JP2863189B2 - ガラス封入形正特性サーミスタ - Google Patents
ガラス封入形正特性サーミスタInfo
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- JP2863189B2 JP2863189B2 JP1069676A JP6967689A JP2863189B2 JP 2863189 B2 JP2863189 B2 JP 2863189B2 JP 1069676 A JP1069676 A JP 1069676A JP 6967689 A JP6967689 A JP 6967689A JP 2863189 B2 JP2863189 B2 JP 2863189B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は長期信頼性が要求され、かつ宇宙空間のよう
な特殊環境下で使用される温度補償特性に優れたガラス
封入形サーミスタに関するものである。
な特殊環境下で使用される温度補償特性に優れたガラス
封入形サーミスタに関するものである。
従来の技術 従来、ロケットあるいは人工衛星といった宇宙用機器
に使用される温度補償特性に優れた正特性サーミスタと
しては、要求される広い温度範囲（−30℃〜＋75℃）で
抵抗−温度特性の直線性に優れた多結晶シリコンの正特
性サーミスタが用いられてきた。しかしながらこの多結
晶シリコンの正特性サーミスタは、放射線を浴びること
により結晶性が崩壊し、抵抗値が大きく変化するという
信頼性面での問題があった。
に使用される温度補償特性に優れた正特性サーミスタと
しては、要求される広い温度範囲（−30℃〜＋75℃）で
抵抗−温度特性の直線性に優れた多結晶シリコンの正特
性サーミスタが用いられてきた。しかしながらこの多結
晶シリコンの正特性サーミスタは、放射線を浴びること
により結晶性が崩壊し、抵抗値が大きく変化するという
信頼性面での問題があった。
これに対して、チタン酸バリウムを主成分とした正特
性サーミスタの応用が、組成面及び構造面から種々検討
されてきた。その結果、チタン酸バリウムにストロンチ
ウムを置換固溶させることにより、キュリー点の低下及
び抵抗温度係数の減少、さらには直線性を満足できる正
特性サーミスタ素子が開発された。また耐放射線の改善
としては構造上、鉛系のガラスで密閉することにより放
射線が吸収され、保護できることも明らかになった。
性サーミスタの応用が、組成面及び構造面から種々検討
されてきた。その結果、チタン酸バリウムにストロンチ
ウムを置換固溶させることにより、キュリー点の低下及
び抵抗温度係数の減少、さらには直線性を満足できる正
特性サーミスタ素子が開発された。また耐放射線の改善
としては構造上、鉛系のガラスで密閉することにより放
射線が吸収され、保護できることも明らかになった。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記構成のガラス封入形正特性サーミス
タを作製する上で、チップ形状の正特性サーミスタ素子
を劣化させることなくガラス封入できるかが課題とな
る。とりわけ温度補償特性の優れた正特性サーミスタと
して必要な初期抵抗値及び−30℃〜＋90℃までの抵抗温
度係数の直線性を劣化させることなくガラス封入できる
かがポイントとなる。
タを作製する上で、チップ形状の正特性サーミスタ素子
を劣化させることなくガラス封入できるかが課題とな
る。とりわけ温度補償特性の優れた正特性サーミスタと
して必要な初期抵抗値及び−30℃〜＋90℃までの抵抗温
度係数の直線性を劣化させることなくガラス封入できる
かがポイントとなる。
そこで本発明は、ガラス封入時及びガラス封入後の正
特性サーミスタ素子の劣化を防止することのできるガラ
ス封入形正特性サーミスタを提供することを目的とする
ものである。
特性サーミスタ素子の劣化を防止することのできるガラ
ス封入形正特性サーミスタを提供することを目的とする
ものである。
課題を解決するための手段 そこで本発明のガラス封入形正特性サーミスタは、両
端部を閉じたガラス管と、このガラス管内に収納すると
ともに両面に電極を有する正特性サーミスタ素子と、一
方をこの正特性サーミスタ素子に接続するとともに、他
方を前記ガラス管外に引き出した一組のリード線とを備
え、前記ガラス管は軟化点が630℃以下であり、前記正
特性サーミスタ素子はチタン酸バリウム・ストロンチウ
ム［（BaxSr1-x）TiO3］を主成分とし、キュリー点が−
40℃以下かつ−30〜＋125℃までの抵抗温度係数が5.0％
／℃以下であり、前記ガラス管内の酸素濃度は1000ppm
以上16％以下であり、かつ前記ガラス管内において、前
記正特性サーミスタ素子と前記リード線とを合わせた体
積は、前記ガラス管の内容積の25％以下としたことを特
徴とするものである。
端部を閉じたガラス管と、このガラス管内に収納すると
ともに両面に電極を有する正特性サーミスタ素子と、一
方をこの正特性サーミスタ素子に接続するとともに、他
方を前記ガラス管外に引き出した一組のリード線とを備
え、前記ガラス管は軟化点が630℃以下であり、前記正
特性サーミスタ素子はチタン酸バリウム・ストロンチウ
ム［（BaxSr1-x）TiO3］を主成分とし、キュリー点が−
40℃以下かつ−30〜＋125℃までの抵抗温度係数が5.0％
／℃以下であり、前記ガラス管内の酸素濃度は1000ppm
以上16％以下であり、かつ前記ガラス管内において、前
記正特性サーミスタ素子と前記リード線とを合わせた体
積は、前記ガラス管の内容積の25％以下としたことを特
徴とするものである。
作用 この構成によると、軟化点が630℃以下と低いガラス
管を用いることにより、ガラス封入時に正特性サーミス
タ素子から酸素が奪われて、特性が変化するのを防止す
ることができる。つまり軟化点が高いガラス管の場合、
ガラス封入の際リード線が酸化されたりしてガラス管内
の酸素分圧が低下すると、平衡状態となるために正特性
サーミスタ素子中の酸素が放出されることとなり、正特
性サーミスタ素子の特性が変化してしまうのである。
管を用いることにより、ガラス封入時に正特性サーミス
タ素子から酸素が奪われて、特性が変化するのを防止す
ることができる。つまり軟化点が高いガラス管の場合、
ガラス封入の際リード線が酸化されたりしてガラス管内
の酸素分圧が低下すると、平衡状態となるために正特性
サーミスタ素子中の酸素が放出されることとなり、正特
性サーミスタ素子の特性が変化してしまうのである。
また正特性サーミスタ素子は、チタン酸バリウムのバ
リウムの一部をストロンチウムで置換したもので、スト
ロンチウムがシフターとして作用した結果、キュリー点
が−40℃以下と抵抗−温度特性の直線性の要求される温
度範囲（−30℃〜＋90℃）の最低温度よりも低いので要
求される温度範囲での抵抗温度特性の直線性に非常に優
れたものであるとともに、−30〜＋125℃までの抵抗温
度係数が一般的なチタン酸バリウム系の正特性サーミス
タの抵抗温度係数（10数％／℃）と比較すると5.0％／
℃以下と小さいものであるため、宇宙空間のような特殊
な環境下であっても温度補償特性に非常に優れたガラス
封入形サーミスタとなる。
リウムの一部をストロンチウムで置換したもので、スト
ロンチウムがシフターとして作用した結果、キュリー点
が−40℃以下と抵抗−温度特性の直線性の要求される温
度範囲（−30℃〜＋90℃）の最低温度よりも低いので要
求される温度範囲での抵抗温度特性の直線性に非常に優
れたものであるとともに、−30〜＋125℃までの抵抗温
度係数が一般的なチタン酸バリウム系の正特性サーミス
タの抵抗温度係数（10数％／℃）と比較すると5.0％／
℃以下と小さいものであるため、宇宙空間のような特殊
な環境下であっても温度補償特性に非常に優れたガラス
封入形サーミスタとなる。
さらにガラス管内の酸素濃度及びその絶対量を規定、
すなわち酸素を吸脱着する正特性サーミスタ素子及びリ
ード線に対する酸素量を規定することにより、カラス管
内の酸素濃度の平衡状態を維持し、ガラス管内が酸素不
足状態となり、正特性サーミスタ素子が還元されて抵抗
値が低下し、最終的に正特性サーミスタ素子が破壊され
るのを防止でき、長期信頼性に優れたガラス封入形正特
性サーミスタとなる。つまり酸素濃度が1000ppm未満あ
るいはガラス管内の正特性サーミスタ素子とリード線と
を合わせた体積が、ガラス管の内容積の25％を超えた場
合、ガラス管内が酸素不足となり、正特性サーミスタ素
子内の酸素が奪われて正特性サーミスタ素子が還元さ
れ、また16％を超える場合もリード線が酸化され易くな
り、一旦酸化が始まるとガラス管内の酸素と反応して加
速度的に酸化が進み、ガラス管内が酸素不足となり正特
性サーミスタ素子内の酸素が奪われて正特性サーミスタ
素子が還元されることとなるのである。
すなわち酸素を吸脱着する正特性サーミスタ素子及びリ
ード線に対する酸素量を規定することにより、カラス管
内の酸素濃度の平衡状態を維持し、ガラス管内が酸素不
足状態となり、正特性サーミスタ素子が還元されて抵抗
値が低下し、最終的に正特性サーミスタ素子が破壊され
るのを防止でき、長期信頼性に優れたガラス封入形正特
性サーミスタとなる。つまり酸素濃度が1000ppm未満あ
るいはガラス管内の正特性サーミスタ素子とリード線と
を合わせた体積が、ガラス管の内容積の25％を超えた場
合、ガラス管内が酸素不足となり、正特性サーミスタ素
子内の酸素が奪われて正特性サーミスタ素子が還元さ
れ、また16％を超える場合もリード線が酸化され易くな
り、一旦酸化が始まるとガラス管内の酸素と反応して加
速度的に酸化が進み、ガラス管内が酸素不足となり正特
性サーミスタ素子内の酸素が奪われて正特性サーミスタ
素子が還元されることとなるのである。
実施例 以下本発明の一実施例におけるガラス封入形正特性サ
ーミスタについて図面を参照しながら説明する。
ーミスタについて図面を参照しながら説明する。
まず高純度の酸化チタン、炭酸バリウム、炭酸ストロ
ンチウムを用い、バリウムとストロンチウムの比が1:1
になるようなペロブスカイト結晶構造を持つチタン酸塩
を作製する。次に所定の配合比でチタン酸塩に半導体化
元素として酸化イットリウムさらに二酸化ケイ素を添加
混合し、乾燥後1150℃の温度で仮焼する。その後ボール
ミルで粉砕し、スラリーを乾燥後、粉体に粘結剤を加え
て造粒する。この造粒粉を所望量採り直径40mm、厚み13
mmのブロックを成形し、1400℃の温度で焼結する。この
ブロックからスライス、研磨、アニールを行った後、無
電解メッキ法によりニッケル電極を付与する。さらに印
刷焼付けによりAg電極を設け、このウエハ状正特性サー
ミスタの特性を評価する。この結果を基本にしたチップ
状の正特性サーミスタ素子に切断する。第１図に本発明
の一実施例のガラス封入形正特性サーミスタの半断面図
を、第２図にはリード線に対して垂直方向での断面図を
示すが、この図を用いて組立工程を説明する。上記で作
製した正特性サーミスタ素子５を、両端をガラスビーズ
で固定されたリード線２にAgペースト３で接続し、550
℃で焼付ける。次にこの正特性サーミスタ素子５をガラ
ス管１に封入するが、リード線２の両端のガラスビーズ
とガラス管１が溶着するよう空気中で片側ずつ加熱す
る。ここでリード線２は金メッキを施したジュメット線
を用い、リード線２による酸素吸着を防いでいる。下記
第１表に封入時の正特性サーミスタ素子５の大きさと抵
抗値及び25℃の抵抗値と125℃での抵抗値の比を抵抗比
とした場合のこの抵抗比の変化率を示す。併せて封入後
のガラス管１内の酸素濃度を示した。さらに封入時の雰
囲気及び温度についての結果を示している。特性の変化
率については、最終的なガラス封入形正特性サーミスタ
としての精度を満足するようにガラス封入時の変化率が
±10％以内であることを基準とした。第１表のうち、試
料番号2,5,6および９は、この変化率が大きく特性が劣
化する。また試料番号10はガラス管１とビーズが溶着せ
ず未封着状態であり不良である。ここで、正特性サーミ
スタ素子５の寸法が（4.6）×（2.5）×（1.0）mmの
時、リード線２の径が直径0.5mmであれば、封入された
ガラス管１内での体積が密閉雰囲気中における25％を占
めることとなる。
ンチウムを用い、バリウムとストロンチウムの比が1:1
になるようなペロブスカイト結晶構造を持つチタン酸塩
を作製する。次に所定の配合比でチタン酸塩に半導体化
元素として酸化イットリウムさらに二酸化ケイ素を添加
混合し、乾燥後1150℃の温度で仮焼する。その後ボール
ミルで粉砕し、スラリーを乾燥後、粉体に粘結剤を加え
て造粒する。この造粒粉を所望量採り直径40mm、厚み13
mmのブロックを成形し、1400℃の温度で焼結する。この
ブロックからスライス、研磨、アニールを行った後、無
電解メッキ法によりニッケル電極を付与する。さらに印
刷焼付けによりAg電極を設け、このウエハ状正特性サー
ミスタの特性を評価する。この結果を基本にしたチップ
状の正特性サーミスタ素子に切断する。第１図に本発明
の一実施例のガラス封入形正特性サーミスタの半断面図
を、第２図にはリード線に対して垂直方向での断面図を
示すが、この図を用いて組立工程を説明する。上記で作
製した正特性サーミスタ素子５を、両端をガラスビーズ
で固定されたリード線２にAgペースト３で接続し、550
℃で焼付ける。次にこの正特性サーミスタ素子５をガラ
ス管１に封入するが、リード線２の両端のガラスビーズ
とガラス管１が溶着するよう空気中で片側ずつ加熱す
る。ここでリード線２は金メッキを施したジュメット線
を用い、リード線２による酸素吸着を防いでいる。下記
第１表に封入時の正特性サーミスタ素子５の大きさと抵
抗値及び25℃の抵抗値と125℃での抵抗値の比を抵抗比
とした場合のこの抵抗比の変化率を示す。併せて封入後
のガラス管１内の酸素濃度を示した。さらに封入時の雰
囲気及び温度についての結果を示している。特性の変化
率については、最終的なガラス封入形正特性サーミスタ
としての精度を満足するようにガラス封入時の変化率が
±10％以内であることを基準とした。第１表のうち、試
料番号2,5,6および９は、この変化率が大きく特性が劣
化する。また試料番号10はガラス管１とビーズが溶着せ
ず未封着状態であり不良である。ここで、正特性サーミ
スタ素子５の寸法が（4.6）×（2.5）×（1.0）mmの
時、リード線２の径が直径0.5mmであれば、封入された
ガラス管１内での体積が密閉雰囲気中における25％を占
めることとなる。
この第１表から分かるようにガラス管１内の酸素濃度
が1000ppm以下になると抵抗値及び抵抗比の劣化が著し
いものとなった。またここで用いたガラス管１は歪点が
395℃、軟化点が625℃であり、これ以上の軟化点のガラ
スを用いて−55℃及び125℃の熱サイクル試験を2000サ
イクル実施した結果、抵抗値の変化率はそれぞれ＋2.7
％、＋11.2％及び＋3.8％であった。
が1000ppm以下になると抵抗値及び抵抗比の劣化が著し
いものとなった。またここで用いたガラス管１は歪点が
395℃、軟化点が625℃であり、これ以上の軟化点のガラ
スを用いて−55℃及び125℃の熱サイクル試験を2000サ
イクル実施した結果、抵抗値の変化率はそれぞれ＋2.7
％、＋11.2％及び＋3.8％であった。
次に正特性サーミスタ素子５は、要求される初期特性
からまた温度補償用という用途面から、抵抗温度係数と
直線性で限定される。一般的に正特性サーミスタ素子と
して汎用されているチタン酸バリウム系素子は抵抗温度
係数が10数％／℃と大きくキュリー点も高い。これにシ
フターと呼ばれる元素を添加固溶させることによりキュ
リー点を下げていく。初期特性を満足する材料系列を検
討した結果、チタン酸バリウム・ストロンチウム系で目
標を達成できる良好な結果が得られた。なお、キュリー
点及び抵抗温度係数は用途から要求される数値とした。
からまた温度補償用という用途面から、抵抗温度係数と
直線性で限定される。一般的に正特性サーミスタ素子と
して汎用されているチタン酸バリウム系素子は抵抗温度
係数が10数％／℃と大きくキュリー点も高い。これにシ
フターと呼ばれる元素を添加固溶させることによりキュ
リー点を下げていく。初期特性を満足する材料系列を検
討した結果、チタン酸バリウム・ストロンチウム系で目
標を達成できる良好な結果が得られた。なお、キュリー
点及び抵抗温度係数は用途から要求される数値とした。
発明の効果 以上本発明によると軟化点が630℃以下と低いガラス
管を用いることにより、ガラス封入時に正特性サーミス
タ素子から酸素が奪われて、特性が変化するのを防止す
ることができる。つまり軟化点が高いガラス管の場合、
ガラス封入の際リード線が酸化されたりしてガラス管内
の酸素分圧が低下すると、平衡状態となるために正特性
サーミスタ素子中の酸素が放出されることとなり、正特
性サーミスタ素子の特性が変化してしまうのである。
管を用いることにより、ガラス封入時に正特性サーミス
タ素子から酸素が奪われて、特性が変化するのを防止す
ることができる。つまり軟化点が高いガラス管の場合、
ガラス封入の際リード線が酸化されたりしてガラス管内
の酸素分圧が低下すると、平衡状態となるために正特性
サーミスタ素子中の酸素が放出されることとなり、正特
性サーミスタ素子の特性が変化してしまうのである。
また正特性サーミスタ素子は、チタン酸バリウムのバ
リウムの一部をストロンチウムで置換したもので、スト
ロンチウムがシフターとして作用した結果、キュリー点
が−40℃以下と抵抗−温度特性の直線性の要求される温
度範囲（−30℃〜＋90℃）の最低温度よりも低いので要
求される温度範囲での抵抗温度特性の直線性に非常に優
れたものであるとともに、−30〜＋12℃までの抵抗温度
係数が一般的なチタン酸バリウム系の正特性サーミスタ
の抵抗温度係数（10数％／℃）と比較すると5.0％／℃
以下と小さいものであるため、宇宙空間のような特殊な
環境下であっても温度補償特性に非常に優れたガラス封
入形サーミスタとなる。
リウムの一部をストロンチウムで置換したもので、スト
ロンチウムがシフターとして作用した結果、キュリー点
が−40℃以下と抵抗−温度特性の直線性の要求される温
度範囲（−30℃〜＋90℃）の最低温度よりも低いので要
求される温度範囲での抵抗温度特性の直線性に非常に優
れたものであるとともに、−30〜＋12℃までの抵抗温度
係数が一般的なチタン酸バリウム系の正特性サーミスタ
の抵抗温度係数（10数％／℃）と比較すると5.0％／℃
以下と小さいものであるため、宇宙空間のような特殊な
環境下であっても温度補償特性に非常に優れたガラス封
入形サーミスタとなる。
さらにガラス管内の酸素濃度及びその絶対量を規定、
すなわち酸素を吸脱着する正特性サーミスタ素子及びリ
ード線に対する酸素量を規定することにより、ガラス管
内の酸素濃度の平衡状態を維持し、ガラス管内が酸素不
足状態となり、正特性サーミスタ素子が還元されて抵抗
値が低下し、最終的に正特性サーミスタ素子が破壊され
るのを防止でき、長期信頼性に優れたガラス封入形正特
性サーミスタとなる。つまり酸素濃度が1000ppm未満あ
るいはガラス管内の正特性サーミスタ素子とリード線と
を合わせた体積が、ガラス管の内容積の25％を超えた場
合、ガラス管内が酸素不足となり、正特性サーミスタ素
子内の酸素が奪われて正特性サーミスタ素子が還元さ
れ、また16％を超える場合もリード線が酸化され易くな
り、一旦酸化が始まるとガラス管内の酸素と反応して加
速度的に酸化が進み、ガラス管内が酸素不足となり正特
性サーミスタ素子内の酸素が奪われて正特性サーミスタ
素子が還元されることとなるのである。
すなわち酸素を吸脱着する正特性サーミスタ素子及びリ
ード線に対する酸素量を規定することにより、ガラス管
内の酸素濃度の平衡状態を維持し、ガラス管内が酸素不
足状態となり、正特性サーミスタ素子が還元されて抵抗
値が低下し、最終的に正特性サーミスタ素子が破壊され
るのを防止でき、長期信頼性に優れたガラス封入形正特
性サーミスタとなる。つまり酸素濃度が1000ppm未満あ
るいはガラス管内の正特性サーミスタ素子とリード線と
を合わせた体積が、ガラス管の内容積の25％を超えた場
合、ガラス管内が酸素不足となり、正特性サーミスタ素
子内の酸素が奪われて正特性サーミスタ素子が還元さ
れ、また16％を超える場合もリード線が酸化され易くな
り、一旦酸化が始まるとガラス管内の酸素と反応して加
速度的に酸化が進み、ガラス管内が酸素不足となり正特
性サーミスタ素子内の酸素が奪われて正特性サーミスタ
素子が還元されることとなるのである。
第１図は本発明の一実施例を示す半断面図、第２図はリ
ード線に対して垂直方向からの断面図である。 １……ガラス管、２……リード線、３……Agペースト、
４……電極、５……正特性サーミスタ素子。
ード線に対して垂直方向からの断面図である。 １……ガラス管、２……リード線、３……Agペースト、
４……電極、５……正特性サーミスタ素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川上 三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 白石 啓二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−229804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−137402（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】両端部を閉じたガラス管と、このガラス管
内に収納するとともに両面に電極を有する正特性サーミ
スタ素子と、一方をこの正特性サーミスタ素子に接続す
るとともに、他方を前記ガラス管外に引き出した一組の
リード線とを備え、前記ガラス管は軟化点が630℃以下
であり、前記正特性サーミスタ素子はチタン酸バリウム
・ストロンチウム［（BaxSr1-x）TiO3］を主成分とし、
キュリー点が−40℃以下かつ−30〜＋125℃までの抵抗
温度係数が5.0％／℃以下であり、前記ガラス管内の酸
素濃度は1000ppm以上16％以下であり、かつ前記ガラス
管内において、前記正特性サーミスタ素子と前記リード
線とを合わせた体積は、前記ガラス管の内容積の25％以
下としたガラス封入形正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069676A JP2863189B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ガラス封入形正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069676A JP2863189B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ガラス封入形正特性サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02248002A JPH02248002A (ja) | 1990-10-03 |
| JP2863189B2 true JP2863189B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=13409694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1069676A Expired - Fee Related JP2863189B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | ガラス封入形正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2863189B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105006317A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-10-28 | 成都顺康电子有限责任公司 | 一种玻璃封装ptc热敏电阻及其制作方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10005183A1 (de) * | 2000-02-05 | 2001-08-09 | Bosch Gmbh Robert | Gleichrichteranordnung |
| ATE434823T1 (de) * | 2000-04-25 | 2009-07-15 | Epcos Ag | Elektrisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung |
| JP3831363B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2006-10-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機質正特性サーミスタ及びその製造方法並びにその酸素含有量の測定方法 |
| DE102006036100B3 (de) * | 2006-08-02 | 2008-01-24 | Zitzmann, Heinrich, Dr. | Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers |
| CN105097156A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-11-25 | 成都顺康电子有限责任公司 | 航天用高可靠性热敏电阻 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59229804A (ja) * | 1983-06-11 | 1984-12-24 | 秩父セメント株式会社 | Ｐｔｃサ−ミスタの製造法 |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1069676A patent/JP2863189B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105006317A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-10-28 | 成都顺康电子有限责任公司 | 一种玻璃封装ptc热敏电阻及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02248002A (ja) | 1990-10-03 |
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