JP2910761B1 - 半導体装置製造装置の配管内部のクリーニング方法 - Google Patents
半導体装置製造装置の配管内部のクリーニング方法Info
- Publication number
- JP2910761B1 JP2910761B1 JP10148728A JP14872898A JP2910761B1 JP 2910761 B1 JP2910761 B1 JP 2910761B1 JP 10148728 A JP10148728 A JP 10148728A JP 14872898 A JP14872898 A JP 14872898A JP 2910761 B1 JP2910761 B1 JP 2910761B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- cleaning
- gas
- semiconductor device
- device manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 abstract description 22
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 64
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto
- B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
- B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto
- B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
- B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
- B08B9/032—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0071—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【要約】
【目的】 半導体装置製造装置の配管内に付着した有機
物を高い清浄度で除去できる配管内クリーニング方法を
提供せんとするものである。 【構成】 配管（１）内に高純度Ａｒ（３）に１％から
５％のＯ２（４）を添加してなるクリーニングガスを供
給しながら、配管を加熱する。分子サイズが大きいＡｒ
を用いることにより、配管内の有機物（２）を飛ばし、
配管の外にクリーニングガスと一緒に排出することがで
きる。高純度Ａｒ（３）に添加された１％から５％のＯ
２によって、加熱されている配管内で、有機物が燃焼反
応を起こし、ＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏとなり排出される。
その結果、配管内の有機物除去を効率的に行うことでき
る。
物を高い清浄度で除去できる配管内クリーニング方法を
提供せんとするものである。 【構成】 配管（１）内に高純度Ａｒ（３）に１％から
５％のＯ２（４）を添加してなるクリーニングガスを供
給しながら、配管を加熱する。分子サイズが大きいＡｒ
を用いることにより、配管内の有機物（２）を飛ばし、
配管の外にクリーニングガスと一緒に排出することがで
きる。高純度Ａｒ（３）に添加された１％から５％のＯ
２によって、加熱されている配管内で、有機物が燃焼反
応を起こし、ＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏとなり排出される。
その結果、配管内の有機物除去を効率的に行うことでき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配管内部のクリー
ニング方法に係わるものであり、特に、半導体装置製造
装置の継ぎ手などのガス配管部品に付着した有機物の除
去方法に係わるものである。
ニング方法に係わるものであり、特に、半導体装置製造
装置の継ぎ手などのガス配管部品に付着した有機物の除
去方法に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の中のＤＲＡＭにおいて、更
に高い集積密度の要求に応えるためにメモリセルの面積
が益々縮小する傾向にある。メモリセルの面積が縮小す
ると、メモリセルに蓄積される電荷量が対応して減少す
る。その結果、メモリセルの高集積化と共に、メモリセ
ルに必要な電荷量を確保することが困難になりつつあ
る。かかる状況において、面積が縮小したメモリセルに
必要な電荷量を確保するために、積層型コンデンサのコ
ンデンサ電極の表面に、ＨＳＧ（ｈｅｍｉ-ｓｐｅｒｉ
ｃａｌ-ｇｒａｉｎ）技術により半球状粒子を成長させ
て、コンデンサ電極の有効表面積を増大することが提案
されている。
に高い集積密度の要求に応えるためにメモリセルの面積
が益々縮小する傾向にある。メモリセルの面積が縮小す
ると、メモリセルに蓄積される電荷量が対応して減少す
る。その結果、メモリセルの高集積化と共に、メモリセ
ルに必要な電荷量を確保することが困難になりつつあ
る。かかる状況において、面積が縮小したメモリセルに
必要な電荷量を確保するために、積層型コンデンサのコ
ンデンサ電極の表面に、ＨＳＧ（ｈｅｍｉ-ｓｐｅｒｉ
ｃａｌ-ｇｒａｉｎ）技術により半球状粒子を成長させ
て、コンデンサ電極の有効表面積を増大することが提案
されている。
【０００３】ＨＳＧ技術により半球状粒子を成長させる
処理において、半球状粒子が異常成長して、所期したコ
ンデンサ電極の表面積の増大を実現できない事態が生じ
た。その原因を究明したところ、成長前又は成長中の雰
囲気中の有機物が異常成長の原因であることが判明し
た。そして、雰囲気中の有機物は、配管内に付着した有
機物、特に梱包したビニール袋から継ぎ手などの配管部
品へ付着した有機物が剥離したものであった。換言する
ならば、配管内の有機物に対する清浄度が厳しく要求さ
れるようになった。
処理において、半球状粒子が異常成長して、所期したコ
ンデンサ電極の表面積の増大を実現できない事態が生じ
た。その原因を究明したところ、成長前又は成長中の雰
囲気中の有機物が異常成長の原因であることが判明し
た。そして、雰囲気中の有機物は、配管内に付着した有
機物、特に梱包したビニール袋から継ぎ手などの配管部
品へ付着した有機物が剥離したものであった。換言する
ならば、配管内の有機物に対する清浄度が厳しく要求さ
れるようになった。
【０００４】従来、クリーニングガスとして比較的安価
な高純度Ｎ２を使用して、配管内のクリーニングを行っ
ていた。しかし、上記した問題が生じたということは、
従来の配管内のクリーニング方法では、不十分であった
ことを意味する。
な高純度Ｎ２を使用して、配管内のクリーニングを行っ
ていた。しかし、上記した問題が生じたということは、
従来の配管内のクリーニング方法では、不十分であった
ことを意味する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｎ２を使用して配管内
をクリーニングする方法の一例が、特開平４−１４５９
９１号公報に開示されている。この従来例では、配管内
に液体窒素の通液とガスパージとを繰り返し行うことに
より、管内を洗浄する。一端から配管内に供給された液
体窒素は、配管あるいは配管外部からの熱を吸収して気
化し窒素ガスとなる。沸点−１９７℃である液体窒素自
体の温度による冷却効果と、液体窒素の突沸とにより、
配管内面に付着した汚染物が剥離して除去される。冷却
効果は、微量有機汚染物の場合、有機汚染物を収縮させ
るように作用し、配管材料と有機汚染物との熱収縮率の
差により、付着力を低下させる。他方、液体窒素の突沸
は、配管内面に付着した有機汚染物をその物理的作用に
より剥離させる。しかし、この従来の配管内のクリーニ
ング方法では、上述したように有機汚染物の除去が不十
分であった。また、配管内で液体窒素を突沸させること
は、配管に急に高圧をかけることになり、危険である。
をクリーニングする方法の一例が、特開平４−１４５９
９１号公報に開示されている。この従来例では、配管内
に液体窒素の通液とガスパージとを繰り返し行うことに
より、管内を洗浄する。一端から配管内に供給された液
体窒素は、配管あるいは配管外部からの熱を吸収して気
化し窒素ガスとなる。沸点−１９７℃である液体窒素自
体の温度による冷却効果と、液体窒素の突沸とにより、
配管内面に付着した汚染物が剥離して除去される。冷却
効果は、微量有機汚染物の場合、有機汚染物を収縮させ
るように作用し、配管材料と有機汚染物との熱収縮率の
差により、付着力を低下させる。他方、液体窒素の突沸
は、配管内面に付着した有機汚染物をその物理的作用に
より剥離させる。しかし、この従来の配管内のクリーニ
ング方法では、上述したように有機汚染物の除去が不十
分であった。また、配管内で液体窒素を突沸させること
は、配管に急に高圧をかけることになり、危険である。
【０００６】また、特開平５−１４４８０２号公報は、
例えばＮ２のような不活性ガスを加熱処理管に流しなが
ら加熱処理管の空焼きを行う酸化炉の加熱処理管の洗浄
方法において、Ｎａ、Ｆｅ、Ｃｕなどの粒子が加熱処理
管の内壁に残留する洗浄不足の問題を指摘している。こ
の問題を解決するために、特開平５−１４４８０２号公
報は、プロセスガスの同じクリーニングを使用して加熱
処理管の空焼きを行うクリーニング方法を開示してい
る。
例えばＮ２のような不活性ガスを加熱処理管に流しなが
ら加熱処理管の空焼きを行う酸化炉の加熱処理管の洗浄
方法において、Ｎａ、Ｆｅ、Ｃｕなどの粒子が加熱処理
管の内壁に残留する洗浄不足の問題を指摘している。こ
の問題を解決するために、特開平５−１４４８０２号公
報は、プロセスガスの同じクリーニングを使用して加熱
処理管の空焼きを行うクリーニング方法を開示してい
る。
【０００７】従って、この従来例では、加熱処理管を有
する半導体装置製造装置が酸化炉の場合、プロセスガス
としてＯ２ガスを使用するならば、クリーニングガスと
してＯ２ガスを使用する。このとき、プロセスガスとし
てＯ２ガスの代りに、Ｏ２ガスとＡｒガスの混合ガスを
使用するならば、クリーニングガスとしてＯ２ガスとＡ
ｒガスの混合ガスを使用する。当然、この酸化処理の場
合、Ｏ２ガスとＡｒガスの混合ガスの内のＯ２ガスの比
率は高い。加熱処理管を有する半導体装置製造装置がＣ
ＶＤ炉の場合、プロセスガスとしてシランガスを使用す
るならば、クリーニングガスとしてシランガスを使用す
る。加熱処理管を有する半導体装置製造装置がアニール
炉の場合、プロセスガスとしてＮ２ガスを使用するなら
ば、クリーニングガスとしてＮ２ガスを使用する。
する半導体装置製造装置が酸化炉の場合、プロセスガス
としてＯ２ガスを使用するならば、クリーニングガスと
してＯ２ガスを使用する。このとき、プロセスガスとし
てＯ２ガスの代りに、Ｏ２ガスとＡｒガスの混合ガスを
使用するならば、クリーニングガスとしてＯ２ガスとＡ
ｒガスの混合ガスを使用する。当然、この酸化処理の場
合、Ｏ２ガスとＡｒガスの混合ガスの内のＯ２ガスの比
率は高い。加熱処理管を有する半導体装置製造装置がＣ
ＶＤ炉の場合、プロセスガスとしてシランガスを使用す
るならば、クリーニングガスとしてシランガスを使用す
る。加熱処理管を有する半導体装置製造装置がアニール
炉の場合、プロセスガスとしてＮ２ガスを使用するなら
ば、クリーニングガスとしてＮ２ガスを使用する。
【０００８】このように加熱処理管を空焼きする際に流
すクリーニングガスをプロセスガスと同じにした理由
は、どのようなクリーニングガスを使用しても、クリー
ニングガスの種類に対応して特定の種類の汚染粒子しか
除去できず、すなわち、全ての種類の汚染粒子を除去で
きないためである。従って、プロセスガスと同じクリー
ニングガスでクリーニングすれば、そのクリーニングガ
スで除去可能な汚染粒子しか除去できない。しかし、そ
のあとの処理で、クリーニングガスと同じプロセスガス
を使用するので、そのプロセスガスで除去可能な汚染粒
子は加熱処理管内にはないので、プロセスガスにより半
導体装置製造装置に運ばれてくる汚染粒子はなく、清浄
な状態で処理を行うことができる。
すクリーニングガスをプロセスガスと同じにした理由
は、どのようなクリーニングガスを使用しても、クリー
ニングガスの種類に対応して特定の種類の汚染粒子しか
除去できず、すなわち、全ての種類の汚染粒子を除去で
きないためである。従って、プロセスガスと同じクリー
ニングガスでクリーニングすれば、そのクリーニングガ
スで除去可能な汚染粒子しか除去できない。しかし、そ
のあとの処理で、クリーニングガスと同じプロセスガス
を使用するので、そのプロセスガスで除去可能な汚染粒
子は加熱処理管内にはないので、プロセスガスにより半
導体装置製造装置に運ばれてくる汚染粒子はなく、清浄
な状態で処理を行うことができる。
【０００９】従って、この方法では、Ｎａ、Ｆｅ、Ｃｕ
などの無機汚染粒子の全種類を完全に除去するものでは
なく、除去不能な汚染粒子では半導体装置製造装置が汚
染されないようにして、除去可能な汚染粒子のみを除去
することを意図したものである。しかしながら、この方
法は、有機汚染物の除去を意図しておらず、また、有機
汚染物を除去することができない。
などの無機汚染粒子の全種類を完全に除去するものでは
なく、除去不能な汚染粒子では半導体装置製造装置が汚
染されないようにして、除去可能な汚染粒子のみを除去
することを意図したものである。しかしながら、この方
法は、有機汚染物の除去を意図しておらず、また、有機
汚染物を除去することができない。
【００１０】上述したように、ＨＳＧ技術により半球状
粒子を異常成長なく成長させることができるように、配
管内を高い清浄度で清浄して、配管内に付着した有機物
を除去できる実用的な配管内クリーニング方法が従来な
かった。そこで、本発明は、従来技術の上述した問題点
を解決して、半導体装置製造装置の配管内に付着した有
機物を高い清浄度で除去できる配管内クリーニング方法
を提供せんとするものである。
粒子を異常成長なく成長させることができるように、配
管内を高い清浄度で清浄して、配管内に付着した有機物
を除去できる実用的な配管内クリーニング方法が従来な
かった。そこで、本発明は、従来技術の上述した問題点
を解決して、半導体装置製造装置の配管内に付着した有
機物を高い清浄度で除去できる配管内クリーニング方法
を提供せんとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】半導体装置製造装置の配
管内をクリーニングする本発明による方法は、配管内
に、高純度Ａｒに１％から５％のＯ２を添加してなるク
リーニングガスを供給しながら、配管を加熱して、配管
内の有機物除去を効率的に行うことを特徴とする。な
お、配管の加熱は、昇温率を段階的に変えながら、全体
として極めて低い昇温率で、所定の高温度にまで昇温す
ることが好ましい。この場合、その所定の高温度には実
質的な時間維持するようにすることも、しないようにす
ることもできる。
管内をクリーニングする本発明による方法は、配管内
に、高純度Ａｒに１％から５％のＯ２を添加してなるク
