JP2912780B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子の製造方
法に関し、例えばページプリンターの感光ドラム用光源
などに用いられる半導体発光素子の製造方法に関する。
法に関し、例えばページプリンターの感光ドラム用光源
などに用いられる半導体発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体発光素子の製造方法を図２
に基づいて説明する。図２は、従来の半導体発光素子の
断面構造を示す図である。まず、単結晶シリコン（Ｓ
ｉ）などから成る半導体基板１上に、ガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）などから成るバッファ層２、一導電型不純物を
含有するアルミニウムガリウム砒素（Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓ）などから成る第一の半導体層３、逆導電型不純物を
含有するアルミニウムガリウム砒素（Ａｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ）などから成る第二の半導体層４、および逆導電型不
純物を多量に含有するガリウム砒素などから成るオーミ
ックコンタクト層５をＭＯＣＶＤ法などで順次形成し、
次にバッファ層２、第一の半導体層３、第二の半導体層
４、およびオーミックコンタクト層５をエッチングによ
って島状に形成し、次に窒化シリコン（ＳｉＮx ）など
から成るパシベーション膜６をプラズマＣＶＤ法で形成
することによって、半導体基板１上および島状部Ｉを被
覆し、次にオーミックコンタクト層５上のパシベーショ
ン膜６にコンタクトホール６ａを形成して、最後に上部
電極７と下部電極８を形成していた。
に基づいて説明する。図２は、従来の半導体発光素子の
断面構造を示す図である。まず、単結晶シリコン（Ｓ
ｉ）などから成る半導体基板１上に、ガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）などから成るバッファ層２、一導電型不純物を
含有するアルミニウムガリウム砒素（Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓ）などから成る第一の半導体層３、逆導電型不純物を
含有するアルミニウムガリウム砒素（Ａｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ）などから成る第二の半導体層４、および逆導電型不
純物を多量に含有するガリウム砒素などから成るオーミ
ックコンタクト層５をＭＯＣＶＤ法などで順次形成し、
次にバッファ層２、第一の半導体層３、第二の半導体層
４、およびオーミックコンタクト層５をエッチングによ
って島状に形成し、次に窒化シリコン（ＳｉＮx ）など
から成るパシベーション膜６をプラズマＣＶＤ法で形成
することによって、半導体基板１上および島状部Ｉを被
覆し、次にオーミックコンタクト層５上のパシベーショ
ン膜６にコンタクトホール６ａを形成して、最後に上部
電極７と下部電極８を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体発光
素子の製造方法では、半導体基板１上に、半導体基板１
を保持するサセプタの温度を４００〜６５０℃に設定し
たＭＯＣＶＤ法などで複数の半導体層２〜５を形成する
が、シリコン基板１上にガリウム砒素層を形成すると、
１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 程度の引っ張り応力が発生する。
すなわち、シリコン基板１上に、厚み２μｍ（２×１０
-4ｃｍ）のガリウム砒素層２〜５を堆積すると、この半
導体基板１とガリウム砒素層２〜５には、１０9 ｄｙｎ
／ｃｍ2 ×（２×１０-4ｃｍ）＝２×１０5 ｄｙｎ／ｃ
ｍの絶対応力（全応力）が存在し、膜厚の薄いガリウム
砒素層２〜５にクラックが発生したり、内部応力に起因
して半導体発光素子の寿命が短くなるという問題を誘発
する。
素子の製造方法では、半導体基板１上に、半導体基板１
を保持するサセプタの温度を４００〜６５０℃に設定し
たＭＯＣＶＤ法などで複数の半導体層２〜５を形成する
が、シリコン基板１上にガリウム砒素層を形成すると、
１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 程度の引っ張り応力が発生する。
すなわち、シリコン基板１上に、厚み２μｍ（２×１０
-4ｃｍ）のガリウム砒素層２〜５を堆積すると、この半
導体基板１とガリウム砒素層２〜５には、１０9 ｄｙｎ
／ｃｍ2 ×（２×１０-4ｃｍ）＝２×１０5 ｄｙｎ／ｃ
ｍの絶対応力（全応力）が存在し、膜厚の薄いガリウム
砒素層２〜５にクラックが発生したり、内部応力に起因
して半導体発光素子の寿命が短くなるという問題を誘発
する。
【０００４】また、ガリウムの蒸気圧が砒素の蒸気圧に
比べて高いことから、バッファ層２上に、第一の半導体
層３、第二の半導体層４、およびオーミックコンタクト
層５を形成した後に、高温で長時間加熱処理すると、蒸
気圧の高い砒素が揮散することから、各半導体層２〜５
を形成した後には、高温で長時間加熱処理することはで
きないという問題があった。
比べて高いことから、バッファ層２上に、第一の半導体
層３、第二の半導体層４、およびオーミックコンタクト
層５を形成した後に、高温で長時間加熱処理すると、蒸
気圧の高い砒素が揮散することから、各半導体層２〜５
を形成した後には、高温で長時間加熱処理することはで
きないという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体発光
素子は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その特徴とするところは、シリコンから成
る半導体基板上に、導電型の異なる少なくとも二層の化
合物半導体層を島状に形成し、この半導体基板上と化合
物半導体層を窒化シリコン膜で被覆し、この化合物半導
体層上の一部の窒化シリコン膜を除去し、この窒化シリ
コン膜を除去した部分の化合物半導体層に電極を接続し
て形成する半導体発光素子の製造方法において、前記半
導体基板上と化合物半導体層を窒化シリコン膜で被覆し
た後に、前記化合物半導体層を加熱処理する点にある。
素子は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その特徴とするところは、シリコンから成
る半導体基板上に、導電型の異なる少なくとも二層の化
合物半導体層を島状に形成し、この半導体基板上と化合
物半導体層を窒化シリコン膜で被覆し、この化合物半導
体層上の一部の窒化シリコン膜を除去し、この窒化シリ
コン膜を除去した部分の化合物半導体層に電極を接続し
て形成する半導体発光素子の製造方法において、前記半
導体基板上と化合物半導体層を窒化シリコン膜で被覆し
た後に、前記化合物半導体層を加熱処理する点にある。
【０００６】
【作用】上記のように構成することにより、シリコン基
板上と化合物半導体層を窒化シリコン膜で被覆した後
に、シリコン基板と化合物半導体層を加熱処理すること
から、蒸気圧の高い砒素などが揮散することはなく、比
較的高温で長時間加熱処理することができる。また、半
導体基板と半導体層との界面、あるいは半導体層間の界
面の原子が再配列することによって、半導体層の結晶性
や内部ストレスが緩和され、発光強度が増すとともに、
発光素子の短命化も防止できる。
板上と化合物半導体層を窒化シリコン膜で被覆した後
に、シリコン基板と化合物半導体層を加熱処理すること
から、蒸気圧の高い砒素などが揮散することはなく、比
較的高温で長時間加熱処理することができる。また、半
導体基板と半導体層との界面、あるいは半導体層間の界
面の原子が再配列することによって、半導体層の結晶性
や内部ストレスが緩和され、発光強度が増すとともに、
発光素子の短命化も防止できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明
する。図１は、本発明に係る半導体発光素子の製造工程
を示す図である。まず、半導体基板１上に、バッファ層
２を形成する。本発明に係る半導体発光素子の製造方法
では、例えば（１００）面から（０１１）面に２°オフ
して切り出した単結晶シリコン基板などが用いられる。
この半導体基板１には、アンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ａ
ｓ）、リン（Ｐ）などの半導体用不純物を１０16〜１０
18個／ｃｍ3 程度含有させた半導体基板が用いられる。
する。図１は、本発明に係る半導体発光素子の製造工程
を示す図である。まず、半導体基板１上に、バッファ層
２を形成する。本発明に係る半導体発光素子の製造方法
では、例えば（１００）面から（０１１）面に２°オフ
して切り出した単結晶シリコン基板などが用いられる。
この半導体基板１には、アンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ａ
ｓ）、リン（Ｐ）などの半導体用不純物を１０16〜１０
18個／ｃｍ3 程度含有させた半導体基板が用いられる。
【０００８】前記半導体基板１上に、バッファ層２を形
成する。このバッファ層２は、ガリウム砒素などのIII-
Ｖ族化合物半導体などから成り、シリコン（Ｓｉ）、セ
レン（Ｓｅ）などから成るドナーを１０16〜１０18個／
ｃｍ3 程度含有するように形成する。このバッファ層２
