JP2841972B2 - 保護膜付銀合金導体箔及びその製造方法 - Google Patents
保護膜付銀合金導体箔及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばパワートランジ
スタ等の高耐圧素子を含む高電圧回路や大容量回路の導
体として用いて好適な保護膜付銀合金導体箔及びその製
造方法に関するものである。
スタ等の高耐圧素子を含む高電圧回路や大容量回路の導
体として用いて好適な保護膜付銀合金導体箔及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、パワートランジスタ等の
半導体装置の高電圧回路や大容量回路において使用さ
れ、かつ、耐熱性や耐振動性が要求される環境下で使用
される導体としては、この導体自体の比抵抗が低く、か
つ、機械的強度及び耐熱性に優れている薄厚の銀または
銀合金製の導体箔（以下、導体箔と略称する。）が多用
されている。
半導体装置の高電圧回路や大容量回路において使用さ
れ、かつ、耐熱性や耐振動性が要求される環境下で使用
される導体としては、この導体自体の比抵抗が低く、か
つ、機械的強度及び耐熱性に優れている薄厚の銀または
銀合金製の導体箔（以下、導体箔と略称する。）が多用
されている。
【０００３】図５は、上記の導体箔１が用いられた高耐
圧の半導体装置Ｓの一例を示す図である。この半導体装
置Ｓは、パッケージ２に半導体素子（チップ）３がハン
ダ付けされ、この半導体素子３の電極４，４，…とパッ
ケージ２のリード端子５，５，…とが導体箔１，１，…
により接続されたものである。最後にパッケージ２上部
に蓋がされて製品とされる。
圧の半導体装置Ｓの一例を示す図である。この半導体装
置Ｓは、パッケージ２に半導体素子（チップ）３がハン
ダ付けされ、この半導体素子３の電極４，４，…とパッ
ケージ２のリード端子５，５，…とが導体箔１，１，…
により接続されたものである。最後にパッケージ２上部
に蓋がされて製品とされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この半導体
装置Ｓでは、振動などにより導体箔１が変形し易く、該
導体箔１と半導体素子３の隅部３ａまたはパッケージ２
の隅部２ａとが接触しショートする危険性があった。
装置Ｓでは、振動などにより導体箔１が変形し易く、該
導体箔１と半導体素子３の隅部３ａまたはパッケージ２
の隅部２ａとが接触しショートする危険性があった。
【０００５】そこで、例えば、導体箔１（箔本体）の表
面に絶縁性・安定性等に優れたポリイミド樹脂を塗布
し、導体箔１及びポリイミド樹脂を加熱して該ポリイミ
ド樹脂を硬化させポリイミド膜とした保護膜付導体箔も
試みられている。
面に絶縁性・安定性等に優れたポリイミド樹脂を塗布
し、導体箔１及びポリイミド樹脂を加熱して該ポリイミ
ド樹脂を硬化させポリイミド膜とした保護膜付導体箔も
試みられている。
【０００６】しかしながら、上記の保護膜付導体箔で
は、導体箔１とポリイミド膜との密着強度が十分でない
ために、ポリイミド膜が導体箔１から剥離し易いという
欠点があった。この様な欠点は、例えば、電極４，４，
…とパッケージ２のリード端子５，５，…とを接続する
場合に導体箔１が浮き上がって接続不良を起こし易くな
る等の不具合が生じる原因となり、この半導体装置Ｓを
実装した製品の信頼性にも大きな影響を及ぼすこととな
る。
は、導体箔１とポリイミド膜との密着強度が十分でない
ために、ポリイミド膜が導体箔１から剥離し易いという
欠点があった。この様な欠点は、例えば、電極４，４，
…とパッケージ２のリード端子５，５，…とを接続する
場合に導体箔１が浮き上がって接続不良を起こし易くな
る等の不具合が生じる原因となり、この半導体装置Ｓを
実装した製品の信頼性にも大きな影響を及ぼすこととな
る。
【０００７】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、箔本体とポリイミド膜との密着強度を高め
ることができ、この導体箔が用いられた製品の信頼性を
向上させることのできる保護膜付銀合金導体箔及びその
製造方法を提供することにある。
のであって、箔本体とポリイミド膜との密着強度を高め
ることができ、この導体箔が用いられた製品の信頼性を
向上させることのできる保護膜付銀合金導体箔及びその
製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な保護膜付銀合金導体箔及びその製
造方法を採用した。
に、本発明は次の様な保護膜付銀合金導体箔及びその製
造方法を採用した。
【０００９】すなわち、請求項１記載の保護膜付銀合金
導体箔は、表面が酸化され更にカップリング剤により改
