JP2862456B2 - 液晶記録媒体を用いた情報記録方法 - Google Patents
液晶記録媒体を用いた情報記録方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電極層上に光導電層が形
成された光センサと、液晶を樹脂中に分散固定した液晶
層を電極層上に形成した液晶記録媒体とを対向配置し、
電圧印加露光により液晶を露光強度に応じて配向させ、
画像記録する情報記録方法に関するものである。
成された光センサと、液晶を樹脂中に分散固定した液晶
層を電極層上に形成した液晶記録媒体とを対向配置し、
電圧印加露光により液晶を露光強度に応じて配向させ、
画像記録する情報記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶を樹脂中に分散固定した液晶
層を電極上に形成した高分子分散型液晶記録媒体と、電
極層上に光導電層が形成された光センサとを対向配置
し、電圧印加露光により画像記録するものが知られてい
る。図９はこのような分離型の高分子分散型液晶記録媒
体を用いた画像記録装置の構成を示すものである。図
中、１０は光センサ、２０は液晶記録媒体をそれぞれ示
している。光センサ１０は透明支持体１１上に透明電極
１２、光導電層１３が順次積層され、液晶記録媒体２０
は透明支持体２１上に透明電極２２、高分子分散型液晶
層２３が順次積層されている。光導電層１３は、無機光
導電層としてアモルファスセレン、アモルファスシリコ
ン等、有機光導電層としてポリビニルカルバゾールにト
リニトロフルオレノンを添加した単層構造のものや、電
荷発生層としてアゾ系の顔料をポリビニルブチラール等
の樹脂中に分散したものと電荷移動層としてヒドラゾン
誘導体をポリカーボネート等の樹脂と混合したものを積
層したもの等が使用可能である。
層を電極上に形成した高分子分散型液晶記録媒体と、電
極層上に光導電層が形成された光センサとを対向配置
し、電圧印加露光により画像記録するものが知られてい
る。図９はこのような分離型の高分子分散型液晶記録媒
体を用いた画像記録装置の構成を示すものである。図
中、１０は光センサ、２０は液晶記録媒体をそれぞれ示
している。光センサ１０は透明支持体１１上に透明電極
１２、光導電層１３が順次積層され、液晶記録媒体２０
は透明支持体２１上に透明電極２２、高分子分散型液晶
層２３が順次積層されている。光導電層１３は、無機光
導電層としてアモルファスセレン、アモルファスシリコ
ン等、有機光導電層としてポリビニルカルバゾールにト
リニトロフルオレノンを添加した単層構造のものや、電
荷発生層としてアゾ系の顔料をポリビニルブチラール等
の樹脂中に分散したものと電荷移動層としてヒドラゾン
誘導体をポリカーボネート等の樹脂と混合したものを積
層したもの等が使用可能である。
【０００３】このような光センサ１０と液晶記録媒体２
０を対向配置し、図示するように、電源３０により両電
極１２、２２間に電圧を印加し、書き込み光として可視
光を照射すると、露光強度に応じて光導電層１３の導電
性が変化し、液晶層２３にかかる電界が変化して液晶層
の配向状態が変化し、印加電圧をＯＦＦして電界を取り
除いた後もその状態が維持され、画像情報の記録が行わ
れる。
０を対向配置し、図示するように、電源３０により両電
極１２、２２間に電圧を印加し、書き込み光として可視
光を照射すると、露光強度に応じて光導電層１３の導電
性が変化し、液晶層２３にかかる電界が変化して液晶層
の配向状態が変化し、印加電圧をＯＦＦして電界を取り
除いた後もその状態が維持され、画像情報の記録が行わ
れる。
【０００４】また、図１０に示すように、透明な中間層
１４を介在させて光センサと液晶記録媒体とを一体化さ
せた一体型液晶記録媒体７０を用い、分離型の場合と同
様にして画像情報の記録を行うことも可能である。
１４を介在させて光センサと液晶記録媒体とを一体化さ
せた一体型液晶記録媒体７０を用い、分離型の場合と同
様にして画像情報の記録を行うことも可能である。
【０００５】図１１は分離型の高分子分散型液晶記録媒
体の変調度の時間変化の測定方法を示す図である。図に
おいて、透明支持体１１上に透明電極１２、光導電層１
３を順次積層した光センサ１０と、透明支持体２１上に
透明電極２２、液晶層２３を順次積層した液晶媒体２０
を約１０μｍの空隙を介して対向させ、光センサ１０の
支持体側から白色光を照射すると同時に、電極１２，２
２間に電極１２側が正になるような極性で電源３０によ
り電圧を印加する。なお、光センサ１０の支持体表面に
は光センサの一部が遮光されるように黒い紙４３が貼ら
れている。液晶媒体２０の支持体側に赤外光を発するＬ
ＥＤ４１と光電変換素子４２を、ＬＥＤから発した赤外
光が液晶媒体を透過し、光センサの光導電層表面で反射
し、光電変換素子に入射するように２組設置する。１組
は光センサに光が照射される部分（明部）に設置し、１
組は光が遮光される部分（暗部）に設置する。電圧が印
加され、液晶媒体の透過率が増すと、光電変換素子４２
に入射する光量が増え、光電変換素子の出力信号はオシ
ロスコープ６０でモニタされる。
体の変調度の時間変化の測定方法を示す図である。図に
おいて、透明支持体１１上に透明電極１２、光導電層１
３を順次積層した光センサ１０と、透明支持体２１上に
透明電極２２、液晶層２３を順次積層した液晶媒体２０
を約１０μｍの空隙を介して対向させ、光センサ１０の
支持体側から白色光を照射すると同時に、電極１２，２
２間に電極１２側が正になるような極性で電源３０によ
り電圧を印加する。なお、光センサ１０の支持体表面に
は光センサの一部が遮光されるように黒い紙４３が貼ら
れている。液晶媒体２０の支持体側に赤外光を発するＬ
ＥＤ４１と光電変換素子４２を、ＬＥＤから発した赤外
光が液晶媒体を透過し、光センサの光導電層表面で反射
し、光電変換素子に入射するように２組設置する。１組
は光センサに光が照射される部分（明部）に設置し、１
組は光が遮光される部分（暗部）に設置する。電圧が印
加され、液晶媒体の透過率が増すと、光電変換素子４２
に入射する光量が増え、光電変換素子の出力信号はオシ
ロスコープ６０でモニタされる。
【０００６】測定に際しては、光センサ１０と光源の間
にはシャッタ５２が配置され、シャッタと電源は同期し
ていて、電圧印加と同時にシャッタが開き、１／３０ｍ
ｓｅｃ（３３ｍｓｅｃ）後に閉じるように設定されてお
り、オシロスコープにより電圧印加と同時に光電変換装
置の信号がモニタされる。
にはシャッタ５２が配置され、シャッタと電源は同期し
ていて、電圧印加と同時にシャッタが開き、１／３０ｍ
ｓｅｃ（３３ｍｓｅｃ）後に閉じるように設定されてお
り、オシロスコープにより電圧印加と同時に光電変換装
置の信号がモニタされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１２は測定結果の一
例を示す図である。液晶媒体は無配向状態でも光を透過
するため、オシロスコープにモニタされる信号は零では
なく、また、その値は光センサ表面の反射率等で異なる
ため、液晶媒体の透過率変化を次式で得られる変調度
（率）で示す。 変調度（率）＝（Ｔ−Ｔｏｆｆ）／（Ｔｏｎ−Ｔｏｆ
ｆ）×１００（％） Ｔｏｎ ：配向した状態の信号値 Ｔｏｆｆ：無配向状態の信号値 なお、Ｔｏｆｆは電圧印加前の信号値、Ｔｏｎは測定後
電圧を十分印加し、液晶媒体を完全に配向させたときの
信号値を用いた。
例を示す図である。液晶媒体は無配向状態でも光を透過
するため、オシロスコープにモニタされる信号は零では
なく、また、その値は光センサ表面の反射率等で異なる
ため、液晶媒体の透過率変化を次式で得られる変調度
（率）で示す。 変調度（率）＝（Ｔ−Ｔｏｆｆ）／（Ｔｏｎ−Ｔｏｆ
ｆ）×１００（％） Ｔｏｎ ：配向した状態の信号値 Ｔｏｆｆ：無配向状態の信号値 なお、Ｔｏｆｆは電圧印加前の信号値、Ｔｏｎは測定後
電圧を十分印加し、液晶媒体を完全に配向させたときの
信号値を用いた。
【０００８】図１２（ａ）は、測定値を用いて上式より
明部Ｌ１および暗部Ｌ２における変調度の変化を求め、
電圧印加時間に対してプロットしたものであり、図１２
（ｂ）は明部と暗部の変調度の差と電圧印加時間の関係
を示している。図示するように、明部では暗部に比べて
光センサの導電率が増すために、液晶媒体に暗部に比し
て余計に電圧がかかり、早く変調する。一方、暗部の液
晶媒体にもしきい値を越える電圧がかかり変調する。電
圧印加を続けると、図のように暗部も十分変調して明部
とのコントラストがなくなってしまい、良質な画像が得
られない。
明部Ｌ１および暗部Ｌ２における変調度の変化を求め、
電圧印加時間に対してプロットしたものであり、図１２
（ｂ）は明部と暗部の変調度の差と電圧印加時間の関係
を示している。図示するように、明部では暗部に比べて
光センサの導電率が増すために、液晶媒体に暗部に比し
て余計に電圧がかかり、早く変調する。一方、暗部の液
晶媒体にもしきい値を越える電圧がかかり変調する。電
圧印加を続けると、図のように暗部も十分変調して明部
とのコントラストがなくなってしまい、良質な画像が得
られない。
【０００９】明部と暗部の変調度の差を示す図１２
（ｂ）から分かるように、電圧印加時間が短い場合に
は、明部の液晶媒体が十分変調していないため、良質な
画像が得られない。また、長すぎる場合には、暗部も十
分変調してやはりコントラストが得られない。このこと
から、良質な画像を得るためには、最適な電圧印加時間
で電圧をＯＦＦしなければならない。しかし、光センサ
の特性はロットにより異なり、適切な電圧印加時間を正
確に設定するのは困難である。このため、適切な電圧印
加時間で電圧をＯＦＦするため、図１１に示すような方
法で、暗部の液晶媒体の透過率変化をモニタし、ある程
度変調したところで電圧をＯＦＦするような電圧印加時
間の設定方法が考えられるが、この方法では装置が複雑
になり、また、最も良質な画像が得られるような暗部の
変調度の設定値の決め方が難しい等の問題点がある。
（ｂ）から分かるように、電圧印加時間が短い場合に
は、明部の液晶媒体が十分変調していないため、良質な
画像が得られない。また、長すぎる場合には、暗部も十
分変調してやはりコントラストが得られない。このこと
から、良質な画像を得るためには、最適な電圧印加時間
で電圧をＯＦＦしなければならない。しかし、光センサ
の特性はロットにより異なり、適切な電圧印加時間を正
確に設定するのは困難である。このため、適切な電圧印
加時間で電圧をＯＦＦするため、図１１に示すような方
法で、暗部の液晶媒体の透過率変化をモニタし、ある程
度変調したところで電圧をＯＦＦするような電圧印加時
間の設定方法が考えられるが、この方法では装置が複雑
になり、また、最も良質な画像が得られるような暗部の
変調度の設定値の決め方が難しい等の問題点がある。
【００１０】次に、図１１と同様な測定方法で、図１２
の場合よりも印加電圧を高めに設定したときの、暗部お
よび明部の液晶媒体の変調度の変化を図１３に示す。図
のＭ１およびＭ２はそれぞれ明部および暗部の液晶媒体
の変調度の変化を、Ｍ３はその差を示す。印加電圧を高
めに設定したため、明部、暗部ともに図１２（ａ）に比
べて早く液晶媒体が変調している。明暗の差が最大にな
る時間も図１２（ｂ）に比べて早いことがわかる。印加
電圧を図１２に比べて低めに設定したときの、液晶媒体
の変調度の変化を図１４に示す。図中、Ｎ１，Ｎ２はそ
れぞれ明部および暗部の液晶媒体の変調度を示し、Ｎ３
はＮ１とＮ２の差を示している。このように印加電圧を
低めに設定した場合は，液晶媒体が変調するのが遅くな
る。図１５はこの３通りの印加電圧に対して明暗の差を
示したものである。図のＬ３，Ｍ３，Ｎ３はそれぞれ図
１２、図１３、図１４と同じである。
の場合よりも印加電圧を高めに設定したときの、暗部お
よび明部の液晶媒体の変調度の変化を図１３に示す。図
のＭ１およびＭ２はそれぞれ明部および暗部の液晶媒体
の変調度の変化を、Ｍ３はその差を示す。印加電圧を高
めに設定したため、明部、暗部ともに図１２（ａ）に比
べて早く液晶媒体が変調している。明暗の差が最大にな
る時間も図１２（ｂ）に比べて早いことがわかる。印加
電圧を図１２に比べて低めに設定したときの、液晶媒体
の変調度の変化を図１４に示す。図中、Ｎ１，Ｎ２はそ
れぞれ明部および暗部の液晶媒体の変調度を示し、Ｎ３
はＮ１とＮ２の差を示している。このように印加電圧を
低めに設定した場合は，液晶媒体が変調するのが遅くな
る。図１５はこの３通りの印加電圧に対して明暗の差を
示したものである。図のＬ３，Ｍ３，Ｎ３はそれぞれ図
１２、図１３、図１４と同じである。
【００１１】これら３つの最大コントラスト（差）を比
較すると、Ｌ３が最も大きく、Ｍ３やＮ３では最適な電
圧印加時間を設定してもＬ３以上のコントラストの画像
を得ることができない。このように、良質な画像を得る
ためには最適な印加電圧と最適な電圧印加時間を設定す
る必要があり、この様な最適な印加電圧や電圧印加時間
は使用する光センサや液晶媒体の特性により異なり、そ
の都度設定しなければならないという問題がある。
較すると、Ｌ３が最も大きく、Ｍ３やＮ３では最適な電
圧印加時間を設定してもＬ３以上のコントラストの画像
を得ることができない。このように、良質な画像を得る
ためには最適な印加電圧と最適な電圧印加時間を設定す
る必要があり、この様な最適な印加電圧や電圧印加時間
は使用する光センサや液晶媒体の特性により異なり、そ
の都度設定しなければならないという問題がある。
【００１２】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、少なくとも光センサと高分子分散液晶型情
報記録媒体で構成される情報記録方法において、コント
ラストの大きい良質な記録画像を得るための最適な印加
電圧および電圧印加時間を設定して画像記録する情報記
録方法を提供することを目的とする。
ものであり、少なくとも光センサと高分子分散液晶型情
報記録媒体で構成される情報記録方法において、コント
ラストの大きい良質な記録画像を得るための最適な印加
電圧および電圧印加時間を設定して画像記録する情報記
録方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】まず、本発明において用
いられる光センサの特性について説明する。図１は本発
明に用いられる光センサの特性測定方法を示している。
光センサの光導電層１３上に金電極１４を０．１６ｃｍ
2 の面積で蒸着により形成する。光源５１により、光セ
ンサ１０の金蒸着部分に、透明支持体１１側から光を照
射する。光源５１と光センサ１０の間にはシャッタ５２
が設置されていて、一定時間だけ光センサに光を照射す
ることができる。透明電極１２と金電極１４間に適当な
抵抗（５０ｋΩ）、電源３０を直列に接続し、電源３０
により一定電圧を印加する。電圧印加開始の約２００ｍ
ｓｅｃ後、シャッタ５２を３３ｍｓｅｃ開き、このとき
光センサと直列に接続した抵抗にかかる電圧を測定する
ことにより、光センサの電流値を測定した。
いられる光センサの特性について説明する。図１は本発
明に用いられる光センサの特性測定方法を示している。
光センサの光導電層１３上に金電極１４を０．１６ｃｍ
2 の面積で蒸着により形成する。光源５１により、光セ
ンサ１０の金蒸着部分に、透明支持体１１側から光を照
射する。光源５１と光センサ１０の間にはシャッタ５２
が設置されていて、一定時間だけ光センサに光を照射す
ることができる。透明電極１２と金電極１４間に適当な
抵抗（５０ｋΩ）、電源３０を直列に接続し、電源３０
により一定電圧を印加する。電圧印加開始の約２００ｍ
ｓｅｃ後、シャッタ５２を３３ｍｓｅｃ開き、このとき
光センサと直列に接続した抵抗にかかる電圧を測定する
ことにより、光センサの電流値を測定した。
【００１４】測定結果の一例を図２に示す。図２におい
て、光を照射しないときの電流値を暗電流、光を照射し
たときの電流と暗電流の差を光電流とする。本発明で使
用している光センサは、注入型で、光照射中は光電流が
増大し、この増幅効果により感度が向上し、光照射停止
（時間t1）後も、光電流は緩やかに減衰していき、電圧
印加中は十分長い時間、光電流が持続する。
て、光を照射しないときの電流値を暗電流、光を照射し
たときの電流と暗電流の差を光電流とする。本発明で使
用している光センサは、注入型で、光照射中は光電流が
増大し、この増幅効果により感度が向上し、光照射停止
（時間t1）後も、光電流は緩やかに減衰していき、電圧
印加中は十分長い時間、光電流が持続する。
【００１５】この光センサの挙動は非常に複雑でその機
構については正確には明らかになっていないが、この光
センサの特性の電圧依存性を調べることにより、本発明
においては挙動を以下のように近似し、電圧と時間の関
数で表すことにした。
構については正確には明らかになっていないが、この光
センサの特性の電圧依存性を調べることにより、本発明
においては挙動を以下のように近似し、電圧と時間の関
数で表すことにした。
【００１６】暗電流は光センサの電圧の自乗に比例す
る。すなわち、 Ｉd ＝αＶ2 ……（１─１） α：定数 Ｖ：光センサにかかる電圧 光電流は光照射時と光照射ＯＦＦ後に分けられる。 −１ 光照射時は、光電流（光照射と未照射部分の差）は図２
に示すように，一定電圧下では時間と共に増加する。光
電流の変化を正確に単純な式で表現することは難しい
が、低露光強度（５０ＬＵＸ以下）、短時間（１００ｍ
ｓｅｃ以下）の領域では、ほぼ直線近似できる。すなわ
ち、 ΔＩ（ｔ）＝ｋｔ ……（１─２） ΔＩ（ｔ）：光電流 ｋ：定数 −２ 一定電圧下では、光照射ＯＦＦ後は光電流はある時定数
で減衰する。つまり、次式で近似できる。
る。すなわち、 Ｉd ＝αＶ2 ……（１─１） α：定数 Ｖ：光センサにかかる電圧 光電流は光照射時と光照射ＯＦＦ後に分けられる。 −１ 光照射時は、光電流（光照射と未照射部分の差）は図２
に示すように，一定電圧下では時間と共に増加する。光
電流の変化を正確に単純な式で表現することは難しい
が、低露光強度（５０ＬＵＸ以下）、短時間（１００ｍ
ｓｅｃ以下）の領域では、ほぼ直線近似できる。すなわ
ち、 ΔＩ（ｔ）＝ｋｔ ……（１─２） ΔＩ（ｔ）：光電流 ｋ：定数 −２ 一定電圧下では、光照射ＯＦＦ後は光電流はある時定数
で減衰する。つまり、次式で近似できる。
【００１７】 ΔＩ（ｔ）＝ｋｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝ ……（１−３） ｔ1 ：光照射をＯＦＦした時間 τ：時定数（２００〜５００ｍｓｅｃ） 光電流の電圧依存性を調べた結果、電界強度がある範
囲（５〜４９Ｖ／μｍ）では、光電流は電圧に比例す
る。〜から、光照射時の光センサの電流はある一定
の光強度に対しては、光センサの電圧と時間の関数で、
次式で表される。
囲（５〜４９Ｖ／μｍ）では、光電流は電圧に比例す
る。〜から、光照射時の光センサの電流はある一定
の光強度に対しては、光センサの電圧と時間の関数で、
次式で表される。
【００１８】 Ｉp （Ｖp,ｔ）≒αＶp 2 ＋βＶp ｔ （０＜ｔ≦ｔ1 ）……（１−４） Ｉp （Ｖp,ｔ）≒αＶp 2 ＋βＶp ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝ （ｔ1 ＜ｔ）……（１─５） Ｖp ：光センサの電圧 ｔ1 ：光照射をＯＦＦする時間 β：定数 （１−４）、（１−５）式を用いて計算により求めた値
と測定した値それぞれ図３に示す。図中、特性Ａは計算
値、特性Ｂは測定値である。
と測定した値それぞれ図３に示す。図中、特性Ａは計算
値、特性Ｂは測定値である。
【００１９】次に、図９に示したような分離型液晶記録
媒体を用いた画像記録における液晶媒体１０にかかる電
圧の算出方法について説明する。このような分離型液晶
記録媒体を用いた画像記録装置においては、空気層の部
分には空気放電破壊電圧がかかっていると考えられ、等
価回路で図４のように表される。
媒体を用いた画像記録における液晶媒体１０にかかる電
圧の算出方法について説明する。このような分離型液晶
記録媒体を用いた画像記録装置においては、空気層の部
分には空気放電破壊電圧がかかっていると考えられ、等
価回路で図４のように表される。
【００２０】電圧印加開始直後には、光センサと液晶媒
体の容量の比で電圧が分配されると考えられ、このとき
の電圧はそれぞれ ＶS （０）＝｛ＣL ／（ＣS ＋ＣL ）｝×（Ｅ─Ｖａ） ……（２─１） ＶL （０）＝｛ＣS ／（ＣS ＋ＣL ）｝×（Ｅ─Ｖａ） ……（２─２） また、次の微分方程式が成り立つ。 ＣS （ｄＶS ／ｄｔ）＋ＩS ＝ＣL （ｄＶL ／ｄｔ）＋ＩL ……（２─３） ＶS ＋ＶL ＝（Ｅ─Ｖａ） ……（２─４） （２−４）式の両辺の時間微分は０となるので、これと
（２−３）式より、 ｄＶL ／ｄｔ＝（ＩS ─ＩL ）／（ＣS ＋ＣL ） ……（２─５） となり、 ＶL （ｔ＋Δｔ）＝ＶL （ｔ）＋（ｄＶL ／ｄｔ）・Δｔ ……（２─６） のように近似し、液晶媒体に掛かる電圧を計算した。
体の容量の比で電圧が分配されると考えられ、このとき
の電圧はそれぞれ ＶS （０）＝｛ＣL ／（ＣS ＋ＣL ）｝×（Ｅ─Ｖａ） ……（２─１） ＶL （０）＝｛ＣS ／（ＣS ＋ＣL ）｝×（Ｅ─Ｖａ） ……（２─２） また、次の微分方程式が成り立つ。 ＣS （ｄＶS ／ｄｔ）＋ＩS ＝ＣL （ｄＶL ／ｄｔ）＋ＩL ……（２─３） ＶS ＋ＶL ＝（Ｅ─Ｖａ） ……（２─４） （２−４）式の両辺の時間微分は０となるので、これと
（２−３）式より、 ｄＶL ／ｄｔ＝（ＩS ─ＩL ）／（ＣS ＋ＣL ） ……（２─５） となり、 ＶL （ｔ＋Δｔ）＝ＶL （ｔ）＋（ｄＶL ／ｄｔ）・Δｔ ……（２─６） のように近似し、液晶媒体に掛かる電圧を計算した。
【００２１】ここで、液晶媒体１０はコンデンサと抵抗
の並列回路と考えて、液晶媒体に流れるる電流は次式で
得られる。 ＩL ＝ＶL ／Ｒ ……（２−７） 光センサの電流は明部と暗部で異なり、それぞれ次式で
与えられる。暗部の電流は、 ＩS(d)＝αＶS(d) 2 ……（２−８） 明部の電流は、０＜ｔ≦ｔ1 のとき、 Ｉs(p)＝αＶs(p) 2 ＋βＶs(p)・ｔ ……（２−９） ｔ1 ＜ｔのとき、 Ｉs(p)＝αＶs(p) 2 ＋βＶs(p)・ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝ ……（２−１０） ここにαは定数で、光センサの暗部の電流値を測定する
ことにより次式で求める。
の並列回路と考えて、液晶媒体に流れるる電流は次式で
得られる。 ＩL ＝ＶL ／Ｒ ……（２−７） 光センサの電流は明部と暗部で異なり、それぞれ次式で
与えられる。暗部の電流は、 ＩS(d)＝αＶS(d) 2 ……（２−８） 明部の電流は、０＜ｔ≦ｔ1 のとき、 Ｉs(p)＝αＶs(p) 2 ＋βＶs(p)・ｔ ……（２−９） ｔ1 ＜ｔのとき、 Ｉs(p)＝αＶs(p) 2 ＋βＶs(p)・ｔ1 ｅｘｐ｛（ｔ1 ─ｔ）／τ｝ ……（２−１０） ここにαは定数で、光センサの暗部の電流値を測定する
ことにより次式で求める。
【００２２】 Ｉs(m)＝αＶs(m) 2 ……（２−１１） Ｉs(m)：測定値 Ｖs(m)：測定電圧 また、βはαから次式により求める。 βＶs(m)ｔ1 ／αＶs(m) 2 ＝１．２５ ……（２−１２） （２−９）式から分かるように、（２−１２）式の分子
と分母は、時間ｔ1 における光電流、及び暗電流をそれ
ぞれ表しており、この比はほぼ１．１０〜１．５０の範
囲であれがよいが、ここでは１．２５とした。（２−
７）〜（２−１０）式を（２−６）式に代入して明部お
よび暗部の液晶媒体にかかる電圧を計算した結果の例を
図６、図７に示す。
と分母は、時間ｔ1 における光電流、及び暗電流をそれ
ぞれ表しており、この比はほぼ１．１０〜１．５０の範
囲であれがよいが、ここでは１．２５とした。（２−
７）〜（２−１０）式を（２−６）式に代入して明部お
よび暗部の液晶媒体にかかる電圧を計算した結果の例を
図６、図７に示す。
【００２３】明部と暗部で液晶媒体にかかる電圧の差が
最大となる条件についてみると、図６から分かるよう
に、明部の電圧の立ち上がり、及び飽和が、暗部の電圧
の立ち上がり、飽和に比して早いので、液晶媒体にかか
る電圧の変化率が明部と暗部で等しくなるか、あるいは
暗部の変化率のほうが大きくなる時と考えられる。従っ
て、液晶媒体にかかる電圧の変化率を表す（２−５）式
の右辺を明部と暗部で比較すると、電圧の差が最大とな
る条件として、次の関係式が得られる。 ＩS(d)−ＩL(d)≧Ｉs(p)−ＩL(p) ……（２−１３） （２−１３）式の条件を満足する最初の瞬間が液晶媒体
にかかる電圧の明部と暗部の差が最大となる時と考えら
れ、このときに暗部の電圧が、液晶媒体のしきい値に等
しいか、あるいはそれよりも若干高い値、例えば数ボル
ト上になるように、印加電圧を設定すればよい。なお、
最適な電圧印加時間は液晶媒体にかかる電圧の明部と暗
部の差が最大となる時とする。
最大となる条件についてみると、図６から分かるよう
に、明部の電圧の立ち上がり、及び飽和が、暗部の電圧
の立ち上がり、飽和に比して早いので、液晶媒体にかか
る電圧の変化率が明部と暗部で等しくなるか、あるいは
暗部の変化率のほうが大きくなる時と考えられる。従っ
て、液晶媒体にかかる電圧の変化率を表す（２−５）式
の右辺を明部と暗部で比較すると、電圧の差が最大とな
る条件として、次の関係式が得られる。 ＩS(d)−ＩL(d)≧Ｉs(p)−ＩL(p) ……（２−１３） （２−１３）式の条件を満足する最初の瞬間が液晶媒体
にかかる電圧の明部と暗部の差が最大となる時と考えら
れ、このときに暗部の電圧が、液晶媒体のしきい値に等
しいか、あるいはそれよりも若干高い値、例えば数ボル
ト上になるように、印加電圧を設定すればよい。なお、
最適な電圧印加時間は液晶媒体にかかる電圧の明部と暗
部の差が最大となる時とする。
【００２４】ある電圧に設定して（２−６）式により液
晶媒体にかかる電圧を計算し、次いで（２−１３）式に
より明部と暗部の差が最大となるときの、暗部の液晶媒
体の電圧が、液晶媒体のしきい値よりも高いときには、
明部は飽和する可能性があるので印加電圧を低く設定し
なおして計算する。また、暗部の液晶媒体の電圧が、液
晶媒体のしきい値よりも低い場合には、印加電圧を高く
設定して計算をし直す。このようにして、明部と暗部の
液晶媒体の電圧の差が最大になるときの暗部の液晶媒体
の電圧が、液晶媒体のしきい値に等しいか、あるいはそ
れよりも若干高い値、例えば数ボルト高くなるような、
印加電圧の最適値を計算により求めることができる。
晶媒体にかかる電圧を計算し、次いで（２−１３）式に
より明部と暗部の差が最大となるときの、暗部の液晶媒
体の電圧が、液晶媒体のしきい値よりも高いときには、
明部は飽和する可能性があるので印加電圧を低く設定し
なおして計算する。また、暗部の液晶媒体の電圧が、液
晶媒体のしきい値よりも低い場合には、印加電圧を高く
設定して計算をし直す。このようにして、明部と暗部の
液晶媒体の電圧の差が最大になるときの暗部の液晶媒体
の電圧が、液晶媒体のしきい値に等しいか、あるいはそ
れよりも若干高い値、例えば数ボルト高くなるような、
印加電圧の最適値を計算により求めることができる。
【００２５】次に、図１０で示したような一体型液晶記
録媒体の場合についての計算方法について説明する。光
センサ層、中間層、液晶層の３層からなる一体型媒体
は、図５のような等価回路で表される。なお、ＩM 、Ｃ
M は中間層の抵抗、容量を示している。電圧印加開始直
後には、電圧は光センサ、中間層、液晶層の各容量の比
に分配される。このときの電圧はそれぞれ ＶS(0)＝ＣM ＣL ／（ＣS ＣM ＋ＣM ＣL ＋ＣL ＣS ）×Ｅ ……（３−１） ＶM(0)＝ＣL ＣS ／（ＣS ＣM ＋ＣM ＣL ＋ＣL ＣS ）×Ｅ ……（３−２） ＶL(0)＝ＣS ＣM ／（ＣS ＣM ＋ＣM ＣL ＋ＣL ＣS ）×Ｅ ……（３−３） 図５の等価回路から、次の微分方程式が成り立つ。 ＣS ・ｄＶS ／ｄｔ＋ＩS ＝ＣM ・ｄＶM ／ｄｔ＋ＩM ＝ＣL ・ｄＶL ／ｄｔ＋ＩL ……（３−４） ＶS ＋ＶM ＋ＶL ＝Ｅ ……（３−５） 微分方程式（３−４）式を解くと、中間層、液晶媒体の
かかる電圧は次式で計算することができる。 ＩM ＝ＶM ／ＲM ……（３−８） （２−７）〜（２−１０）式および（３−８）式を（３
−７）式に代入し、明部および暗部の液晶部分にかかる
電圧を計算する。
録媒体の場合についての計算方法について説明する。光
センサ層、中間層、液晶層の３層からなる一体型媒体
は、図５のような等価回路で表される。なお、ＩM 、Ｃ
M は中間層の抵抗、容量を示している。電圧印加開始直
後には、電圧は光センサ、中間層、液晶層の各容量の比
に分配される。このときの電圧はそれぞれ ＶS(0)＝ＣM ＣL ／（ＣS ＣM ＋ＣM ＣL ＋ＣL ＣS ）×Ｅ ……（３−１） ＶM(0)＝ＣL ＣS ／（ＣS ＣM ＋ＣM ＣL ＋ＣL ＣS ）×Ｅ ……（３−２） ＶL(0)＝ＣS ＣM ／（ＣS ＣM ＋ＣM ＣL ＋ＣL ＣS ）×Ｅ ……（３−３） 図５の等価回路から、次の微分方程式が成り立つ。 ＣS ・ｄＶS ／ｄｔ＋ＩS ＝ＣM ・ｄＶM ／ｄｔ＋ＩM ＝ＣL ・ｄＶL ／ｄｔ＋ＩL ……（３−４） ＶS ＋ＶM ＋ＶL ＝Ｅ ……（３−５） 微分方程式（３−４）式を解くと、中間層、液晶媒体の
かかる電圧は次式で計算することができる。 ＩM ＝ＶM ／ＲM ……（３−８） （２−７）〜（２−１０）式および（３−８）式を（３
−７）式に代入し、明部および暗部の液晶部分にかかる
電圧を計算する。
【００２６】分離型液晶媒体の場合と同様に、明部と、
暗部で液晶媒体にかかる電圧の差が最大となる条件は、
液晶媒体にかかる電圧の変化率が、明部と暗部で等しく
なるか、あるいは暗部の変化率の方が大きくなる時であ
るから、（３−７）式の右辺を明部と暗部で比較して、 ＩS(d)−（ＩL(d)−ＩM(d))(ＣS ／ＣM ) −ＩL(d)≧ ＩS(p)−（ＩL(p)−ＩM(p))(ＣS ／ＣM ) −ＩL(p) ……（３−９） （３−９）式の条件を満足する最初の瞬間が液晶媒体に
かかる電圧の明部と暗部の差が最大になる時と考えられ
るが、このときに暗部の電圧が、液晶媒体のしきい値に
等しいか、あるいはそれよりも若干高い値、例えば数ボ
ルト高くなるような印加電圧を設定すればよい。なお、
最適な電圧印加時間は液晶媒体にかかる電圧の明部と暗
部の差が最大となる時とする。
暗部で液晶媒体にかかる電圧の差が最大となる条件は、
液晶媒体にかかる電圧の変化率が、明部と暗部で等しく
なるか、あるいは暗部の変化率の方が大きくなる時であ
るから、（３−７）式の右辺を明部と暗部で比較して、 ＩS(d)−（ＩL(d)−ＩM(d))(ＣS ／ＣM ) −ＩL(d)≧ ＩS(p)−（ＩL(p)−ＩM(p))(ＣS ／ＣM ) −ＩL(p) ……（３−９） （３−９）式の条件を満足する最初の瞬間が液晶媒体に
かかる電圧の明部と暗部の差が最大になる時と考えられ
るが、このときに暗部の電圧が、液晶媒体のしきい値に
等しいか、あるいはそれよりも若干高い値、例えば数ボ
ルト高くなるような印加電圧を設定すればよい。なお、
最適な電圧印加時間は液晶媒体にかかる電圧の明部と暗
部の差が最大となる時とする。
【００２７】ある電圧で（３−６），（３−７）式によ
り液晶媒体にかかる電圧を計算し、（３−９）式により
明部と暗部の差が最大となるときの、暗部の液晶媒体の
電圧が液晶媒体のしきい値よりも高いときには、印加電
圧を低く設定して計算し直し、しきい値よりも低い場合
には、印加電圧を高く設定して計算をし直す。このよう
にして、明部と暗部の液晶媒体の電圧の差が最大になる
ときの暗部の液晶媒体の電圧が、液晶媒体のしきい値に
等しいか、あるいはそれよりも若干高い値、例えば数ボ
ルト高くなるような、印加電圧の最適値を計算により求
めることができる。
り液晶媒体にかかる電圧を計算し、（３−９）式により
明部と暗部の差が最大となるときの、暗部の液晶媒体の
電圧が液晶媒体のしきい値よりも高いときには、印加電
圧を低く設定して計算し直し、しきい値よりも低い場合
には、印加電圧を高く設定して計算をし直す。このよう
にして、明部と暗部の液晶媒体の電圧の差が最大になる
ときの暗部の液晶媒体の電圧が、液晶媒体のしきい値に
等しいか、あるいはそれよりも若干高い値、例えば数ボ
ルト高くなるような、印加電圧の最適値を計算により求
めることができる。
【００２８】図８は最適な印加電圧、電圧印加時間を設
定するための方法を説明するための図である。光センサ
１０と高分子分散型液晶媒体２０を、空隙を介して対向
させるのは従来の記録方法と同様であるが、本発明に使
用する光センサの電荷輸送層上の一部には電極１４を形
成する。高分子分散型液晶媒体を光センサよりも小さく
作成するかまたは、光センサとずらして配置するかし
て、電極形成部分の対向部分に液晶媒体が存在しないよ
うにする。また、電極形成部分に相当する光センサの支
持体上に図のようにマスク４３を形成し、この分に光が
照射されないようにする。光センサの電極１２と光導電
層上の電極１４の間に電源３１により、矩形の電圧が印
加され、図のように直列に接続した抵抗の電圧を測定す
ることにより、光センサに流れる電流を測定する。光導
電層上に形成した電極の面積は予め分かっているので、
測定した電流値から（１−１）式によりαを求めること
ができる。
定するための方法を説明するための図である。光センサ
１０と高分子分散型液晶媒体２０を、空隙を介して対向
させるのは従来の記録方法と同様であるが、本発明に使
用する光センサの電荷輸送層上の一部には電極１４を形
成する。高分子分散型液晶媒体を光センサよりも小さく
作成するかまたは、光センサとずらして配置するかし
て、電極形成部分の対向部分に液晶媒体が存在しないよ
うにする。また、電極形成部分に相当する光センサの支
持体上に図のようにマスク４３を形成し、この分に光が
照射されないようにする。光センサの電極１２と光導電
層上の電極１４の間に電源３１により、矩形の電圧が印
加され、図のように直列に接続した抵抗の電圧を測定す
ることにより、光センサに流れる電流を測定する。光導
電層上に形成した電極の面積は予め分かっているので、
測定した電流値から（１−１）式によりαを求めること
ができる。
【００２９】また、（２−１２）式によりβを計算し、
（２−１）から（２−１３）式に示した方法で、印加電
圧と電圧印加時間の最適値を決定する。（２−１２）式
で、光電流と暗電流の比を１．２５としているが、１．
１０から１．５０の範囲であれば、計算結果に大きな差
異はなく特に１．２５に限定されるものではない。
（２−１）から（２−１３）式に示した方法で、印加電
圧と電圧印加時間の最適値を決定する。（２−１２）式
で、光電流と暗電流の比を１．２５としているが、１．
１０から１．５０の範囲であれば、計算結果に大きな差
異はなく特に１．２５に限定されるものではない。
【００３０】電圧印加時間については、このように計算
した値を用いても良いし、従来通り、暗部の液晶媒体の
透過率をモニタする方法で制御してもよい。また、この
とき計算される印加電圧は、空隙の部分を含んでいない
ので、実際に印加する電圧は計算値に放電破壊電圧を加
える必要がある。放電破壊電圧はパッシェンの法則に従
うものとする。この他、液晶媒体、光センサの容量、液
晶媒体の抵抗は予めわかっているものとする。ただし、
液晶媒体の抵抗値については、図８に示したと同様にし
て（２−７）式により求めてもよい。
した値を用いても良いし、従来通り、暗部の液晶媒体の
透過率をモニタする方法で制御してもよい。また、この
とき計算される印加電圧は、空隙の部分を含んでいない
ので、実際に印加する電圧は計算値に放電破壊電圧を加
える必要がある。放電破壊電圧はパッシェンの法則に従
うものとする。この他、液晶媒体、光センサの容量、液
晶媒体の抵抗は予めわかっているものとする。ただし、
液晶媒体の抵抗値については、図８に示したと同様にし
て（２−７）式により求めてもよい。
【００３１】一体型液晶媒体についても同様に、光セン
サ層の電荷輸送層上の一部に電極を形成し、この電極上
には中間層および液晶層を敬せせず、分離型と同様に電
流を測定し、（３−１）〜（３−７）式により、印加電
圧の最適値を計算することができる。この場合には、空
隙が存在しないので、放電破壊電圧を考慮する必要はな
い。
サ層の電荷輸送層上の一部に電極を形成し、この電極上
には中間層および液晶層を敬せせず、分離型と同様に電
流を測定し、（３−１）〜（３−７）式により、印加電
圧の最適値を計算することができる。この場合には、空
隙が存在しないので、放電破壊電圧を考慮する必要はな
い。
【００３２】
【作用】本発明は、明部と暗部で液晶媒体にかかる電圧
の差が最大になる条件は、液晶媒体にかかる電圧変化率
が、明部と暗部で等しくなるか、暗部の変化率の方が大
きくなるときであること、また、暗部の電流は電圧印加
時間に対して一定で電圧の２乗に比例し、明部の電流は
暗電流と光電流の和であり、光電流は光照射時には直線
的に上昇し、光ＯＦＦ後は指数関数的に減少することに
着目し、変調率の差が最大になった時間で電圧をＯＦＦ
することにより、コントラストの大きい良質な画像が得
られる。
の差が最大になる条件は、液晶媒体にかかる電圧変化率
が、明部と暗部で等しくなるか、暗部の変化率の方が大
きくなるときであること、また、暗部の電流は電圧印加
時間に対して一定で電圧の２乗に比例し、明部の電流は
暗電流と光電流の和であり、光電流は光照射時には直線
的に上昇し、光ＯＦＦ後は指数関数的に減少することに
着目し、変調率の差が最大になった時間で電圧をＯＦＦ
することにより、コントラストの大きい良質な画像が得
られる。
【００３３】
〈光センサの作成〉 （実施例１）電荷発生物質として下記構造を有するフル
オレノンアゾ顔料３部とポリエステル樹脂１部とを、ジ
オキサン：シクロヘキサン＝１：１の混合溶媒１９６部
と混合し、混合機により十分混練を行い、塗布液を作成
した。
オレノンアゾ顔料３部とポリエステル樹脂１部とを、ジ
オキサン：シクロヘキサン＝１：１の混合溶媒１９６部
と混合し、混合機により十分混練を行い、塗布液を作成
した。
【００３４】
【化１】
【００３５】この溶液をＩＴＯ透明電極（膜厚約５００
Å、抵抗；８０Ω／□）を有するガラス基板上のＩＴＯ
側の面に塗布し、１００℃、１時間乾燥して膜厚０．３
μｍの電荷発生層を形成した。次に、電荷輸送物質とし
て、下記構造を有するパラジメチルスチルベン３部とポ
リスチレン樹脂１部とをジクロロメタン：１，１，２−
トリクロロエタン＝６８：１０２の混合溶媒１７０部と
混合、溶解し、塗布液を作製した。
Å、抵抗；８０Ω／□）を有するガラス基板上のＩＴＯ
側の面に塗布し、１００℃、１時間乾燥して膜厚０．３
μｍの電荷発生層を形成した。次に、電荷輸送物質とし
て、下記構造を有するパラジメチルスチルベン３部とポ
リスチレン樹脂１部とをジクロロメタン：１，１，２−
トリクロロエタン＝６８：１０２の混合溶媒１７０部と
混合、溶解し、塗布液を作製した。
【００３６】
【化２】
【００３７】この溶液を上記電荷発生層上に塗布し、８
０℃、２時間乾燥して膜厚１０μｍの電荷輸送層を形成
した。
０℃、２時間乾燥して膜厚１０μｍの電荷輸送層を形成
した。
【００３８】〈液晶媒体の作製〉 （実施例２）ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト４部、スメクチック液晶Ｓ６（商品名；メルク社製）
６部、ふっ素系活性剤フロラードＦＣ−４３０（商品
名；３Ｍ社製）０．２部、光重合開始剤『ダロキュア１
１７３』（商品名；メルク社製）０．２部の混合物をキ
シレンにて固形分３０％に調整した。この溶液をＩＴＯ
透明電極（膜厚約５００Å、抵抗；８０Ω／□）を有す
るガラス基板上のＩＴＯ側の面に５０μｍのギャップ厚
さブレードコーターで塗布し、これを５０℃に保持し、
０．３ｍＪ／ｃｍ2 のＵＶ光を照射して、膜厚約６μｍ
の情報記録層を有する情報記録媒体を作製した。この情
報記録媒体断面を熱メタノールを用いて液晶を抽出し、
乾燥させた後、走査型電子顕微鏡（日立製作所（株）
製、Ｓ−８００、１００００倍）で内部構造を観察した
ところ、層の表面は０．６μｍ厚の紫外線硬化型樹脂で
覆われ、層内部は粒径０．１μｍの樹脂粒子が充填して
いる構造を有していることが分かった。
ト４部、スメクチック液晶Ｓ６（商品名；メルク社製）
６部、ふっ素系活性剤フロラードＦＣ−４３０（商品
名；３Ｍ社製）０．２部、光重合開始剤『ダロキュア１
１７３』（商品名；メルク社製）０．２部の混合物をキ
シレンにて固形分３０％に調整した。この溶液をＩＴＯ
透明電極（膜厚約５００Å、抵抗；８０Ω／□）を有す
るガラス基板上のＩＴＯ側の面に５０μｍのギャップ厚
さブレードコーターで塗布し、これを５０℃に保持し、
０．３ｍＪ／ｃｍ2 のＵＶ光を照射して、膜厚約６μｍ
の情報記録層を有する情報記録媒体を作製した。この情
報記録媒体断面を熱メタノールを用いて液晶を抽出し、
乾燥させた後、走査型電子顕微鏡（日立製作所（株）
製、Ｓ−８００、１００００倍）で内部構造を観察した
ところ、層の表面は０．６μｍ厚の紫外線硬化型樹脂で
覆われ、層内部は粒径０．１μｍの樹脂粒子が充填して
いる構造を有していることが分かった。
【００３９】〈一体型媒体の作製〉 （実施例３）実施例１で作製した光センサの電荷輸送層
上に下記構造を有するジパラキシリレンを真空下で気化
重合させてポリ（モノクロロパラキシリレン）を膜厚
０．６μｍで製膜し、誘電体層を形成した。
上に下記構造を有するジパラキシリレンを真空下で気化
重合させてポリ（モノクロロパラキシリレン）を膜厚
０．６μｍで製膜し、誘電体層を形成した。
【００４０】
【化３】
【００４１】さらに、この誘電体層上にジペンタエリス
リトールヘキサアクリレート４部、スメクチック液晶Ｓ
６（商品名；メルク社製）６部、ふっ素系活性剤フロラ
ードＦＣ−４３０（商品名；３Ｍ社製）０．２部、光重
合開始剤『ダロキュア１１７３』（商品名；メルク社
製）０．２部の混合物をキシレンにて固形分３０％に調
整した。この溶液をＩＴＯ透明電極（膜厚約５００Å、
抵抗；８０Ω／□）を有するガラス基板上のＩＴＯ側の
面に５０μｍのギャップ厚さブレードコーターで塗布
し、これを５０℃に保持し、０．３ｍＪ／ｃｍ2 のＵＶ
光を照射して、膜厚約６μｍの情報記録層を有する情報
記録媒体を作製した。この情報記録層上に、透明電極と
してスパッタ法でＩＴＯを約２００Å積層し、本発明の
情報記録媒体を作製した。
リトールヘキサアクリレート４部、スメクチック液晶Ｓ
６（商品名；メルク社製）６部、ふっ素系活性剤フロラ
ードＦＣ−４３０（商品名；３Ｍ社製）０．２部、光重
合開始剤『ダロキュア１１７３』（商品名；メルク社
製）０．２部の混合物をキシレンにて固形分３０％に調
整した。この溶液をＩＴＯ透明電極（膜厚約５００Å、
抵抗；８０Ω／□）を有するガラス基板上のＩＴＯ側の
面に５０μｍのギャップ厚さブレードコーターで塗布
し、これを５０℃に保持し、０．３ｍＪ／ｃｍ2 のＵＶ
光を照射して、膜厚約６μｍの情報記録層を有する情報
記録媒体を作製した。この情報記録層上に、透明電極と
してスパッタ法でＩＴＯを約２００Å積層し、本発明の
情報記録媒体を作製した。
【００４２】（実施例４）実施例１で作製した光センサ
の電荷輸送層上に２ｍｍ×２ｍｍの大きさに金電極を蒸
着法により形成した。
の電荷輸送層上に２ｍｍ×２ｍｍの大きさに金電極を蒸
着法により形成した。
【００４３】（実施例５）実施例４の光センサ上の電荷
輸送層上の電極形成部分を除いた部分について、実施例
３と同様の方法で、中間層および情報記録層を形成し
た。
輸送層上の電極形成部分を除いた部分について、実施例
３と同様の方法で、中間層および情報記録層を形成し
た。
【００４４】（実施例６）実施例４の光センサの透明電
極と金電極の間に、透明電極が正になるように２００Ｖ
の矩形電圧を印加し、電流値を測定したところ、２×１
０-7Ａであった。この値から計算した印加電圧および電
圧印加時間の最適値は、分離型の場合、それぞれ７５０
Ｖ、８０ｍｓｅｃであった。
極と金電極の間に、透明電極が正になるように２００Ｖ
の矩形電圧を印加し、電流値を測定したところ、２×１
０-7Ａであった。この値から計算した印加電圧および電
圧印加時間の最適値は、分離型の場合、それぞれ７５０
Ｖ、８０ｍｓｅｃであった。
【００４５】（実施例７）実施例４の光センサと実施例
２の情報記録媒体を９μｍの空隙を介して、対向し、光
センサの支持体側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時
に、７５０Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加した。電圧ＯＦＦ
後、光センサと記録媒体を引き離し、記録媒体の透過像
を観察したところ、コントラストの大きな良好な画像が
得られた。
２の情報記録媒体を９μｍの空隙を介して、対向し、光
センサの支持体側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時
に、７５０Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加した。電圧ＯＦＦ
後、光センサと記録媒体を引き離し、記録媒体の透過像
を観察したところ、コントラストの大きな良好な画像が
得られた。
【００４６】（実施例８）実施例４の光センサと実施例
２の情報記録媒体を９μｍの空隙を介して対向させ、光
センサの支持体側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時
に、８００Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加した。電圧ＯＦＦ
後、光センサと記録媒体を引き離し、記録媒体の透過像
を観察したところ、暗部に相当する部分の透過率が高
く、明部とのコントラストがあまりない画像が得られ
た。
２の情報記録媒体を９μｍの空隙を介して対向させ、光
センサの支持体側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時
に、８００Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加した。電圧ＯＦＦ
後、光センサと記録媒体を引き離し、記録媒体の透過像
を観察したところ、暗部に相当する部分の透過率が高
く、明部とのコントラストがあまりない画像が得られ
た。
【００４７】（実施例９）実施例４の光センサと実施例
２の情報記録媒体を９μｍの空隙を介して、対向させ、
光センサの支持体側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時
に、７００Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加した。電圧ＯＦＦ
後、光センサと記録媒体を引き離し、記録媒体の透過像
を観察したところ、明部に相当する部分の透過率が低
く、暗部とのコントラストがあまり良くない画像が得ら
れた。
２の情報記録媒体を９μｍの空隙を介して、対向させ、
光センサの支持体側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時
に、７００Ｖ、８０ｍｓｅｃ電圧印加した。電圧ＯＦＦ
後、光センサと記録媒体を引き離し、記録媒体の透過像
を観察したところ、明部に相当する部分の透過率が低
く、暗部とのコントラストがあまり良くない画像が得ら
れた。
【００４８】（実施例１０）実施例５の情報記録媒体に
ついて印加電圧と印加時間の最適値を計算したところ、
それぞれ４２０Ｖ、６５ｍｓｅｃであった。この情報記
録媒体の光センサ側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時
に両電極間に光センサ側が正になるように、４２０Ｖ、
６５ｍｓｅｃ電圧を印加した。電圧ＯＦＦ後、記録媒体
の透過像を観察したところ、コントラストの大きな良好
な画像が得られた。
ついて印加電圧と印加時間の最適値を計算したところ、
それぞれ４２０Ｖ、６５ｍｓｅｃであった。この情報記
録媒体の光センサ側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時
に両電極間に光センサ側が正になるように、４２０Ｖ、
６５ｍｓｅｃ電圧を印加した。電圧ＯＦＦ後、記録媒体
の透過像を観察したところ、コントラストの大きな良好
な画像が得られた。
【００４９】（実施例１１）実施例５の情報記録媒体の
光センサ側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時に、両電
極間に光センサ側が正になるように、４７０Ｖ、６５ｍ
ｓｅｃ電圧を印加した。電圧ＯＦＦ後、記録媒体の透過
像を観察したところ、暗部に相当する部分の透過率が高
く、明部とのコントラストがあまりない画像が得られ
た。
光センサ側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時に、両電
極間に光センサ側が正になるように、４７０Ｖ、６５ｍ
ｓｅｃ電圧を印加した。電圧ＯＦＦ後、記録媒体の透過
像を観察したところ、暗部に相当する部分の透過率が高
く、明部とのコントラストがあまりない画像が得られ
た。
【００５０】（実施例１２）実施例５の情報記録媒体の
光センサ側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時に、両電
極間に光センサ側が正になるように、３７０Ｖ、６５ｍ
ｓｅｃ電圧を印加した。電圧ＯＦＦ後、記録媒体の透過
像を観察したところ、明部に相当する部分の透過率が低
く、暗部とのコントラストがあまりない画像が得られ
た。
光センサ側から３３ｍｓｅｃ像露光すると同時に、両電
極間に光センサ側が正になるように、３７０Ｖ、６５ｍ
ｓｅｃ電圧を印加した。電圧ＯＦＦ後、記録媒体の透過
像を観察したところ、明部に相当する部分の透過率が低
く、暗部とのコントラストがあまりない画像が得られ
た。
【００５１】
【発明の効果】以上のように本発明は光センサと高分子
分散型液晶層からなる情報記録媒体を用いた情報記録方
法において、情報記録を行う直前に光センサ層の電流値
を測定することにより、印加する電圧とその時間の最適
値を算出し、その最適値を用いて情報記録を行うことに
より、常に安定してコントラストの大きい良質な画像記
録を行なうことができる。
分散型液晶層からなる情報記録媒体を用いた情報記録方
法において、情報記録を行う直前に光センサ層の電流値
を測定することにより、印加する電圧とその時間の最適
値を算出し、その最適値を用いて情報記録を行うことに
より、常に安定してコントラストの大きい良質な画像記
録を行なうことができる。
【図１】 本発明に用いられる光センサの特性測定方法
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 光センサの電流測定結果の一例を示す図であ
る。
る。
【図３】 光センサの電流計算値と測定値とを示す図で
ある。
ある。
【図４】 分離型液晶記録媒体の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図５】 一体型液晶記録媒体の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図６】 明部および暗部の液晶媒体にかかる電圧の計
算結果の例を示す図である。
算結果の例を示す図である。
【図７】 明部と暗部の液晶媒体にかかる電圧の差の計
算結果の例を示す図である。
算結果の例を示す図である。
【図８】 最適な印加電圧、電圧印加時間を設定するた
めの方法を説明する図である。
めの方法を説明する図である。
【図９】 分離型の高分子分散型液晶記録媒体を用いた
画像記録装置の構成を示す図である。
画像記録装置の構成を示す図である。
【図１０】 一体型情報記録媒体を用いた画像記録装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１１】 分離型の高分子分散型液晶記録媒体の変調
度の時間変化測定方法を示す図である。
度の時間変化測定方法を示す図である。
【図１２】 計算値による明部、暗部における変調度の
測定結果を示す図である。
測定結果を示す図である。
【図１３】 印加電圧を高めに設定したときの明部およ
び暗部の液晶媒体の変調度の変化を示す図である。
び暗部の液晶媒体の変調度の変化を示す図である。
【図１４】 印加電圧を低めに設定したときの明部およ
び暗部の液晶媒体の変調度の変化を示す図である。
び暗部の液晶媒体の変調度の変化を示す図である。
【図１５】 印加電圧の設定を３通りに設定したときの
明部と暗部の変調度の差を示す図である。
明部と暗部の変調度の差を示す図である。
１…、２…
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも電極上に光導電層を形成した
光センサと、少なくとも液晶を樹脂中に分散、固定した
液晶記録層を電極上に形成した液晶記録媒体とを空気層
を介して対向させ、光センサ側から像露光を行なうと同
時に電圧印加することにより液晶記録媒体に情報を記録
する方法において、一定強度で光照射されたとき流れる光電流が、電圧と時
間の関数で表される 光センサの未露光領域の導電性を測
定し、測定値に基づいて像露光時の過渡的な状態の電圧
を算出し、光センサと液晶記録媒体間への印加電圧及び
／又は電圧印加時間を決定することを特徴とする液晶記
録媒体を用いた情報記録方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、決定した
印加電圧及び／又は電圧印加時間により情報記録を行な
うことを特徴とする液晶記録媒体を用いた情報記録方
法。 - 【請求項３】 少なくとも電極上に光センサ、高分子分
散型液晶層、電極を順次積層した液晶記録媒体、あるい
は電極上に光センサ、誘電体中間層、高分子分散型液晶
層、および電極を順次積層した液晶記録媒体の光センサ
側から像露光を行なうと同時に両電極間に電圧印加する
ことにより、高分子分散型液晶層に情報を記録する方法
において、一定強度で光照射されたとき流れる光電流が、電圧と時
間の関数で表される 光センサの未露光領域の導電性を測
定し、測定値に基づいて像露光時の過渡的な状態の電圧
を算出し、両電極間への印加電圧及び／又は電圧印加時
間を決定することを特徴とする液晶記録媒体を用いた情
報記録方法。 - 【請求項４】 請求項３の方法において、決定した印加
電圧及び／又は電圧印加時間により情報記録を行なうこ
とを特徴とする液晶記録媒体を用いた情報記録方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5101277A JP2862456B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 液晶記録媒体を用いた情報記録方法 |
| US08/233,812 US5555205A (en) | 1993-04-27 | 1994-04-26 | Method device for recording information, and method for measuring the transmittance of liquid crystals, which is applied to recording information |
| EP19940106585 EP0622954B1 (en) | 1993-04-27 | 1994-04-27 | Method and device for recording information |
| DE1994632881 DE69432881T2 (de) | 1993-04-27 | 1994-04-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Aufzeichnung von Information |
| US08/664,686 US5793453A (en) | 1993-04-03 | 1996-06-17 | Method and device for recording information, and method for measuring the transmittance of liquid crystals, which is applied to recording information |
| US08/668,119 US5748273A (en) | 1993-04-27 | 1996-06-17 | Method and device for recording information, and method for measuring the transmittance of liquid crystals, which is applied to recording information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5101277A JP2862456B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 液晶記録媒体を用いた情報記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06308525A JPH06308525A (ja) | 1994-11-04 |
| JP2862456B2 true JP2862456B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=14296386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5101277A Expired - Lifetime JP2862456B2 (ja) | 1993-04-03 | 1993-04-27 | 液晶記録媒体を用いた情報記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862456B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104464674B (zh) | 2014-12-26 | 2017-12-08 | 小米科技有限责任公司 | 液晶显示器调整方法及装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04139424A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 撮像装置 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5101277A patent/JP2862456B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06308525A (ja) | 1994-11-04 |
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