TW404854B - Method for cleaning inside of pipeline of the semiconductor device fabricating device - Google Patents

Description

多、發明說明（1) 疲之領域 本發明係關於一種配管内部之清洗 厂：有機物之去除方法，該有機物係附 造裝置之如接頭等氣體配管零件上。 揭_A技術之描诚 半導體裝置中之DRAM中，為了因應 求，記憶單元面積有日漸縮小之趨勢。 小，儲存於記憶單元之電荷量亦相對地 越不容易於維持記憶單元之高積體化同 元所需之電荷量。於如此之情況中，為 需之電荷量，@有一提案，其係於疊設 電極表面上，藉由HSG(hemi_spericai1 球狀粒子，而增加電容器電極之有效表 以HSG技術形成半球狀粒子之處理中 粒子異常生長，而無法達到所期之增加 ^果。探究其原因時，發現其係因為 T境中之有機物異常生長所造成。而環』 $附著於配管内之有機物，特別是附著3 接碩等配管零件之有機物所剝離者。」 機物之潔淨度之要求，日漸嚴格。 以往，係使用較廉價之高純度n2，做 总配管内部。然而，因仍產生上述問 管内清洗方法仍不充分。 ^ ’ 法’特別是關於 於半導體裝置製 -兩積體密度之要 :憶單元面積若縮 ^少。結果’越來 •’又確保記憶單 確保記憶單元所 電容器之電容器 _ain)技術生成半 積。 ’有時因半球狀 各器電極表面積 長前或生長中之 中之有機物，係 如包裝塑膠袋或 .之’對配管内有 %清洗氣體，清 故表示習知之配 404854 之謀潁 五、發明說明（2) 本發明欲鮮也 特 之一例 進行氣 液態氮 液態氮 沸，而 於微量 材料及 一方面 管内面 然 分去除 配管内 又 性氣體 氧化爐 殘留於 決此問 處理氣 方法。 因 置製造 清洗氣 開平4- 。此習 體沖洗 ’吸收 本身溫 使附著 、一 有機巧· 有機污 ’液態 之有機 而，如 «jir I At 有機巧' 之液態 ，於特 通入加 管加熱 加熱處 題，於 體相同 此，於 裝置為 體亦使 1 45991號公報中，揭示使用N2清洗配管内部 知例t，藉由於配管内，重複灌沖液態氮及 ，而清洗配管内部。自一端供應至配管内之 配管或配管外部之熱’而氣化成氮氣。藉由 度（乂點-197。〇之峰卻效果及液態氮之突 管内面之污染物剝離而去除。冷卻效果 ^ &時，可使有機污染物收縮，而藉由配管 ζ =熱收縮率之差異，而降低附著力。另 ..^ '弗則是藉由物理的作用，使附著於配 3染物剝離。 亡::述，!tb習知之配管内清洗方法，無法充 ^ 。又，藉由對配管突然施加高壓，而使 氮產生突沸亦極危險。 開平5-1 44802號公報中指出，將如&等之 J處理管，並同㈣加熱4理管進行洪 處理管之清洗方法中，因Na、Fe、Cu等粒 ^管内壁，而有清洗不足之問題。而為了 :::5-1 44802號公報中，揭示一種使用與 清洗氣體，對加熱處理管進行烘烤之清洗

