JP2893492B2 - シリコンウェーハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウェーハの洗浄方法Info
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Description
浄方法に関する。
前工程までに生じたパーティクル汚染および重金属汚染
を除くため、通常、以下のような工程を経て行なわれ
る: (1)アルカリ洗浄……パーティクルおよび重金属(F
e,Ni,Cu,Zn,Al等)の除去を目的とする第
1段の洗浄 (2)純水によるリンス (3)酸性洗浄……アルカリ洗浄で除ききれなかった重
金属の除去を目的とする第2段の洗浄 (4)純水によるリンス (5)乾燥 これらの工程は、いずれかが複数回繰り返されることも
ある。
は、水、過酸化水素およびアンモニアの混合液(典型的
には、この順で5:1:1の組成を有する)が用いら
れ、酸性洗浄では、水、過酸化水素および塩化水素の混
合液(典型的には、この順で5:1:1の組成を有す
る)が用いられる。
は、最終的な洗浄段階である酸性洗浄で比較的効率的に
除去される。一方、NiおよびCuは、ウェーハ表面へ
の親和性が高いため、酸性洗浄においてもその除去が困
難である。したがって、従来法においてこれらの元素を
より確実に除去するためには、洗浄液の清浄化に努め
(たとえば、アルカリ洗浄において、これらの金属元素
が液中濃度で0.1ppb未満)、および/または、酸
性洗浄を複数回繰返す必要があった。しかし、たとえ
ば、繰返し洗浄を行なう場合でも、1回の洗浄繰返しに
よって、Ni,Cuの残存率が半減する程度であった。
このため、NiおよびCuについてクリーンなウェーハ
表面を得ようとすると、洗浄工程の重畳化・複雑化が必
要があった。
する方策を検討する過程で、アルカリ洗浄液に微量のA
lまたはFeを添加すると、ウェーハ面へのNi・Cu
の吸着が著しく低減し、したがって、これらの元素の洗
浄除去効率が改善されるという全く予想外の事実を見い
だした。
にAlイオンまたはFeイオンを添加することにより、
被洗浄ウェーハ表面へのNiおよびCuの吸着を抑制す
る方法を提供する。
Feの添加を除けば、従来使用されている洗浄液と同様
であってよい。こうした洗浄液としては、たとえば、上
記のとおり、SC−1(SC:Standard Cl
eaning)と称されるアルカリ洗浄液でH2O:H2
O2:NH4OH=5:1:1の混合液、また、SC−2
と称される酸性洗浄液でH2O:H2O2:HCl=5:
1:1の混合液があるが、必要に応じて、混合液の組成
を変えることは可能である。
る。典型的な例としては、アルカリ洗浄を80℃で10
分間、また、酸性洗浄を80℃で10分間行なう。これ
らの条件も必要に応じ変更することは可能である。
中にこれらを添加する。好適には、塩として、たとえ
ば、硝酸塩、塩酸塩等として添加するが、後工程での洗
浄に支障のないかたちであれば添加時のイオンの態様は
特に限定されない。AlまたはFeイオンは、洗浄液中
にに含有されるCuまたはNiの量を基準として、その
約3ないし約50倍程度とする。3倍に比べて低い濃度
では、効果が明瞭に現われず、50倍を大きく超える
と、酸性洗浄でのこれらの添加イオンの除去が問題にな
る。
合液からなるアルカリ洗浄液を、NiおよびCuイオン
濃度がそれぞれ0.1ppb含むように調製し、さらに
AlおよびFeイオンをそれぞれ1ppb添加した。こ
の洗浄液を用いて80℃で10分間かけてウェーハのア
ルカリ洗浄を行ない、純水によるリンス後、さらにH2
O:H2O2:HCl=5:1:1の混合液からなる酸性
洗浄液で80℃−10分間の条件で酸性洗浄を行なっ
た。純水リンス、乾燥後、全反射ケイ光X線分析によ
り、ウェーハ表面の金属元素量を調べた。また、アルカ
リ洗浄、リンス後のみの時点でも同様の分析を行なっ
た。結果を表1に示す。
点を除き、実施例1と同様な手順を繰り返した。結果を
表2に示す。
ーハの汚染を簡便な方法により抑制することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 シリコンウェーハのアルカリ洗浄工程に
おいて、AlイオンまたはFeイオンを添加してこれら
の添加されたイオンの濃度をNiまたはCuオン濃度に
対して3〜50倍、かつ、1ppb以上とした洗浄液を
用いることを特徴とする、被洗浄ウェーハ表面へのNi
およびCuの吸着を抑制する方法。 - 【請求項2】 請求項1のアルカリ洗浄後、さらに、酸
性洗浄を行なう工程を含むシリコンウェーハの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3265421A JP2893492B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3265421A JP2893492B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05109682A JPH05109682A (ja) | 1993-04-30 |
JP2893492B2 true JP2893492B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=17416926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3265421A Expired - Fee Related JP2893492B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2893492B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62252141A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-11-02 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | シリコン半導体基板の洗浄液 |
JPH01154523A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Fujitsu Ltd | シリコン層用洗浄液 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3265421A patent/JP2893492B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05109682A (ja) | 1993-04-30 |
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