リーニングガスを供給しながら、配管を加熱して、配管
内の有機物除去を効率的に行うことを特徴とする。な
お、配管の加熱は、昇温率を段階的に変えながら、全体
として極めて低い昇温率で、所定の高温度にまで昇温す
ることが好ましい。この場合、その所定の高温度には実
質的な時間維持するようにすることも、しないようにす
ることもできる。
【００１２】
【作用】上述したように、従来は通常クリーニングガス
として比較的安価な高純度Ｎ２を使用しているが、Ｎ２
はガス分子の大きさが小さく、主に水分除去のクリーニ
ングガスとして用いられてきた。これに対して、本発明
では、Ｎ２に比べガス分子が大きいＡｒを用いることに
より、配管内の有機物を飛ばし、配管の外にクリーニン
グガスと一緒に排出することができる。さらに１％から
５％のＯ２を添加することによって、加熱されている配
管内で、有機物が燃焼反応を起こし、ＣＯやＣＯ２やＨ
２Ｏとなり排出される。その結果、有機物をＮ２ガスよ
りも効率よく除去できる。従って、配管内の水分ばかり
でなく、有機物をも燃焼反応によって効率的に除去する
ことができる。
として比較的安価な高純度Ｎ２を使用しているが、Ｎ２
はガス分子の大きさが小さく、主に水分除去のクリーニ
ングガスとして用いられてきた。これに対して、本発明
では、Ｎ２に比べガス分子が大きいＡｒを用いることに
より、配管内の有機物を飛ばし、配管の外にクリーニン
グガスと一緒に排出することができる。さらに１％から
５％のＯ２を添加することによって、加熱されている配
管内で、有機物が燃焼反応を起こし、ＣＯやＣＯ２やＨ
２Ｏとなり排出される。その結果、有機物をＮ２ガスよ
りも効率よく除去できる。従って、配管内の水分ばかり
でなく、有機物をも燃焼反応によって効率的に除去する
ことができる。
【００１３】従来の配管加熱方法では、配管内の水分な
どの不純物を飛ばして除去するために比較的高い一定の
昇温率で連続的に昇温して、所定の高温度に到達したら
その状態に所定時間（数時間）の間放置していた。この
従来の配管加熱方法を本発明に適用した場合は、配管内
に有機物が焦げ付く危険があった。しかし、昇温率を段
階的に変えながら、全体として低い昇温率で、所定の高
温度にまで昇温すると、配管内の有機物が急激に燃焼す
ることが避けられ、有機物の焦げ付きを防止できる。従
って、有機物全てをＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏにして、配管
の外にクリーニングガスと一緒に排出することができ
る。
どの不純物を飛ばして除去するために比較的高い一定の
昇温率で連続的に昇温して、所定の高温度に到達したら
その状態に所定時間（数時間）の間放置していた。この
従来の配管加熱方法を本発明に適用した場合は、配管内
に有機物が焦げ付く危険があった。しかし、昇温率を段
階的に変えながら、全体として低い昇温率で、所定の高
温度にまで昇温すると、配管内の有機物が急激に燃焼す
ることが避けられ、有機物の焦げ付きを防止できる。従
って、有機物全てをＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏにして、配管
の外にクリーニングガスと一緒に排出することができ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面を参照し
て説明する。図１は、半導体装置製造装置の配管内をク
リーニングする本発明による方法を図解する配管内の模
式縦断面図である。
て説明する。図１は、半導体装置製造装置の配管内をク
リーニングする本発明による方法を図解する配管内の模
式縦断面図である。
【００１５】半導体装置製造装置の配管内に、高純度Ａ
ｒに１％から５％のＯ２を添加したクリーニングガスを
供給しながら、配管を加熱すると、図１に示すように、
配管の内壁１に付着した有機物２は、Ａｒ分子３により
連続して叩かれることにより、飛ばされる。更に、有機
物２がポリエチレン（ＣＨ２基の重合体）のような可燃
性の場合、配管が高温に加熱されているので、Ａｒを主
成分とするクリーニングガスに含まれる１％から５％の
Ｏ２ガス４により、有機物２が燃焼して、ＣＯやＣＯ２
やＨ２Ｏとなって、配管の外にクリーニングガスと一緒
に排出される。なお、配管の加熱は、例えば、配管の周
囲を囲むヒータ（不図示）によって行う。
ｒに１％から５％のＯ２を添加したクリーニングガスを
供給しながら、配管を加熱すると、図１に示すように、
配管の内壁１に付着した有機物２は、Ａｒ分子３により
連続して叩かれることにより、飛ばされる。更に、有機
物２がポリエチレン（ＣＨ２基の重合体）のような可燃
性の場合、配管が高温に加熱されているので、Ａｒを主
成分とするクリーニングガスに含まれる１％から５％の
Ｏ２ガス４により、有機物２が燃焼して、ＣＯやＣＯ２
やＨ２Ｏとなって、配管の外にクリーニングガスと一緒
に排出される。なお、配管の加熱は、例えば、配管の周
囲を囲むヒータ（不図示）によって行う。
【００１６】第１実施例 梱包したビニール袋から継ぎ手などの配管部品へ付着し
た有機物を除去するために本発明を実施した。半導体装
