JP2872439B2 - スルホン類の製造方法 - Google Patents

スルホン類の製造方法

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JP2872439B2 JP3106411A JP10641191A JP2872439B2 JP 2872439 B2 JP2872439 B2 JP 2872439B2 JP 3106411 A JP3106411 A JP 3106411A JP 10641191 A JP10641191 A JP 10641191A JP 2872439 B2 JP2872439 B2 JP 2872439B2
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    • C07C309/72Esters of sulfonic acids having sulfur atoms of esterified sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C315/00Preparation of sulfones; Preparation of sulfoxides
    • C07C315/04Preparation of sulfones; Preparation of sulfoxides by reactions not involving the formation of sulfone or sulfoxide groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C315/00Preparation of sulfones; Preparation of sulfoxides

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスルホン類の製造方法に
関する。本発明の方法により製造されるスルホン類はビ
フェニル骨格を含有しているのが特異的であって、合成
樹脂、染料、界面活性剤、農薬、医薬などの原料又は記
録紙用顕色剤として有用であり、とりわけ、これから誘
導される合成樹脂は透明性、耐熱性及び耐衝撃性に於い
て極めて高度であり、特徴的である。
【0002】
【従来の技術】本発明の方法が目的とするようなスルホ
ン類の製造方法に関しては、英国特許第1298822
号及びPOLYMER,1977,Vol 18,Ap
ril,354頁に記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】英国特許第12988
22号に記載されている方法は4−ニトロビフェニルを
出発原料とした比較的に工程数の多い方法であり、経済
性に難点のあることと、4−ニトロビフェニルの癌誘発
性が取り沙汰された経緯のあることから、必ずしも優れ
た工業的方法と言うことはできない。一方、POLYM
ER,1977,Vol 18,April,354頁
に記載されている方法では4−ヒドロキシビフェニルの
炭酸エステルを出発原料としていて、炭酸エステルの製
造工程が面倒であることと、炭酸エステルが比較的に高
融点であるために縮合反応に際しては比較的に多量の高
沸点の有機溶媒を使わざるを得ないなどの欠点が存在す
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によって、一般式
[1]
【0005】
【化8】 (式中、Rは低級アルキル基、アリール基又は核置換さ
れたアリール基を示す。)で表わされる4−ヒドロキシ
ビフェニルのスルホン酸エステル類と一般式[2] R’SO2 Cl ………[2] (式中、R’は低級アルキル基、アリール基又は核置換
されたアリール基を示す。)で表わされるスルホニルク
ロライド類とをルイス酸又は超強性酸の存在下に縮合さ
せる事を特徴とする一般式[3]
【0006】
【化9】 (式中、R及びR’は一般式[1]及び一般式[2]で
の定義と同じである。)で表わされるスルホン類の製造
方法、4−ヒドロキシビフェニルと一般式[4] R''SO2 Cl ………[4] (式中、R''は低級アルキル基、アリール基又は核置換
されたアリール基を示す。)で表わされるスルホニルク
ロライド類とをルイス酸又は超強性酸の存在下に縮合さ
せる事を特徴とする一般式[5]
【0007】
【化10】 (式中、R''は一般式[4]での定義と同じである。)
で表わされるスルホン類の製造方法、及び一般式[3]
又は一般式[5]で表わされるスルホン類を酸又はアル
カリの存在下にけん化させる事を特徴とする、一般式
[6]
【0008】
【化11】 (式中、R’は一般式[2]での定義と同じである。)
又は一般式[7]
【0009】
【化12】 (式中、R''は一般式[4]での定義と同じである。)
で表わされるスルホン類又はそのアルカリ塩の製造方法
が提供される。
【0010】本発明の方法の利点は工業的に容易に入手
される素原料から比較的に簡単な工程で目的とするスル
ホン類が高収率で得られることである。この利点は4−
ヒドロキシビフェニルのスルホン酸エステル類が、フリ
ーデルクラフト型の縮合反応に於いて、4’位に高い配
向性を示す結果、縮合反応に際して、目的化合物への高
い反応選択率の得られることに基づいている。
【0011】 一般式[1]ないし一般式[7]のR,
R’及びR”は同一又は異なる基であり、いずれも低級
アルキル基、アリール基又は核置換されたアリール基で
あり、本発明の実施に好ましい具体例としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、フェニル基、4−フルオロ
フェニル基、4−クロロフェニル基、4−ブロモフェニ
ル基、3−ニトロフェニル基、4−メチルフェニル基、
2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニ
ル基、3,4−ジメチルフェニル基、4−エチルフェニ
ル基、4−イソプロピルフェニル基、4−ビフェニリル
基、4’−クロロ−4−ビフェニリル基、4’−ブロモ
−4−ビスフェニリル基、1−ナフチル基又は2−ナフ
チル基などが挙げられる。Rがメチル基又は4−クロロ
フェニル基であり、R’及びR”が4−クロロフェニル
基である場合が好ましい。
【0012】 一般式[1]で表わされる4−ヒドロキ
シビフェニルのスルホン酸エステル類は既に良く知られ
ている方法によって容易に製造することができる。その
一つは4−ヒドロキシビフェニルと対応するスルホニ
ルクロライド類とを塩基性化合物、ルイス酸又は超強性
酸の存在下に縮合反応を行わせる方法であり、いま一つ
はより低位のフェノール類のスルホン酸エステル類と4
−ヒドロキシビフェニルとを塩基性化合物、ルイス酸又
は超強性酸の存在下にエステル交換反応を行わせる方法
である。ここで使用される塩基性化合物の好ましい例と
しては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、トリメチルアミン、トリエチルア
ミン、ピリジン又はピコリンなどが挙げられる。ルイス
酸の好ましい例としては三ふっ化ほう素、塩化マグネシ
ウム、塩化アルミニウム、塩化チタン、塩化第二鉄、塩
化亜鉛又は塩化すずなどが挙げられる。そして超強性酸
の好ましい例としてはフルオロスルホン酸、トリフルオ
ロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン
酸、モリブドりん酸、モリブドけい酸、タングストりん
酸又はタングストけい酸などが挙げられる。縮合反応は
水又は不活性溶媒の存在下で行う事もできるが、ルイス
酸又は超強性酸の存在下での縮合反応は接触的な脱塩化
水素反応であって、無溶媒又は少量の不活性溶媒の存在
下で反応は円滑に進行させられる。ここで使用される不
活性溶媒としてはクロロホルム、四塩化炭素、ジクロロ
エタン、トリクロロエタン、ベンゼン、トルエンキシ
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロ
ベンゼン、ニトロベンゼン、スルホラン、ジフェニルス
ルホン、テトラヒドロフラン又はジオキサンなどが挙げ
られる。エステル交換反応は交換反応により生成するよ
り低位のフェノール類を減圧下に蒸留除去しつつ反応を
進めれば反応はより円滑で完全である。より低位のフェ
ノール類としてはフェノール、オルソクレゾール、メタ
クレゾール又はパラクレゾールなどが好ましい。このよ
うにして得られる、本発明の目的に好ましい一般式
[1]で表わされる4−ヒドロキシビフェニルのスルホ
ン酸エステルの代表的な例としては、4−ビフェニリル
メタンスルホネート(4−ヒドロキシビフェニリルの
メタンスルホン酸エステル)、4−ビフェニリルエタ
ンスルホネート、4−ビフェニリルベンゼンスルホネ
ート、4−ビフェニリル(パラクロロベンゼン)スル
ホネート、4−ビフェニリル(パラブロモベンゼン)
スルホネート、4−ビフェニリル(パラトルエン)ス
ルホネート又は4−ビフェニリル(4’−ブロモ−4
−ビフェニル)スルホネートなどが挙げられる。
【0013】一般式[1]で表わされる4−ヒドロキシ
ビフェニルのスルホン酸エステル類と一般式[2]で表
わされるスルホニルクロライド類とをルイス酸又は超強
性酸の存在下に縮合させる反応は、フリーデルクラフト
型の縮合反応と称する事ができよう。一般式[2]で表
わされるスルホニルクロライド類の具体例としてはメタ
ンスルホニルクロライド、エタンスルホニルクロライ
ド、プロパンスルホニルクロライド、ベンゼンスルホニ
ルクロライド、パラフルオロベンゼンスルホニルクロラ
イド、パラクロロベンゼンスルホニルクロライド、パラ
ブロモベンゼンスルホニルクロライド、メタニトロベン
ゼンスルホニルクロライド、パラトルエンスルホニルク
ロライド、2,4−キシレンスルホニルクロライド、
2,5−キシレンスルホニルクロライド、3,4−キシ
レンスルホニルクロライド、パラエチルベンゼンスルホ
ニルクロライド、パラクメンスルホニルクロライド、4
−ビフェニルスルホニルクロライド、4’−クロロ−4
−ビフェニルスルホニルクロライド、4’−ブロモ−4
−ビフェニルスルホニルクロライド、1−ナフタリンス
ルホニルクロライド又は2−ナフタリンスルホニルクロ
ライドなどが挙げられる。ここで使用されるルイス酸と
しては塩化アルミニウム、塩化第二鉄又は塩化亜鉛が好
ましい。又、本発明で称する超強性酸とはフルオロスル
ホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸又はペンタフル
オロエタンスルホン酸などの超強性酸及びモリブドりん
酸、モリブドけい酸、タングストりん酸又はタングスト
けい酸などのヘテロポリ酸を含み、いずれも無水の状態
であることが本発明の目的に好適である。そして、これ
らの触媒、すなわちルイス酸及び超強性酸は4−ヒドロ
キシビフェニルのスルホン酸エステル類又はスルホニル
クロライド類に対して0.1ないし300モルパーセン
トの範囲で使用が決められる。
【0014】4−ヒドロキシビフェニルのスルホン酸エ
ステル類とスルホニルクロライド類とのルイス酸又は超
強性酸の存在下での縮合反応は脱塩化水素縮合であっ
て、4−ヒドロキシビフェニルのスルホン酸エステル類
とスルホニルクロライド類は同モル比で反応させるのが
理論的だが、通常はスルホニルクロライド類をやや多い
目にして反応させることが好ましい。反応温度は0℃な
いし200℃が好ましく、50℃ないし150℃では反
応が円滑でありより好ましい。反応温度が低い時には反
応系の粘度が著しく高く、円滑な縮合反応が行われにく
いことがある。この時は不活性溶媒を添加して系の粘度
を低下させて反応の円滑化をはかることができる。ここ
で使用される不活性溶媒の具体例としては、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トル
エン、キシレン、四塩化炭素、ジクロロエタン、塩化ビ
ニリデン、1,2−ジクロロエチレン、トリクロロエチ
レン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、4−ク
ロロトルエン、ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプ
ロパン、ニトロベンゼン又はジフェニルスルホンなどが
挙げられる。
【0015】 4−ヒドロキシビフェニルと一般式
[4]で表わされるスルホニルクロライド類とのルイス
酸又は超強性酸の存在下での縮合反応の化学的な過程は
二段階に分かれている。第一段階は4−ヒドロキシビフ
ェニルとスルホニルクロライド類とのエステル縮合反応
であって、より低温又は短時間で反応完結する。第二
段階は第一段階で生成した4−ヒドロキシビフェニルの
スルホン酸エステル類とスルホニルクロライド類とのフ
リーデルクラフト型縮合反応であり、さきに説明した通
りの要領で反応をすすめる事ができる。この両段階はい
ずれも脱塩化水素縮合反応であって、単一又は複合した
触媒系で円滑に反応が進行する。又、当然の事ながら4
−ヒドロキシビフェニルとスルホニルクロライド類とは
1対2のモル比で反応させるのが理論的ではあるが、通
常はスルホニルクロライド類をそれよりやや多い目にし
て反応させるのが好ましい。一般式[4]で表わされる
スルホニルクロライド類の具体例はさきの一般式[2]
のそれと全く同じであり、ルイス酸及び超強性酸の具体
例もさきに挙げた通りである。
【0016】一般式[3]又は一般式[5]で表わされ
るスルホン類は酸又はアルカリの存在下にけん化され
て、より工業的に有用な一般式[6]又は一般式[7]
で表わされるスルホン類又はそのアルカリ塩に誘導され
る。アルカリによるけん化反応は、次の化学式の例
【0017】
【化13】 又は
【0018】
【化14】 で表わされ、スルホン類1モルに対して1当量以上のア
ルカリが必要である。特にけん化反応が100℃以下の
温和な条件下であるときは、後者の化学式の例に従って
スルホン類1モルに対して2当量以上のアルカリを用い
ることが好ましい。ここで好ましいアルカリの具体例と
しては、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである。
けん化反応は水を媒質として行うのが好ましいが、反応
系を均一にしてけん化反応を円滑にする目的で水溶性の
不活性溶媒を共用する事は更に好ましい。好ましい水溶
性の不活性溶媒の具体的な例としては、イソプロパノー
ル、ターシャリブタノール、ターシャリアミルアルコー
ル、テトラハイドロフラン、1,4−ジオキサン、エチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエ
ーテル又はスルホランなどが挙げられる。前記前者の化
学式の例のようにスルホン類1モルに対して1当量程度
のアルカリ量しか使用しないときは100℃以下の反応
温度では反応の完結までに極めて長時間を要する。加圧
下に反応温度を100℃ないし200℃に保てば反応の
完結は迅速であり、好ましい。このときも水及び水溶性
の不活性溶媒の共用は同様に好ましい。
【0019】一般式[3]又は一般式[5]で表わされ
るスルホン類の酸の存在下でのけん化反応は、通常は加
水分解反応と称されていて、次のような化学式の例で表
わされる。
【0020】
【化15】 このときの酸の働きは単に触媒作用であって、スルホン
類1モルに対して0.01ないし0.5当量程度で充分
であり、このときも水と水溶性の不活性溶媒の共用は好
ましい。酸の具体的な例としては硫酸、トリフルオロメ
タンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、4−クロロベンゼンスルホン酸、モ
リブドりん酸、モリブドけい酸、タングストりん酸又は
タングストけい酸などが挙げられ、水溶性の不活性溶媒
の具体的な例は、アルカリによるけん化反応の場合と同
様である。又、反応温度は80℃ないし200℃の範囲
が好ましく、温度条件によっては加圧が必要である。
【0021】本発明方法によるスルホン類はその使用目
的に応じて更に品位を向上させるために精製操作を加え
ることができる。スルホン類の一部は真空蒸留法によっ
て精製することもできるが、その多くは結晶性がよいの
で水又は有機溶媒による再結晶法の精製で極めて高品位
のスルホン類を得ることができる。有機溶媒は各スルホ
ン類の物性に応じて広い範囲で選択することができる。
【0022】
【実施例】本発明を更に明確にするため、具体的な実施
例を挙げて説明する。 実施例1 かきまぜ機、温度計、滴下ロート及び還流冷却器のつい
た内容積5,000ml.の硬質ガラス製の四つ口フラ
スコに水3,000gr.、4−ヒドロキシビフェニル
340gr.(2mol)及び水酸化カリウム118g
r.(2.1mol)を仕込みかきまぜながら内容物の
温度を50℃に保ち、続いて滴下ロートからメタンスル
ホニルクロライド229gr.(2mol)を約2時間
で滴下する。滴下終了後1時間その温度に保ってから内
容物を30℃迄冷却する。内容物を吸引ろ過し、ケーキ
を約1,000gr.の水で洗浄する。ケーキを乾燥し
てから、トルエンによる再結晶で精製すると白色の結晶
性粉末421gr.が得られる。これは融点が153
℃、硫黄含有量が12.8%であり、更にガスクロマト
グラフィーによれば単一化合物であることから、4−ヒ
ドロキシビフェニルのメタンスルホン酸エステルである
ことが確認される。
【0023】実施例1−2 かきまぜ機、温度計、滴下ロート及び還流冷却器のつい
た内容積2,000ml.の四つ口フラスコにジクロロ
エタン1,000gr.、実施例1で得られた4−ヒド
ロキシビフェニルのメタンスルホン酸エステル248g
r.(1mol)及び無水塩化アルミニウム174g
r.(1.3mol)を仕込む。内容物をかきまぜなが
ら滴下ロートからメタンスルホニルクロライド120g
r.(1.05mol)を約1時間で滴下する。この間
内容物の温度は30℃に保たれる。滴下終了後ただちに
フラスコを加熱して内容物がゆっくり沸とうするように
する。還流冷却器の頂部から塩化水素ガスが出て来るの
で、これは適宜、処理をする。この状態に48時間保て
ば塩化水素ガスの発生が停止して反応が完結する。内容
積5,000ml.の硬質ガラス製のビーカーに水1,
000gr.及び破砕した氷1,000gr.を入れて
はげしくかきまぜながら、さきの反応混合物を注入す
る。約2時間かきまぜてから、これを吸引ろ過し、ケー
キを1,000gr.の水で洗浄する。ケーキを乾燥し
てからキシレンで再結晶精製すれば白色の結晶性粉末2
95gr.が得られる。これは融点が205℃、硫黄含
有量が19.4%であり、ガスクロマトグラフィーによ
れば単一化合物であって、目的とする4−ヒドロキシ−
4’−メタンスルホニルビフェニルのメタンスルホン酸
エステルであることが確認される。
【0024】実施例2 かきまぜ機、温度計、滴下ロート及び還流冷却器のつい
た内容積2,000ml.の硬質ガラス製四つ口フラス
コに水400gr.、ジオキサン300gr.、水酸化
ナトリウム42gr.(1.05mol)及び実施例1
−2で得られた4−ヒドロキシ−4’−メタンスルホニ
ルビフェニルのメタンスルホン酸エステル163gr.
(0.5mol)を仕込み、かきまぜながら内容物がゆ
っくり沸とうするようにする。この状態に約2時間保っ
てから滴下ロートから4規定の塩化水素水溶液140m
l.を約1時間で滴下する。内容物を30℃以下に冷却
してから吸引ろ過して、更に水500gr.でケーキを
洗浄する。ケーキを乾燥してからキシレンで再結晶精製
すれば白色の結晶性粉末242グラムが得られる。これ
は融点が195℃、硫黄含量が12.7%、ヒドロキシ
ル価が225.5であり、ガスクロマトグラフィーによ
れば単一化合物であって、目的とする4−ヒドロキシ−
4’−メタンスルホニルビフェニルである事が確認され
る。
【0025】実施例3 かきまぜ機、温度計、還流冷却器及び投入口のついた内
容積2,000ml.の硬質ガラス製四つ口フラスコに
4−ヒドロキシビフェニル510gr.(3mol)、
ベンゼンスルホニルクロライド1,091gr.(6.
18mol)、ジクロロエタン100gr.及び塩化亜
鉛1.3gr.(0.01mol)を仕込み、かきまぜ
ながらフラスコを加熱して内容物の温度を80℃にすれ
ば還流冷却の頂部から塩化水素ガスが出て来るので適
宜、処理をする。80℃に約4時間保てば塩化水素ガス
の発生が少くなる。ここで少量の内容物を採取して精製
すれば、融点が102℃、硫黄含有量が10.5%であ
り、ガスクロマトグラフィーによれば単一化合物である
白色の結晶性粉末が得られる。このことからこれが4−
ヒドロキシビフェニルのベンゼンスルホン酸エステルで
ある事が確認される。つづいて無水塩化第二鉄5gr.
(0.03mol)を投入口から投入する。内容物の温
度を120℃に昇温すれば再び塩化水素ガスを発生し始
める。この温度に約24時間保てば塩化水素ガスの発生
が止まり、縮合反応が完結する。これを5規定の塩酸2
00ml.及びトルエン2,500gr.のはいった内
容積5,000ml.のフラスコにはげしくかきまぜな
がら注入し、内容物を80℃迄昇温する。約1時間後に
静置して水層を除去する。200gr.ずつの水で更に
3回洗浄してからトルエン溶液を共沸的に脱水し、ゆっ
くりかきまぜながら冷却すると白色結晶を析出する。内
容物を10℃迄冷却して吸引ろ過し、1,000gr.
のトルエンで洗浄、乾燥すれば白色の結晶1,120g
r.が得られる。これは融点が138℃、硫黄含有量が
14.2%であり、ガスクロマトグラフィーによれば単
一化合物であることから、目的とする4−ヒドロキシ−
4’−ベンゼンスルホニルビフェニルのベンゼンスルホ
ン酸エステルであることが確認される。
【0026】実施例4 内容積1,000ml.のステンレススチール製のオー
トクレーブに水500ミリリットル、水酸化ナトリウム
21gr.(0.525mol)及び実施例3で得られ
た4−ヒドロキシ−4’−ベンゼンスルホニルビフェニ
ルのベンゼンスルホン酸エステル225gr.(0.5
mol)を仕込み、かきまぜながら内容物の温度を18
0℃に昇温する。このとき圧力は約10kgf/cm2
である。この温度に約2時間保ってからオートクレーブ
を冷却して内容物を取り出す。内容物に10規定の塩酸
5ml.を加えてから吸引ろ過によってケーキを採取す
る。ケーキを更に300gr.の水で洗浄してから乾燥
し、ジメチルホルムアミドで再結晶精製すれば、白色の
結晶性粉末104gr.が得られる。これは融点が21
7℃、硫黄含有量が10.3%、ヒドロキシル価が18
1であり、ガスクロマトグラフィーによれば単一化合物
であることから、目的とする4−ヒドロキシ−4’−ベ
ンゼンスルホニルビフェニルである事が確認される。 実施例5 かきまぜ機、温度計、還流冷却器及び投入口のついた内
容積2,000ml.の四つ口フラスコにジクロロエタ
ン1,000gr.、実施例1と同様の方法で得られた
融点が184℃の4−ヒドロキシビフェニルのパラトル
エンスルホン酸エステル227gr.(0.7mo
l)、パラトルエンスルホニルクロライド140gr.
(0.735mol)及び無水塩化アルミニウム12
1.5gr.(0.91mol)を仕込み、かきまぜな
がらフラスコを加熱して内容物がゆっくり沸とうするよ
うにする。約30時間後に塩化水素ガスの発生が停止
し、縮合反応が完結する。内容積5,000ml.のフ
ラスコに水1,000gr.及び破砕した氷1,000
gr.を仕込み、はげしくかきまぜながら縮合反応の混
合物を注入する。約2時間かきまぜてから、約30℃に
して内容物を吸引ろ過する。ケーキを300gr.の水
で洗浄してから乾燥し、キシレンで再結晶精製すれば白
色結晶性粉末315グラムが得られる。これは融点が1
81℃、硫黄含有量が13.3%であり、ガスクロマト
グラフィーによれば単一化合物であることから、目的と
する4−ヒドロキシ−4’−パラトルエンスルホニルビ
フェニルのパラトルエンスルホン酸エステルであること
が確認される。
【0027】実施例6 実施例5で得られた4−ヒドロキシ−4’−パラトルエ
ンスルホニルビフェニルのパラトルエンスルホン酸エス
テル239gr.(0.5mol)を実施例2と全く同
様に処理して、白色結晶性粉末159gr.が得られ
る。これは融点が242℃、硫黄含有量が9.9%、ヒ
ドロキシル価が171.6であり、ガスクロマトグラフ
ィーによれば単一化合物であることから、目的とする4
−ヒドロキシ−4’−パラトルエンスルホニルビフェニ
ルである事が確認される。
【0028】実施例7 実施例1−2で得られた4−ヒドロキシ−4’−メタン
スルホニルビフェニルのメタンスルホン酸エステル6
5.2gr.(0.2mol)、水150gr.、スル
ホラン100gr.及び硫酸10gr.を内容積500
ml.のガラスライニングのオートクレーブに仕込み、
かきまぜながら加熱して内容物の温度を180℃に4時
間保つ。この間内圧は約9kgf/cm2 である。オー
トクレーブを冷却し、内容物を吸引ろ過、乾燥、キシレ
ン再結晶精製すれば白色の結晶性粉末47.2gr.が
得られる。これは実施例2で得られた化合物と一致し、
4−ヒドロキシ−4’−メタンスルホニルビフェニルで
ある。
【0029】実施例8 かきまぜ機、温度計、滴下ロート及び還流冷却器のつい
た内容積、1,000ml.の四つ口フラスコに4−ヒ
ドロキシビフェニル340gr.(2mol)、メタン
スルホニルクロライド240gr.(2.1mol)及
びジクロロエタン50gr.を仕込みかきまぜながらフ
ラスコを加熱して内容物を100℃にする。ここで滴下
ロートからトリフルオロメタンスルホン酸120gr.
(0.8mol)を約1時間で滴下する。滴下終了後内
容物を10時間かけて140℃迄昇温させる。更に20
時間この温度に保てば塩化水素ガスの発生が止まり、縮
合反応は完結する。反応混合物、水300gr.及びス
ルホラン200gr.をガラスライニングの内容積2,
000ml.のオートクレーブに仕込み、150℃で8
時間加水分解反応させる。オートクレーブを冷却してか
ら内容物を取り出し、吸引ろ過し、1,000gr.の
水でケーキを洗浄する。ケーキを乾燥してからキシレン
で再結晶精製すれば371gr.の白色結晶性粉末が得
られる。これは実施例2で得られた化合物と一致して、
4−ヒドロキシ−4’−メタンスルホニルビフェニルで
ある。
【0030】実施例9 実施例5と同じ内容積2,000ml.の四つ口フラス
コにジクロロエタン1,200gr.、実施例1と同様
の方法で得られた融点が176℃の4−ヒドロキシビフ
ェニルのパラクロロベンゼンスルホン酸エステル340
gr.(0.7mol)、パラクロロベンゼンスルホニ
ルクロライド155gr.(0.735mol)及び無
水塩化アルミニウム121.5gr.(0.91mo
l)を仕込みかきまぜながら内容物がゆっくり沸とうす
るようにする。約48時間後に塩化水素ガスの発生が停
止し、縮合反応が完結する。以下実施例5と全く同様に
後処理をして、白色の結晶性粉末348gr.が得られ
る。これは融点が178℃、硫黄含量が13.3%であ
り、ガスクロマトグラフィーによれば単一化合物である
ことから、目的とする4−ヒドロキシ−4’−パラクロ
ロベンゼンスルホニルビフェニルのパラクロロベンゼン
スルホン酸エステルであることが確認される。
【0031】実施例10 実施例9で得られた4−ヒドロキシ−4’−パラクロロ
ベンゼンスルホニルビフェニルのパラクロロベンゼンス
ルホン酸エステル259.5gr.を実施例4と全く同
様に処理して、白色の結晶性粉末169gr.が得られ
る。これは融点が273℃、硫黄含有量が9.25%、
ビドロキシル価が163であり、ガスクロマトグラフィ
ーによれば単一化合物であることから、目的とする4−
ヒドロキシ−4’−パラクロロベンゼンスルホニルビフ
ェニルであることが確認される。
【0032】 実施例11 かきまぜ機、温度計、還流冷却器及び投入口のついた内
容積2,000ml.の硬質ガラス製四つ口フラスコに
4−ヒドロキシビフェニル510gr.(3mol)、
パラクロロベンゼンスルホニルクロライド1.304g
r.(6.18mol)及びジクロロエタン150g
r.を仕込み、フラスコを加熱して内容物を約70℃に
すると内容物の大部分が融解するので、内容物をかきま
ぜ始める。ここで無水塩化第二鉄5gr.(0.03m
ol)を投入口から投入する。ついで内容物の温度を8
0℃にしてから約5時間たてば塩化水素ガスの発生がや
や衰える。ここで縮合反応の第一段階で完了する。そこ
で内容物の温度を100℃から140℃に迄次第に昇温
して約10時間を経過すれば塩化水素ガスの発生が殆ど
停止し、縮合反応は完結する。これを実施例3と同様に
後処理すれば、白色の結晶性粉末1,252gr.が得
られる。これは、実施例9で得られた化合物と一致して
おり、目的とする4−ヒドロキシ−4’−パラクロロベ
ンゼンスルホニルビフェニルのパラクロロベンゼンスル
ホン酸エステルであることが確認される。実施例12 かきまぜ機、温度計及び還流冷却器のついた内容積2,
000ml.の硬質ガラス製四つ口フラスコにパラクロ
ロベンゼンスルホニルクロライド440gr.(2.0
4mol)、ジクロロエタン1,000gr.、実施例
1で得られた4−ヒドロキシビフェニルのメタンスルホ
ン酸エステル496gr.(2mol)及び無水塩化第
二鉄3.2gr.(0.02mol)を仕込む。内容物
をかきまぜながらフラスコを加熱して内容物がゆっくり
沸騰するようにする。この間内容物の温度は約87℃に
保たれる。還流冷却器の頂部から塩化水素ガスが出てく
るので、これは適宜処理する。 この状態に72時間保つ
と塩化水素ガスの発生が止んで反応が完結する。内容物
を30℃まで冷却し、析出物を吸引ろ過し、ケーキをメ
タノール500gr.で洗浄し、乾燥して白色の結晶性
粉末795gr.が得られる。これは融点が204℃、
硫黄含有量が15.1%であり、ガスクロマトグラフィ
ーによれば単一化合物であって、目的とする4−ヒドロ
キシ−4’−パラクロロベンゼンスルホ ニルビフェニル
のメタンスルホン酸エステルであることが確認される。 実施例13 かきまぜ機、温度計、滴下ロート及び還流冷却器のつい
た内容積2,000ml.の硬質ガラス製四つ口フラス
コに水22gr.、メタノール1,200gr.、水酸
化ナトリウム22gr.(0.55mol)及び実施例
12で得られた4−ヒドロキシ−4’−パラクロロベン
ゼンスルホニルビフェニルのメタンスルホン酸エステル
211gr.(0.5mol)を仕込み、かきまぜなが
ら内容物がゆっくり沸騰するように加熱する。この状態
に5時間保ってから滴下ロートから濃度4規定の塩化水
素酸水溶液140ml.を約1時間で滴下する。内容物
を30℃以下に冷却してから吸引ろ過して、更に水50
0gr.でケーキを洗浄する。 ケーキを乾燥してからジ
メチルホルムアミドで再結晶精製すれば、白色の結晶性
粉末169gr.が得られる。これは融点が273℃、
硫黄含有量が9.25%、ヒドロキシル価が163であ
り、ガスクロマトグラフィーによれば単一化合物である
ことから、目的とする4−ヒドロキシ−4’−パラクロ
ロベンゼンスルホニルビフェニルであることが確認され
る。
【0033】
【発明の効果】以上の実施例によって理解されるよう
に、本発明方法によれば、比較的簡単な操作によって従
来製造することのむずかしかったスルホン類を高収率、
高品質で製造することができる。これによってビフェニ
ル構造を含有する有用なスルホン類をより安価に、工業
的規模で供給することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸本 大志郎 大阪府茨木市五日市一丁目10−24 株式 会社三光開発科学研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07C 317/22 C07C 315/04

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式[1] 【化1】 (式中、Rは低級アルキル基、アリール基又は核置換さ
    れたアリール基を示す。)で表わされる4−ヒドロキシ
    ビフェニルのスルホン酸エステル類と一般式[2] R’SO2 Cl ………[2] (式中、R’は低級アルキル基、アリール基又は核置換
    されたアリール基を示す。)で表わされるスルホニルク
    ロライド類とをルイス酸又は超強性酸の存在下に縮合さ
    せる事を特徴とする一般式[3] 【化2】 (式中、R及びR’は一般式[1]及び一般式[2]で
    の定義と同じである。)で表わされるスルホン類の製造
    方法。
  2. 【請求項2】 4−ヒドロキシビフェニルと一般式
    [4] R''SO2 Cl ………[4] (式中、R''は低級アルキル基、アリール基又は核置換
    されたアリール基を示す。)で表わされるスルホニルク
    ロライド類とをルイス酸又は超強性酸の存在下に縮合さ
    せる事を特徴とする一般式[5] 【化3】 (式中、R''は一般式[4]での定義と同じである。)
    で表わされるスルホン類の製造方法。
  3. 【請求項3】 Rがメチル基又は4−クロロフェニル基
    であり,R’及びR”が4−クロロフェニル基である請
    求項1又は2記載のスルホン類の製造方法。
  4. 【請求項4】 一般式[3] 【化4】 (式中、R及びR’は低級アルキル基、アリール基及び
    核置換されたアリール基を示す。)又は一般式[5] 【化5】 (式中、R''は低級アルキル基、アリール基及び核置換
    されたアリール基を示す。)で表わされるスルホン類を
    酸又はアルカリの存在下にけん化させる事を特徴とする
    一般式[6] 【化6】 (式中、R’は一般式[3]での定義と同じである。)
    又は一般式[7] 【化7】 (式中、R''は一般式[5]での定義と同じである。)
    で表わされるスルホン類又はそのアルカリ塩の製造方
    法。
  5. 【請求項5】 一般式[6]又は一般式[7]で表わさ
    れるスルホン類が4−(4−ヒドロキシフェニル)−
    4’−クロロ−ジフェニルスルホン(4−ヒドロキシ−
    4’−パラクロロベンゼンスルホニルビフェニル)であ
    る請求項4記載のスルホン類又はそのアルカリ塩の製造
    方法。
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