JP2841557B2 - 高分子成形体の製造法 - Google Patents
高分子成形体の製造法Info
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- JP2841557B2 JP2841557B2 JP25865789A JP25865789A JP2841557B2 JP 2841557 B2 JP2841557 B2 JP 2841557B2 JP 25865789 A JP25865789 A JP 25865789A JP 25865789 A JP25865789 A JP 25865789A JP 2841557 B2 JP2841557 B2 JP 2841557B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高分子成形体の製造法に関する。詳しくは、
磁場を用いて高分子成形体を製造する方法に関する。
磁場を用いて高分子成形体を製造する方法に関する。
高分子は分子鎖の配向により種々の性能及び機能を発
揮する。配向のための技術としては、各種の延伸法が利
用されている。また近年、液晶となる高分子が液晶状態
での紡糸により高度に配向される事が知られ高性能の繊
維が製造されるようになった。一方、任意の形状を持つ
ものの配向法として磁場を利用する成形法が知られる様
になった。しかし、磁気的な性質に乏しい高分子を充分
に配向させることには困難な問題があった。
揮する。配向のための技術としては、各種の延伸法が利
用されている。また近年、液晶となる高分子が液晶状態
での紡糸により高度に配向される事が知られ高性能の繊
維が製造されるようになった。一方、任意の形状を持つ
ものの配向法として磁場を利用する成形法が知られる様
になった。しかし、磁気的な性質に乏しい高分子を充分
に配向させることには困難な問題があった。
力学的、あるいは熱的などの特性に優れた高分子成形
体を、磁場配向の方法により製造するため、磁場配向性
に優れかつ高い弾性率をもつ高分子の組成に付き研究の
結果本発明に至った。
体を、磁場配向の方法により製造するため、磁場配向性
に優れかつ高い弾性率をもつ高分子の組成に付き研究の
結果本発明に至った。
即ち本発明は、 芳香族熱液晶性高分子に液晶状態で磁場を印加して高
分子成形体を製造する方法において、該芳香族熱液晶性
高分子が、スペーサーとして、芳香族熱液晶性高分子を
形成する芳香環同志の間を結合する、主鎖が２〜４個の
原子からなりかつ該主鎖中に少くとも１個の炭素−炭素
結合を有する構造を１〜10モル％以下含有することを特
徴とする高分子成形体の製造法である。
分子成形体を製造する方法において、該芳香族熱液晶性
高分子が、スペーサーとして、芳香族熱液晶性高分子を
形成する芳香環同志の間を結合する、主鎖が２〜４個の
原子からなりかつ該主鎖中に少くとも１個の炭素−炭素
結合を有する構造を１〜10モル％以下含有することを特
徴とする高分子成形体の製造法である。
芳香族熱液晶性高分子としては加熱溶融時に液晶を形
成する多くの高分子が知られている。
成する多くの高分子が知られている。
例えば、ポリエチレンテレフタレートとアセトキシ安
息香酸から合成されるポリエステル（J.ofpolym.Sci.Po
lym.chem.Ed.vol 14,2043,（1976））、及び芳香族ジオ
ール、芳香族ジカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸の組
合せによるポリエステル（たとえばTHE ERITISH POLYME
R JOURNAL,DECEMBER 1980,P132−146）、あるいは芳香
族シアルデヒドとジアミンから合成される各種のポリア
ゾメチン（特開昭59−113033号公報）等が挙げられる。
息香酸から合成されるポリエステル（J.ofpolym.Sci.Po
lym.chem.Ed.vol 14,2043,（1976））、及び芳香族ジオ
ール、芳香族ジカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸の組
合せによるポリエステル（たとえばTHE ERITISH POLYME
R JOURNAL,DECEMBER 1980,P132−146）、あるいは芳香
族シアルデヒドとジアミンから合成される各種のポリア
ゾメチン（特開昭59−113033号公報）等が挙げられる。
本発明の特徴とするところは、かかる芳香族熱液晶高
