JP3010336B2 - 同軸ケーブルおよびその製造方法 - Google Patents
同軸ケーブルおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同軸ケーブルおよびそ
の製造方法に関し、さらに詳しくは、情報通信機器，情
報処理機器等の電子機器の高周波回路基板，高周波部品
の信号伝達線路として用いられる同軸ケーブルおよびそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関し、さらに詳しくは、情報通信機器，情
報処理機器等の電子機器の高周波回路基板，高周波部品
の信号伝達線路として用いられる同軸ケーブルおよびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８に、公知の一般の同軸ケーブルの一
例を示す。この同軸ケーブル１０は、中心導体１の外周
に低誘電率の絶縁体８２を形成し、その絶縁体８２の外
周に金属細線の編組，横巻き，金属箔の巻回等による外
部導体８３を設け、その外部導体８３の外周に例えばポ
リ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂を溶融押出しした保護被覆
層４を設けた構造である。
例を示す。この同軸ケーブル１０は、中心導体１の外周
に低誘電率の絶縁体８２を形成し、その絶縁体８２の外
周に金属細線の編組，横巻き，金属箔の巻回等による外
部導体８３を設け、その外部導体８３の外周に例えばポ
リ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂を溶融押出しした保護被覆
層４を設けた構造である。
【０００３】図７に、公知のセミリジット同軸ケーブル
の一例を示す。このセミリジット同軸ケーブル９は、銅
導体等からなる中心導体１の外周に低誘電率の絶縁体７
２，例えば四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニル
エーテル共重合体（ＰＦＡ）樹脂等を溶融押出しにより
形成し、その外周に銅パイプ等の金属パイプを密着して
設けて外部導体７３を形成した構造である。
の一例を示す。このセミリジット同軸ケーブル９は、銅
導体等からなる中心導体１の外周に低誘電率の絶縁体７
２，例えば四弗化エチレン−パーフロロアルキルビニル
エーテル共重合体（ＰＦＡ）樹脂等を溶融押出しにより
形成し、その外周に銅パイプ等の金属パイプを密着して
設けて外部導体７３を形成した構造である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の一般の同軸
ケーブル１０では、外部導体８３に隙間があるので、シ
ールド特性が良好でない問題点がある。
ケーブル１０では、外部導体８３に隙間があるので、シ
ールド特性が良好でない問題点がある。
【０００５】一方、上記従来のセミリジット同軸ケーブ
ル９では、外部導体７３に隙間がないので、シールド特
性は良好である。しかし、次の問題点がある。 セミリジット同軸ケーブル９を製造するには、まず絶
縁導体７０を作成し、その絶縁導体７０を太めの銅パイ
プに封入する。次に、その銅パイプをダイスを用いて引
抜加工し、絶縁導体７０と銅パイプを密着させて外部導
体７３とする。密着性を良くするために絶縁導体７０の
外径と銅パイプの内径とを近似値とする必要があるが、
そうすると摩擦が大きくなって封入が困難となる。この
ため、短尺品（例えば３０ｍ程度）しか製造できない問
題点がある。また、銅パイプは、独立した別工程で製造
される上に、真円度を要求される。このため、かなりの
厚みが必要とされる（例えば０．３０ｍｍ）。この厚み
は、引抜加工しても少ししか変らない（例えば０．２６
ｍｍ）ので、曲げにくく、巻取りが困難である。この点
でも、短尺品しか製造できない問題点がある。
ル９では、外部導体７３に隙間がないので、シールド特
性は良好である。しかし、次の問題点がある。 セミリジット同軸ケーブル９を製造するには、まず絶
縁導体７０を作成し、その絶縁導体７０を太めの銅パイ
プに封入する。次に、その銅パイプをダイスを用いて引
抜加工し、絶縁導体７０と銅パイプを密着させて外部導
体７３とする。密着性を良くするために絶縁導体７０の
外径と銅パイプの内径とを近似値とする必要があるが、
そうすると摩擦が大きくなって封入が困難となる。この
ため、短尺品（例えば３０ｍ程度）しか製造できない問
題点がある。また、銅パイプは、独立した別工程で製造
される上に、真円度を要求される。このため、かなりの
厚みが必要とされる（例えば０．３０ｍｍ）。この厚み
は、引抜加工しても少ししか変らない（例えば０．２６
ｍｍ）ので、曲げにくく、巻取りが困難である。この点
でも、短尺品しか製造できない問題点がある。
【０００６】上記のように短尺品しか製造できないの
で、保護被覆層を効率良く形成することが出来ず、保護
被覆層がない。このため、用途が限定される問題点があ
る。
で、保護被覆層を効率良く形成することが出来ず、保護
被覆層がない。このため、用途が限定される問題点があ
る。
【０００７】引抜加工時にかなり強いストレスが加わ
り、寸法精度が低下しやすい。このため、特性インピー
ダンス，電圧定在波比（ＶＳＷＲ）等の高周波伝送特性
が安定しない問題点がある。 引抜加工により製造するため、約１ｍｍの仕上り外径
が限度である。すなわち、細径化が困難な問題点があ
る。
り、寸法精度が低下しやすい。このため、特性インピー
ダンス，電圧定在波比（ＶＳＷＲ）等の高周波伝送特性
が安定しない問題点がある。 引抜加工により製造するため、約１ｍｍの仕上り外径
が限度である。すなわち、細径化が困難な問題点があ
る。
【０００８】そこで、本発明の目的は、良好なシールド
特性を有し，長尺品の製造が可能であり，保護被覆層を
効率良く形成でき，高周波伝送特性が安定であり，細径
化が可能な同軸ケーブルを提供することを目的とする。
また、その同軸ケーブルを好適に製造しうる製造方法を
提供することを目的とする。
特性を有し，長尺品の製造が可能であり，保護被覆層を
効率良く形成でき，高周波伝送特性が安定であり，細径
化が可能な同軸ケーブルを提供することを目的とする。
また、その同軸ケーブルを好適に製造しうる製造方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の同軸ケーブル
は、中心導体の外周に低誘電率絶縁体および外部導体を
順に設けてなる同軸ケーブルにおいて、前記外部導体
が、無電解めっきアンカー金属層と、このアンカー金属
層の外周に設けた電気めっき良導電性金属層とからなる
と共に、前記電気めっき良導電性金属層が、銅めっき層
と，光沢銅めっき層と，ストライクニッケルめっき層と
からなることを構成上の特徴とするものである。
は、中心導体の外周に低誘電率絶縁体および外部導体を
順に設けてなる同軸ケーブルにおいて、前記外部導体
が、無電解めっきアンカー金属層と、このアンカー金属
層の外周に設けた電気めっき良導電性金属層とからなる
と共に、前記電気めっき良導電性金属層が、銅めっき層
と，光沢銅めっき層と，ストライクニッケルめっき層と
からなることを構成上の特徴とするものである。
【００１０】本発明の同軸ケーブルの製造方法は、中心
導体の外周に低誘電率絶縁体を被覆する絶縁体被覆工程
と、被覆された低誘電率絶縁体の表面を活性化処理する
活性化処理工程と、活性化処理された低誘電率絶縁体の
表面にアンカー金属層を形成する無電解めっき工程と、
形成されたアンカー金属層の外周に良導電性金属層を形
成する電気めっき工程とを有すると共に、前記電気めっ
き工程は、銅めっき層を形成する銅めっき工程と，光沢
銅めっき層を形成する光沢銅めっき工程と，ストライク
ニッケルめっき層を形成するストライクニッケルめっき
工程とを有することを構成上の特徴とするものである。
導体の外周に低誘電率絶縁体を被覆する絶縁体被覆工程
と、被覆された低誘電率絶縁体の表面を活性化処理する
活性化処理工程と、活性化処理された低誘電率絶縁体の
表面にアンカー金属層を形成する無電解めっき工程と、
形成されたアンカー金属層の外周に良導電性金属層を形
成する電気めっき工程とを有すると共に、前記電気めっ
き工程は、銅めっき層を形成する銅めっき工程と，光沢
銅めっき層を形成する光沢銅めっき工程と，ストライク
ニッケルめっき層を形成するストライクニッケルめっき
工程とを有することを構成上の特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明の同軸ケーブルでは、絶縁体の外周に、
まず無電解めっきアンカー金属層を設け、さらにその外
周に、電気めっき良導電性金属層を設け、両者を合わせ
て外部導体としている。従って、外部導体に隙間がない
ので、シールド特性は良好である。また、無電解めっき
及び電解めっきで外部導体を形成するので、絶縁導体を
銅パイプに封入する必要がなく、さらに外部導体を薄く
（例えば０．１ｍｍ）形成できるので、曲げやすく、巻
取りも容易になり、長尺品を製造できる。また、長尺品
を製造できるので、保護被覆層を効率良く形成できる。
このため、広い用途に使用できる。また、めっきの液圧
しか加わらないため、寸法精度の低下がなく、特性イン
ピーダンス，電圧定在波比（ＶＳＷＲ）等の高周波伝送
特性が安定になる。さらに、仕上り外径０．９ｍｍ以下
の細径化も可能となる。
まず無電解めっきアンカー金属層を設け、さらにその外
周に、電気めっき良導電性金属層を設け、両者を合わせ
て外部導体としている。従って、外部導体に隙間がない
ので、シールド特性は良好である。また、無電解めっき
及び電解めっきで外部導体を形成するので、絶縁導体を
銅パイプに封入する必要がなく、さらに外部導体を薄く
（例えば０．１ｍｍ）形成できるので、曲げやすく、巻
取りも容易になり、長尺品を製造できる。また、長尺品
を製造できるので、保護被覆層を効率良く形成できる。
このため、広い用途に使用できる。また、めっきの液圧
しか加わらないため、寸法精度の低下がなく、特性イン
ピーダンス，電圧定在波比（ＶＳＷＲ）等の高周波伝送
特性が安定になる。さらに、仕上り外径０．９ｍｍ以下
の細径化も可能となる。
【００１２】また、上記構成の同軸ケーブルにおいて、
前記良導電性金属層３ｂを、銅めっき層３ｃと，光沢銅
めっき層３ｄと，ストライクニッケルめっき層３ｅとか
ら構成しているので、銅めっき層３ｃにより絶縁体との
密着性が向上し、光沢銅めっき層３ｄにより導電性が向
上し、ストライクニッケルめっき層３ｅにより耐食性，
はんだ付け性が向上し、特に好ましい。
前記良導電性金属層３ｂを、銅めっき層３ｃと，光沢銅
めっき層３ｄと，ストライクニッケルめっき層３ｅとか
ら構成しているので、銅めっき層３ｃにより絶縁体との
密着性が向上し、光沢銅めっき層３ｄにより導電性が向
上し、ストライクニッケルめっき層３ｅにより耐食性，
はんだ付け性が向上し、特に好ましい。
【００１３】上記構成の同軸ケーブルにおいて、前記低
誘電率絶縁体を、四弗化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ），四
弗化エチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重
合体樹脂（ＰＦＡ），四弗化エチレン−六弗化プロピレ
ン共重合体樹脂（ＦＥＰ），四弗化エチレン−エチレン