置製造装置の配管内に、高純度Ａｒに１％から５％のＯ
２を添加したクリーニングガスを供給しながら、配管
を、従来の加熱パターンと同様に加熱した。この加熱パ
ターンは、毎分１０℃〜２０℃の比較的高い昇温率で配
管を２００℃以上の温度になるまで加熱し、その状態で
数時間（少なくとも１時間以上）放置した。
た有機物を除去するために本発明を実施した。半導体装
置製造装置の配管内に、高純度Ａｒに１％から５％のＯ
２を添加したクリーニングガスを供給しながら、配管
を、従来の加熱パターンと同様に加熱した。この加熱パ
ターンは、毎分１０℃〜２０℃の比較的高い昇温率で配
管を２００℃以上の温度になるまで加熱し、その状態で
数時間（少なくとも１時間以上）放置した。
【００１７】この実施例では、配管の内壁に付着した有
機物が微小な場合、配管内の有機物をほぼ１００％除去
できた。その理由は、分子サイズが大きいＡｒによって
配管内の有機物を飛ばし、一方、微小な有機付着物は、
急激に燃焼しても焦げ付きを生じることなく、有機付着
物全てがＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏのような気体となって、
配管の外にクリーニングガスと一緒に排出されるからと
考えられる。加えて、クリーニングガスの純度が高く、
ＡｒとＯ２以外に不純物がないので、気体以外の燃焼生
成物が生じないためと考えられる。
機物が微小な場合、配管内の有機物をほぼ１００％除去
できた。その理由は、分子サイズが大きいＡｒによって
配管内の有機物を飛ばし、一方、微小な有機付着物は、
急激に燃焼しても焦げ付きを生じることなく、有機付着
物全てがＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏのような気体となって、
配管の外にクリーニングガスと一緒に排出されるからと
考えられる。加えて、クリーニングガスの純度が高く、
ＡｒとＯ２以外に不純物がないので、気体以外の燃焼生
成物が生じないためと考えられる。
【００１８】第２実施例 半導体装置製造装置の配管内に、高純度Ａｒに１％から
５％のＯ２を添加したクリーニングガスを供給しなが
ら、配管を以下の加熱パターンで加熱した。すなわち、
室温から５０℃までを１時間から２時間、５０℃から１
００℃までを１時間から２時間、１００℃から２００℃
までを１時間から２時間かけて段階的に昇温させた。こ
の実施例では、配管の内壁に付着した有機物の大きさに
係わりなく、配管内の有機物をほぼ１００％除去でき
た。
５％のＯ２を添加したクリーニングガスを供給しなが
ら、配管を以下の加熱パターンで加熱した。すなわち、
室温から５０℃までを１時間から２時間、５０℃から１
００℃までを１時間から２時間、１００℃から２００℃
までを１時間から２時間かけて段階的に昇温させた。こ
の実施例では、配管の内壁に付着した有機物の大きさに
係わりなく、配管内の有機物をほぼ１００％除去でき
た。
【００１９】その理由は、全体として極めて低い昇温率
で所定の高温度にまで昇温することにより、有機付着物
が急激に燃焼することがなく、有機物の大きさに係わり
なく、熱で分解するものは徐々に熱で分解し、一方、Ｏ
２で燃焼するものは徐々に燃焼して、焦げ付きを生じる
ことなく、有機付着物全てがＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏのよ
うな気体となって、配管の外にクリーニングガスと一緒
に排出されるからと考えられる。
で所定の高温度にまで昇温することにより、有機付着物
が急激に燃焼することがなく、有機物の大きさに係わり
なく、熱で分解するものは徐々に熱で分解し、一方、Ｏ
２で燃焼するものは徐々に燃焼して、焦げ付きを生じる
ことなく、有機付着物全てがＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏのよ
うな気体となって、配管の外にクリーニングガスと一緒
に排出されるからと考えられる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、配管
内に高純度Ａｒに１％から５％のＯ２を添加したクリー
ニングガスを供給しながら、配管を加熱する。従来使用
していたＮ２に比べ分子が大きいＡｒを用いることによ
り、配管内の有機物を飛ばし、配管の外にクリーニング
ガスと一緒に排出することができる。更に、加熱されて
いる配管内で、１％から５％添加されたＯ２によって有
機物が燃焼反応を起こし、ＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏとなり
排出される。その結果、Ｎ２ガスよりも効率よく、配管
内の水分ばかりでなく、有機物をも燃焼反応によって効
率的に除去することができる。
内に高純度Ａｒに１％から５％のＯ２を添加したクリー
ニングガスを供給しながら、配管を加熱する。従来使用
していたＮ２に比べ分子が大きいＡｒを用いることによ
り、配管内の有機物を飛ばし、配管の外にクリーニング
ガスと一緒に排出することができる。更に、加熱されて
