JP2925355B2

JP2925355B2 - 半導体装置の製造装置

Info

Publication number: JP2925355B2
Application number: JP12145291A
Authority: JP
Inventors: 規安加島; 幸一郎渥美; 之宏池谷
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-05-27
Filing date: 1991-05-27
Publication date: 1999-07-28
Anticipated expiration: 2014-07-28
Also published as: JPH04349639A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＴＡＢ(Tape Automa
ted Bonding)方式を採用した半導体装置の製造装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近時、半導体装置の製造装置として、シ
ネフィルム状のフィルムキャリアを走行させて半導体素
子を搬送するＴＡＢ(Tape Automated Bonding)方式を採
用したものが普及している。そして、半導体装置の各製
造工程に用いられる各種装置のうちＴＡＢ方式を採用し
たものとして、フィルムキャリアにインナ−リ−ドボン
ディングされた半導体素子を樹脂で封止するポッティン
グ装置を有する半導体素子の製造装置がある。

【０００３】従来、この半導体装置の製造装置１（以下
「製造装置」と称する）は図４に示すように構成されて
いる。すなわち、この製造装置１は互いに連結されたテ
−プ供給装置２、ポッティング装置３、加熱炉装置４、
テ−プ巻取装置５を備えている。

【０００４】上記テ−プ供給装置２は、半導体素子がイ
ンナ−リ−ドボンディングされたフィルムキャリア６が
保護テ−プ７と共に巻回された供給リ−ル８を有する。
そして、上記テ−プ供給装置２は上記供給リ−ル８から
フィルムキャリア６を延出させ、ポッティング装置３に
供給する。

【０００５】上記テ−プ供給装置２から上記ポッティン
グ装置３に供給されたフィルムキャリア６は、間欠送り
されることによって、図５に示すように、フィルムキャ
リア６にインナ−リ−ドボンディングされた半導体素子
９を、図示しないＸ−Ｙテ−ブルに取付けられたシリン
ジ１０の下方で停止させる。

【０００６】上記ポッティング装置３は上記シリンジ１
０を、ＸＹ方向に駆動しながら、シリンジ１０内に貯え
られた封止用樹脂１１を、半導体素子９の電極９ａとフ
ィルムキャリア６のインナ−リ−ド１２との接合部を覆
うように滴下する。このことにより、上記半導体素子９
の表面は、封止用樹脂１１によりコ−ティングされる。

【０００７】また、このポッティング装置３は、コ−テ
ィングされた半導体素子９を保持したフィルムキャリア
６を、上記封止用樹脂１１を硬化させるための加熱炉装
置４に送り駆動する。

【０００８】上記加熱炉装置４は、加熱炉１３内に設け
られたガイドロ−ラ１４…等によりフィルムキャリア６
を所定時間走行させることで、封止用樹脂１１を硬化さ
せる。

【０００９】さらに、上記加熱炉装置４はフィルムキャ
リア６をテ−プ巻取装置５に送る。そして、このテ−プ
巻取装置５は巻取リ−ル１５によりフィルムキャリア６
を、封止用樹脂１１の硬化の済んだ部分から、保護テ−
プ１６と共に順次巻取る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記半導体
装置の製造装置１によれば、上記加熱炉１３内において
上記フィルムキャリア６をガイドロ−ラ１４によって反
転させているために封止用樹脂１１が流れ出す恐れがあ
る。このため、上記封止用樹脂１１が少なくともゲル化
（流動しない状態）するまで、図４に（イ）で示すよう
に、フィルムキャリア６を水平に走行させなければなら
ない。

【００１１】ところが、コ−ティングする封止用樹脂１
１の性質、種類あるいは封止用樹脂１１の量の変化によ
り、ゲル化に必要な時間が長くなった場合には、その分
フィルムキャリア６の送り速度を遅くして水平状態で走
行する時間を長くしなければならない。このため半導体
装置を製造するタクトタイムが延びるということがあ
る。

【００１２】タクトタイムがのびると、作業能率が悪く
なるばかりか、これに伴って周辺の装置（アウタリ−ド
ボンディング装置、検査装置等）のタクトタイムも調整
する必要があり、作業が面倒になる。

【００１３】一方、タクトタイムを優先して、送り速度
を常に一定にするようにすると、前述のように封止用樹
脂１１がゲル化していない状態で上記ガイドロ−ラ１４
でフィルムキャリア６を反転させてしまい、封止用樹脂
１１が半導体素子９の表面から流れ出す恐れがある。

【００１４】また、従来は半導体素子９のインナ−リ−
ドボンディングに不良（ボンディング不良）がある場合
には、ポッティングする前に、目視の外観検査装置によ
りその不良部分を発見し、その部分の半導体素子９を手
動で打ち抜いてポッティングしないようにしていた。こ
れでは、手間と時間がかかるということがある。この発
明の目的とするところは、作業性がよく、さらに、不良
の発生を低減することが可能な半導体装置の製造装置を
提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、半導体素子がボンディングされたフィルムキャリア
を走行させるフィルムキャリア駆動手段と、上記フィル
ムキャリアにボンディングされた半導体素子を封止用樹
脂でコ−ティングするポッティング手段と、上記フィル
ムキャリアを少なくとも一つの半導体素子を有するフィ
ルム片に切断する切断手段と、切断された複数のフィル
ム片を収納するマガジンと、上記マガジンを加熱して上
記封止用樹脂を硬化させる加熱炉及び上記マガジンを上
記加熱炉内で水平方向に走行させるコンベアを有し上記
コンベアにより上記封止用樹脂の種類及び上記加熱炉の
長さに応じて上記マガジンの送り速さを変化させる硬化
手段とを有することを特徴とする。

【００１６】この発明の第２の手段は、半導体素子がボ
ンディングされたフィルムキャリアを走行させるフィル
ムキャリア駆動手段と、上記半導体素子に封止用樹脂を
コ−ティングするポッティング手段とを有する半導体素
子の製造装置において、上記半導体素子のボンディング
不良を検査する検査手段と、この検査手段からの検査信
号に基づいて上記ポッティング手段によりボンディング
不良のない上記半導体素子のみコ−ティングさせる制御
手段とを有することを特徴とする。

【００１７】

【作用】このような構成によれば、作業性を向上できる
ようにするとともに、不良の発生を低減できる。

【００１８】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図１に基づいて
説明する。なお、従来例と同一構成要素には同一記号を
付して説明を省略する。

【００１９】図１はこの発明による半導体装置の製造装
置（以下、製造装置と称する）２０の一実施例を示すも
のである。この製造装置２０は、互いに連結されたテ−
プ供給装置２、インナリ−ドボンディング装置２２、外
観検査装置２３（検査手段）、ポッティング装置２４
（ポッティング手段）、切断装置２５（切断手段）、マ
ガジン装置２６、および加熱炉装置２７（硬化手段）を
備えている。

【００２０】上記テ−プ供給装置２の供給リ−ル８に
は、従来例と異なり、半導体素子９がインナ−リ−ドボ
ンディングされていない状態のフィルムキャリア６が巻
回されている。このフィルムキャリア６はテ−プ供給装
置２から供給され、上記インナ−リ−ドボンディング装
置２２へ送られる。

【００２１】そして、上記インナ−リ−ドボンディング
装置２２、外観検査装置２３、ポッティング装置２４
は、略同じ高さに形成されたテ−ブル２８…を有し、こ
のテ−ブル２８の上方には従来例と同様にテ−プ供給装
置２から供給されたフィルムキャリア６が水平に走行さ
せられるようになっている。

【００２２】インナリ−ドボンディング装置２２には、
インナリ−ドボンディングするのに十分な温度に加熱さ
れるボンディングツ−ル３０と、ボンディングツ−ル３
０の下方に配置され、上面に半導体素子９を保持する作
業ステ−ジ３１とが設けられている。

【００２３】上記外観検査装置２３には、上記インナ−
リ−ドボンディング装置２２によってフィルムキャリア
６にインナ−リ−ドボンディングされた半導体素子９の
ボンディング不良を検知可能な第１の撮像カメラ３２が
撮像面を上記フィルムキャリア６に対向させて設けられ
ている。

【００２４】上記ポッティング装置２４には、Ｘ−Ｙテ
−ブルに取付けられ、その内部に貯えられた熱硬化性の
封止用樹脂１１を吐出するシリンジ１０と、上記ＸＹテ
−ブルに撮像面を下方に向けて取り付けられた第２の撮
像カメラ３４と、上記半導体素子９にコ−ティングされ
た封止用樹脂１１の高さ（盛り上がり量）を測定する変
位センサ３５とが設けられている。

【００２５】上記シリンジ１０は制御手段としてのコン
トロ−ラ２９によって制御されるようになっている。す
なわち、このコントロ−ラ２９は上記外観検査装置２３
からの信号に基づいてボンディング不良のない半導体素
子９のみをコ−ティングするよう上記シリンジ１０に吐
出命令を発し、これを制御する。

【００２６】さらに、上記変位センサ３５はコ−ティン
グされた封止用樹脂樹脂１１の高さ（盛り上がり量）を
計測し、その計測信号を上記コントロ−ラ２９へ入力す
る。コントロ−ラ２９はこの計測信号に基づいて、上記
シリンジ１０の吐出量を封止用樹脂１１の高さが常に一
定になるように制御する。

【００２７】上記切断装置２５は、フィルムキャリア６
の上側および下側にそれぞれ配置され、このフィルムキ
ャリア６を一つ一つの半導体素子９毎に短冊状のフィル
ム片６´…に切断する一対の切断カッター３６、３６を
有する。この切断カッター３６は上記フィルムキャリア
６の間欠送り動作に連動していて、送り１ピッチ又は複
数ピッチごとに作動して上記フィルムキャリア６を切断
する。

【００２８】上記マガジン装置２６は、上記フィルム片
６´を収納する収納棚３７ａが上下方向に複数段設けら
れたマガジン３７を有する。また、上記マガジン装置２
６は上記マガジン３７を上面に保持しかつこのマガジン
３７を加熱炉装置２７へ搬送する第１のコンベア３８を
有する。上記マガジン３７はこの第１のコンベア３８の
上面に、上記収納棚３７ａ…を上記切断装置２５に対向
させた状態で供給される。ここで、マガジン３７に収納
されたフィルム片６´は、常に水平状態に保持されてい
る。

【００２９】さらに、上記マガジン装置２６は、上記第
１のコンベア３８を上下駆動自在に支持する図示しない
エレベ−タ手段を有する。そして、上記エレベ−タ手段
は、上記第１のコンベア３８の上面に保持されたマガジ
ン３７を図に矢印で示すように上下方向に位置決め駆動
し、このマガジン３７の各収納棚３７ａを順次上記フィ
ルムキャリア６の走行面の高さに停止させる。

【００３０】上記加熱炉装置２７は、図示しない加熱手
段によって適当な温度プロフィルに設定された加熱炉３
９を有する。また、上記加熱炉装置２７は、加熱炉３９
の内部に設けられ、上記マガジン３７を水平方向に搬送
する第２のコンベア４１を有する。この第２のコンベア
４１の終端部４１ａは上記加熱炉３９の外部に延出され
ていて、上記加熱炉３９内のマガジン３７を上記加熱炉
３９の外へ搬送する。次に、この製造装置２０の動作を
説明する。

【００３１】この製造装置２０を作動させる前に、ま
ず、上記ポッティング装置２４のシリンジ１０を保持す
るＸＹテ−ブルにポッティング経路を教示しなければな
らない。すなわち、ポッティングにおいては、上記フィ
ルムキャリア６にインナ−リ−ドボンディングされた半
導体素子９の電極９ａの部分に沿って封止用樹脂１１を
滴下しなければならないが、その電極９ａの配置は半導
体素子９の大きさによって異なるからである。

【００３２】そこで、上記ポッティング装置２４のＸＹ
テ−ブルに設けられた第２の撮像カメラ３４でポッティ
ング経路をトレ−スし、その動きをＸＹテ−ブルに記憶
させる。このことにより、上記ＸＹテ−ブルはシリンジ
１０を上記ポッティング経路に沿って駆動することがで
きる。

【００３３】上記教示が終わったならば製造装置２０の
上記テ−プ供給装置２および、上記テ−ブル２８の上方
に配設された図示しない複数個の送りロ−ラは、上記フ
ィルムキャリア６を間欠送りする。

【００３４】上記ボンディング装置２２は、フィルムキ
ャリア６に長手方向に沿って略等ピッチで形成された回
路パタ−ン（インナ−リ−ド１２）を、まず、作業ステ
−ジ３１に載置された半導体素子９に対向させる。そし
て、加熱されたボンディングツ−ル３０を下降させて上
記インナリ−ド１２と半導体素子９の電極９ａとを熱圧
着により接続し、半導体素子９をフィルムキャリア６に
インナ−リ−ドボンディングする。そして、上記ボンデ
ィング装置２２によってフィルムキャリア６にインナリ
−ドボンディングされた半導体素子９は上記外観検査装
置２３に搬送される。

【００３５】外観検査装置２３は、インナ−リ−ドボン
ディングの不良を検知したならばその検知信号を上記ポ
ッティング装置２４のコントロ−ラ２９に送る。そし
て、この外観検査装置２３によって検査された半導体素
子９はポッティング装置に順次搬送される。

【００３６】上記ポッティング装置２４は半導体素子９
をシリンジ１０の下方で停止させる。このポッティング
装置２４のコントロ−ラ２９は、上記外観検査装置２３
からの検知信号により、ボンディング不良のない半導体
素子９にのみ、図５を引用して示すようにシリンジ１０
から封止用樹脂１１を滴下する。そして、上記コントロ
−ラ２９は、上記図示しないＸＹテ−ブルを作動させ、
上記シリンジ１０を、教示されたポッティング経路にし
たがってＸＹ方向に駆動し、上記封止用樹脂１１で上記
半導体素子９全体をコ−ティングする。

【００３７】上記ポッティング装置２４によって、ポッ
ティングが終了した半導体素子９は切断装置２５に搬送
される。この切断装置２５は上記一対の切断カッター３
６、３６によって上記フィルムキャリア６を一つの半導
体素子９毎に等間隔で、短冊状のフィルム片６´…に切
断する。

【００３８】さらに、上記切断装置２５は上記フィルム
片６´を図示しない搬送手段によって、上記マガジン装
置２６に送る。そしてそのフィルム片６´は上記マガジ
ン３７の最下段の収納棚３７ａに挿入される。

【００３９】一方、上記切断装置２５は、切断した短冊
状のフィルム片６´…のうちボンディング不良のあるフ
ィルム片６´を上記外観検査装置２３の検知信号に基づ
いて図示しない排除手段によって排除する。このことに
よりボンディング不良のあるフィルム片６´は、この後
の工程には送られない。

【００４０】上記マガジン装置２６は上記マガジン３７
の最下段の収納棚３７ａに最初のフィルム片６´を収納
したならば、上記エレベ−タ手段により上記マガジン３
７を下方向に駆動し、一段上の収納棚３７ａをフィルム
キャリア６の走行高さに対向位置決めする。

【００４１】この収納棚３７ａに次のフィルム片６´が
収納されたならば、上記マガジン装置２５は上述の動作
を、上記マガジン３７のすべての収納棚３７ａ…に上記
短冊状のフィルム片６´…が収納されるまで繰り返す。
上記マガジン３７のすべての収納棚３７ａ…に上記短冊
状のフィルム片６´…が保持されたならば、上記エレベ
−タ手段は上記第１のコンベア３８を上方向へ駆動し、
上記第２のコンベア４１の高さに位置決めする。そし
て、上記マガジン装置２６は上記第１のコンベア３８を
作動させ、上記マガジン３７を加熱炉装置２７の第２の
コンベア４１に受け渡す。

【００４２】上記加熱炉装置２７は上記第２のコンベア
４１を、上記半導体素子９をコ−ティングする封止用樹
脂１１が硬化するのに十分な速さで作動させ、上記第１
のコンベア３８から受け渡された上記マガジン３７を上
記加熱炉３９内で搬送し、上記マガジン３７に保持され
た複数個の短冊状のフィルム片６´…のすべての封止用
樹脂１１を硬化させる。

【００４３】上記マガジン３７は上記加熱炉３９内を通
過し、上記第２のコンベア４１の後端部４１ａに搬送さ
れる。ついで図示しない搬送手段によって上記マガジン
３７は、次の工程を行うアウタリ−ドボンディング装置
あるいは打ち抜き装置（パンチング）に搬送される。

【００４４】ここで、上記第２のコンベア４１の送り速
さは、上記加熱炉３９の長さと、封止用樹脂１１の硬化
時間とによって設定されるものである。封止用樹脂１１
の種類が変り、上記封止用樹脂１１の硬化時間が変化し
た場合には、上記第２のコンベア４１の送り速度を変化
させる。もし、上記封止用樹脂１１の硬化時間が２倍に
なった場合には、上記第２のコンベア４１の送り速度を
２分の１倍にする。

【００４５】このような構成によれば、上記封止用樹脂
１１の硬化をマガジン３７に収納した状態で行うように
したので、封止用樹脂１１の特性が変化しても上記フィ
ルムキャリア６の送り速度を変えなくてもよい。このこ
とにより半導体装置製造２０のタクトタイムを常に一定
に保つことができる。

【００４６】例えば、上記フィルムキャリア６の送り速
度ｔが１秒／１チップ、マガジン３７の段数が１０段、
加熱炉３９の通過時間が３０秒とすると、１０秒毎に１
個のマガジン３７が上記加熱炉３９から排出される。

【００４７】仮に、封止用樹脂１１の種類が変わって硬
化時間に６０秒（２倍）必要であるとすると、上記第２
のコンベア４１の送り速度２分の１にして、加熱炉３９
の通過時間を６０秒にする。この場合においても、上記
フィルムキャリア６の送り速度ｔを１秒／１チップとす
ると、１０秒毎に一つのマガジン３７が上記加熱炉３９
内に送り込まれる。このことにより、上記加熱炉３９か
ら１０秒毎に１個のマガジン３７が排出されるので、最
初の場合と製造のタクトタイムは変わらず、どちらも１
秒／１チップとなる。このことにより、封止用樹脂１１
の特性が変化して加熱時間を変えても、常に１秒／１ピ
ッチのタクトタイムで半導体装置を製造することができ
る。

【００４８】また、上述のように、上記第２のコンベア
４１の送り速度を小さくしても、加熱炉３９から上記マ
ガジン３７が排出される時間間隔は一定である（１０秒
／１マガジン）。このことにより、封止用樹脂１１の種
類が変化しても、ポッティング工程の次の工程を行う打
ち抜き装置、あるいはアウタリ−ドボンディング装置の
タクトタイムを調整する必要がないので作業工程が簡略
化される。

【００４９】さらに、従来例においては、図４を引用し
て示すように、ポッティングが終了したフィルムキャリ
ア６を巻取装置５によって巻取リ−ル１５に巻き取るよ
うにしていたが、この発明では切断装置２５で短冊状に
切断してマガジン３７に収納するようにし、フィルムキ
ャリア６を折り曲げないようにしたので、半導体素子９
の表面が傷付いたり、インナリ−ド１２が変形したり、
封止用樹脂１１が剥離したりするということが少なくな
る。このことにより製品の品質が向上する。また、マガ
ジン３７は、水平に保持された状態にて加熱炉３９内を
搬送されるので、ゲル化していない封止用樹脂１１が流
れ出すことがない。

【００５０】また、上述のような構成によれば、外観検
査装置２３でボンディング不良を検知し、その検知信号
に基づいてボンディング不良のある半導体素子９にはポ
ッティングを行わず、切断装置２５で排除するようにし
たので、従来作業者が手動で排除していたのに比較して
作業工程が簡略化される。

【００５１】一方、従来の半導体装置の製造装置は、ボ
ンディング装置とポッティング装置とが別々に設けられ
ていたため、上記供給リ−ル８の上記インナ−リ−ドボ
ンディング装置からポッティング装置への付け替えを、
例えば３０分毎に人手により行っていた。

【００５２】しかし、上記製造装置２０おいては、イン
ナリ−ドボンディング装置２２とポッティング装置２４
とを連結し、フィルムキャリア６をインナリ−ドボンデ
ィング装置２２からポッティング装置２４に連続して走
行させているので、インナリ−ドボンディング工程から
ポッティング工程に移る際の供給リ−ル８のかけ替え作
業が不要である。

【００５３】また、従来、上記ポッティング装置２４の
シリンジ１０の動きの教示は斜め上方から目視により行
っていたため、誤差が生じる恐れがあったが、上記一実
施例によれば第２の撮像カメラ３４により真上から撮像
して行うようにしたので正確に教示することができる。
なお、この発明は上記一実施例に限定されるものではな
く、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能であ
る。

【００５４】例えば、上記一実施例では、インナ−リ−
ドボンディング装置２２、外観検査装置２３、ポッティ
ング装置２４、切断装置２５、マガジン装置２６、加熱
炉装置２７を連続的に接続した構成を有するが、他の実
施例として、図２に示すように、テ−プ供給装置１、外
観検査装置２３、ポッティング装置２４、従来の加熱炉
装置４とを互いに接続したような構成でも良い。また図
３に示すように、テ−プ供給装置１、ポッティング装置
２４、切断装置２５、マガジン装置２６、本発明の加熱
炉装置２７とを接続したような構成でも良い。

【００５５】また、上記供給装置１は供給リ−ル８を有
するものに限定されるものではなく、すでに短冊状に切
断されたフィルム片６´を供給するような供給装置であ
っても良い。

【００５６】さらに、上記一実施例においては、上記切
断装置２５により、フィルムキャリア６を半導体素子１
個毎のフィルム片６´…に切断するようにしたが、複数
個毎に切断するようにしても良い。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明は第１
に、フィルムキャリアにボンディングされた半導体素子
を封止用樹脂でコ−ティングし、これを半導体素子毎の
フィルム片に切断する。そして、複数個のフィルム片を
マガジンに収納し、このマガジンを加熱炉内で水平方向
に保持した状態で搬送することで上記封止用樹脂を硬化
させるようにした。

【００５８】また、この発明の第２に、検知手段により
ボンディング不良を検知し、この検知信号に基づいて、
ボンディング不良のない半導体素子のみを封止用樹脂で
コ−ティングするように制御するようにした。

【００５９】このような構成によれば、第１に、使用す
る封止用樹脂の特性が変わって硬化時間が変化しても、
フィルムキャリアの送り速度を変化させなくても良いか
ら半導体装置製造のタクトタイムを常に一定に保つこと
ができるという効果があるとともに、ゲル化していない
封止用樹脂の流れを防止できる。第２に、ボンディング
不良のあるフィルムキャリアには自動的にポッティング
を行わないようにしたので、作業性が向上するという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す正面図。

【図２】この発明の他の実施例を示す正面図。

【図３】この発明のさらに他の実施例を示す正面図。

【図４】従来例を示す正面図。

【図５】ポッティング装置の要部を示す正面図。

【符号の簡単な説明】２…テ−プ供給装置、６…フィル
ムキャリア、６´フィルム片、１０…シリンジ、１１…
封止用樹脂、２０…半導体素子の製造装置、２３…外観
検査装置（検査手段）、２４…ポッティング装置（ポッ
ティング手段）、２５…切断装置（切断手段）、２７…
加熱炉装置（硬化手段）、２９…コントロ−ラ（制御手
段）、３７…マガジン。

フロントページの続き (56)参考文献特開昭63−129638（ＪＰ，Ａ) 特開平１−100928（ＪＰ，Ａ) 特開平３−159141（ＪＰ，Ａ) 特開平４−66157（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 21/50 H01L 21/60 311 H01L 21/66

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子がボンディングされたフィル
ムキャリアを走行させるフィルムキャリア駆動手段と、
上記フィルムキャリアにボンディングされた半導体素子
を封止用樹脂でコ−ティングするポッティング手段と、
上記フィルムキャリアを少なくとも一つの半導体素子を
有するフィルム片に切断する切断手段と、切断された複
数のフィルム片を収納するマガジンと、上記マガジンを
加熱して上記封止用樹脂を硬化させる加熱炉及び上記マ
ガジンを上記加熱炉内で水平方向に走行させるコンベア
を有し上記コンベアにより上記封止用樹脂の種類及び上
記加熱炉の長さに応じて上記マガジンの送り速さを変化
させる硬化手段とを有することを特徴とする半導体装置
の製造装置。
【請求項２】半導体素子がボンディングされたフィル
ムキャリアを走行させるフィルムキャリア駆動手段と、
上記半導体素子に封止用樹脂をコ−ティングするポッテ
ィング手段とを有する半導体素子の製造装置において、上記半導体素子のボンディング不良を検査する検査手段
と、この検査手段からの検査信号に基づいて上記ポッテ
ィング手段によりボンディング不良のない上記半導体素
子のみコ−ティングさせる制御手段とを有することを特
徴とする半導体装置の製造装置。