質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成さ
れたポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｃａを１０
〜１０００ｐｐｍ含有し、残部がＡｇと不可避不純物か
らなる組成を有することを特徴とする。
導体箔は、表面が酸化され更にカップリング剤により改
質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成さ
れたポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｃａを１０
〜１０００ｐｐｍ含有し、残部がＡｇと不可避不純物か
らなる組成を有することを特徴とする。
【００１０】また、請求項２記載の保護膜付銀合金導体
箔は、表面が酸化され更にカップリング剤により改質さ
れた銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成された
ポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｂｅ，Ｉｎ及び
希土類元素から選択された少なくとも１種を１０〜７５
０ｐｐｍ含有し、残部がＡｇと不可避不純物からなる組
成を有することを特徴とする。
箔は、表面が酸化され更にカップリング剤により改質さ
れた銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成された
ポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｂｅ，Ｉｎ及び
希土類元素から選択された少なくとも１種を１０〜７５
０ｐｐｍ含有し、残部がＡｇと不可避不純物からなる組
成を有することを特徴とする。
【００１１】また、請求項３記載の保護膜付銀合金導体
箔は、表面が酸化され更にカップリング剤により改質さ
れた銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成された
ポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｃａを１０〜１
０００ｐｐｍ含有し、さらにＢｅ，Ｉｎ及び希土類元素
から選択された少なくとも１種を１０〜７５０ｐｐｍ含
有し、残部がＡｇと不可避不純物からなる組成を有する
ことを特徴とする。
箔は、表面が酸化され更にカップリング剤により改質さ
れた銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成された
ポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｃａを１０〜１
０００ｐｐｍ含有し、さらにＢｅ，Ｉｎ及び希土類元素
から選択された少なくとも１種を１０〜７５０ｐｐｍ含
有し、残部がＡｇと不可避不純物からなる組成を有する
ことを特徴とする。
【００１２】また、請求項４記載の保護膜付銀合金導体
箔は、請求項１，２または３記載の保護膜付銀合金導体
箔において、前記カップリング剤は、シランカップリン
グ剤からなることを特徴とする。
箔は、請求項１，２または３記載の保護膜付銀合金導体
箔において、前記カップリング剤は、シランカップリン
グ剤からなることを特徴とする。
【００１３】また、請求項５記載の保護膜付銀合金導体
箔の製造方法は、銀合金製の箔本体を酸化性雰囲気中に
おいて熱処理し、次いで、この箔本体の表面にカップリ
ング剤を塗布し、その後前記箔本体及びカップリング剤
を加熱して該箔本体の表面を改質し、この改質された箔
本体の表面にポリイミド樹脂を塗布し、次いで、前記箔
本体及びポリイミド樹脂を加熱して該ポリイミド樹脂を
硬化させ、前記箔本体の表面にポリイミド膜を形成する
ことを特徴とする。
箔の製造方法は、銀合金製の箔本体を酸化性雰囲気中に
おいて熱処理し、次いで、この箔本体の表面にカップリ
ング剤を塗布し、その後前記箔本体及びカップリング剤
を加熱して該箔本体の表面を改質し、この改質された箔
本体の表面にポリイミド樹脂を塗布し、次いで、前記箔
本体及びポリイミド樹脂を加熱して該ポリイミド樹脂を
硬化させ、前記箔本体の表面にポリイミド膜を形成する
ことを特徴とする。
【００１４】また、請求項６記載の保護膜付銀合金導体
箔の製造方法は、請求項５記載の保護膜付銀合金導体箔
の製造方法において、前記カップリング剤は、シランカ
ップリング剤からなることを特徴とする。
箔の製造方法は、請求項５記載の保護膜付銀合金導体箔
の製造方法において、前記カップリング剤は、シランカ
ップリング剤からなることを特徴とする。
【００１５】ここで、銀合金の組成を上記の様に限定し
た理由を述べる。まず、本発明の請求項１または３記載