共重合体樹脂（ＥＴＦＥ）等のフッ素樹脂系の低誘電体
樹脂から構成すれば、プラズマ処理，火炎処理，スパッ
タエッチング処理，エキシマレーザー照射処理，金属ナ
トリウム−ナフタレン錯体溶液浸漬処理またはこれらの
組合せにより表面を活性化して好適に無電解めっき及び
電気めっきで外部導体を形成できるので、好ましい。上
記構成の同軸ケーブルにおいて、前記低誘電率絶縁体
を、ポリエチレン（ＰＥ），ポリプロピレン（ＰＰ）樹
脂等のポリオレフィン樹脂系の低誘電体樹脂から構成す
れば、プラズマ処理，火炎処理，クロム酸系または硫酸
系の強酸処理またはこれらの組合せにより表面を活性化
して好適に無電解めっき及び電解めっきで外部導体を形
成できるので、好ましい。
誘電率絶縁体を、四弗化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ），四
弗化エチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重
合体樹脂（ＰＦＡ），四弗化エチレン−六弗化プロピレ
ン共重合体樹脂（ＦＥＰ），四弗化エチレン−エチレン
共重合体樹脂（ＥＴＦＥ）等のフッ素樹脂系の低誘電体
樹脂から構成すれば、プラズマ処理，火炎処理，スパッ
タエッチング処理，エキシマレーザー照射処理，金属ナ
トリウム−ナフタレン錯体溶液浸漬処理またはこれらの
組合せにより表面を活性化して好適に無電解めっき及び
電気めっきで外部導体を形成できるので、好ましい。上
記構成の同軸ケーブルにおいて、前記低誘電率絶縁体
を、ポリエチレン（ＰＥ），ポリプロピレン（ＰＰ）樹
脂等のポリオレフィン樹脂系の低誘電体樹脂から構成す
れば、プラズマ処理，火炎処理，クロム酸系または硫酸
系の強酸処理またはこれらの組合せにより表面を活性化
して好適に無電解めっき及び電解めっきで外部導体を形
成できるので、好ましい。
【００１４】上記構成の同軸ケーブルにおいて、前記中
心導体の外径を０．０５ｍｍ以上，０．２０ｍｍ以下と
し、同軸ケーブルの仕上外径を０．９ｍｍ以下の細径と
すれば、電子機器の機器内配線材として好適に利用で
き、好ましい。
心導体の外径を０．０５ｍｍ以上，０．２０ｍｍ以下と
し、同軸ケーブルの仕上外径を０．９ｍｍ以下の細径と
すれば、電子機器の機器内配線材として好適に利用で
き、好ましい。
【００１５】本発明の同軸ケーブルの製造方法は、絶縁
体の表面を活性化処理してから無電解めっきによりアン
カー金属層を設け、そのアンカー金属層の外周に電気め
っきにより良導電性金属層を設けて、外部導体を形成す
る。このため、絶縁体の外周に、密着性良く，十分な厚
さに，ストレスを加えることなく、外部導体を形成でき
る。そして、これにより、上記作用を持つ同軸ケーブル
を好適に製造できる。また、銅めっき層３ｃを形成し、
次に光沢銅めっき層３ｄを形成し，次にストライクニッ
ケルめっき層３ｅを形成して、上記電気めっきによる良
導電性金属層を形成するので、銅めっき層３ｃにより絶
縁体との密着性が向上し、光沢銅めっき層３ｄにより導
電性が向上し、ストライクニッケルめっき層３ｅにより
耐食性，はんだ付け性が向上し、特に好ましい。
体の表面を活性化処理してから無電解めっきによりアン
カー金属層を設け、そのアンカー金属層の外周に電気め
っきにより良導電性金属層を設けて、外部導体を形成す
る。このため、絶縁体の外周に、密着性良く，十分な厚
さに，ストレスを加えることなく、外部導体を形成でき
る。そして、これにより、上記作用を持つ同軸ケーブル
を好適に製造できる。また、銅めっき層３ｃを形成し、
次に光沢銅めっき層３ｄを形成し，次にストライクニッ
ケルめっき層３ｅを形成して、上記電気めっきによる良
導電性金属層を形成するので、銅めっき層３ｃにより絶
縁体との密着性が向上し、光沢銅めっき層３ｄにより導
電性が向上し、ストライクニッケルめっき層３ｅにより
耐食性，はんだ付け性が向上し、特に好ましい。
【００１６】上記構成の同軸ケーブルの製造方法におい
て、前記電気めっきにより良導電性金属層を設けた後、
熱処理すれば、同軸ケーブルの屈曲性を向上でき、好ま
しい。
て、前記電気めっきにより良導電性金属層を設けた後、
熱処理すれば、同軸ケーブルの屈曲性を向上でき、好ま
しい。
【００１７】
【実施例】以下、図に示す実施例により本発明をさらに
説明する。なお、これにより本発明が限定されるもので
はない。
説明する。なお、これにより本発明が限定されるもので
はない。
【００１８】−実施例１− 図１は、本発明の実施例１の細径同軸ケーブルを示す断
面図である。この細径同軸ケーブル５は、中心導体１
と，絶縁体２と，外部導体３と，保護被覆層４を順に設
けた構造であり、外径０．９ｍｍ，条長１０００ｍ以上
である。前記中心導体１は、外径０．２ｍｍの銀めっき
銅線である。前記絶縁体２は、厚さ０．２ｍｍの四弗化
エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）の焼成体である。前記外部導
体３は、厚さ２．０μｍのＮｉ−Ｐ無電解めっきによる
アンカー金属層３ａと，厚さ１０７μｍの電気めっきに
よる良導電性金属層３ｂとからなっている。その良導電
性金属層３ｂは、図３の（ｇ）に示すように、厚さ５μ
ｍの銅めっき層３ｃと，厚さ１００μｍの光沢銅めっき
層３ｄと，厚さ２μｍのストライクニッケルめっき層３
ｅとからなっている。前記保護被覆層４は、厚さ４１μ
ｍのＰＶＣ樹脂である。
面図である。この細径同軸ケーブル５は、中心導体１
と，絶縁体２と，外部導体３と，保護被覆層４を順に設
けた構造であり、外径０．９ｍｍ，条長１０００ｍ以上
である。前記中心導体１は、外径０．２ｍｍの銀めっき
銅線である。前記絶縁体２は、厚さ０．２ｍｍの四弗化
エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）の焼成体である。前記外部導
体３は、厚さ２．０μｍのＮｉ−Ｐ無電解めっきによる
アンカー金属層３ａと，厚さ１０７μｍの電気めっきに
よる良導電性金属層３ｂとからなっている。その良導電
性金属層３ｂは、図３の（ｇ）に示すように、厚さ５μ
ｍの銅めっき層３ｃと，厚さ１００μｍの光沢銅めっき
層３ｄと，厚さ２μｍのストライクニッケルめっき層３
ｅとからなっている。前記保護被覆層４は、厚さ４１μ
ｍのＰＶＣ樹脂である。
【００１９】図２は、本発明の細径同軸ケーブルの製造
方法のフロー図である。上記細径同軸ケーブル５の製造
を例にとって説明する。絶縁体被覆工程Ｓ１では、外径
０．２０ｍｍの銀めっき銅線を中心導体１として用い、
この外周上にペースト状の四弗化エチレン樹脂（ＰＴＦ
Ｅ）をペースト押出し、焼成し、０．２ｍｍ厚の絶縁体
２を設ける。続いて、この絶縁体２の表面をアルコール
により洗浄し、図３の（ａ）に示す表面の油等の汚れ３
０を除去する。
方法のフロー図である。上記細径同軸ケーブル５の製造
を例にとって説明する。絶縁体被覆工程Ｓ１では、外径
０．２０ｍｍの銀めっき銅線を中心導体１として用い、
この外周上にペースト状の四弗化エチレン樹脂（ＰＴＦ
Ｅ）をペースト押出し、焼成し、０．２ｍｍ厚の絶縁体
２を設ける。続いて、この絶縁体２の表面をアルコール
により洗浄し、図３の（ａ）に示す表面の油等の汚れ３
０を除去する。
【００２０】活性化処理工程Ｓ２では、１０℃のテトラ
エッチ（（商標；潤工社）金属ナトリウム−ナフタレン
錯体溶液）中に１分間浸漬し、絶縁体２の表面を図３の
（ｂ）に示すように活性化する。続いて、アルコールに
より洗浄し、絶縁体２の表面に付着している金属ナトリ
ウム溶液を除去する。なお、テトラエッチの外に、金属
ナトリウムアンモニア液，金属ナトリウム−ナフタレン
−ジエチレングリコールジメチルエーテル混合液などを
用いてもよい。
エッチ（（商標；潤工社）金属ナトリウム−ナフタレン
錯体溶液）中に１分間浸漬し、絶縁体２の表面を図３の
（ｂ）に示すように活性化する。続いて、アルコールに
より洗浄し、絶縁体２の表面に付着している金属ナトリ
ウム溶液を除去する。なお、テトラエッチの外に、金属
ナトリウムアンモニア液，金属ナトリウム−ナフタレン
−ジエチレングリコールジメチルエーテル混合液などを
用いてもよい。
【００２１】無電解めっき工程Ｓ３では、まず前処理と
して、湯洗，水洗を行い、二塩化第一錫（ＳｎＣｌ2 ）
を吸着させ（感受性化，センシタイジング）、さらに二
塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2 ）溶液に浸漬して、図３の
（ｃ）に示すようにパラジウム（Ｐｄ）３１を絶縁体２
の表面に還元析出（アクチベイティング）させる。次
に、８０℃の無電解ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）めっき
液（Ｐ＝３％）を用いて５分間，無電解めっきを行い、
図３の（ｄ）に示すようにＮｉ−Ｐを析出させ、２．０
μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。続いて、超音波
水洗を行う。
して、湯洗，水洗を行い、二塩化第一錫（ＳｎＣｌ2 ）
を吸着させ（感受性化，センシタイジング）、さらに二
塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2 ）溶液に浸漬して、図３の
（ｃ）に示すようにパラジウム（Ｐｄ）３１を絶縁体２
の表面に還元析出（アクチベイティング）させる。次
に、８０℃の無電解ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）めっき
液（Ｐ＝３％）を用いて５分間，無電解めっきを行い、
図３の（ｄ）に示すようにＮｉ−Ｐを析出させ、２．０
μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。続いて、超音波
水洗を行う。
【００２２】電気めっき工程Ｓ４では、２５℃の硫酸銅
めっき液を用いて１Ａ／ｄｍ2 の電流条件で２０分間，
銅の電気めっきを行い、図３の（ｅ）に示すように５μ
ｍ厚の銅めっき層３ｃを設ける。続いて、２５℃の光沢
硫酸銅めっき液を用いて５Ａ／ｄｍ2 の電流条件で９０
分間，電気めっきを行い、図３の（ｆ）に示すように１
００μｍ厚の光沢銅めっき層３ｄを設ける。続いて、２
０℃のストライクニッケルめっき液を用いて５Ａ／ｄｍ
2 の電流条件で５分間，電気めっきを行い、図３の
（ｇ）に示すように２μｍ厚のストライクニッケルめっ
き層３ｅを設ける。以上により、良導電性金属層３ｂを
形成したら、超音波水洗を行い，乾燥させる。
めっき液を用いて１Ａ／ｄｍ2 の電流条件で２０分間，
銅の電気めっきを行い、図３の（ｅ）に示すように５μ
ｍ厚の銅めっき層３ｃを設ける。続いて、２５℃の光沢
硫酸銅めっき液を用いて５Ａ／ｄｍ2 の電流条件で９０
分間，電気めっきを行い、図３の（ｆ）に示すように１
００μｍ厚の光沢銅めっき層３ｄを設ける。続いて、２
０℃のストライクニッケルめっき液を用いて５Ａ／ｄｍ
2 の電流条件で５分間，電気めっきを行い、図３の
（ｇ）に示すように２μｍ厚のストライクニッケルめっ
き層３ｅを設ける。以上により、良導電性金属層３ｂを
形成したら、超音波水洗を行い，乾燥させる。
【００２３】この後、１５０℃で１０分間，熱処理す
る。この熱処理は必ずしも必要ないが、この熱処理を行
えば細径同軸ケーブルの屈曲性が向上する。外被形成工
程Ｓ５では、ＰＶＣ樹脂を押出しして、保護被覆層４を
設ける。
る。この熱処理は必ずしも必要ないが、この熱処理を行
えば細径同軸ケーブルの屈曲性が向上する。外被形成工
程Ｓ５では、ＰＶＣ樹脂を押出しして、保護被覆層４を
設ける。
【００２４】−実施例２− 図４は、本発明の実施例２の細径同軸ケーブルを示す断
面図である。この細径同軸ケーブル６は、中心導体１
と，絶縁体４２と，外部導体３と，保護被覆層４を順に
設けた構造であり、外径０．７ｍｍ，条長１０００ｍ以
上である。前記中心導体１は、外径０．１ｍｍの銀めっ
き銅線である。前記絶縁体４２は、厚さ０．１ｍｍの四
弗化エチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重
合体樹脂（ＰＦＡ）である。前記外部導体３は、厚さ
１．０μｍのＮｉ−Ｐ無電解めっきによるアンカー金属
層３ａと，厚さ８０μｍの良導電性金属層３ｂとからな
っている。その良導電性金属層３ｂは、銅めっき層と，
光沢銅めっき層と，ストライクニッケルめっき層とから
なっている。前記保護被覆層４は、厚さ１１９μｍのＰ
ＶＣ樹脂である。
面図である。この細径同軸ケーブル６は、中心導体１
と，絶縁体４２と，外部導体３と，保護被覆層４を順に
設けた構造であり、外径０．７ｍｍ，条長１０００ｍ以
上である。前記中心導体１は、外径０．１ｍｍの銀めっ
き銅線である。前記絶縁体４２は、厚さ０．１ｍｍの四
弗化エチレン−パーフロロアルキルビニルエーテル共重
合体樹脂（ＰＦＡ）である。前記外部導体３は、厚さ
１．０μｍのＮｉ−Ｐ無電解めっきによるアンカー金属
層３ａと，厚さ８０μｍの良導電性金属層３ｂとからな
っている。その良導電性金属層３ｂは、銅めっき層と，
光沢銅めっき層と，ストライクニッケルめっき層とから
なっている。前記保護被覆層４は、厚さ１１９μｍのＰ
ＶＣ樹脂である。
【００２５】図２のフロー図により、上記細径同軸ケー
ブル６の製造方法を説明する。絶縁体被覆工程Ｓ１で
は、外径０．１ｍｍの銀めっき銅線を中心導体１として
用い、この外周上に四弗化エチレン−パーフロロアルキ
ルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）を押出し、
０．１ｍｍ厚の絶縁体４２を設ける。活性化処理工程Ｓ
２では、１×１０-3Ｔorr のアルゴン（Ａｒ）雰囲気中
で５分間スパッタエッチング処理を行い、更に２０℃の
テトラエッチ中に１分間浸漬し、絶縁体４２の表面を活
性化する。無電解めっき工程Ｓ３では、まず実施例１と
同様に前処理し、次に８０℃の無電解ニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを行い、
１．０μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。続いて、
超音波水洗を行う。電気めっき工程Ｓ４では、２５℃の
硫酸銅めっき液を用いて電気めっきを行い、銅めっき層
を設ける。続いて、２５℃の光沢硫酸銅めっき液を用い
て電気めっきを行い、光沢銅めっき層を設ける。続い
て、２０℃のストライクニッケルめっき液を用いて電気
めっきを行い、ストライクニッケルめっき層を設ける。
以上により、良導電性金属層３ｂを形成したら、超音波
水洗を行い，乾燥させる。外被形成工程Ｓ５では、ＰＶ
Ｃ樹脂を押出しして、保護被覆層４を設ける。
ブル６の製造方法を説明する。絶縁体被覆工程Ｓ１で
は、外径０．１ｍｍの銀めっき銅線を中心導体１として
用い、この外周上に四弗化エチレン−パーフロロアルキ
ルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）を押出し、
０．１ｍｍ厚の絶縁体４２を設ける。活性化処理工程Ｓ
２では、１×１０-3Ｔorr のアルゴン（Ａｒ）雰囲気中
で５分間スパッタエッチング処理を行い、更に２０℃の
テトラエッチ中に１分間浸漬し、絶縁体４２の表面を活
性化する。無電解めっき工程Ｓ３では、まず実施例１と
同様に前処理し、次に８０℃の無電解ニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを行い、
１．０μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。続いて、
超音波水洗を行う。電気めっき工程Ｓ４では、２５℃の
硫酸銅めっき液を用いて電気めっきを行い、銅めっき層
を設ける。続いて、２５℃の光沢硫酸銅めっき液を用い
て電気めっきを行い、光沢銅めっき層を設ける。続い
て、２０℃のストライクニッケルめっき液を用いて電気
めっきを行い、ストライクニッケルめっき層を設ける。
以上により、良導電性金属層３ｂを形成したら、超音波
水洗を行い，乾燥させる。外被形成工程Ｓ５では、ＰＶ
Ｃ樹脂を押出しして、保護被覆層４を設ける。
【００２６】−実施例３− 図５は、本発明の実施例３の細径同軸ケーブルを示す断
面図である。この細径同軸ケーブル７は、中心導体１
と，絶縁体５２と，外部導体３と，保護被覆層４を順に
設けた構造であり、外径０．５ｍｍ，条長１０００ｍ以
上である。前記中心導体１は、外径０．０５ｍｍの銅線
である。前記絶縁体５２は、厚さ０．０５ｍｍの四弗化
エチレン−六弗化プロピレン共重合体樹脂（ＦＥＰ）で
ある。前記外部導体３は、厚さ０．３μｍのＮｉ−Ｐ無
電解めっきによるアンカー金属層３ａと，厚さ３０μｍ
の良導電性金属層３ｂとからなっている。その良導電性
金属層３ｂは、銅めっき層と，光沢銅めっき層と，スト
ライクニッケルめっき層とからなっている。前記保護被
覆層４は、厚さ１４４．７μｍのアクリル樹脂である。
面図である。この細径同軸ケーブル７は、中心導体１
と，絶縁体５２と，外部導体３と，保護被覆層４を順に
設けた構造であり、外径０．５ｍｍ，条長１０００ｍ以
上である。前記中心導体１は、外径０．０５ｍｍの銅線
である。前記絶縁体５２は、厚さ０．０５ｍｍの四弗化
エチレン−六弗化プロピレン共重合体樹脂（ＦＥＰ）で
ある。前記外部導体３は、厚さ０．３μｍのＮｉ−Ｐ無
電解めっきによるアンカー金属層３ａと，厚さ３０μｍ
の良導電性金属層３ｂとからなっている。その良導電性
金属層３ｂは、銅めっき層と，光沢銅めっき層と，スト
ライクニッケルめっき層とからなっている。前記保護被
覆層４は、厚さ１４４．７μｍのアクリル樹脂である。
【００２７】図２のフロー図により、上記細径同軸ケー
ブル７の製造方法を説明する。絶縁体被覆工程Ｓ１で
は、外径０．０５ｍｍの銅線を中心導体１として用い、
この外周上に四弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合
体樹脂（ＦＥＰ）を押出し、０．０５ｍｍ厚の絶縁体５
２を設ける。活性化処理工程Ｓ２では、エキシマレーザ
ー照射処理を行い、絶縁体５２の表面を活性化する。無
電解めっき工程Ｓ３では、まず実施例１と同様に前処理
し、次にＮｉ−Ｐ無電解めっきを行い、０．３μｍ厚の
アンカー金属層３ａを設ける。電気めっき工程Ｓ４で
は、２５℃の硫酸銅めっき液を用いて電気めっきを行
い、銅めっき層を設ける。続いて、２５℃の光沢硫酸銅
めっき液を用いて電気めっきを行い、光沢銅めっき層を
設ける。続いて、２０℃のストライクニッケルめっき液
を用いて電気めっきを行い、ストライクニッケルめっき
層を設ける。以上により、良導電性金属層３ｂを形成し
たら、超音波水洗を行い，乾燥させる。外被形成工程Ｓ
５では、アクリル樹脂を塗装して、保護被覆層４を設け
る。
ブル７の製造方法を説明する。絶縁体被覆工程Ｓ１で
は、外径０．０５ｍｍの銅線を中心導体１として用い、
この外周上に四弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合
体樹脂（ＦＥＰ）を押出し、０．０５ｍｍ厚の絶縁体５
２を設ける。活性化処理工程Ｓ２では、エキシマレーザ
ー照射処理を行い、絶縁体５２の表面を活性化する。無
電解めっき工程Ｓ３では、まず実施例１と同様に前処理
し、次にＮｉ−Ｐ無電解めっきを行い、０．３μｍ厚の
アンカー金属層３ａを設ける。電気めっき工程Ｓ４で
は、２５℃の硫酸銅めっき液を用いて電気めっきを行
い、銅めっき層を設ける。続いて、２５℃の光沢硫酸銅
めっき液を用いて電気めっきを行い、光沢銅めっき層を
設ける。続いて、２０℃のストライクニッケルめっき液
を用いて電気めっきを行い、ストライクニッケルめっき
層を設ける。以上により、良導電性金属層３ｂを形成し
たら、超音波水洗を行い，乾燥させる。外被形成工程Ｓ
５では、アクリル樹脂を塗装して、保護被覆層４を設け
る。
【００２８】−実施例４− 図６は、本発明の実施例４の細径同軸ケーブルを示す断
面図である。この細径同軸ケーブル８は、中心導体１
と，絶縁体６２と，外部導体３と，保護被覆層４を順に
設けた構造であり、外径０．７ｍｍ，条長１０００ｍ以
上である。前記中心導体１は、外径０．２ｍｍの銀めっ
き銅線である。前記絶縁体６２は、厚さ０．１ｍｍのポ
リエチレン樹脂（ＰＥ）である。前記外部導体３は、厚
さ１．０μｍのＮｉ−Ｐ無電解めっきによるアンカー金
属層３ａと，厚さ５０μｍの良導電性金属層３ｂとから
なっている。その良導電性金属層３ｂは、銅めっき層
と，光沢銅めっき層と，ストライクニッケルめっき層と
からなっている。前記保護被覆層４は、厚さ９９μｍの
ＰＶＣ樹脂である。
面図である。この細径同軸ケーブル８は、中心導体１
と，絶縁体６２と，外部導体３と，保護被覆層４を順に
設けた構造であり、外径０．７ｍｍ，条長１０００ｍ以
上である。前記中心導体１は、外径０．２ｍｍの銀めっ
き銅線である。前記絶縁体６２は、厚さ０．１ｍｍのポ
リエチレン樹脂（ＰＥ）である。前記外部導体３は、厚
さ１．０μｍのＮｉ−Ｐ無電解めっきによるアンカー金
属層３ａと，厚さ５０μｍの良導電性金属層３ｂとから
なっている。その良導電性金属層３ｂは、銅めっき層
と，光沢銅めっき層と，ストライクニッケルめっき層と
からなっている。前記保護被覆層４は、厚さ９９μｍの
ＰＶＣ樹脂である。
【００２９】図２のフロー図により、上記細径同軸ケー
ブル８の製造方法を説明する。絶縁体被覆工程Ｓ１で
は、外径０．２ｍｍの銀めっき銅線を中心導体１として
用い、この外周上にポリエチレン樹脂（ＰＥ）を押出
し、０．１ｍｍ厚の絶縁体６２を設ける。活性化処理工
程Ｓ２では、クロム酸飽和硫酸液に浸漬し、絶縁体６２
の表面を活性化する。無電解めっき工程Ｓ３では、まず
実施例１と同様に前処理し、次に８０℃の無電解ニッケ
ル−リン（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを
行い、１．０μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。電
気めっき工程Ｓ４では、２５℃の硫酸銅めっき液を用い
て電気めっきを行い、銅めっき層を設ける。続いて、２
５℃の光沢硫酸銅めっき液を用いて電気めっきを行い、
光沢銅めっき層を設ける。続いて、２０℃のストライク
ニッケルめっき液を用いて電気めっきを行い、ストライ
クニッケルめっき層を設ける。以上により、良導電性金
属層３ｂを形成したら、超音波水洗を行い，乾燥させ
る。外被形成工程Ｓ５では、ＰＶＣ樹脂を押出しして、
保護被覆層４を設ける。
ブル８の製造方法を説明する。絶縁体被覆工程Ｓ１で
は、外径０．２ｍｍの銀めっき銅線を中心導体１として
用い、この外周上にポリエチレン樹脂（ＰＥ）を押出
し、０．１ｍｍ厚の絶縁体６２を設ける。活性化処理工
程Ｓ２では、クロム酸飽和硫酸液に浸漬し、絶縁体６２
の表面を活性化する。無電解めっき工程Ｓ３では、まず
実施例１と同様に前処理し、次に８０℃の無電解ニッケ
ル−リン（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを
行い、１．０μｍ厚のアンカー金属層３ａを設ける。電
気めっき工程Ｓ４では、２５℃の硫酸銅めっき液を用い
て電気めっきを行い、銅めっき層を設ける。続いて、２
５℃の光沢硫酸銅めっき液を用いて電気めっきを行い、
光沢銅めっき層を設ける。続いて、２０℃のストライク
ニッケルめっき液を用いて電気めっきを行い、ストライ
クニッケルめっき層を設ける。以上により、良導電性金
属層３ｂを形成したら、超音波水洗を行い，乾燥させ
る。外被形成工程Ｓ５では、ＰＶＣ樹脂を押出しして、
保護被覆層４を設ける。
【００３０】−他の実施例− 上記実施例１〜実施例４の無電解Ｎｉ−Ｐめっきの代わ
りに、銅，ニッケル−硼素（Ｎｉ−Ｂ）等の無電解めっ
きを行って、アンカー金属層３ａを形成してもよい。ま
た、電気めっきの銅の代わりに、銀を使って、良導電性
金属層３ｂを形成してもよい。
りに、銅，ニッケル−硼素（Ｎｉ−Ｂ）等の無電解めっ
きを行って、アンカー金属層３ａを形成してもよい。ま
た、電気めっきの銅の代わりに、銀を使って、良導電性
金属層３ｂを形成してもよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明の同軸ケーブルおよびその製造方
法によれば、外部導体をめっきで薄く形成するので、外
部導体に隙間がなく、シールド特性が良好となる。ま
た、曲げやすく、巻取りも容易になり、長尺品を製造で
きる。また、保護被覆層を効率良く形成できため、広い
用途に使用できる。また、寸法精度が高く、高周波伝送
特性が安定になる。さらに、仕上り外径０．９ｍｍ以下
の細径化も可能となる。そこで、高周波回路基板，高周
波部品等における高周波信号の伝送線路，機器内配線材
として有用である。
法によれば、外部導体をめっきで薄く形成するので、外
部導体に隙間がなく、シールド特性が良好となる。ま
た、曲げやすく、巻取りも容易になり、長尺品を製造で
きる。また、保護被覆層を効率良く形成できため、広い
用途に使用できる。また、寸法精度が高く、高周波伝送
特性が安定になる。さらに、仕上り外径０．９ｍｍ以下
の細径化も可能となる。そこで、高周波回路基板，高周
波部品等における高周波信号の伝送線路，機器内配線材
として有用である。
【００３２】特に、外部導体を、無電解めっきアンカー
金属層と，このアンカー金属層の外周に設けた電気めっ
き良導電性金属層とから構成し、その良導電性金属層
を、銅めっき層と，光沢銅めっき層と，ストライクニッ
ケルめっき層とから構成しているから、密着性，導電
性，耐食性，はんだ付け性を向上することが出来る。
金属層と，このアンカー金属層の外周に設けた電気めっ
き良導電性金属層とから構成し、その良導電性金属層
を、銅めっき層と，光沢銅めっき層と，ストライクニッ
ケルめっき層とから構成しているから、密着性，導電
性，耐食性，はんだ付け性を向上することが出来る。
【図１】本発明の実施例１の細径同軸ケーブルを示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の同軸ケーブルの製造方法を示すフロー
図である。
図である。
【図３】図１の細径同軸ケーブルの外部導体の形成過程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図４】本発明の実施例２の細径同軸ケーブルを示す断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の実施例３の細径同軸ケーブルを示す断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の実施例４の細径同軸ケーブルを示す断
面図である。
面図である。
【図７】公知のセミリジット同軸ケーブルの一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】公知の一般の同軸ケーブルの一例を示す一部切
り欠き正面図である。
り欠き正面図である。
１ 中心導体 ２ 絶縁体 ３ 外部導体 ３ａ アンカー金属層 ３ｂ 良導電性金属層 ３ｃ 銅めっき層 ３ｄ 光沢銅めっき層 ３ｅ ストライクニッケルめっき層 ４ 保護被覆層 ５，６，７，８ 細径同軸ケーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北沢 弘 長野県上田市大字大屋300番地 東京特 殊電線株式会社 上田工場内 (56)参考文献 特開 平５−342930（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−33117（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭49−4704（ＪＰ，Ｙ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 11/18 H01B 7/18 H01B 11/06 H01B 13/00 553
Claims (11)
- 【請求項１】 中心導体の外周に低誘電率絶縁体および
外部導体を順に設けてなる同軸ケーブルにおいて、 前記外部導体は、無電解めっきアンカー金属層と、この
アンカー金属層の外周に設けた電気めっき良導電性金属
層からなると共に、前記電気めっき良導電性金属層が、
銅めっき層と，光沢銅めっき層と，ストライクニッケル
めっき層とからなることを特徴とする同軸ケーブル。 - 【請求項２】 請求項１に記載の同軸ケーブルにおい
て、外部導体の外周に保護被覆層を設けたことを特徴と
する同軸ケーブル。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の同軸ケ
ーブルにおいて、前記電気めっき良導電性金属層の厚さ
が、３０μｍ以上，１０７μｍ以下であることを特徴と
する同軸ケーブル。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の同軸ケーブルにおいて、前記低誘電率絶縁体が、フッ
素樹脂系またはポリオレフィン樹脂系の低誘電体樹脂か
らなることを特徴とする同軸ケーブル。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の同軸ケーブルにおいて、前記中心導体の外径が０．０
５ｍｍ以上，０．２０ｍｍ以下であり、同軸ケーブルの
仕上外径が０．９ｍｍ以下の細径であることを特徴とす
る同軸ケーブル。 - 【請求項６】 中心導体の外周に低誘電率絶縁体を被覆
する絶縁体被覆工程と、被覆された低誘電率絶縁体の表
面を活性化処理する活性化処理工程と、活性化処理され
た低誘電率絶縁体の表面にアンカー金属層を形成する無
電解めっき工程と、形成されたアンカー金属層の外周に
良導電性金属層を形成する電気めっき工程とを有すると
共に、前記電気めっき工程は、銅めっき層を形成する銅
めっき工程と，光沢銅めっき層を形成する光沢銅めっき
工程と，ストライクニッケルめっき層を形成するストラ
イクニッケルめっき工程とを有することを特徴とする同
軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の同軸ケーブルの製造方
法において、前記良導電性金属層の外周に保護被覆層を
設ける外被形成工程をさらに有することを特徴とする同
軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項８】 請求項６または請求項７に記載の同軸ケ
ーブルの製造方法において、前記電気めっき工程で形成
する前記電気めっき良導電性金属層の厚さが、３０μｍ
以上，１０７μｍ以下であることを特徴とする同軸ケー
ブルの製造方法。 - 【請求項９】 請求項６から請求項８のいずれかに記載
の同軸ケーブルの製造方法において、前記低誘電率絶縁
体がフッ素樹脂系の低誘電体樹脂である場合に、前記活
性化処理が、スパッタエッチング処理，エキシマレーザ
ー照射処理，金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液浸漬
処理またはこれらの組合せであることを特徴とする同軸
ケーブルの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項６から請求項９のいずれかに記
載の同軸ケーブルの製造方法において、前記低誘電率絶
縁体が、ポリオレフィン樹脂系の低誘電体樹脂である場
合に、前記活性化処理が、プラズマ処理，火炎処理，ク
ロム酸系または硫酸系の強酸処理またはこれらの組合せ
であることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項６から請求項１０のいずれかに
記載の同軸ケーブルの製造方法において、前記電気めっ
き工程の後に、熱処理工程を有することを特徴とする同
軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230264A JP3010336B2 (ja) | 1992-09-26 | 1993-09-16 | 同軸ケーブルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28073392 | 1992-09-26 | ||
| JP4-280733 | 1992-09-26 | ||
| JP5230264A JP3010336B2 (ja) | 1992-09-26 | 1993-09-16 | 同軸ケーブルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06187847A JPH06187847A (ja) | 1994-07-08 |
| JP3010336B2 true JP3010336B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=26529243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5230264A Expired - Fee Related JP3010336B2 (ja) | 1992-09-26 | 1993-09-16 | 同軸ケーブルおよびその製造方法 |
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| JP6880471B2 (ja) * | 2020-11-30 | 2021-06-02 | 日立金属株式会社 | 高周波信号伝送用ケーブル |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5230264A patent/JP3010336B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH06187847A (ja) | 1994-07-08 |
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