いる配管内で、１％から５％添加されたＯ２によって有
機物が燃焼反応を起こし、ＣＯやＣＯ２やＨ２Ｏとなり
排出される。その結果、Ｎ２ガスよりも効率よく、配管
内の水分ばかりでなく、有機物をも燃焼反応によって効
率的に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置製造装置の配管内をクリーニングす
る本発明による方法を図解する配管内の模式縦断面図で
ある。
る本発明による方法を図解する配管内の模式縦断面図で
ある。
１ 配管の内壁 ２ 有機物 ３ Ａｒ分子 ４ Ｏ２分子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ｚ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B08B 9/00 - 9/06 H01L 21/02 H01L 21/205 H01L 21/285 H01L 21/304
Claims (6)
- 【請求項１】半導体装置製造装置の配管内に、高純度Ａ
ｒに１％から５％のＯ２を添加してなるクリーニングガ
スを供給しながら、配管を加熱して、配管内の有機物の
除去を効率的に行うことを特徴とする配管内部のクリー
ニング方法。 - 【請求項２】上記した配管の加熱は、全体として極めて
低い昇温率で、所定の高温度にまで加熱することを特徴
とする請求項１記載のクリーニング方法。 - 【請求項３】上記した配管の加熱は、昇温率を段階的に
変えながら行うことを特徴とする請求項２記載のクリー
ニング方法。 - 【請求項４】上記した配管の加熱は、室温から５０℃ま
でを１時間から２時間、５０℃から１００℃までを１時
間から２時間、１００℃から２００℃までを１時間から
２時間かけて段階的に昇温させることを特徴とする請求
項３記載のクリーニング方法。 - 【請求項５】上記した半導体装置製造装置は、ＨＳＧ技
術により半球状粒子を成長させる処理装置であることを
特徴とする請求項１ー３のいずれか１項に記載のクリー
ニング方法。 - 【請求項６】上記した有機物は可燃性である請求項１ー
４のいずれか１項に記載のクリーニング方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148728A JP2910761B1 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体装置製造装置の配管内部のクリーニング方法 |
| TW088108886A TW404854B (en) | 1998-05-29 | 1999-05-27 | Method for cleaning inside of pipeline of the semiconductor device fabricating device |
| KR1019990019496A KR100341160B1 (ko) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | 반도체 장치 제조장치의 배관 내부 클리닝 방법 |
| US09/323,280 US6214130B1 (en) | 1998-05-29 | 1999-06-01 | Method for cleaning the inside of a pipe in semiconductor device fabricating machine |
| GB9912718A GB2339001A (en) | 1998-05-29 | 1999-06-01 | Method for cleaning inner surface of a semiconductor fabricating machine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148728A JP2910761B1 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体装置製造装置の配管内部のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2910761B1 true JP2910761B1 (ja) | 1999-06-23 |
| JPH11333396A JPH11333396A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15459291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10148728A Expired - Fee Related JP2910761B1 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体装置製造装置の配管内部のクリーニング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6214130B1 (ja) |
| JP (1) | JP2910761B1 (ja) |
| KR (1) | KR100341160B1 (ja) |
| GB (1) | GB2339001A (ja) |
| TW (1) | TW404854B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115948724A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-11 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | Mocvd排气系统及清理方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264679B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| US7293569B2 (en) * | 2005-12-13 | 2007-11-13 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Alkylsilanes as solvents for low vapor pressure precursors |
| CA2989156C (en) * | 2012-11-07 | 2022-03-29 | Trc Services, Inc. | Cryogenic cleaning methods for reclaiming and reprocessing oilfield tools |
| CN103736691B (zh) * | 2013-12-19 | 2015-07-22 | 江苏中港冶金设备科技有限公司 | 一种用于清理切割后的管材的清理装置 |
| CN108839700A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-11-20 | 黄山市麦佰机械自动化有限公司 | 一种防积料的物料搬运设备 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621333A (en) * | 1979-07-31 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Cleaning method of equipment for manufacturing semiconductor element |
| GB2085925B (en) * | 1980-10-20 | 1985-01-09 | Alcan Int Ltd | Decorating of aluminium scrap |
| JP2934298B2 (ja) | 1990-10-08 | 1999-08-16 | 三菱電機株式会社 | 配管システム洗浄方法 |
| JPH04192330A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-10 | Kawasaki Steel Corp | 半導体製造装置の清掃方法 |
| JPH05144802A (ja) | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| DE4240387A1 (de) * | 1992-12-01 | 1994-06-09 | Linde Ag | Abtrennen organischer Verunreinigungen, insbesondere Öle, von Gegenständen wie Abfallprodukten |
| US5445679A (en) * | 1992-12-23 | 1995-08-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cleaning of polycrystalline silicon for charging into a Czochralski growing process |
| US6003526A (en) * | 1997-09-12 | 1999-12-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | In-sit chamber cleaning method |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10148728A patent/JP2910761B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-05-27 TW TW088108886A patent/TW404854B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-28 KR KR1019990019496A patent/KR100341160B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-01 US US09/323,280 patent/US6214130B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-01 GB GB9912718A patent/GB2339001A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115948724A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-11 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | Mocvd排气系统及清理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW404854B (en) | 2000-09-11 |
| GB2339001A (en) | 2000-01-12 |
| JPH11333396A (ja) | 1999-12-07 |
| US6214130B1 (en) | 2001-04-10 |
| GB9912718D0 (en) | 1999-08-04 |
| KR19990088657A (ko) | 1999-12-27 |
| KR100341160B1 (ko) | 2002-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20030037802A1 (en) | Semiconductor treating apparatus and cleaning method of the same | |
| KR20010066815A (ko) | 탄소나노튜브의 대량 정제 방법 | |
| JP2910761B1 (ja) | 半導体装置製造装置の配管内部のクリーニング方法 | |
| EP1129763B1 (en) | Abatement of semiconductor processing gases | |
| US4233496A (en) | Apparatus for removal of residues by means of pyrolysis | |
| DE69906475T2 (de) | In situ wachstum von oxid und silizium schichten | |
| JP4541739B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JPH1050686A (ja) | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法及びその装置 | |
| JPH10209106A (ja) | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 | |
| US5849102A (en) | Method of cleaning a surface of a semiconductor substrate by a heat treatment in an inert gas atmosphere | |
| JPS62245626A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US9217209B2 (en) | Methods for epitaxial silicon growth | |
| JP3058909B2 (ja) | クリーニング方法 | |
| US4766007A (en) | Process for forming deposited film | |
| JP2004002085A (ja) | 炭素・黒鉛部材の精製方法 | |
| JP2925876B2 (ja) | 金属表面酸化処理方法 | |
| JPH0927488A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2006059858A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62139335A (ja) | 表面清浄化方法 | |
| JP4452956B2 (ja) | 有機シリコン含有排気ガス処理方法 | |
| JP2006005214A (ja) | シリコンウエーハの熱処理方法 | |
| KR100431186B1 (ko) | 웨이퍼의 세정 및 건조 방법 | |
| JPH05326478A (ja) | ウェーハの洗浄方法およびその装置 | |
| JP4469824B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH0955385A (ja) | 半導体熱処理方法およびそれに用いる装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990309 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |