JP4469824B2 - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4469824B2 JP4469824B2 JP2006275263A JP2006275263A JP4469824B2 JP 4469824 B2 JP4469824 B2 JP 4469824B2 JP 2006275263 A JP2006275263 A JP 2006275263A JP 2006275263 A JP2006275263 A JP 2006275263A JP 4469824 B2 JP4469824 B2 JP 4469824B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- temperature
- silicon substrate
- substrate
- chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体基板の洗浄方法は、内部にイントリジックゲッタリング層が形成されたシリコン基板の表面と洗浄用の液体の薬品との接触領域の温度を、前記薬品の沸点未満において、200℃以上の高温に保持し、かつ、該高温に保持している時間を制御することにより、前記シリコン基板の表面および内部のCuを除去し、前記シリコン基板内のCuの残存率を20%以下にする洗浄を前記薬品により行なうことを特徴とする。
本発明(請求項1)の特徴は、シリコン基板の表面と薬品との接触領域を高温にすることにより、薬品により、基板表面の不純物のみならず、基板内部の不純物も除去することにある。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るシリコン基板のバッチ式洗浄装置を示す模式図である。本実施形態では、Cuにより汚染されたシリコン基板を液体状態の硫酸(硫酸液)を用いて洗浄する場合について説明する。
図4は、本発明の第2の実施形態に係るシリコン基板の枚葉式洗浄装置を示す模式図である。
図5は、本発明の第3の実施形態に係るシリコン基板の枚葉式洗浄装置を示す模式図である。
Claims (2)
- 内部にイントリジックゲッタリング層が形成されたシリコン基板の表面と洗浄用の液体の薬品との接触領域の温度を、前記薬品の沸点未満において、200℃以上の高温に保持し、かつ、該高温に保持している時間を制御することにより、前記シリコン基板の表面および内部のCuを除去し、前記シリコン基板内のCuの残存率を20%以下にする洗浄を前記薬品により行なうことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
- 前記薬品は硫酸もしくは燐酸、または硫酸もしくは燐酸に0.1%重量濃度未満のフッ酸を添加したものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006275263A JP4469824B2 (ja) | 2006-10-06 | 2006-10-06 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006275263A JP4469824B2 (ja) | 2006-10-06 | 2006-10-06 | 半導体基板の洗浄方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9007893A Division JPH10209106A (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007043193A JP2007043193A (ja) | 2007-02-15 |
JP4469824B2 true JP4469824B2 (ja) | 2010-06-02 |
Family
ID=37800808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006275263A Expired - Lifetime JP4469824B2 (ja) | 2006-10-06 | 2006-10-06 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4469824B2 (ja) |
-
2006
- 2006-10-06 JP JP2006275263A patent/JP4469824B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007043193A (ja) | 2007-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5071611B2 (ja) | 半導体材料用シリコンの洗浄方法とその多結晶シリコン塊、および洗浄装置 | |
TW413864B (en) | Apparatus for forming silicon oxide film and method of forming silicon oxide film | |
US20010053585A1 (en) | Cleaning process for substrate surface | |
JP2008508176A (ja) | 炭化ケイ素構造体の精製方法 | |
KR100832944B1 (ko) | 어닐 웨이퍼의 제조방법 및 어닐 웨이퍼 | |
JPH10209106A (ja) | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 | |
CN105931947A (zh) | 一种硅片的清洗方法 | |
JP4469824B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JP2009248021A (ja) | シリコンボートの洗浄方法、シリコンボート、シリコンウェハの熱処理方法、及びシリコンウェハ | |
JP3298467B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JPS60247935A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
KR100841994B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 | |
KR101844380B1 (ko) | 태양전지 셀의 실리콘 웨이퍼 및 금속 회수 방법 | |
TW200528391A (en) | Ozone processing method and ozone processing apparatus | |
WO2001073838A1 (fr) | Procede de production pour une plaquette recuite | |
JP4240637B2 (ja) | ウエハの表面清浄化方法 | |
JP2011146642A (ja) | 重水の貯蔵方法及び回収方法 | |
JP2843946B2 (ja) | シリコン基板表面の清浄化方法 | |
KR20090080401A (ko) | 웨이퍼 열처리 노의 세정 방법 | |
JP4029378B2 (ja) | アニールウェーハの製造方法 | |
JPH11288942A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4085162B2 (ja) | シリコン基板の表面処理方法 | |
JP3592741B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0684865A (ja) | 半導体装置の乾式清浄化方法 | |
WO2013171973A1 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100301 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |