JP2988746B2

JP2988746B2 - 半導体装置の製造装置

Info

Publication number: JP2988746B2
Application number: JP3173658A
Authority: JP
Inventors: 幸一郎渥美; 規安加島; 之宏池谷
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-07-15
Filing date: 1991-07-15
Publication date: 1999-12-13
Anticipated expiration: 2014-12-13
Also published as: JPH0521488A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＴＡＢ(Tape Automa
ted Bonding)方式を採用した半導体装置の製造装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近時、半導体装置の製造装置として、シ
ネフィルム状のフィルムキャリアを走行させて半導体素
子を搬送するＴＡＢ(Tape Automated Bonding)方式を採
用したものが普及している。そして、半導体装置の各製
造工程に用いられる各種装置のうちＴＡＢ方式を採用し
たものとして、フィルムキャリアにインナ−リ−ドボン
ディングされた半導体素子を樹脂で封止するポッティン
グ装置を有する半導体装置の製造装置がある。

【０００３】従来、この半導体装置の製造装置１（以下
「製造装置」と称する）は図４に示すように構成されて
いる。すなわち、この製造装置１は互いに連結されたテ
−プ供給装置２、ポッティング装置３、加熱炉装置４、
テ−プ巻取装置５を備えている。

【０００４】上記テ−プ供給装置２は、供給リ−ル６に
巻回されたフィルムキャリア７をこの供給リ−ル６から
導出し、上記ポッティング装置３に間欠的に送り出す。
このフィルムキャリア７には、長手方向に沿って等間隔
で半導体素子が搭載されている。

【０００５】上記ポッティング装置３は、図５に示すよ
うに、上記テープ供給装置２から供給されたフィルムキ
ャリア７の半導体素子９が搭載された部位を、封止用樹
脂１０が満たされたシリンジ１１の下方に停止させる。
そして、上記ポッティング装置３は、上記シリンジ１１
をＸＹ方向に駆動すると共に、このシリンジ１１から封
止用樹脂１０を上記半導体素子９の表面に滴下させる。
このことで、この半導体素子９はコーティングされる。
上記ポッティング装置３は、コーティングされた半導体
素子９を保持するフィルムキャリア７を加熱炉装置４の
加熱炉１２内へ順次送り駆動する。なお、上記ポッティ
ング装置３のポッティング経路の教示は、斜め上方から
目視により行われる。

【０００６】上記加熱炉装置４は、図４に示すように上
記フィルムキャリア７を暫くの間水平に走行させた後、
第１のロ−ラ１３で上方向に反転させ、水平に走行させ
る。そして上記加熱炉装置４は、反転させたフィルムキ
ャリア７を第２のロ−ラ１４で再び上方向に反転させ水
平に走行させる。

【０００７】上記加熱炉１２の内部は後述するシ−スヒ
−タ１５によって所定の温度に加熱されている。半導体
素子９をコ−ティングする封止用樹脂１０は、上記第
１、第２のロ−ラ１３、１４によって加熱炉１２内を走
行させられることで加熱され硬化する。上記加熱炉装置
４は、上記封止用樹脂１０が硬化した部分のフィルムキ
ャリア７を第３、第４のロ−ラ１６、１７によって加熱
炉１２から排出し、上記テ−プ巻取装置５に送り駆動す
る。上記テ−プ巻取装置５は、このフィルムキャリア７
を巻取リ−ル１８に順次巻き取る。次に、従来の加熱炉
装置４の加熱手段を図６を参照して詳しく説明する。

【０００８】上記加熱炉１２内には、線状のシ−スヒ−
タ１５が、上記加熱炉１２内を走行するフィルムキャリ
ア７の上記封止用樹脂１０が滴下された面７ａに対向す
る状態に設けられている。このシ−スヒ−タ１５は上記
フィルムキャリア７に沿って、上記加熱炉１２の入口か
ら第３のロ−ラ１６に亘って配設されている。

【０００９】さらに、上記加熱炉１２内のフィルムキャ
リア７が水平に走行する部分には、フィルムキャリア７
と上記シ−スヒ−タ１５の間に銅板１９が挿入配置され
ている。この銅板１９は帯状に形成され、上記フィルム
キャリア７と平行に離間している。上記シ−スヒ−タ１
５の熱は一旦上記銅板１９に吸収され、この帯状の銅板
１９から上記フィルムキャリア７に放射される。

【００１０】すなわち、上記シ−スヒ−タ１５は線状な
ので、上記銅板１９がなければシ−スヒ−タ１５の放射
熱はフィルムキャリア７の幅方向に不均一に照射される
が、上記銅板１９に一旦吸収させることで、この銅板１
９から上記フィルムキャリア７の幅方向に略均一な熱を
放射することができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な構成によれば、シ−スヒ−タ１５（銅板１９）からの
放射熱によって封止用樹脂１０を加熱していたために、
コ−ティングされた封止用樹脂１０は表面から硬化し易
い。

【００１２】この場合、上記封止用樹脂１０内に含まれ
ていた気泡が封止用樹脂１０の内部に閉じ込められ、封
止用樹脂１０が完全に硬化した際、内部に気泡が残留す
る恐れがある。内部に気泡が残った場合、その気泡内に
湿気が溜まり、半導体素子９が早期に劣化する原因とな
る恐れがある。

【００１３】上記気泡の残留を防止するためには、封止
用樹脂１０の硬化に、気泡が封止用樹脂１０の内部から
抜けるための十分な時間を掛けなければならない。この
ため、従来の加熱方法では封止用樹脂１０の硬化時間を
短縮するのが困難であった。

【００１４】さらに、上述のような構成によれば、上記
フィルムキャリア７を第１、第２のロ−ラ１３、１４に
より上方向に反転させているために、フィルムキャリア
７を交換する際に、特に第２のロ−ラ１４および第３の
ロ−ラ１６にフィルムキャリア７を掛けるのが困難であ
るということがある。

【００１５】また、従来、上記ポッティング装置３のポ
ッティング経路の教示は、斜め上方から目視により行わ
れているため、誤差が生じる恐れがある。特に、上記シ
リンジ１１内に封止用樹脂１０を補充した場合には、シ
リンジ１１の先端部の位置がずれてしまうため、従来
は、作業者が上記シリンジ１１を手で掴み、手動で再び
ポッティング経路を教示する必要があった。また、フィ
ルムキャリア７の掛け替えを容易にするには上記第１、
第２のロ−ラ１３、１４の直径を小さくするということ
が考えられるが、あまり小さくすると、半導体素子９の
端子（インナ−リ−ド）が折り曲げられ破損する恐れが
ある。一方、上記加熱装置４の高さを低くするため、ポ
ッティング装置３のテ−プ走行面を低くしようとする
と、ポッティング時（ポッティング状態の監視、ポッテ
ィング経路の教示等）の作業性が悪くなるということが
ある。

【００１６】この発明はこのような事情に鑑みて成され
たもので、作業性がよく、かつ不良の発生を低減し、さ
らにより高速で半導体装置を製造することができる半導
体装置の製造装置を提供することを目的とするものであ
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、フィルムキャリアに搭載された半導体素子に熱硬化
性の封止用樹脂を塗布する樹脂塗布手段と、前記半導体
素子に塗布された封止用樹脂を加熱して硬化させる加熱
手段とを有する半導体装置の製造装置であって、前記樹
脂塗布手段は、樹脂を滴下するポッティング装置と、こ
のポッティング装置から滴下された樹脂を撮像するカメ
ラと、この撮像に基づいて前記ポッティング装置と前記
カメラとの相対位置および前記ポッティング装置のポッ
ティング経路に対応する前記カメラの経路を認識する手
段と、この認識に基づいて前記ポッティング装置を駆動
する駆動手段とを備え、前記加熱手段は、前記封止用樹
脂を遠赤外線で加熱する遠赤外線ヒータを備えることを
特徴とする。

