実施例および比較例を示す別の図表である。
【図６】従来のセミリジッド同軸ケーブルの断面図であ
る。
る。
【図７】ＭＩＬ−Ｃ−１７Ｇの規格に定められているセ
ミリジッド同軸ケーブルの各種寸法を示す図表である。
ミリジッド同軸ケーブルの各種寸法を示す図表である。
１ 中心導体 ２ 絶縁体 ３ 外部導体 １０ 高周波用同軸ケーブル ５０ セミリジッド同軸ケーブル
Claims (4)
- 【請求項１】 銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド
鋼線などの中心導体の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥ
Ｐ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の低誘電率絶縁体を形成
し、その外周に外部導体を形成し、更に必要があればＰ
Ｅ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被を設けてなる構
造を有し、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線路と
して使用される高周波用同軸ケーブルであって、表皮深
さをδ（μｍ）とし、外部導体厚さをｘ（μｍ）とする
とき、 ２．７５・δ≦ｘ≦７０ であることを特徴とする高周波用同軸ケーブル。 - 【請求項２】 銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド
鋼線などの中心導体の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥ
Ｐ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の低誘電率絶縁体を形成
し、その外周に銅の外部導体を形成し、更に必要があれ
ばＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，ＰＦＡなどの外被を設けてな
る構造を有し、０．５ＧＨｚ以上の高周波の信号伝送線
路として使用される高周波用同軸ケーブルであって、使
用周波数をＦ（ＧＨｚ）とし、外部導体厚さをｘ（μ
ｍ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ であることを特徴とする高周波用同軸ケーブル。 - 【請求項３】 銀めっき銅線または銀めっき銅クラッド
鋼線などの中心導体の外周にＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥ
Ｐ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の低誘電率絶縁体を押し出
して被覆し、その外周に電気めっき，無電解めっき，蒸
着，スパッタリングなどの各種成膜プロセスを利用する
ことによって厚さｘ（μｍ）の銅の外部導体を形成し、
更に必要があればその外周にＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，Ｐ
ＦＡなどを押し出して外被を設けることを特徴とする高
周波用同軸ケーブルの製造方法であって、当該高周波用
同軸ケーブルの使用周波数をＦ（ＧＨｚ）とするとき、 exp｛−０．５・ln｛Ｆ｝＋１．７４｝≦ｘ≦７０ とすることを特徴とする高周波用同軸ケーブルの製造方
法。 - 【請求項４】 外径０．２０３ｍｍの銀めっき銅線また
は銀めっき銅クラッド鋼線などの中心導体の外周にＰＴ
ＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどのフッ素系の低誘
電率絶縁体を押し出して厚さ０．６６ｍｍで被覆し、そ
の外周に電気めっき，無電解めっき，蒸着，スパッタリ
ングなどの各種成膜プロセスを利用することによって厚
さ６μｍ以上，７０μｍ以下の銅の外部導体を形成し、
更に必要があればその外周にＰＥ，ＰＶＣ，ＦＥＰ，Ｐ
ＦＡなどを押し出して外被を設けることを特徴とする高
周波用同軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29545495A JP3443784B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高周波用同軸ケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29545495A JP3443784B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高周波用同軸ケーブルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139122A true JPH09139122A (ja) | 1997-05-27 |
| JP3443784B2 JP3443784B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=17820801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29545495A Expired - Fee Related JP3443784B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高周波用同軸ケーブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3443784B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102973A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nokia Corporation | A coaxial cable and a manufacturing method |
| JP2007146247A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi Cable Ltd | 金属と樹脂からなる複合材料及びその製造方法並びにそれを用いた製品 |
| WO2007147271A1 (de) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Huber+Suhner Ag | Hochfrequenzbauteil sowie ein verfahren zum herstellen eines solchen bauteils |
| JP2009181804A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Hitachi Cable Ltd | シールド付き伝送線路 |
| EP2071588A3 (en) * | 2007-12-12 | 2011-11-23 | Alcatel Lucent | Bi-material radio frequency transmission line and the associated manufacturing method |
| JP2013042541A (ja) * | 2006-01-20 | 2013-02-28 | Alcatel-Lucent | 導電性材料層を貼り合わされたプラスチックフォイル層で製作された導電体を含む無線周波数導波路 |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP29545495A patent/JP3443784B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102973A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nokia Corporation | A coaxial cable and a manufacturing method |
| JP2007146247A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi Cable Ltd | 金属と樹脂からなる複合材料及びその製造方法並びにそれを用いた製品 |
| JP2013042541A (ja) * | 2006-01-20 | 2013-02-28 | Alcatel-Lucent | 導電性材料層を貼り合わされたプラスチックフォイル層で製作された導電体を含む無線周波数導波路 |
| WO2007147271A1 (de) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Huber+Suhner Ag | Hochfrequenzbauteil sowie ein verfahren zum herstellen eines solchen bauteils |
| EP2071588A3 (en) * | 2007-12-12 | 2011-11-23 | Alcatel Lucent | Bi-material radio frequency transmission line and the associated manufacturing method |
| JP2009181804A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Hitachi Cable Ltd | シールド付き伝送線路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3443784B2 (ja) | 2003-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5483020A (en) | Twin-ax cable | |
| US3639674A (en) | Shielded cable | |
| EP0518968B1 (en) | Conductively-jacketed electrical cable | |
| JP4229124B2 (ja) | 同軸ケーブル | |
| US6218624B1 (en) | Coaxial cable | |
| EP0575548A1 (en) | Conductively-jacketed coaxial cable | |
| JP5255529B2 (ja) | 伝送ケーブル用中空コア体及びその製造方法並びに信号伝送用ケーブル | |
| JP2006294551A (ja) | 同軸ケーブル | |
| JP2929161B2 (ja) | 端末むきが容易なセミリジット同軸ケーブルおよびその製造方法 | |
| JP3443784B2 (ja) | 高周波用同軸ケーブルの製造方法 | |
| JP2003022718A (ja) | ２心平行極細同軸ケーブル | |
| JP3010336B2 (ja) | 同軸ケーブルおよびその製造方法 | |
| JP2003187649A (ja) | セミフレキシブル同軸線 | |
| JP4137255B2 (ja) | 同軸ケーブル | |
| JP3444941B2 (ja) | 耐熱・耐放射線性ケーブルおよびこれを用いた高速増殖炉の炉内構造物検査装置 | |
| JP2006252937A (ja) | 同軸ケーブル及び同軸ケーブルの製造方法 | |
| JP2000057863A (ja) | 同軸ケーブル | |
| JP2003031046A (ja) | 蒸着テープ縦添え２心平行極細同軸ケーブル | |
| JPH0896631A (ja) | 多対シールドケーブル | |
| US2854639A (en) | Electromagnetic delay cable and manufacture thereof | |
| JP2003031045A (ja) | 蒸着テープ縦添え２心平行極細同軸ケーブル | |
| JP2022138873A (ja) | 信号伝送ケーブル | |
| WO2013099783A1 (ja) | ケーブル | |
| JP2003086030A (ja) | 極細同軸ケーブル | |
| JPH06150745A (ja) | 同軸ケーブルの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |