JP2893492B2 - シリコンウェーハの洗浄方法 - Google Patents

シリコンウェーハの洗浄方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの洗
浄方法に関する。
【0002】
【従来技術とその問題点】シリコンウェーハの洗浄は、
前工程までに生じたパーティクル汚染および重金属汚染
を除くため、通常、以下のような工程を経て行なわれ
る: (1)アルカリ洗浄……パーティクルおよび重金属(F
e,Ni,Cu,Zn,Al等)の除去を目的とする第
1段の洗浄 (2)純水によるリンス (3)酸性洗浄……アルカリ洗浄で除ききれなかった重
金属の除去を目的とする第2段の洗浄 (4)純水によるリンス (5)乾燥 これらの工程は、いずれかが複数回繰り返されることも
ある。
【0003】洗浄液の液組成としては、アルカリ洗浄で
は、水、過酸化水素およびアンモニアの混合液(典型的
には、この順で5:1:1の組成を有する)が用いら
れ、酸性洗浄では、水、過酸化水素および塩化水素の混
合液(典型的には、この順で5:1:1の組成を有す
る)が用いられる。
【0004】上記重金属のうち、Fe,AlおよびZn
は、最終的な洗浄段階である酸性洗浄で比較的効率的に
除去される。一方、NiおよびCuは、ウェーハ表面へ
の親和性が高いため、酸性洗浄においてもその除去が困
難である。したがって、従来法においてこれらの元素を
より確実に除去するためには、洗浄液の清浄化に努め
(たとえば、アルカリ洗浄において、これらの金属元素
が液中濃度で0.1ppb未満)、および/または、酸
性洗浄を複数回繰返す必要があった。しかし、たとえ
ば、繰返し洗浄を行なう場合でも、1回の洗浄繰返しに
よって、Ni,Cuの残存率が半減する程度であった。
このため、NiおよびCuについてクリーンなウェーハ
表面を得ようとすると、洗浄工程の重畳化・複雑化が必
要があった。
【0005】
【問題解決に至る知見】本発明者らは、上記問題を解決
する方策を検討する過程で、アルカリ洗浄液に微量のA
lまたはFeを添加すると、ウェーハ面へのNi・Cu
の吸着が著しく低減し、したがって、これらの元素の洗
浄除去効率が改善されるという全く予想外の事実を見い
だした。
【0006】
【発明の構成】すなわち、本発明は、アルカリ洗浄液中
にAlイオンまたはFeイオンを添加することにより、
被洗浄ウェーハ表面へのNiおよびCuの吸着を抑制す
る方法を提供する。
【0007】本発明で用いられる洗浄液は、Alまたは
Feの添加を除けば、従来使用されている洗浄液と同様
であってよい。こうした洗浄液としては、たとえば、上
記のとおり、SC−1(SC:Standard Cl
eaning)と称されるアルカリ洗浄液でH2O:H2
2:NH4OH=5:1:1の混合液、また、SC−2
と称される酸性洗浄液でH2O:H22:HCl=5:
1:1の混合液があるが、必要に応じて、混合液の組成
を変えることは可能である。
【0008】洗浄は、従来法と同様に行なうことができ
る。典型的な例としては、アルカリ洗浄を80℃で10
分間、また、酸性洗浄を80℃で10分間行なう。これ
らの条件も必要に応じ変更することは可能である。
【0009】AlまたはFeイオンは、アルカリ洗浄液
中にこれらを添加する。好適には、塩として、たとえ
ば、硝酸塩、塩酸塩等として添加するが、後工程での洗
浄に支障のないかたちであれば添加時のイオンの態様は
特に限定されない。AlまたはFeイオンは、洗浄液中
にに含有されるCuまたはNiの量を基準として、その
約3ないし約50倍程度とする。3倍に比べて低い濃度
では、効果が明瞭に現われず、50倍を大きく超える
と、酸性洗浄でのこれらの添加イオンの除去が問題にな
る。
【0010】
【発明の具体的開示】
【実施例1】H2O:H22:NH4OHの5:1:1混
合液からなるアルカリ洗浄液を、NiおよびCuイオン
濃度がそれぞれ0.1ppb含むように調製し、さらに
AlおよびFeイオンをそれぞれ1ppb添加した。こ
の洗浄液を用いて80℃で10分間かけてウェーハのア
ルカリ洗浄を行ない、純水によるリンス後、さらにH2
O:H22:HCl=5:1:1の混合液からなる酸性
洗浄液で80℃−10分間の条件で酸性洗浄を行なっ
た。純水リンス、乾燥後、全反射ケイ光X線分析によ
り、ウェーハ表面の金属元素量を調べた。また、アルカ
リ洗浄、リンス後のみの時点でも同様の分析を行なっ
た。結果を表1に示す。
【0011】
【表1】 アルカリ洗浄の直後 酸性洗浄後 Niの表面濃度 2×109(atoms/cm2) 109(atoms/cm2) Cuの表面濃度 2×109(atoms/cm2) 109(atoms/cm2) Feの表面濃度 1011(atoms/cm2) 109(atoms/cm2) Alの表面濃度 1011(atoms/cm2) 109(atoms/cm2
【0012】
【比較例1】AlおよびFeイオンの添加を行なわない
点を除き、実施例1と同様な手順を繰り返した。結果を
表2に示す。
【0013】
【表2】 アルカリ洗浄の直後 酸性洗浄後 Niの表面濃度 2×1010(atoms/cm2) 1010(atoms/cm2) Cuの表面濃度 2×1010(atoms/cm2) 1010(atoms/cm2) Feの表面濃度 109 (atoms/cm2) 109 (atoms/cm2) Alの表面濃度 109 (atoms/cm2) 109 (atoms/cm2
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、Ni,Cuによるウェ
ーハの汚染を簡便な方法により抑制することができる。
フロントページの続き (72)発明者 龍田 次郎 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 中央研究所内 (72)発明者 島貫 康 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−252141(JP,A) 特開 平1−154523(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/304

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シリコンウェーハのアルカリ洗浄工程に
    おいて、AlイオンまたはFeイオンを添加してこれら
    の添加されたイオンの濃度をNiまたはCuオン濃度に
    対して3〜50倍、かつ、1ppb以上とした洗浄液を
    用いることを特徴とする、被洗浄ウェーハ表面へのNi
    およびCuの吸着を抑制する方法。
  2. 【請求項2】 請求項1のアルカリ洗浄後、さらに、酸
    性洗浄を行なう工程を含むシリコンウェーハの洗浄方
    法。
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JPS62252141A (ja) * 1986-04-24 1987-11-02 Kyushu Denshi Kinzoku Kk シリコン半導体基板の洗浄液
JPH01154523A (ja) * 1987-12-11 1989-06-16 Fujitsu Ltd シリコン層用洗浄液

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