此習知例中，若具有加熱處理管之半 氧化爐管時，若處理氣體使用〇2氣體時，f 用〇2氣體。而此時，若處理氣體不使用〇 J

第5頁 404854 五、發明說明（3) 體’而使用〇2氣體及Ar氣體之混合氣體時，則清洗氣體亦 使用％氣體及Ar氣體之混合氣體。當然，於此氧化處理 時，〇2氣體及Ar氣體之混合氣體中，A氣體之比率較高。 而若具有加熱處理管之半導體裝置製造裝置為CVD爐管 時’若處理氣體使用矽烷氣體時，則清洗氣體亦使用石夕院 氣體。而若具有加熱處理管之半導體裝置製造裝置為回^ 爐管時，若處理氣體使用Pi?氣體時，則清洗氣體亦使用 烧氣體。 如上所述，將對加熱處理管進行烘烤時所通入之清洗 氣體’設成與處理氣體相同之理由，乃因為不論使用何種 清洗氣體，僅能對應清洗氣體種類而去除特定種類之污染 粒子’亦即，無法去除所有種類之污染粒子。因此，若^吏 用與處理氣趙相同之清洗氣體’進行清洗時，則僅能去除 以此清洗氣體可去除之污染粒子。然而，於其後之處理示 中，因使用與清洗氣體相同之處理氣體，因為加熱處理管 内沒有此處理氣體可去除之污染粒子，不會因處理氣體而 使污染粒子被送入半導體裝置製造裝置内，故可於潔 態下進行處理。 ' “ 因此’於此方法中，並 染粒子之所有種類完全去除 不會污染半導體裝置製造裝 子。然而，此方法並無意圖 有機污染物。 非意圖將Na、Fe、Cu等無機污 ’而是使無法去除之污染粒子 置’而僅去除可去除之污染粒 去除有機污染物，且無法去除 如上所述，於習知方法中 並無實用之配管内清洗方

第6頁 ^04854 ____ /2r j 甘 秀' 可高潔淫_ Λ 有機物，以估·5Γ又地清洗配管内部，去除附著於配管内之 子。 °藉由HSG技術，無異常地生成半球狀粒

因此，為T 種配管内部清解決習知技術之上述問題，本發明提供一 装置製造鞋要/方法，其可高潔淨度地去除附著於半導體 置之配管内之有機物。 其特明之半導體裝置製造裝置之配管内部清洗方法， 〇2所成之生、管内，供應由在高純度Ar中添加115%之 之有機物二’；氣體，同時加熱配管，以有效地去除配管内 Λ 又，加熱配管時 而言極低之升溫率， 疋之向溫度可維持相 間。 ’最好階段式地改變升溫率，以整體 逐漸升溫至預定高溫度。此時，其預 當之時間’或亦可不維持相當之時 [作用] 如上所述，以往，一般係使用較廉價之高純度\做為 清洗氣體’而心之氣體分子小，故主要用為去除水分之清 洗氣艘。相對於此，本發明藉由使用氣體分子大於&之 Ar，可沖散配管内之有機物，而與清洗氣體共同排出至配 管外。此外，藉由添加1 %〜5 %之02，可使有機物於加熱之 配管内部產生燃燒反應，而成為CO、C02或1120排出。結 果’可較&氣體更能有效地去除有機物。因此，藉由燃緣

第7頁 -㈣485螘 五、發明說明（5) 反應，不僅是 習知之配 分等雜質，需 定之南溫度時 若將此習知之 機物燒焦附著 溫率，以整體 度，則可避免 焦附著。因此 洗氣體共同排 配管内之 管加熱方 以較高之 ，必須於 配管加熱 於配管内 而言為低 配管内之 ，可使有 出至配管 水分， 法中， 一定升 此狀態 方法， 之危險 之升溫 有機物 機物全 外。 亦可有效地去除有機物。 為了沖散並去除配管内之水 温率連續升溫’而當達到預 下放置預定時間（數小時）。 應用於本發明時，則可能有 。然而，若階段式地改^ 率，逐漸升溫至預定^ 急遽燃燒，而防止有二二 部成^ 圖式之簡單説明 本發明之上述及其他目的、優點和 施例之詳細說明中並參考圖式當可更加明：由：下较佳實 圖1:圖解本發明之半導體裝置製之、中： 清洗方法中，圖解配管内之模式縱剖面圖。之配營内部 符號説明 1 配管内壁 2有機物 3 Ar分子 4 02分子 輕J圭實施倒之

第8頁 404854 五、發明說明（6) ----- 以下，參考附圖，說明本發明。圖1係為本發明之爭 導體裝置製造裝置之配管内部清洗方法中，圖解配管内之 模式縱剖面圖。 於半導體裝置製造裝置之配管内，供應由在高純度Ar 中添加1 %〜5 %之〇2所成之清洗氣體，同時加熱配管，則如 圖1所示，附著於配管内壁1之有機物2，藉由以^务孑3速 續撞擊而沖散。而且，當有機物2如聚乙烯（CH2基之複合 物）般為可燃性時，因為配管加熱成高溫，藉由以^為主 成分之清洗氣體中所含之1%〜5%之I氣體4，使有機物2燃 燒，而成為C0 ' C〇2或HJ，與清洗氣體共同排出至配管 外。又，配管之加熱，係藉由如環繞配管周圍之加熱器 (無圖示）而進行。 實施例1 本實施例係為了去除附著於如包裴塑膠袋或接頭等配 管零件之有機物《於半導體裝置製造裝置之配管内，供應 由在高純度Ar中添加1 %〜5%之02所成之清洗氣體，同時以 與習知技術相同之加熱型態加熱配管。此加孰型離俜以每 分㈣t〜2〇t之較高升溫率，，配管加二V以上 之溫度，並於此狀態下放置數小時（至少1小時以上）。 於此實施例中，當附著於配管内壁之有機物極微小 時’則可去除幾乎100%之配管内部有機物。此係因藉由大 分子之Ar沖散配管内之有機物’而且微小之有機附著物即 使有機物急遽燃燒’亦不會燒焦附著，故有機附著物全部 皆可成為如CO、C〇2或HJ ’與清洗氣體共同排出至配管

404854_ 五、發明說明（7) 外。此外，因為清洗氣體之純度高，除了 Ar及02外，無其 他雜質，故不會產生氣體外之燃燒生成物。 實施例2 於半導體裝置製造裝置之配管内，供應由在高純度Ar 中添加1 %〜5¾:之〇2所成之清洗氣體，同時以下述加熱型 態’加熱配管。亦即，以階段式地升溫方式，以1小時至2 小時之時間’由室溫升溫至5 〇 °C，而以1小時至2小時之時 間’由50 °C升溫至100 t，同樣以1小時至2小時之時間， 由1 〇 〇 °C升溫至2 0 0 °C。於此實施例中，附著於配管内壁之 有機物’不論大小’幾乎可1〇〇%去除。 此係因藉由以整體而言為低之升溫率，逐漸升溫至預 定咼溫度，則有機附著物不會急遽燃燒，使得有機物不論 大小，凡是可以熱分解者皆可緩慢地被分解，而另一方 面’可以〇2燃燒者可緩慢燃燒，@不會燒焦附著，故有機 附著物全部皆可成為如co、c〇^M，與清洗氣體共同排 出至配管外。 發明效果 如上所述，於本發明Φ，似# > 宁供應由在咼純度A r中添加 1/〇〜5/。之〇所成之清洗氣體，同 ^ 叫時加熱配管。藉由使用氣 體分子大於N2之Ar，可沖| 答 .^ 孔 體共同排出至配管外。此外，蕻± 氣 古 r 籍由添加1 %〜5%之〇2，而使 有機物於加熱之配管内部產在.缺法 Λ 丨座生燃燒反應，而成為CO、C〇n 或排出。結果，不僅可齡n洛 2 1至j較N2氣鱧更能有效地去除配管内

第10頁 404854 五、發明說明（8) 之水分，同時藉由燃燒反應，亦可有效地去除有機物。 1

Claims (1)

1. a 〇ι 六、申請專利範圍 裝晋！^一其種配管内部之清洗方法，其於半導體裝置製造 之#、& &二内ή供應由在高純度紅中添加1%〜㈣之〇2所成 洗氣趙，同時加熱配管，以有效地去除配管内之有成機 中，m請λ利範圍第1項之配管内部之清洗方法，其 至預定高溫度。 極低之H逐漸加熱 中Λ二申請專利範圍第2項之配管内部之清洗方法，盆 該配官之加熱係以階段式地改變升溫率而進行之。八 中Λ Λ申請專利範圍第3項之配管内部之清洗方法，其 時之係：階段式地升溫方式，以“'時至2小 門,。至'皿升溫至5 0 °c，而以1小時至2小時之時 礴，由5 0 °C升溫至1 〇 〇。匚，同樣i _ ’ 由loot升溫至2〇(TC。 j時至2小時之時間’ 洗方5法如專利範圍第1至3項中之任一配管内部之清 生成半球狀粒子之處理=置製造裝置係為精由HSG技術 洗方”申請專利範圍第1至4項中之任-配管内部之清 法，其中’該有機物為可燃性。 第12頁