【００１８】また、第２の手段は、上記第１の手段にお
いて、前記加熱手段は、平板状の加熱面を有する遠赤外
線ヒータであって、前記加熱面がフィルムキャリアに対
向して略平行に設けられていることを特徴とする。ま
た、第３の手段は、上記第１の手段において、前記加熱
手段は、フィルムキャリアに沿って複数設けられた遠赤
外線ヒータを有することを特徴とする。また、第４の手
段は、上記第１の手段において、前記加熱手段は、遠赤
外線ヒータと、この遠赤外線ヒータにより加熱された封
止用樹脂をさらに加熱するシースヒータと、を備えるこ
とを特徴とする。

【００１９】また、第５の手段は、フィルムキャリアを
走行させるフィルムキャリア駆動手段と、前記フィルム
キャリアに搭載された半導体素子に熱硬化性の封止用樹
脂を塗布する樹脂塗布手段と、前記半導体素子に塗布さ
れた封止用樹脂を加熱して硬化させる加熱手段とを有す
る半導体装置の製造装置であって、前記フィルムキャリ
ア駆動手段は、前記フィルムキャリアを水平に走行さ
せ、その後下方に取り回す複数のローラを有し、前記樹
脂塗布手段は、樹脂を滴下するポッティング装置と、こ
のポッティング装置から滴下された樹脂を撮像するカメ
ラと、この撮像に基づいて前記ポッティング装置と前記
カメラとの相対位置および前記ポッティング装置のポッ
ティング経路に対応する前記カメラの経路を認識する手
段と、この認識に基づいて前記ポッティング装置を駆動
する駆動手段とを備えることを特徴とする。

【００２０】

【作用】第１乃至第４の手段によれば、上記封止用樹脂
全体を、遠赤外線加熱により略均一に加熱することがで
きる。さらに、樹脂塗布処理の正確性、作業性の向上を
実現できる。また、第５の手段によれば、フィルムキャ
リアの走行高さを低くすることができる。

【００２１】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図１〜図３を参
照して説明する。なお、従来例と同一構成要素には同一
記号を付して説明を省略する。

【００２２】図２はこの発明による半導体装置の製造装
置（以下、製造装置と称する）２５の一実施例の全体を
示すものである。この製造装置２５は、互いに連結され
たテ−プ供給装置２、ポッティング装置２６（ポッティ
ング手段）、加熱炉装置２７、テ−プ巻取装置５を備え
ている。

【００２３】上記ポッティング装置２６には、ＸＹテ−
ブル２８（図３に示す）に取付けられ内部に熱硬化性の
封止用樹脂１０が貯えられたシリンジ１１と、上記ＸＹ
テ−ブル２８に撮像面２９ａを下方に向けて取り付けら
れた撮像カメラ２９と、上記半導体素子９にコ−ティン
グされた封止用樹脂１０の高さ（盛り上がり量）を測定
する変位センサ３０（図２に示す）とが設けられてい
る。

【００２４】上記撮像カメラ２９は図示しないモニタ−
に接続されている。そしてこのモニタ−には上記撮像カ
メラ２９で撮像した映像が写し出されるようになってい
る。

【００２５】上記変位センサ３０はコ−ティングされた
封止用樹脂樹脂１０の高さ（盛り上がり量）を計測し、
その計測信号を図示しないコントロ−ラへ入力する。コ
ントロ−ラはこの計測信号に基づいて、上記シリンジ１
１の吐出量を封止用樹脂１０の高さが常に一定になるよ
うに制御する。

【００２６】上記加熱炉装置２７は加熱炉３１を有す
る。この加熱炉３１内には、入口３１ａから進入したフ
ィルムキャリア７を暫くの間水平に走行させた後、下方
向に反転させる第１のロ−ラ３２と、反転させられたフ
ィルムキャリア７を暫くの間水平に走行させた後、さら
に下方向に反転させる第２のロ−ラ３３とが設けられて
いる。また、上記加熱炉３１内には、上記第２のロ−ラ
３３を通過したフィルムキャリア７を加熱炉３１の出口
３１ｂに誘導する第３、第４のロ−ラ３４、３５が設け
られている。さらに、上記加熱炉３１内には、上記封止
用樹脂１０を加熱硬化させる加熱手段が設けられてい
る。この加熱手段を図１を用いて説明する。