は、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、および不純物元素源
用ガスなどを用いて、二段階成長法や熱サイクル法を適
宜採用したＭＯＣＶＤ法で厚み１〜１．５μｍ程度に形
成される。すなわち、ＭＯＣＶＤ装置内を９００〜１０
００℃で一旦加熱した後に、４００〜４５０℃に下げ
て、成膜用ガスを反応炉内に導入して成膜すると共に、
６００〜６５０℃に上げて成膜し（二段階成長法）、次
に３００〜９００℃で温度を上下させ（熱サイクル
法）、熱膨張係数の相違に起因する内部応力を発生さ
せ、シリコンなどから成る半導体基板１とガリウム砒素
などから成るバッファ層２の格子定数の相違に起因する
ミスフィット転移を低減させるようにして形成する。
成する。このバッファ層２は、ガリウム砒素などのIII-
Ｖ族化合物半導体などから成り、シリコン（Ｓｉ）、セ
レン（Ｓｅ）などから成るドナーを１０16〜１０18個／
ｃｍ3 程度含有するように形成する。このバッファ層２
は、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、および不純物元素源
用ガスなどを用いて、二段階成長法や熱サイクル法を適
宜採用したＭＯＣＶＤ法で厚み１〜１．５μｍ程度に形
成される。すなわち、ＭＯＣＶＤ装置内を９００〜１０
００℃で一旦加熱した後に、４００〜４５０℃に下げ
て、成膜用ガスを反応炉内に導入して成膜すると共に、
６００〜６５０℃に上げて成膜し（二段階成長法）、次
に３００〜９００℃で温度を上下させ（熱サイクル
法）、熱膨張係数の相違に起因する内部応力を発生さ
せ、シリコンなどから成る半導体基板１とガリウム砒素
などから成るバッファ層２の格子定数の相違に起因する
ミスフィット転移を低減させるようにして形成する。
【０００９】次に、前記バッファ層２上に、一導電型
（Ｎ型）を呈する第一の半導体層３を形成する。この第
一の半導体層３は、例えばアルミニウムガリウム砒素
（ＡｌxGa1-x Ａｓ）などから成り、シリコンなどから
成るドナーを１０16〜１０18個／ｃｍ3 程度含有してい
る。この第一の半導体層３は、ＴＭＡｌガス、ＴＭＧａ
ガス、ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純物元素となる
ＳｉＨ4 ガスを用いたＭＯＣＶＤ法などにより形成され
る。
（Ｎ型）を呈する第一の半導体層３を形成する。この第
一の半導体層３は、例えばアルミニウムガリウム砒素
（ＡｌxGa1-x Ａｓ）などから成り、シリコンなどから
成るドナーを１０16〜１０18個／ｃｍ3 程度含有してい
る。この第一の半導体層３は、ＴＭＡｌガス、ＴＭＧａ
ガス、ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純物元素となる
ＳｉＨ4 ガスを用いたＭＯＣＶＤ法などにより形成され
る。
【００１０】次に、前記第一の半導体層３上に、逆導電
型（Ｐ型）を呈する第二の半導体層４を形成する。この
第二の半導体層４も、例えばアルミニウムガリウム砒素
（Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ）などから成り、亜鉛（Ｚｎ）な
どから成るアクセプタを１０16〜１０18個／ｃｍ3 程度
含有している。この第一の半導体層３は、ＴＭＡｌガ
ス、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純
物元素となるＤＭＺｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法などに
より形成される。
型（Ｐ型）を呈する第二の半導体層４を形成する。この
第二の半導体層４も、例えばアルミニウムガリウム砒素
（Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ）などから成り、亜鉛（Ｚｎ）な
どから成るアクセプタを１０16〜１０18個／ｃｍ3 程度
含有している。この第一の半導体層３は、ＴＭＡｌガ
ス、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純
物元素となるＤＭＺｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法などに
より形成される。
【００１１】次に、前記第二の半導体層４上に、オーミ
ックコンタクト層５を形成する。このオーミックコンタ
クト層５は、例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）などのII
I-Ｖ族化合物半導体で構成され、亜鉛（Ｚｎ）などから
成るアクセプタを１０18〜１０21個／ｃｍ3 程度含有し
ている。このオーミックコンタクト層５は、ＴＭＧａガ
ス、ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純物元素となるＤ
ＭＺｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法などにより形成され
る。
ックコンタクト層５を形成する。このオーミックコンタ
クト層５は、例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）などのII
I-Ｖ族化合物半導体で構成され、亜鉛（Ｚｎ）などから
成るアクセプタを１０18〜１０21個／ｃｍ3 程度含有し
ている。このオーミックコンタクト層５は、ＴＭＧａガ
ス、ＡｓＨ3 ガス、および半導体用不純物元素となるＤ
ＭＺｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法などにより形成され
る。
【００１２】前記バッファ層２、第一の半導体層３、第
二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層５は、
例えば半導体基板１上の所定部分に酸化シリコン膜や窒
化シリコン膜などを形成して、この酸化シリコン膜（Ｓ
ｉＯ2 ）や窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）などが形成され
ていない部分のみに形成する選択成長法などを用いて形
成される。
二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層５は、
例えば半導体基板１上の所定部分に酸化シリコン膜や窒
化シリコン膜などを形成して、この酸化シリコン膜（Ｓ
ｉＯ2 ）や窒化シリコン膜（ＳｉＮx ）などが形成され
ていない部分のみに形成する選択成長法などを用いて形
成される。
【００１３】次に、前記バッファ層２、第一の半導体層
３、第二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層
５を発光素子の輪郭形状を形成するように島状に形成す
る。このようにバッファ層２、第一の半導体層３、第二
の半導体層４、およびオーミックコンタクト層５を島状
に形成するには、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）、過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、および水（Ｈ2 Ｏ）から成る混合液などを用
いてエッチングすることにより形成する。
３、第二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層
５を発光素子の輪郭形状を形成するように島状に形成す
る。このようにバッファ層２、第一の半導体層３、第二
の半導体層４、およびオーミックコンタクト層５を島状
に形成するには、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）、過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、および水（Ｈ2 Ｏ）から成る混合液などを用
いてエッチングすることにより形成する。
【００１４】次に、前記島状部を被覆するように半導体
基板１上に、窒化シリコン膜などから成るパシベーショ
ン膜６を形成する。このパシベーション膜６は、ＳｉＨ
4 ガスとＮＨ3 ガスまたはＮ2 Ｏガスなどを用いたプラ
ズマＣＶＤ法などにより形成される。
基板１上に、窒化シリコン膜などから成るパシベーショ
ン膜６を形成する。このパシベーション膜６は、ＳｉＨ
4 ガスとＮＨ3 ガスまたはＮ2 Ｏガスなどを用いたプラ
ズマＣＶＤ法などにより形成される。
【００１５】次に、前記バッファ層２、第一の半導体層
３、第二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層
５を加熱処理する。この加熱処理は、３００〜７００℃
の温度で２０分程度、好適には５００℃の温度で２０分
程度加熱される。また、３００℃の温度で１分維持し、
次に７００℃に上げて１分維持することを２〜３回繰り
返すように加熱してもよい。このようにバッファ層２、
第一の半導体層３、第二の半導体層４、およびオーミッ
クコンタクト層５を加熱処理することにより、各層界面
の原子が再配列してストレスが緩和されて良好な結晶と
なり、発光素子を形成した場合の寿命が短命化するのが
防止される。
３、第二の半導体層４、およびオーミックコンタクト層
５を加熱処理する。この加熱処理は、３００〜７００℃
の温度で２０分程度、好適には５００℃の温度で２０分
程度加熱される。また、３００℃の温度で１分維持し、
次に７００℃に上げて１分維持することを２〜３回繰り
返すように加熱してもよい。このようにバッファ層２、
第一の半導体層３、第二の半導体層４、およびオーミッ
クコンタクト層５を加熱処理することにより、各層界面
の原子が再配列してストレスが緩和されて良好な結晶と
なり、発光素子を形成した場合の寿命が短命化するのが
防止される。
【００１６】次に、前記オーミックコンタクト層５上の
パシベーション膜６をエッチングしてコンタクトホール
６ａを形成する。
パシベーション膜６をエッチングしてコンタクトホール
６ａを形成する。
【００１７】次に、上部電極７と下部電極８を形成す
る。この上部電極７と下部電極８は、銀（Ａｇ）、銀と
亜鉛（Ｚｎ）の合金、あるいはクロム（Ｃｒ）と金（Ａ
ｕ）の二層構造のものなどで構成され、真空蒸着法やス
パッタリング法で形成される。
る。この上部電極７と下部電極８は、銀（Ａｇ）、銀と
亜鉛（Ｚｎ）の合金、あるいはクロム（Ｃｒ）と金（Ａ
ｕ）の二層構造のものなどで構成され、真空蒸着法やス
パッタリング法で形成される。
【００１８】−実験例− まず、（１００）面から（０１１）面に２°オフして切
り出した単結晶シリコン基板上に、ＴＭＧａガス、Ａｓ
Ｈ3 ガス、およびＳｉＨ4 ガスを用いたＭＯＣＶＤ法で
厚み１．５μｍのガリウム砒素層を形成し、次に、ＴＭ
Ａｌガス、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、およびＳｉＨ
4 ガスを用いたＭＯＣＶＤ法で厚み１μｍのアルミニウ
ムガリウム砒素層を形成し、次に、ＴＭＡｌガス、ＴＭ
Ｇａガス、ＡｓＨ3 ガス、およびＤＭＺｎガスを用いた
ＭＯＣＶＤ法で厚み１μｍのアルミニウムガリウム砒素
層を形成し、次に、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、およ
びＤＭＺｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法で厚み１μｍのオ
ーミックコンタクト層を形成した後、これら半導体層を
島状に形成し、次いでＳｉＨ4 ガスとＮＨ3 ガスを用い
たプラズマＣＶＤ法で、厚み１μｍのパシベーション膜
７を形成した。
り出した単結晶シリコン基板上に、ＴＭＧａガス、Ａｓ
Ｈ3 ガス、およびＳｉＨ4 ガスを用いたＭＯＣＶＤ法で
厚み１．５μｍのガリウム砒素層を形成し、次に、ＴＭ
Ａｌガス、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、およびＳｉＨ
4 ガスを用いたＭＯＣＶＤ法で厚み１μｍのアルミニウ
ムガリウム砒素層を形成し、次に、ＴＭＡｌガス、ＴＭ
Ｇａガス、ＡｓＨ3 ガス、およびＤＭＺｎガスを用いた
ＭＯＣＶＤ法で厚み１μｍのアルミニウムガリウム砒素
層を形成し、次に、ＴＭＧａガス、ＡｓＨ3 ガス、およ
びＤＭＺｎガスを用いたＭＯＣＶＤ法で厚み１μｍのオ
ーミックコンタクト層を形成した後、これら半導体層を
島状に形成し、次いでＳｉＨ4 ガスとＮＨ3 ガスを用い
たプラズマＣＶＤ法で、厚み１μｍのパシベーション膜
７を形成した。
【００１９】次に、単結晶シリコン基板を加熱炉に搬入
して、５００℃の温度で２０分加熱処理した後、半導体
層上のパシベーション膜７にコンタクトホールを形成し
て上部電極と下部電極を形成して発光素子の発光強度を
測定したところ、発光強度は２２μＷであった。この発
光素子と同時に形成した加熱処理をしない発光素子の発
光強度は１８μＷであったから、加熱処理をしたもの
は、加熱処理をしないものに比べて約１．２倍発光強度
が増すことが判った。
して、５００℃の温度で２０分加熱処理した後、半導体
層上のパシベーション膜７にコンタクトホールを形成し
て上部電極と下部電極を形成して発光素子の発光強度を
測定したところ、発光強度は２２μＷであった。この発
光素子と同時に形成した加熱処理をしない発光素子の発
光強度は１８μＷであったから、加熱処理をしたもの
は、加熱処理をしないものに比べて約１．２倍発光強度
が増すことが判った。
【００２０】また、上記と同一の条件で、発光素子を形
成して、発光強度を測定したところ、加熱処理をした発
光素子の発光強度は２１μＷであったのに対し、加熱処
理をしない発光素子の発光強度は１５μＷで、加熱処理
をした発光素子の発光強度は、加熱処理をしない発光素
子の発光強度の１．４倍であった。
成して、発光強度を測定したところ、加熱処理をした発
光素子の発光強度は２１μＷであったのに対し、加熱処
理をしない発光素子の発光強度は１５μＷで、加熱処理
をした発光素子の発光強度は、加熱処理をしない発光素
子の発光強度の１．４倍であった。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
素子の製造方法によれば、シリコンから成る半導体基板
と化合物半導体から成る島状半導体層を窒化シリコン膜
で被覆した後に、この化合物半導体層を加熱処理するこ
とから、蒸気圧の高い砒素などが揮散することはなく、
比較的高温で長時間加熱処理することができる。また、
半導体基板と半導体層との界面、あるいは半導体層間の
界面の原子が再配列することによって、半導体層の結晶
性や内部ストレスが緩和され、発光強度が増すととも
に、発光素子の短命化も防止できる。
素子の製造方法によれば、シリコンから成る半導体基板
と化合物半導体から成る島状半導体層を窒化シリコン膜
で被覆した後に、この化合物半導体層を加熱処理するこ
とから、蒸気圧の高い砒素などが揮散することはなく、
比較的高温で長時間加熱処理することができる。また、
半導体基板と半導体層との界面、あるいは半導体層間の
界面の原子が再配列することによって、半導体層の結晶
性や内部ストレスが緩和され、発光強度が増すととも
に、発光素子の短命化も防止できる。
【図１】本発明に係る半導体発光素子の製造工程を示す
図である。
図である。
【図２】半導体発光素子の断面構造を示す図である。
１・・・半導体基板、２・・・バッファ層、３・・・第
一の半導体層、４・・・第二の半導体層、５・・・オー
ミックコンタクト層、６・・・パシベーション膜、７・
・・上部電極、８・・・下部電極。
一の半導体層、４・・・第二の半導体層、５・・・オー
ミックコンタクト層、６・・・パシベーション膜、７・
・・上部電極、８・・・下部電極。
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコンから成る半導体基板上に、導電
型の異なる少なくとも二層の化合物半導体層を島状に形
成し、この半導体基板上と化合物半導体層を窒化シリコ
ン膜で被覆し、この化合物半導体層上の一部の窒化シリ
コン膜を除去し、この窒化シリコン膜を除去した部分の
化合物半導体層に電極を接続して形成する半導体発光素
子の製造方法において、前記半導体基板上と化合物半導
体層を窒化シリコン膜で被覆した後に、前記化合物半導
体層を加熱処理することを特徴とする半導体発光素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34750492A JP2912780B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34750492A JP2912780B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204557A JPH06204557A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2912780B2 true JP2912780B2 (ja) | 1999-06-28 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34750492A Expired - Fee Related JP2912780B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2912780B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108807626A (zh) * | 2011-09-15 | 2018-11-13 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015008256A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-15 | 京セラ株式会社 | 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置 |
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1992
- 1992-12-28 JP JP34750492A patent/JP2912780B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108807626A (zh) * | 2011-09-15 | 2018-11-13 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| CN108807626B (zh) * | 2011-09-15 | 2020-02-21 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06204557A (ja) | 1994-07-22 |
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