の保護膜付銀合金導体箔において、Ｃａの含有量を１０
〜１０００ｐｐｍと限定したのは、その含有量が１０ｐ
ｐｍ未満では、経時的軟化を防止することができず、ま
た、表面に酸化層が十分形成されないために箔本体とポ
リイミド膜との密着強度を十分高めることができず、一
方その含有量が１０００ｐｐｍを越えると、導電性の低
下が著しくなり、所望の導電性を確保するのが困難とな
るばかりでなく、硬度が増加しすぎて取り扱い難くなる
ためである。
た理由を述べる。まず、本発明の請求項１または３記載
の保護膜付銀合金導体箔において、Ｃａの含有量を１０
〜１０００ｐｐｍと限定したのは、その含有量が１０ｐ
ｐｍ未満では、経時的軟化を防止することができず、ま
た、表面に酸化層が十分形成されないために箔本体とポ
リイミド膜との密着強度を十分高めることができず、一
方その含有量が１０００ｐｐｍを越えると、導電性の低
下が著しくなり、所望の導電性を確保するのが困難とな
るばかりでなく、硬度が増加しすぎて取り扱い難くなる
ためである。
【００１６】また、請求項２または３記載の保護膜付銀
合金導体箔において、Ｂｅ，Ｉｎ及び希土類元素から選
択された少なくとも１種の含有量を１０〜７５０ｐｐｍ
含有と限定したのは、その含有量が１０ｐｐｍ未満で
は、所望の熱サイクルによる経時的硬さ低下を抑制する
作用を確保することができず、また、表面に酸化層が十
分形成されないために箔本体とポリイミド膜との密着強
度を十分高めることができず、一方その含有量が７５０
ｐｐｍを越えると、導電性に急激な劣化が見られるよう
になるとともに、酸化皮膜が形成され易くなりスポット
熔接が困難となり、また、硬度が増加しすぎて作業性も
低下する様になるためである。
合金導体箔において、Ｂｅ，Ｉｎ及び希土類元素から選
択された少なくとも１種の含有量を１０〜７５０ｐｐｍ
含有と限定したのは、その含有量が１０ｐｐｍ未満で
は、所望の熱サイクルによる経時的硬さ低下を抑制する
作用を確保することができず、また、表面に酸化層が十
分形成されないために箔本体とポリイミド膜との密着強
度を十分高めることができず、一方その含有量が７５０
ｐｐｍを越えると、導電性に急激な劣化が見られるよう
になるとともに、酸化皮膜が形成され易くなりスポット
熔接が困難となり、また、硬度が増加しすぎて作業性も
低下する様になるためである。
【００１７】また、ポリイミド樹脂としては、以下の組
成・粘度を有する液状のものが好ましい。
成・粘度を有する液状のものが好ましい。
【００１８】（１）組成 不揮発分 ；全芳香族ポリイミド粉末 ２５重量％ ポリアミド酸 １０重量％ 揮 発 分；Ｎ−メチル−２ピロリドン ５５重量％ エトキシエタノール １０重量％
【００１９】（２）粘度 ２５０〜４５０ｐｏｉｓｅ／２５℃
【００２０】ここで、ポリイミド樹脂の粘度を２５０〜
４５０ｐｏｉｓｅ／２５℃に限定したのは、粘度が４５
０ｐｏｉｓｅ／２５℃よりも高過ぎると、ポリイミド樹
脂が均一な膜状になり難くなり、塗布作業の効率が低下
するという不都合が生じ、また、粘度が２５０ｐｏｉｓ
ｅ／２５℃よりも低過ぎると、塗布した膜の厚みが薄く
なり過ぎて所定の厚みを確保することができなくなると
いう不都合が生じるためである。
４５０ｐｏｉｓｅ／２５℃に限定したのは、粘度が４５
０ｐｏｉｓｅ／２５℃よりも高過ぎると、ポリイミド樹
脂が均一な膜状になり難くなり、塗布作業の効率が低下
するという不都合が生じ、また、粘度が２５０ｐｏｉｓ
ｅ／２５℃よりも低過ぎると、塗布した膜の厚みが薄く
なり過ぎて所定の厚みを確保することができなくなると
いう不都合が生じるためである。
【００２１】また、カップリング剤としては、相互にな
じみの悪い銀合金製の箔本体と耐熱性有機材料であるポ
リイミド樹脂の双方と化学結合できる官能基を有するも
ので、箔本体の表面の化学構造を抜本的に改質しポリイ
ミド樹脂との反応性を向上させるものが好ましい。
じみの悪い銀合金製の箔本体と耐熱性有機材料であるポ
リイミド樹脂の双方と化学結合できる官能基を有するも
ので、箔本体の表面の化学構造を抜本的に改質しポリイ
ミド樹脂との反応性を向上させるものが好ましい。
【００２２】箔本体の酸化された表面を改質するには、
シラン系、シリルパーオキサイド系、チタン系、クロム
系等のカップリング剤が適用可能であるが、特に有機ケ
イ素化合物であるシランカップリング剤は、アルコキシ
基やハロゲン等の無機化合物と反応し易い加水分解性の
置換基と、ビニル基、アミノ基等の有機化合物と強い化
学結合をする官能基を有することから、銀合金製の箔本
体とポリイミド樹脂とを接合するには好適である。
シラン系、シリルパーオキサイド系、チタン系、クロム
系等のカップリング剤が適用可能であるが、特に有機ケ
イ素化合物であるシランカップリング剤は、アルコキシ
基やハロゲン等の無機化合物と反応し易い加水分解性の
置換基と、ビニル基、アミノ基等の有機化合物と強い化
学結合をする官能基を有することから、銀合金製の箔本
体とポリイミド樹脂とを接合するには好適である。
【００２３】ここで、シランカップリング剤による銀合
金製の箔本体とポリイミド樹脂との接合のメカニズムに
ついて、Ｃａが添加された銀合金からなる箔本体を例に
とり説明する。
金製の箔本体とポリイミド樹脂との接合のメカニズムに
ついて、Ｃａが添加された銀合金からなる箔本体を例に
とり説明する。
【００２４】図２（ａ）は酸化性雰囲気中において熱処
理を行った箔本体１１の表面１１ａの原子の結合状態を
模式化したものであるが、この表面１１ａにシランカッ
プリング剤を塗布して加熱すると、同図（ｂ）に示す様
にシランカップリング剤１２のＳｉーＯーＲ結合が表面
１１ａのーＣａーＯーＨと反応してＣａーＯーＳｉ結合
となり、これらの結合が表面１１ａを覆うこととなる。
理を行った箔本体１１の表面１１ａの原子の結合状態を
模式化したものであるが、この表面１１ａにシランカッ
プリング剤を塗布して加熱すると、同図（ｂ）に示す様
にシランカップリング剤１２のＳｉーＯーＲ結合が表面
１１ａのーＣａーＯーＨと反応してＣａーＯーＳｉ結合
となり、これらの結合が表面１１ａを覆うこととなる。
【００２５】この表面１１ａにポリイミド樹脂を塗布し
て加熱すると、表面１１ａのＣａーＯーＳｉ結合と液状
のポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体）１３が反応し、
該ポリイミド樹脂１３が表面１１ａに密着するとともに
該ポリイミド樹脂１３が硬化しポリイミド膜１４となる
（同図（ｃ））。この様にして、箔本体１１の表面１１
ａに強固なポリイミド膜１４を形成することができる。
て加熱すると、表面１１ａのＣａーＯーＳｉ結合と液状
のポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体）１３が反応し、
該ポリイミド樹脂１３が表面１１ａに密着するとともに
該ポリイミド樹脂１３が硬化しポリイミド膜１４となる
（同図（ｃ））。この様にして、箔本体１１の表面１１
ａに強固なポリイミド膜１４を形成することができる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
【００２７】図１は、本発明の一実施例である保護膜付
銀合金導体箔（以下、単に導体箔と略称する）２１の部
分拡大断面図である。この導体箔２１は、表面２２ａ，
２２ｂが酸化され更にシランカップリング剤により改質
された銀合金製の箔本体２２（ｔ1＝３０μｍ）と、こ
の改質された箔本体２２の表面２２ａ，２２ｂに形成さ
れたポリイミド膜２３，２３（ｔ2＝７μｍ）とから構
成されている。
銀合金導体箔（以下、単に導体箔と略称する）２１の部
分拡大断面図である。この導体箔２１は、表面２２ａ，
２２ｂが酸化され更にシランカップリング剤により改質
された銀合金製の箔本体２２（ｔ1＝３０μｍ）と、こ
の改質された箔本体２２の表面２２ａ，２２ｂに形成さ
れたポリイミド膜２３，２３（ｔ2＝７μｍ）とから構
成されている。
【００２８】次に、この導体箔２１の製造方法について
説明する。まず、表１に示すそれぞれの組成の銀合金を
作成し、長さ３０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み３０μｍの箔
本体２２とした。
説明する。まず、表１に示すそれぞれの組成の銀合金を
作成し、長さ３０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み３０μｍの箔
本体２２とした。
【００２９】次に、上記の箔本体２２を、酸化性雰囲気
中において所定の温度で３０分間表面処理（熱処理）を
行い、該箔本体２２の表面２２ａ，２２ｂに酸化膜を形
成した。
中において所定の温度で３０分間表面処理（熱処理）を
行い、該箔本体２２の表面２２ａ，２２ｂに酸化膜を形
成した。
【００３０】次に、箔本体２２の表面２２ａ，２２ｂに
１０ｍｍ角、厚み１０μｍとなる様にシランカップリン
グ剤を塗布し、次いで、該箔本体２２及びシランカップ
リング剤を２００〜３００℃に加熱し、箔本体２２の表
面２２ａ，２２ｂを改質した。
１０ｍｍ角、厚み１０μｍとなる様にシランカップリン
グ剤を塗布し、次いで、該箔本体２２及びシランカップ
リング剤を２００〜３００℃に加熱し、箔本体２２の表
面２２ａ，２２ｂを改質した。
【００３１】次いで、改質された箔本体２２の表面２２
ａ，２２ｂに１０ｍｍ角、厚み１５μｍとなる様に液状
のポリイミド樹脂２４，２４を塗布し、次いで、該箔本
体２２及びポリイミド樹脂２４，２４を熱処理してポリ
イミド樹脂２４，２４を硬化させ、該箔本体２２の表面
２２ａ，２２ｂにそれぞれポリイミド膜２３，２３を形
成した。
ａ，２２ｂに１０ｍｍ角、厚み１５μｍとなる様に液状
のポリイミド樹脂２４，２４を塗布し、次いで、該箔本
体２２及びポリイミド樹脂２４，２４を熱処理してポリ
イミド樹脂２４，２４を硬化させ、該箔本体２２の表面
２２ａ，２２ｂにそれぞれポリイミド膜２３，２３を形
成した。
【００３２】ポリイミド樹脂２４，２４の熱処理条件は
下記の通りである。 ８０℃で３０分間加熱→１５０℃で３０分間加熱→２０
０℃で３０分間加熱→３５０℃で３０分間加熱 熱処理時の雰囲気 Ｎ2雰囲気
下記の通りである。 ８０℃で３０分間加熱→１５０℃で３０分間加熱→２０
０℃で３０分間加熱→３５０℃で３０分間加熱 熱処理時の雰囲気 Ｎ2雰囲気
【００３３】表１は上記実施例、比較例及び従来例のそ
れぞれの導体箔の特性を比較したものである。ここで
は、本発明の組成範囲の銀合金からなる導体箔を実施例
とし、本発明から外れた組成範囲の銀合金からなる導体
箔を比較例とした。また、表面に熱処理も改質も施さな
い銀合金からなる導体箔を従来例とした。
れぞれの導体箔の特性を比較したものである。ここで
は、本発明の組成範囲の銀合金からなる導体箔を実施例
とし、本発明から外れた組成範囲の銀合金からなる導体
箔を比較例とした。また、表面に熱処理も改質も施さな
い銀合金からなる導体箔を従来例とした。
【００３４】
【表１】
【００３５】表中、剥離試験（ピーリング試験）は、導
体箔のサンプル数を５０個とし、プレッシャークッカー
を用いて１２１℃、湿度１００％、２気圧の条件の下に
２０時間、これらの導体箔を放置し、その後、これらの
導体箔のポリイミド膜に粘着テープを貼り付け、引き剥
がすことにより、ポリイミド膜に剥がれが生じたサンプ
ルの個数を計数することにより評価を行った。
体箔のサンプル数を５０個とし、プレッシャークッカー
を用いて１２１℃、湿度１００％、２気圧の条件の下に
２０時間、これらの導体箔を放置し、その後、これらの
導体箔のポリイミド膜に粘着テープを貼り付け、引き剥
がすことにより、ポリイミド膜に剥がれが生じたサンプ
ルの個数を計数することにより評価を行った。
【００３６】また、スポット溶接性は、上記の剥離試験
と同様にサンプル数を５０個とし、２０ｍｍ角、厚み
０.５のシリコン板上に２μｍの銀の薄膜を形成し、こ
の上に導体箔をスポット溶接した。次に、該導体箔の一
方を引っ張り、溶接部において剥離したものを不合格と
した。
と同様にサンプル数を５０個とし、２０ｍｍ角、厚み
０.５のシリコン板上に２μｍの銀の薄膜を形成し、こ
の上に導体箔をスポット溶接した。次に、該導体箔の一
方を引っ張り、溶接部において剥離したものを不合格と
した。
【００３７】表１から明らかな様に、本発明の導体箔で
は、剥離試験及びスポット溶接性双方において剥離する
ものが全く無く、従来例及び比較例の導体箔と比べて箔
本体２２とポリイミド膜２３，２３との密着強度が大幅
に向上している。
は、剥離試験及びスポット溶接性双方において剥離する
ものが全く無く、従来例及び比較例の導体箔と比べて箔
本体２２とポリイミド膜２３，２３との密着強度が大幅
に向上している。
【００３８】以上説明した様に、上記実施例の導体箔２
１によれば、箔本体２２とポリイミド膜２３，２３との
密着強度を大幅に向上させることができ、ポリイミド膜
２３，２３が箔本体２２から剥離することがなくなる。
したがって、実装上の不具合が解消され、この導体箔２
１が用いられた製品の信頼性が向上する等の優れた効果
を奏することができる。
１によれば、箔本体２２とポリイミド膜２３，２３との
密着強度を大幅に向上させることができ、ポリイミド膜
２３，２３が箔本体２２から剥離することがなくなる。
したがって、実装上の不具合が解消され、この導体箔２
１が用いられた製品の信頼性が向上する等の優れた効果
を奏することができる。
【００３９】また、上記実施例の導体箔２１の製造方法
によれば、箔本体２２とポリイミド膜２３，２３との密
着強度が大幅に向上した導体箔２１を製造することがで
きる。
によれば、箔本体２２とポリイミド膜２３，２３との密
着強度が大幅に向上した導体箔２１を製造することがで
きる。
【００４０】以上により、箔本体とポリイミド膜との密
着強度を高めることができ、この導体箔が用いられた製
品の信頼性を向上させることのできる保護膜付銀合金導
体箔及びその製造方法を提供することが可能になる。
着強度を高めることができ、この導体箔が用いられた製
品の信頼性を向上させることのできる保護膜付銀合金導
体箔及びその製造方法を提供することが可能になる。
【００４１】なお、本発明の導体箔は、図３及び図４に
示す様に、シリコン板３１，３２同士を接続する用途と
しても好適に用いることができる。
示す様に、シリコン板３１，３２同士を接続する用途と
しても好適に用いることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項１記
載の保護膜付銀合金導体箔によれば、表面が酸化され更
にカップリング剤により改質された銀合金製の箔本体
と、該箔本体の表面に形成されたポリイミド膜とを備
え、前記銀合金は、Ｃａを１０〜１０００ｐｐｍ含有
し、残部がＡｇと不可避不純物からなる組成を有するこ
ととしたので、箔本体とポリイミド膜との密着強度を向
上させることができ、ポリイミド膜が箔本体から剥離す
る等の不具合が解消される。したがって、実装上の不具
合が解消され、この導体箔が用いられた製品の信頼性が
向上する等の優れた効果を奏することができる。
載の保護膜付銀合金導体箔によれば、表面が酸化され更
にカップリング剤により改質された銀合金製の箔本体
と、該箔本体の表面に形成されたポリイミド膜とを備
え、前記銀合金は、Ｃａを１０〜１０００ｐｐｍ含有
し、残部がＡｇと不可避不純物からなる組成を有するこ
ととしたので、箔本体とポリイミド膜との密着強度を向
上させることができ、ポリイミド膜が箔本体から剥離す
る等の不具合が解消される。したがって、実装上の不具
合が解消され、この導体箔が用いられた製品の信頼性が
向上する等の優れた効果を奏することができる。
【００４３】また、請求項２記載の保護膜付銀合金導体
箔によれば、表面が酸化され更にカップリング剤により
改質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成
されたポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｂｅ，Ｉ
ｎ及び希土類元素から選択された少なくとも１種を１０
〜７５０ｐｐｍ含有し、残部がＡｇと不可避不純物から
なる組成を有することとしたので、箔本体とポリイミド
膜との密着強度を向上させることができ、ポリイミド膜
が箔本体から剥離する等の不具合が解消される。したが
って、実装上の不具合が解消され、この導体箔が用いら
れた製品の信頼性が向上する等の優れた効果を奏するこ
とができる。
箔によれば、表面が酸化され更にカップリング剤により
改質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成
されたポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｂｅ，Ｉ
ｎ及び希土類元素から選択された少なくとも１種を１０
〜７５０ｐｐｍ含有し、残部がＡｇと不可避不純物から
なる組成を有することとしたので、箔本体とポリイミド
膜との密着強度を向上させることができ、ポリイミド膜
が箔本体から剥離する等の不具合が解消される。したが
って、実装上の不具合が解消され、この導体箔が用いら
れた製品の信頼性が向上する等の優れた効果を奏するこ
とができる。
【００４４】また、請求項３記載の保護膜付銀合金導体
箔によれば、表面が酸化され更にカップリング剤により
改質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成
されたポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｃａを１
０〜１０００ｐｐｍ含有し、さらにＢｅ，Ｉｎ及び希土
類元素から選択された少なくとも１種を１０〜７５０ｐ
ｐｍ含有し、残部がＡｇと不可避不純物からなる組成を
有することとしたので、箔本体とポリイミド膜との密着
強度を大幅に向上させることができ、ポリイミド膜が箔
本体から剥離する等の不具合が解消される。したがっ
て、実装上の不具合が解消され、この導体箔が用いられ
た製品の信頼性が大幅に向上する等の優れた効果を奏す
ることができる。
箔によれば、表面が酸化され更にカップリング剤により
改質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形成
されたポリイミド膜とを備え、前記銀合金は、Ｃａを１
０〜１０００ｐｐｍ含有し、さらにＢｅ，Ｉｎ及び希土
類元素から選択された少なくとも１種を１０〜７５０ｐ
ｐｍ含有し、残部がＡｇと不可避不純物からなる組成を
有することとしたので、箔本体とポリイミド膜との密着
強度を大幅に向上させることができ、ポリイミド膜が箔
本体から剥離する等の不具合が解消される。したがっ
て、実装上の不具合が解消され、この導体箔が用いられ
た製品の信頼性が大幅に向上する等の優れた効果を奏す
ることができる。
【００４５】また、請求項４記載の保護膜付銀合金導体
箔によれば、請求項１，２または３記載の保護膜付銀合
金導体箔において、前記カップリング剤は、シランカッ
プリング剤からなることとしたので、箔本体とポリイミ
ド膜との密着強度を更に大幅に向上させることができ、
ポリイミド膜が箔本体から剥離する等の不具合が解消さ
れる。したがって、実装上の不具合が解消され、この導
体箔が用いられた製品の信頼性が更に大幅に向上する等
の優れた効果を奏することができる。
箔によれば、請求項１，２または３記載の保護膜付銀合
金導体箔において、前記カップリング剤は、シランカッ
プリング剤からなることとしたので、箔本体とポリイミ
ド膜との密着強度を更に大幅に向上させることができ、
ポリイミド膜が箔本体から剥離する等の不具合が解消さ
れる。したがって、実装上の不具合が解消され、この導
体箔が用いられた製品の信頼性が更に大幅に向上する等
の優れた効果を奏することができる。
【００４６】また、請求項５記載の保護膜付銀合金導体
箔の製造方法によれば、銀合金製の箔本体を酸化性雰囲
気中において熱処理し、次いで、この箔本体の表面にカ
ップリング剤を塗布し、その後前記箔本体及びカップリ
ング剤を加熱して該箔本体の表面を改質し、この改質さ
れた箔本体の表面にポリイミド樹脂を塗布し、次いで、
前記箔本体及びポリイミド樹脂を加熱して該ポリイミド
樹脂を硬化させ、前記箔本体の表面にポリイミド膜を形
成することとしたので、箔本体とポリイミド膜との密着
強度が向上した導体箔を製造することができる。
箔の製造方法によれば、銀合金製の箔本体を酸化性雰囲
気中において熱処理し、次いで、この箔本体の表面にカ
ップリング剤を塗布し、その後前記箔本体及びカップリ
ング剤を加熱して該箔本体の表面を改質し、この改質さ
れた箔本体の表面にポリイミド樹脂を塗布し、次いで、
前記箔本体及びポリイミド樹脂を加熱して該ポリイミド
樹脂を硬化させ、前記箔本体の表面にポリイミド膜を形
成することとしたので、箔本体とポリイミド膜との密着
強度が向上した導体箔を製造することができる。
【００４７】また、請求項６記載の保護膜付銀合金導体
箔の製造方法によれば、請求項５記載の保護膜付銀合金
導体箔の製造方法において、前記カップリング剤は、シ
ランカップリング剤からなることとしたので、箔本体と
ポリイミド膜との密着強度が大幅に向上した導体箔を製
造することができる。
箔の製造方法によれば、請求項５記載の保護膜付銀合金
導体箔の製造方法において、前記カップリング剤は、シ
ランカップリング剤からなることとしたので、箔本体と
ポリイミド膜との密着強度が大幅に向上した導体箔を製
造することができる。
【００４８】以上により、箔本体とポリイミド膜との密
着強度を高めることができ、したがって、実装上の不具
合が解消され、この導体箔が用いられた製品の信頼性を
向上させることのできる保護膜付銀合金導体箔及びその
製造方法を提供することが可能になる。
着強度を高めることができ、したがって、実装上の不具
合が解消され、この導体箔が用いられた製品の信頼性を
向上させることのできる保護膜付銀合金導体箔及びその
製造方法を提供することが可能になる。
【図１】本発明に係る導体箔の部分拡大断面図である。
【図２】本発明に係る導体箔の箔本体表面の原子の結合
状態を示す模式図である。
状態を示す模式図である。
【図３】本発明に係る導体箔の使用例を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明に係る導体箔の他の使用例を示す斜視図
である。
である。
【図５】従来の導体箔を用いた半導体装置を示す断面図
である。
である。
２１ 導体箔 １１ 箔本体 １１ａ 表面 １２ シランカップリング剤 １３ ポリイミド樹脂 １４ ポリイミド膜 ２２ 箔本体 ２２ａ，２２ｂ 表面 ２３ ポリイミド膜 ２４ ポリイミド樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 1/02 Ｈ０１Ｂ 1/02 Ｚ 5/00 5/00 Ｈ０１Ｌ 23/48 Ｈ０１Ｌ 23/48 Ｇ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 22/00 - 22/86 B05D 7/14 B32B 15/08 C22C 5/06 H01B 1/02,5/00 H01L 23/48
Claims (6)
- 【請求項１】 表面が酸化され更にカップリング剤によ
り改質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形
成されたポリイミド膜とを備え、 前記銀合金は、Ｃａを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、残
部がＡｇと不可避不純物からなる組成を有することを特
徴とする保護膜付銀合金導体箔。 - 【請求項２】 表面が酸化され更にカップリング剤によ
り改質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形
成されたポリイミド膜とを備え、 前記銀合金は、Ｂｅ，Ｉｎ及び希土類元素から選択され
た少なくとも１種を１０〜７５０ｐｐｍ含有し、残部が
Ａｇと不可避不純物からなる組成を有することを特徴と
する保護膜付銀合金導体箔。 - 【請求項３】 表面が酸化され更にカップリング剤によ
り改質された銀合金製の箔本体と、該箔本体の表面に形
成されたポリイミド膜とを備え、 前記銀合金は、Ｃａを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、さ
らにＢｅ，Ｉｎ及び希土類元素から選択された少なくと
も１種を１０〜７５０ｐｐｍ含有し、残部がＡｇと不可
避不純物からなる組成を有することを特徴とする保護膜
付銀合金導体箔。 - 【請求項４】 前記カップリング剤は、シランカップリ
ング剤からなることを特徴とする請求項１，２または３
記載の保護膜付銀合金導体箔。 - 【請求項５】 銀合金製の箔本体を酸化性雰囲気中にお
いて熱処理し、 次いで、この箔本体の表面にカップリング剤を塗布し、
その後前記箔本体及びカップリング剤を加熱して該箔本
体の表面を改質し、 この改質された箔本体の表面にポリイミド樹脂を塗布
し、次いで、前記箔本体及びポリイミド樹脂を加熱して
該ポリイミド樹脂を硬化させ、前記箔本体の表面にポリ
イミド膜を形成することを特徴とする保護膜付銀合金導
体箔の製造方法。 - 【請求項６】 前記カップリング剤は、シランカップリ
ング剤からなることを特徴とする請求項５記載の保護膜
付銀合金導体箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280107A JP2841972B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 保護膜付銀合金導体箔及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280107A JP2841972B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 保護膜付銀合金導体箔及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05222544A JPH05222544A (ja) | 1993-08-31 |
| JP2841972B2 true JP2841972B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17620421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3280107A Expired - Fee Related JP2841972B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 保護膜付銀合金導体箔及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2841972B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4224867B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2009-02-18 | 日鉱金属株式会社 | 貴金属素材または貴金属めっき材用表面処理剤、該処理剤からなる皮膜を介して接着した樹脂との接着材料、表面処理方法および樹脂との接着方法 |
| JP4207112B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2009-01-14 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2013131595A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Hitachi Ltd | 金属部材と樹脂の接合方法およびその接合体 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP3280107A patent/JP2841972B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05222544A (ja) | 1993-08-31 |
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