【００２７】上記加熱炉３１の入口３１ａと上記第１の
ロ−ラ３２間には、例えばフィルムキャリア７に沿って
例えば１．２ｍの寸法で、複数の遠赤外線ヒ−タ３７…
が設けられている。この複数の遠赤外線ヒ−タ３７…は
加熱面が平面をなし、それぞれ上記キャリアテ−プ７の
上方および下方に配置され、上記フィルムキャリア７を
挟んで離間対向している。

【００２８】上記第１のロ−ラ３２を通過したフィルム
キャリア７には、従来と同様にシ−スヒ−タ１５が例え
ば４．４ｍの長さで対向して配置されている。また、こ
のシ−スヒ−タ１５とキャリアテ−プ７の間には同様に
銅板１９が挿入配置されている。次に、この製造装置２
５の動作を説明する。

【００２９】この製造装置２５を作動させる前に、ま
ず、上記ポッティング装置２６のシリンジ１１を保持す
るＸＹテ−ブル２８にポッティング経路を教示しなけれ
ばならない。すなわち、ポッティングにおいては、上記
フィルムキャリア７にインナ−リ−ドボンディングされ
た半導体素子９の電極９ａの部分に沿って封止用樹脂１
０を滴下しなければならないが、その電極９ａの配置は
半導体素子９の大きさによって異なるからである。

【００３０】ポッティング経路を教示するには、まず、
図３において、上記シリンジ１１を作動させ、上記フィ
ルムキャリア７上の任意の点に上記封止用樹脂１０を一
滴滴下する。そして、上記図示しないモニタ−を見なが
ら上記ＸＹテ−ブル２８を作動させ、上記撮像カメラ２
９を上記一滴の封止用樹脂１０に対向させる。このとき
上記ＸＹテ−ブル２８を作動させた量から上記シリンジ
１１の滴下点と上記撮像カメラ２９の撮像点の相対関係
が求められる。

【００３１】ついで上記ＸＹテ−ブル２８を作動させ、
上記撮像カメラ２９をポッティング経路に沿って移動さ
せ、その動きをＸＹテ−ブル２８を介して図示しないコ
ントロ−ラに記憶させる。上記コントロ−ラは上記撮像
カメラ２９により撮像されたポッティング経路と、上記
シリンジ１１と撮像カメラ２９の相対関係を用いて、上
記シリンジ１１をポッティング経路に沿って移動させる
のに必要な上記ＸＹテ−ブル２８の動きを演算する。

【００３２】そして、上記コントロ−ラは演算値に基づ
く指令を上記ＸＹテ−ブル２８に発する。このことによ
り、上記ＸＹテ−ブル２８はシリンジ１１を上記ポッテ
ィング経路に沿って駆動することができる。

【００３３】ポッティング経路の教示が終わったならば
製造装置２５は上記フィルムキャリア７を間欠送り駆動
し、フィルムキャリア７に搭載された半導体素子９を順
次ポッティング装置２６に搬送する。

【００３４】上記ポッティング装置２６はフィルムキャ
リア７に搭載された半導体素子９をシリンジ１１の下方
で停止させる。そして、ポッティング装置２６は、半導
体素子９にシリンジ１１から封止用樹脂１０を滴下する
と共に、上記ＸＹテ−ブル２８を作動させ、上記シリン
ジ１１を教示されたポッティング経路にしたがってＸＹ
方向に駆動する。このことで、半導体素子９の表面は上
記封止用樹脂１０によってコ−ティングされる。そし
て、上記ポッティング装置２６は、ポッティングが終了
した半導体素子９を保持したフィルムキャリア７を図１
に示す加熱炉装置２７に搬送する。

【００３５】上記加熱炉装置２７は、上記フィルムキャ
リア７を加熱炉３１内に導入する。上記加熱炉装置２７
は、上記フィルムキャリア７を加熱炉３１の入口３１ａ
から第１のロ−ラ３２までの間水平に走行させる。走行
速度は例えば０．３ｍ／ｍｉｎである。この部分で上記
複数の遠赤外線ヒ−タ３７…は上記半導体素子９をコ−
ティングする封止用樹脂１０を例えば７０〜１２０度に
加熱する。

【００３６】さらに、上記加熱炉装置２７は、上記フィ
ルムキャリア７を上記第１、第２のロ−ラ３２、３３お
よび第３、第４のロ−ラ３４、３５によって上記加熱炉
３１内を走行させる。上記シ−スヒ−タ１５は上記封止
用樹脂１０をさらに継続して加熱し硬化させる。

【００３７】そして、上記加熱炉装置２７は、上記フィ
ルムキャリア７を上記加熱炉３１の出口３１ｂから加熱
炉３１外へ導き、上記テ−プ巻取装置５に搬送する。上
記テ−プ巻取装置５は、このフィルムキャリア７を上記
巻取リ−ル１８で順次巻き取る。

【００３８】このような構成によれば、上記加熱炉装置
２７内において、上記封止用樹脂１０を、まず最初に遠
赤外線ヒ−タ３７…で直接的に加熱するようにしたの
で、遠赤外線の性質によって上記封止用樹脂１０は表面
だけでなくその内部も含めて全体的に加熱される。特
に、上記ポッティングにおける封止用樹脂１０の厚さは
約１００μｍ程であり、遠赤外線加熱による全体加熱の
効果が有効に現れる領域である。

【００３９】封止用樹脂１０が全体的に加熱されること
により、樹脂１０は表面も内部も略均等に硬化する。こ
のため、上記内部の樹脂１０が硬化する際に樹脂１０の
外部へ抜けようとする気泡は、樹脂１０の表面が硬化し
ていないため容易に樹脂１０の外部へ抜けることができ
る。

【００４０】このため、従来のように気泡を抜くために
硬化時間を遅くする必要がないので、硬化時間を短縮す
ることができる。例えば、上述のような条件の下では、
従来の構成（シ−スヒ−タだけの加熱）に比較して約３
０パ−セント硬化時間を短縮することができる。

【００４１】また、樹脂を仮硬化するのに必要な炉内の
テ−プ走行経路長さＬは、テ−プ走行速度をｖ、必要加
熱時間をＴとすれば、Ｌ＝ｖ・Ｔのの関係にある。した
がって加熱時間が約３０％短縮できれば、テ−プ走行速
度が同じであれば走行経路長さを約３０％短くすること
ができる。

【００４２】さらに、この発明の製造装置２５では、遠
赤外線による加熱を行うことで、加熱炉３１内の最初の
部分で封止用樹脂１０の内部から気泡を抜くことができ
るから、封止用樹脂１０がゲル化した後は、比較的安価
なシ−スヒ−タ１５で封止用樹脂１０の硬化を促進する
ことができる。

【００４３】また、上述のような構成によればフィルム
キャリア７の反転方向を下方向としたので、フィルムキ
ャリア７の走行高さが下がり、フィルムキャリア７の掛
け替えを容易にすることができる。

【００４４】また、フィルムキャリア７の反転方向を下
方向としたことにより、上述の走行経路長さの短縮と合
わせて装置全体を小型にでき、高価なクリ−ンル−ムを
有効に活用できるという効果がある。一方、上記遠赤外
線ヒ−タ３７として平板状ものを用いたことによりフィ
ルムキャリア７上における温度のばらつきを低減するこ
とが可能である。

【００４５】また、従来、上記ポッティング装置２６の
ポッティング経路の教示は斜め上方から目視により行っ
ていたため、誤差が生じる恐れがあったが、上記一実施
例によれば撮像カメラ２９により真上から撮像して行う
ようにしたので正確に教示することができる。