分子に特定のフレキシブルなスペーサーを特定量導入す
ることにより得られた磁場配向性に優れた高分子を磁場
を用いて成形した高分子成形体を得る事にある。
分子に特定のフレキシブルなスペーサーを特定量導入す
ることにより得られた磁場配向性に優れた高分子を磁場
を用いて成形した高分子成形体を得る事にある。
フレキシブルなスペーサーとは熱液晶性高分子の主鎖
の剛直構造間を連結する軟質構造部を言い、本発明にお
けるスペーサーは、芳香族熱液晶性高分子を形成する芳
香環同志の間を結合する構造であり、主鎖が２〜４個の
原子からなりかつ該主鎖中に少くとも１個の炭素−炭素
結合を有する構造からなるものである。
の剛直構造間を連結する軟質構造部を言い、本発明にお
けるスペーサーは、芳香族熱液晶性高分子を形成する芳
香環同志の間を結合する構造であり、主鎖が２〜４個の
原子からなりかつ該主鎖中に少くとも１個の炭素−炭素
結合を有する構造からなるものである。
また、その量は、高分子合成にあずかるモノマーの官
能基の全モル数に対するスペーサーを構成するモノマー
の官能基モル数の百分率で示される。
能基の全モル数に対するスペーサーを構成するモノマー
の官能基モル数の百分率で示される。
本発明で使用される芳香族熱液晶性高分子の主構造は
熱液晶性を示すものであれば良いのであるが、特に好ま
しく使用される構造はポリアゾメチンあるいはポリエス
テルである。
熱液晶性を示すものであれば良いのであるが、特に好ま
しく使用される構造はポリアゾメチンあるいはポリエス
テルである。
ポリアゾメチンは芳香族ジアミンおよび芳香族ジアル
デヒドを、好ましくはN,N−ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチルピロリドン−２、ヘキサメチルフォスフォルア
ミド等の極性溶媒中で好ましくは塩化リチウムの存在
下、室温で数時間ないし数日間反応させて製造される。
デヒドを、好ましくはN,N−ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチルピロリドン−２、ヘキサメチルフォスフォルア
ミド等の極性溶媒中で好ましくは塩化リチウムの存在
下、室温で数時間ないし数日間反応させて製造される。
ポリアゾメチンを得るに好ましく用いられるジアルデ
ヒドは下記一般式（Ｉ） OHC−Ar−CHO …（Ｉ） （Ar: R1〜R36:水素、アルキル、アルコキシ、フェニル、フェ
ノキシまたはハロゲン基） で示される芳香族ジアルデヒドである。
ヒドは下記一般式（Ｉ） OHC−Ar−CHO …（Ｉ） （Ar: R1〜R36:水素、アルキル、アルコキシ、フェニル、フェ
ノキシまたはハロゲン基） で示される芳香族ジアルデヒドである。
一般式（Ｉ）で示される芳香族ジアルデヒドの具体例
としては、テレフタルアルデヒド、クロロテレフタルア
ルデヒド、メチルテレフタルアルデヒド、２−ヒドロキ
シテレフタルアルデヒド、2,6−ナフタレンジアルデヒ
ド、1,4−ナフタレンジアルデヒド、イソフタルアルデ
ヒド、ビス（４−ホルミルフェニル）−1,4−ベンゼ
ン、ビス（３−ホルミルフェニル）−1,4−ベンゼン、
４−ホルミルフェニル−３−ホルミルフェニル−1,4−
ベンゼン、1,5−ナフタリンジアルデヒド、4,4′−ジホ
ルミルジフェニル、4,3′−ホルミルジフェニル、２−
メトキシテレフタルアルデヒド、２−フェニルテレフタ
ルアルデヒド、が挙げられ、このうち好ましいものはテ
レフタルアルデヒド、2,6−ナフタリンジアルデヒド、
4,4′−ジホルミルジフェニル、２−メチルテレフタル
アルデヒドである。
としては、テレフタルアルデヒド、クロロテレフタルア
ルデヒド、メチルテレフタルアルデヒド、２−ヒドロキ
シテレフタルアルデヒド、2,6−ナフタレンジアルデヒ
ド、1,4−ナフタレンジアルデヒド、イソフタルアルデ
ヒド、ビス（４−ホルミルフェニル）−1,4−ベンゼ
ン、ビス（３−ホルミルフェニル）−1,4−ベンゼン、
４−ホルミルフェニル−３−ホルミルフェニル−1,4−
ベンゼン、1,5−ナフタリンジアルデヒド、4,4′−ジホ
ルミルジフェニル、4,3′−ホルミルジフェニル、２−
メトキシテレフタルアルデヒド、２−フェニルテレフタ
ルアルデヒド、が挙げられ、このうち好ましいものはテ
レフタルアルデヒド、2,6−ナフタリンジアルデヒド、
4,4′−ジホルミルジフェニル、２−メチルテレフタル
アルデヒドである。
芳香族ジアミンとしては下記一般式（II），（III） H2N−Ar−NH2 …（II） （Arは前記一般式（Ｉ）と同義である。） R:二価の脂肪族炭化水素基であって二重結合、ハロゲン
を含んでいてもよい。） で示されるジアミンが好ましく使用される。
を含んでいてもよい。） で示されるジアミンが好ましく使用される。
一般式（II）または（III）で示されるジアミンの具
体例としてはメタフェニレンジアミン、パラフェニレン
ジアミン、2,2−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、
4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルス
ルホン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、1,5−ジ
アミノナフタリン、3,3′−ジメチルベンジジン、2,6−
ジアミノナフタリン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルケトン、２−メトキシ−５−メチル−1,4
−フェニレンジアミン、が挙げられ、このうち好ましい
ものはメチルフェニレンジアミン、3,3′−ジメチルベ
ンジジン、2,6−ジアミノナフタリンである。
体例としてはメタフェニレンジアミン、パラフェニレン
ジアミン、2,2−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、
4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルス
ルホン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、1,5−ジ
アミノナフタリン、3,3′−ジメチルベンジジン、2,6−
ジアミノナフタリン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルケトン、２−メトキシ−５−メチル−1,4
−フェニレンジアミン、が挙げられ、このうち好ましい
ものはメチルフェニレンジアミン、3,3′−ジメチルベ
ンジジン、2,6−ジアミノナフタリンである。
また、芳香族熱液晶性高分子のもう一つの好ましい例
であるポリエステルは、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジ
オール及び必要により芳香族オキシカルボン酸から得ら
れるものである。好ましくは、アセトキシ化されたOH基
とカルボン酸基の反応を加熱溶融状態で行う方法で製造
することが出来る。
であるポリエステルは、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジ
オール及び必要により芳香族オキシカルボン酸から得ら
れるものである。好ましくは、アセトキシ化されたOH基
とカルボン酸基の反応を加熱溶融状態で行う方法で製造
することが出来る。
好ましい芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオールおよび
芳香族オキシカルボン酸は下記一般式（IV），（Ｖ），
（VI）で示される。
芳香族オキシカルボン酸は下記一般式（IV），（Ｖ），
（VI）で示される。
HOOC−Ar−COOH …（IV） HO−Ar−OH …（Ｖ） HO−Ar−COOH …（VI） R1〜R36:水素、アルキル、アルコキシ、フェニル、フェ
ノキシまたはハロゲン基） 一般式（IV）で示される芳香族ジカルボン酸の好まし
い具体例はテレフタル酸、イソフタル酸、ビス−４−カ
ルボキシルフェニル−1,4−ベンゼン、4,4′−カルボキ
シルジフェニル、ナフタリン−2,6−ジカルボン酸、ナ
フタリン−1,5−ジカルボン酸、ジフェニルケトン−4,
4′−ジカルボン酸、メチルテレフタル酸、クロロテレ
フタル酸、フェニルテレフタル酸、2,5−ジメチルテレ
フタル酸、ジフェニル−3,3′−ジメチル−4,4′−ジカ
ルボン酸である。
ノキシまたはハロゲン基） 一般式（IV）で示される芳香族ジカルボン酸の好まし
い具体例はテレフタル酸、イソフタル酸、ビス−４−カ
ルボキシルフェニル−1,4−ベンゼン、4,4′−カルボキ
シルジフェニル、ナフタリン−2,6−ジカルボン酸、ナ
フタリン−1,5−ジカルボン酸、ジフェニルケトン−4,
4′−ジカルボン酸、メチルテレフタル酸、クロロテレ
フタル酸、フェニルテレフタル酸、2,5−ジメチルテレ
フタル酸、ジフェニル−3,3′−ジメチル−4,4′−ジカ
ルボン酸である。
一般式（Ｖ）で示される芳香族ジオールの好ましい具
体例は、クロルハイドロキノン、メチルハイドロキノ
ン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシ
ナフタレン、4,4′−ジヒドロキシビフェニル、3,3′−
ジメチル−4,4′−ジヒドロキシジフェニル、アセトキ
シハイドロキノン、ニトロハイドロキノン、ジメチルア
ミノハイドロキノン、1,5−ジヒドロキシナフトール、
1,6−ジヒドロキシナフトール、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−1,4−ベンゼンである。
体例は、クロルハイドロキノン、メチルハイドロキノ
ン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシ
ナフタレン、4,4′−ジヒドロキシビフェニル、3,3′−
ジメチル−4,4′−ジヒドロキシジフェニル、アセトキ
シハイドロキノン、ニトロハイドロキノン、ジメチルア
ミノハイドロキノン、1,5−ジヒドロキシナフトール、
1,6−ジヒドロキシナフトール、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−1,4−ベンゼンである。
また、一般式（VI）で示される芳香族オキシカルボン
酸の好ましい具体例は、クロルハイドロキノン、メチル
ハイドロキノン、4,4′−ジヒドロキシビフェニル、2,3
−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタ
レンである。
酸の好ましい具体例は、クロルハイドロキノン、メチル
ハイドロキノン、4,4′−ジヒドロキシビフェニル、2,3
−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタ
レンである。
本発明の高分子の芳香環と芳香環を結ぶ軟質構造部で
あるスペーサーとしては、主鎖部が２〜４個の原子から
なり、かつ少くとも１個の炭素−炭素結合を含むものが
使用される。スペーサーの主鎖の長さが増すと耐熱性等
の性能が劣る様になる。また、高分子の主構造によって
は磁場配向性の低下にも結び付く。スペーサーの含有量
は、高分子合成にあずかるモノマーの官能基の全モル数
に対するスペーサーを構成するモノマーの官能基モル数
の百分率で示した場合、１〜10モル％である。
あるスペーサーとしては、主鎖部が２〜４個の原子から
なり、かつ少くとも１個の炭素−炭素結合を含むものが
使用される。スペーサーの主鎖の長さが増すと耐熱性等
の性能が劣る様になる。また、高分子の主構造によって
は磁場配向性の低下にも結び付く。スペーサーの含有量
は、高分子合成にあずかるモノマーの官能基の全モル数
に対するスペーサーを構成するモノマーの官能基モル数
の百分率で示した場合、１〜10モル％である。
スペーサーの含有量が10モル％を超えると、フレキシ
ブルな成分が多くなり過ぎ、弾性率等が低下するので好
ましくない。
ブルな成分が多くなり過ぎ、弾性率等が低下するので好
ましくない。
このスペーサーを芳香族熱液晶性高分子に導入するた
めに、前記出発原料と併せて共重合に用いられる好まし
い化合物は下記一般式（VII）で示される。
めに、前記出発原料と併せて共重合に用いられる好まし
い化合物は下記一般式（VII）で示される。
（X,Y:−COOH,−OH,−NH2,−CHO W1〜W15:水素、アルキル、ハロゲン基を示す。） 一般式（VII）で示される化合物の好ましい具体例
は、1,2−ビス（フェノキシ）エタン−4,4′−ジアミ
ン、1,2−ビス（フェノキシ）エタン−4,4′−ジカルボ
ン酸、1,2−ビス（フェノキシ）エタン−4,4′−ジオー
ル、1,2−ビス（フェノキシ）エタン−４−アミン−
４′−ジオール、1,3−ビス（フェノキシ）プロパン−
4,4′−ジアミン、1,2−ビス（２−クロロフェノキシ）
エタン−4,4′−ジカルボン酸、1,2−ビス（３−メチル
チオフェノキシ）エタン−4,4′−ジアミン、2,3−ビス
（フェノキシ）ブタン−4,4′−ジアルデヒド、2,3−ビ
ス（フェノキシ）プロパン−4,4′−ジアルデヒド、1,3
−ビス（フェノキシ）プロピリデン−4,4′−ジアルデ
ヒドである。
は、1,2−ビス（フェノキシ）エタン−4,4′−ジアミ
ン、1,2−ビス（フェノキシ）エタン−4,4′−ジカルボ
ン酸、1,2−ビス（フェノキシ）エタン−4,4′−ジオー
ル、1,2−ビス（フェノキシ）エタン−４−アミン−
４′−ジオール、1,3−ビス（フェノキシ）プロパン−
4,4′−ジアミン、1,2−ビス（２−クロロフェノキシ）
エタン−4,4′−ジカルボン酸、1,2−ビス（３−メチル
チオフェノキシ）エタン−4,4′−ジアミン、2,3−ビス
（フェノキシ）ブタン−4,4′−ジアルデヒド、2,3−ビ
ス（フェノキシ）プロパン−4,4′−ジアルデヒド、1,3
−ビス（フェノキシ）プロピリデン−4,4′−ジアルデ
ヒドである。
この芳香族熱液晶性高分子の好ましい重合度は、磁場
配向性と成形体の性能の面から決定される。動的粘性率
でこれを示すと、磁場を印加する温度での値が10〜1000
00ポイズ好ましくは100〜10000ポイズを示す程度のポリ
アゾメチンが好ましく使用される。
配向性と成形体の性能の面から決定される。動的粘性率
でこれを示すと、磁場を印加する温度での値が10〜1000
00ポイズ好ましくは100〜10000ポイズを示す程度のポリ
アゾメチンが好ましく使用される。
上述の芳香族熱液晶性高分子は、単独あるいは他の高
分子、有機、無機の材料例えば、染料、顔料、フィラー
および繊維状添加剤との組合せで使用されることも出来
る。
分子、有機、無機の材料例えば、染料、顔料、フィラー
および繊維状添加剤との組合せで使用されることも出来
る。
本発明は、上述の芳香族熱液晶性高分子を溶融し、例
えば押出あるいは射出成形にて成形体を製造する際、あ
るいは成形後再加熱して液晶を形成している状態で磁場
を印加する。
えば押出あるいは射出成形にて成形体を製造する際、あ
るいは成形後再加熱して液晶を形成している状態で磁場
を印加する。
磁場の印加は流動あるいは変形を伴わない状態で実施
される事が好ましい。印加される磁場は電磁石等で作る
ことが出来る。高度の配向を得るためには10000ガウス
以上の磁場が好ましい。この場合には、超伝導磁石の利
用が好適である。また、印加する時間は５〜90分程度で
ある。
される事が好ましい。印加される磁場は電磁石等で作る
ことが出来る。高度の配向を得るためには10000ガウス
以上の磁場が好ましい。この場合には、超伝導磁石の利
用が好適である。また、印加する時間は５〜90分程度で
ある。
本発明で製造する成形体としては例えば繊維、フィル
ム、板および射出成形品等が代表的に挙げられる。
ム、板および射出成形品等が代表的に挙げられる。
以下、本発明を実施例により更に詳しく説明するが、
本発明はその要旨を逸脱しない限りこれら実施例により
限定されるものではない。
本発明はその要旨を逸脱しない限りこれら実施例により
限定されるものではない。
実施例１ メチルフェニレンジアミン（２塩酸塩）（MPDA）0.01
モルとテレフタルアルデヒド（TPAH）0.01モルをそれぞ
れ40ccのＮ−メチルピロリドン（NMP）に溶解し、フラ
スコ中で室温下混合撹拌し数分後に塩化リチウム20gと
ピリジン20ccを添加し撹拌を８時間継続した。得られた
ポリマーは水を用いて析出・洗浄を行い、乾燥すること
でポリマーＡ（スペーサー不含）を合成した。
モルとテレフタルアルデヒド（TPAH）0.01モルをそれぞ
れ40ccのＮ−メチルピロリドン（NMP）に溶解し、フラ
スコ中で室温下混合撹拌し数分後に塩化リチウム20gと
ピリジン20ccを添加し撹拌を８時間継続した。得られた
ポリマーは水を用いて析出・洗浄を行い、乾燥すること
でポリマーＡ（スペーサー不含）を合成した。
一方、MPDA0.09モル、TPAH0.1モルにスペーサー成分
として下記構造のジアミン0.01モルを用いて、上記の方
法と同様にしてポリマーＢ（スペーサーは５モル％）を
合成した。
として下記構造のジアミン0.01モルを用いて、上記の方
法と同様にしてポリマーＢ（スペーサーは５モル％）を
合成した。
これ等のポリマーに10万ガウスの磁場を20分印加して
製造した棒状の成形体（直径2mm、長さ50mm）の配向と
動的曲げ弾性率を測定した。前者はＸ線回折装置（理学
電機（株）製ロータフレックス）を、後者はバイブロン
（東洋ボールドウィン社製III型）を用い室温下スパン3
0で行った。その結果は表−１に示す通りであった。
製造した棒状の成形体（直径2mm、長さ50mm）の配向と
動的曲げ弾性率を測定した。前者はＸ線回折装置（理学
電機（株）製ロータフレックス）を、後者はバイブロン
（東洋ボールドウィン社製III型）を用い室温下スパン3
0で行った。その結果は表−１に示す通りであった。
実施例２ 2,6−ナフタレンジカルボン酸（NDA）0.3モル、ジア
セトキシクロルハイドロキノン（Cl−HQ）0.3モル、ア
セトキシ安息香酸（ABA）0.7モルをガラス製フラスコに
入れ、窒素ガス下、撹拌しながら300℃に加熱し30分保
持した後３時間で0.5mmHgまで徐々に減圧する方法によ
りバルク重合を行い、熱液晶ポリエステルを合成した。
（ポリマーI:スペーサー不含） 一方DNA0.3モル、Cl−HQ0.27モル、ABA0.7モルの他に
スペーサー成分（F2）として下記の化合物を0.03モル加
え上記の方法に従ってポリマーII（スペーサー２モル
％）を合成した。
セトキシクロルハイドロキノン（Cl−HQ）0.3モル、ア
セトキシ安息香酸（ABA）0.7モルをガラス製フラスコに
入れ、窒素ガス下、撹拌しながら300℃に加熱し30分保
持した後３時間で0.5mmHgまで徐々に減圧する方法によ
りバルク重合を行い、熱液晶ポリエステルを合成した。
（ポリマーI:スペーサー不含） 一方DNA0.3モル、Cl−HQ0.27モル、ABA0.7モルの他に
スペーサー成分（F2）として下記の化合物を0.03モル加
え上記の方法に従ってポリマーII（スペーサー２モル
％）を合成した。
さらに、NDA0.3モル、Cl−HQ0.14モル、F2 0.16モ
ル、ABA0.7モルを用いてポリマーIII（スペーサー12モ
ル％）を合成した。
ル、ABA0.7モルを用いてポリマーIII（スペーサー12モ
ル％）を合成した。
実施例１と同様に10万ガウスの磁場を20分印加して製
造した成形体の比較を表−２に示す。
造した成形体の比較を表−２に示す。
〔発明の効果〕 本発明方法によれば、高配向した高分子成形体を得る
ことができる。
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｇ 69/44 Ｃ０８Ｇ 69/44 (56)参考文献 特開 昭63−75037（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−139715（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−91818（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−192819（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08J 5/00 C08G 63/60,63/685
Claims (1)
- 【請求項１】芳香族熱液晶性高分子に液晶状態で磁場を
印加して高分子成形体を製造する方法において、該芳香
族熱液晶性高分子が、スペーサーとして、芳香族熱液晶
性高分子を形成する芳香環同志の間を結合する、主鎖が
２〜４個の原子からなりかつ該主鎖中に少なくとも１個
の炭素−炭素結合を有する構造を１〜10モル％含有する
ことを特徴とする高分子成形体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25865789A JP2841557B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 高分子成形体の製造法 |
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| JP25865789A JP2841557B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 高分子成形体の製造法 |
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| JPH03122128A JPH03122128A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2841557B2 true JP2841557B2 (ja) | 1998-12-24 |
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1989
- 1989-10-05 JP JP25865789A patent/JP2841557B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH03122128A (ja) | 1991-05-24 |
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