【００４６】さらに、上記シリンジ１１内に封止用樹脂
１０を補充した場合には、シリンジ１１の先端部の位置
がずれてしまうため、従来は、再び作業者が上記シリン
ジ１１を手で掴み手動でポッティング経路を教示する必
要があった。しかし、上記一実施例においては、上記撮
像カメラ２９の撮像点とシリンジ１１の滴下点の相対関
係を補正するだけで良いので作業者の労力が軽減され
る。

【００４７】これらのことにより、作業性が良くかつ不
良の発生を低減でき、さらに従来に比較して高速で半導
体装置を製造する半導体装置の製造装置を得ることが可
能である。なお、この発明は上記一実施例に限定される
ものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形
可能である。

【００４８】上記一実施例では、テ−プ供給装置２、ポ
ッティング装置２６、加熱炉装置２７、テ−プ巻取装置
５を連続的に接続した構成を有するが、他の実施例とし
て、例えば、ポッティング装置２６の前にインナ−リ−
ドボンディング装置を備え、インナ−リ−ドボンディン
グをも一緒に行うような構成の半導体製造装置であって
も良い。

【００４９】また、上記テ−プ供給装置２は供給リ−ル
６を有するものに限定されるものではなく、すでに短冊
状に切断されたフィルムキャリア７を供給するようなテ
−プ供給装置であっても良い。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明は、第１
に、フィルムキャリアに搭載された半導体素子に熱硬化
性の封止用樹脂を塗布する樹脂塗布手段と、前記半導体
素子に塗布された封止用樹脂を加熱して硬化させる加熱
手段とを有する半導体装置の製造装置であって、前記樹
脂塗布手段は、樹脂を滴下するポッティング装置と、こ
のポッティング装置から滴下された樹脂を撮像するカメ
ラと、この撮像に基づいて前記ポッティング装置と前記
カメラとの相対位置および前記ポッティング装置のポッ
ティング経路に対応する前記カメラの経路を認識する手
段と、この認識に基づいて前記ポッティング装置を駆動
する駆動手段とを備え、前記加熱手段は、前記封止用樹
脂を遠赤外線で加熱する遠赤外線ヒータを備えるように
した。また、第２に、前記加熱手段は、平板状の加熱面
を有する遠赤外線ヒータであって、前記加熱面がフィル
ムキャリアに対向して略平行に設けるようにした。ま
た、第３に、前記加熱手段は、フィルムキャリアに沿っ
て複数設けられた遠赤外線ヒータを有するようにした。
また、第４に、前記加熱手段は、遠赤外線ヒータと、こ
の遠赤外線ヒータにより加熱された封止用樹脂をさらに
加熱するシースヒータと、を備えるようにした。

【００５１】さらに、第５に、フィルムキャリアを走行
させるフィルムキャリア駆動手段と、前記フィルムキャ
リアに搭載された半導体素子に熱硬化性の封止用樹脂を
塗布する樹脂塗布手段と、前記半導体素子に塗布された
封止用樹脂を加熱して硬化させる加熱手段とを有する半
導体装置の製造装置であって、前記フィルムキャリア駆
動手段は、前記フィルムキャリアを水平に走行させ、そ
の後下方に取り回す複数のローラを有し、前記樹脂塗布
手段は、樹脂を滴下するポッティング装置と、このポッ
ティング装置から滴下された樹脂を撮像するカメラと、
この撮像に基づいて前記ポッティング装置と前記カメラ
との相対位置および前記ポッティング装置のポッティン
グ経路に対応する前記カメラの経路を認識する手段と、
この認識に基づいて前記ポッティング装置を駆動する駆
動手段とを備えるようにした。

【００５２】このような構成によれば、半導体素子に塗
布された封止用樹脂を、遠赤外線を用いて内部を含めて
全体加熱するようにしているので、内部に気泡を残留さ
せることなく、かつ従来に比べ高速で硬化させることが
できる。このことによって、硬化時間、テ−プ走行経路
等が短縮できるから装置全体を小型化することができ
る。また、樹脂を撮像するカメラとポッティング装置の
相対位置、およびポッティング装置のポッティング経路
に対応する上記カメラの経路に基づいて、ポッティング
装置の駆動制御を行うので、上記ポッティング経路を正
確に教示することができる。特に、上記ポッティング装
置内に封止用樹脂を補充し、当該ポッティング装置の先
端部の位置がずれてしまった場合には、上記撮像カメラ
とポッティング装置の相対位置を補正するだけで正確な
ポッティング経路を得ることができ、作業者の労力を軽
減することができる。

【００５３】さらに、上述のような構成によれば、フィ
ルムキャリアの反転方向を下方向にすることにより、フ
ィルムキャリアの走行高さを低くすることができたの
で、特に、上記フィルムキャリアを掛け替えの際の作業
が容易化されると共に、装置の小型化を図れる。これら
のことにより、作業性がよくかつ不良の発生が低減でき
ると共に、樹脂の硬化時間が短かくコンパクトな半導体
装置の製造装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例の要部を示す概略構成図。

【図２】同じく全体を示す正面図。

【図３】同じく、ポッティング位置を拡大して示す正面
図。

【図４】従来例を示す正面図。

【図５】同じく、ポッティング装置を示す正面図。

【図６】同じく、加熱炉を示す概略構成図。

【符号の簡単な説明】

２…テ−プ供給装置、７…フィルムキャリア、９…半導
体素子、１１…シリンジ、１０…封止用樹脂、１５…シ
−スヒ−タ（加熱手段）、２５…半導体装置の製造装
置、２６…ポッティング装置（ポッティング手段）、２
７…加熱炉装置、３２…第１のロ−ラ、３３…第２のロ
−ラ、３４…第１の案内ロ−ラ、３５…第２の案内ロ−
ラ、３７…遠赤外線ヒ−タ（加熱手段）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/56

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】フィルムキャリアに搭載された半導体素
子に熱硬化性の封止用樹脂を塗布する樹脂塗布手段と、
前記半導体素子に塗布された封止用樹脂を加熱して硬化
させる加熱手段とを有する半導体装置の製造装置であっ
て、前記樹脂塗布手段は、樹脂を滴下するポッティング装置
と、このポッティング装置から滴下された樹脂を撮像す
るカメラと、この撮像に基づいて前記ポッティング装置
と前記カメラとの相対位置および前記ポッティング装置
のポッティング経路に対応する前記カメラの経路を認識
する手段と、この認識に基づいて前記ポッティング装置
を駆動する駆動手段とを備え、前記加熱手段は、前記封止用樹脂を遠赤外線で加熱する
遠赤外線ヒータを備えることを特徴とする半導体装置の
製造装置。
【請求項２】前記加熱手段は、平板状の加熱面を有す
る遠赤外線ヒータであって、前記加熱面がフィルムキャ
リアに対向して略平行に設けられていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】前記加熱手段は、フィルムキャリアに沿
って複数設けられた遠赤外線ヒータを有することを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】前記加熱手段は、遠赤外線ヒータと、こ
の遠赤外線ヒータにより加熱された封止用樹脂をさらに
加熱するシースヒータと、を備えること、を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】フィルムキャリアを走行させるフィルム
キャリア駆動手段と、前記フィルムキャリアに搭載され
た半導体素子に熱硬化性の封止用樹脂を塗布する樹脂塗
布手段と、前記半導体素子に塗布された封止用樹脂を加
熱して硬化させる加熱手段とを有する半導体装置の製造
装置であって、前記フィルムキャリア駆動手段は、前記フィルムキャリ
アを水平に走行させ、その後下方に取り回す複数のロー
ラを有し、前記樹脂塗布手段は、樹脂を滴下するポッティング装置
と、このポッティング装置から滴下された樹脂を撮像す
るカメラと、この撮像に基づいて前記ポッティング装置
と前記カメラとの相対位置および前記ポッティング装置
のポッティング経路に対応する前記カメラの経路を認識
する手段と、この認識に基づいて前記ポッティング装置
を駆動する駆動手段とを備えること、を特徴とする半導体装置の製造装置。