JP2831407B2 - 希土類元素添加導波路の製造方法 - Google Patents
希土類元素添加導波路の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は希土類元素を添加したガラス導波路の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
［従来の技術］ 希土類元素を添加した光ファイバにより、光ファイバ
レーザー，光ファイバアンプ，光ファイバセンサなどの
アクティブ光デバイスを開発する研究が活発になってき
た。このアクティブ光デバイスは、石英系光ファイバが
持つ低損失性，広帯域性，細径，無誘導性を保持したま
ま希土類元素の添加による発振特性，増幅特性，螢光及
び吸収特性を利用しようとするものである。
レーザー，光ファイバアンプ，光ファイバセンサなどの
アクティブ光デバイスを開発する研究が活発になってき
た。このアクティブ光デバイスは、石英系光ファイバが
持つ低損失性，広帯域性，細径，無誘導性を保持したま
ま希土類元素の添加による発振特性，増幅特性，螢光及
び吸収特性を利用しようとするものである。
従来、希土類元素を添加した光ファイバはMCVD法,VAD
法などの光通信用光ファイバの製造技術と同じ方法で作
られている。すなわち、MCVD法では、NdCl3あるいはErC
l3の塩化物を熱分解させ、GeCl4,SiCl4と共に堆積され
る（第２図）。またVAD法ではコア用多孔質母材をNdCl3
等の雰囲気中で透明ガラス化することによって作製され
ている（第３図）。
法などの光通信用光ファイバの製造技術と同じ方法で作
られている。すなわち、MCVD法では、NdCl3あるいはErC
l3の塩化物を熱分解させ、GeCl4,SiCl4と共に堆積され
る（第２図）。またVAD法ではコア用多孔質母材をNdCl3
等の雰囲気中で透明ガラス化することによって作製され
ている（第３図）。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の希土類元素を添加した光ファイバによるアクテ
ィブ光デバイスは、（１）コア径が10μｍ〜50μｍ程度
と細径であるため励起パワー密度が大きくなり、励起効
率の高いレーザーが実現可能なこと、（２）相互作用長
が長くとれること、（３）低損失な伝送路であること、
などの特徴がある。
ィブ光デバイスは、（１）コア径が10μｍ〜50μｍ程度
と細径であるため励起パワー密度が大きくなり、励起効
率の高いレーザーが実現可能なこと、（２）相互作用長
が長くとれること、（３）低損失な伝送路であること、
などの特徴がある。
しかし、励起用光源も含めて実装した場合、小形化が
むずかしい。また、光フィルタ，光スイッチ，光変調
器、光合分波器などの光回路と一体化した多機能光デバ
イスを実現しようとする場合、小形化もむずかしいばか
りでなく、高信頼性、結合の無調整化、大量生産性など
の課題も克服することがむずかしい。
むずかしい。また、光フィルタ，光スイッチ，光変調
器、光合分波器などの光回路と一体化した多機能光デバ
イスを実現しようとする場合、小形化もむずかしいばか
りでなく、高信頼性、結合の無調整化、大量生産性など
の課題も克服することがむずかしい。
本発明の目的は、前記した従来技術の問題点を解消
し、小形，低損失，多機能性を実現させるために、プレ
ーナ構造のガラス導波路の光伝搬部分であるコア導波路
により多くの希土類元素を制御良く添加させることが可
能な希土類添加導波路の製造方法を提供することにあ
る。
し、小形，低損失，多機能性を実現させるために、プレ
ーナ構造のガラス導波路の光伝搬部分であるコア導波路
により多くの希土類元素を制御良く添加させることが可
能な希土類添加導波路の製造方法を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、SiO2あるいはSiO2に屈折率制御用添加物を
含んだ屈折率n1のバッファ層を形成した基板上に、SiO2
あるいはSiO2に屈折率制御用添加物を含んだ多孔質状の
ガラス膜を形成させ、多孔質状のガラス膜中に屈折率制
御用添加物と希土類元素とを含んだ金属アルコレート溶
液を含浸させて、多孔質状のガラス膜中に屈折率制御用
添加物と希土類元素とを含有させ、乾燥、高温熱処理し
て屈折率n2（n2＞n1）の透明ガラス膜とすることにより
コア層の屈折率と希土類元素の添加量とを制御するもの
である。
含んだ屈折率n1のバッファ層を形成した基板上に、SiO2
あるいはSiO2に屈折率制御用添加物を含んだ多孔質状の
ガラス膜を形成させ、多孔質状のガラス膜中に屈折率制
御用添加物と希土類元素とを含んだ金属アルコレート溶
液を含浸させて、多孔質状のガラス膜中に屈折率制御用
添加物と希土類元素とを含有させ、乾燥、高温熱処理し
て屈折率n2（n2＞n1）の透明ガラス膜とすることにより
コア層の屈折率と希土類元素の添加量とを制御するもの
である。
この場合、上記の方法で製造した透明ガラス膜を、ホ
トリソグラフィ，ドライエッチングプロセスを用いて略
矩形状に加工し、該加工した表面全体を屈折率がn3（n3
＜n2）のガラス層で被覆することが好ましい。
トリソグラフィ，ドライエッチングプロセスを用いて略
矩形状に加工し、該加工した表面全体を屈折率がn3（n3
＜n2）のガラス層で被覆することが好ましい。
ガラス膜中に屈折率制御用添加物と希土類元素を含ん
だ金属アルコレート溶液を含浸させる方法としては、該
溶液中に浸漬させることによって含浸させる方法があ
る。
だ金属アルコレート溶液を含浸させる方法としては、該
溶液中に浸漬させることによって含浸させる方法があ
る。
基板の材質にSiO2あるいはSiO2に屈折率制御用添加物
を含んだ屈折率n1のものを用い、バッファ層を該基板で
代用することもできる。
を含んだ屈折率n1のものを用い、バッファ層を該基板で
代用することもできる。
［作用］ ガラス導波路の光伝搬部分であるコア部分に希土類元
素を添加してレーザー、増幅器、あるいは増幅機能付き
の各種光回路を実現する際に、励起光の出力、導波路長
が定められている場合には、希土類元素の添加量を制御
する必要がある。しかながら、ガラス導波路中へ希土類
元素を制御性良く制御させる製造方法はまだ報告されて
いない。
素を添加してレーザー、増幅器、あるいは増幅機能付き
の各種光回路を実現する際に、励起光の出力、導波路長
が定められている場合には、希土類元素の添加量を制御
する必要がある。しかながら、ガラス導波路中へ希土類
元素を制御性良く制御させる製造方法はまだ報告されて
いない。
本発明では、まず、SiO2あるいはSiO2に屈折率制御用
添加物を含んだバッファ層（屈折率n1）の形成された基
板上に、SiO2あるいはSiO2に屈折率制御用添加物を含ん
だ多孔質状のガラス膜を形成させる。次に上記多孔質状
のガラス膜中に屈折率制御用添加物と希土類元素を含ん
だ金属アルコレート溶液を含浸し、乾燥、高温熱処理
し、必要に応じて、その後、ホトリソグラフィ，ドライ
エッチングプロセスにより屈折率がn2（n2＞n1）のコア
層、例えば略矩形状のコア層を形成させる。好ましく
は、その後、屈折率n3（n3＜n2）のクラッド層を上記パ
ターン化したコア層表面全体に被覆する。
添加物を含んだバッファ層（屈折率n1）の形成された基
板上に、SiO2あるいはSiO2に屈折率制御用添加物を含ん
だ多孔質状のガラス膜を形成させる。次に上記多孔質状
のガラス膜中に屈折率制御用添加物と希土類元素を含ん
だ金属アルコレート溶液を含浸し、乾燥、高温熱処理
し、必要に応じて、その後、ホトリソグラフィ，ドライ
エッチングプロセスにより屈折率がn2（n2＞n1）のコア
層、例えば略矩形状のコア層を形成させる。好ましく
は、その後、屈折率n3（n3＜n2）のクラッド層を上記パ
ターン化したコア層表面全体に被覆する。
この製造方法は、コア層の屈折率n2をバッファ層、ク
ラッド層との間でシングルモード伝搬できるように制御
性良く作ることができ、かつコア層となる多孔質状のガ
ラス膜中に効率的、かつ制御性良く、より多くの希土類
元素を含有させることができるという特徴がある。これ
は、屈折率制御用添加物と希土類元素を含んだ金属アル
コレート溶液を用いることによって初めて実現されるも
のである。
ラッド層との間でシングルモード伝搬できるように制御
性良く作ることができ、かつコア層となる多孔質状のガ
ラス膜中に効率的、かつ制御性良く、より多くの希土類
元素を含有させることができるという特徴がある。これ
は、屈折率制御用添加物と希土類元素を含んだ金属アル
コレート溶液を用いることによって初めて実現されるも
のである。
［実施例］ 第１図に本発明の希土類元素添加導波路の製造方法の
実施例を示す。
実施例を示す。
まず（ａ）に示すように、基板１（例えば、SiO2系ガ
ラス基板,Si基板,LiNbO3基板,GaAs基板など）上に、屈
折率がn1のバッファ層２を形成させておく。このバッフ
ァ層２は、この上に形成するコア層内を光が低損失で伝
搬するようにする上で必要である。またシングルモード
伝送用導波路を構成する上でも必要である。このバッフ
ァ層２の材料は、SiO2,あるいはSiO2に屈折率制御用添
加物（B,F,Ti,Ge,P,Al,Zn,Na,Taなど）を少なくとも１
種含んだものを用いるが、基板１にSiO2系ガラス基板を
用いた場合には、この基板１でバッファ層２を代用して
もよい。
ラス基板,Si基板,LiNbO3基板,GaAs基板など）上に、屈
折率がn1のバッファ層２を形成させておく。このバッフ
ァ層２は、この上に形成するコア層内を光が低損失で伝
搬するようにする上で必要である。またシングルモード
伝送用導波路を構成する上でも必要である。このバッフ
ァ層２の材料は、SiO2,あるいはSiO2に屈折率制御用添
加物（B,F,Ti,Ge,P,Al,Zn,Na,Taなど）を少なくとも１
種含んだものを用いるが、基板１にSiO2系ガラス基板を
用いた場合には、この基板１でバッファ層２を代用して
もよい。
このバッファ層２の上に、SiO2あるいはSiO2に上記屈
折率制御用添加物を少なくとも１種含んだ多孔質状のガ
ラス膜３を形成させる。この多孔質状のガラス膜３は、
よく知られた方法、たとえば、ゾル−ゲル法，低温CVD
法，スパッタリング法，電子ビーム蒸着法，あるいは酸
水素バーナ火炎中にSiO2系のガラス原料ガスを搬送させ
ていき火炎加水分解によって多孔質状のガラス膜を形成
する方法，などにより形成する。この多孔質状のガラス
膜３は液体が浸透する程度の多孔質状の膜であり、膜の
かさ密度は0.2〜0.6g/cm3程度のものであれば十分であ
る。かさ密度があまり高いと液体の浸透が悪くなるので
好ましくない。逆に低いと形状変形を起こすので好まし
くない。
折率制御用添加物を少なくとも１種含んだ多孔質状のガ
ラス膜３を形成させる。この多孔質状のガラス膜３は、
よく知られた方法、たとえば、ゾル−ゲル法，低温CVD
法，スパッタリング法，電子ビーム蒸着法，あるいは酸
水素バーナ火炎中にSiO2系のガラス原料ガスを搬送させ
ていき火炎加水分解によって多孔質状のガラス膜を形成
する方法，などにより形成する。この多孔質状のガラス
膜３は液体が浸透する程度の多孔質状の膜であり、膜の
かさ密度は0.2〜0.6g/cm3程度のものであれば十分であ
る。かさ密度があまり高いと液体の浸透が悪くなるので
好ましくない。逆に低いと形状変形を起こすので好まし
くない。
次に、（ｂ）に示すように、（ａ）のプロセスで作成
された試料を、前記屈折率制御用添加物と希土類元素
（Er,Nd,Yb,Ho,Tmなどを少なくとも１種含んだもの。）
を含んだ金属アルコレート溶液５を入れてある容器４内
に浸漬する。ここで、上記溶液５には、たとえば、東京
応化工業製の製品（たとえば、Ｐ−Si−フィルム,B−Si
−フィルム,Zn−Si−フィルムなど）に、ErCl3,NdCl3な
どの希土類元素化合物を溶解した溶液を用いる。多孔質
状のガラス膜３中への希土類元素溶液の混入量は、たと
えば、Ｐ−Siフィルム液とErCl3の量を調節することに
よって制御することができる。また上記Ｐ−Si−フィル
ムおよびErCl3ともにアルコール可溶なので、アルコー
ルの混入量によっても制御することができる。屈折率は
ＰとSiの濃度比によって制御することができる。また
（ａ）のプロセスで多孔質状のガラス膜３を形成する段
階でも制御することができる。すなわち、２段階にわた
って制御することができる。
された試料を、前記屈折率制御用添加物と希土類元素
（Er,Nd,Yb,Ho,Tmなどを少なくとも１種含んだもの。）
を含んだ金属アルコレート溶液５を入れてある容器４内
に浸漬する。ここで、上記溶液５には、たとえば、東京
応化工業製の製品（たとえば、Ｐ−Si−フィルム,B−Si
−フィルム,Zn−Si−フィルムなど）に、ErCl3,NdCl3な
どの希土類元素化合物を溶解した溶液を用いる。多孔質
状のガラス膜３中への希土類元素溶液の混入量は、たと
えば、Ｐ−Siフィルム液とErCl3の量を調節することに
よって制御することができる。また上記Ｐ−Si−フィル
ムおよびErCl3ともにアルコール可溶なので、アルコー
ルの混入量によっても制御することができる。屈折率は
ＰとSiの濃度比によって制御することができる。また
（ａ）のプロセスで多孔質状のガラス膜３を形成する段
階でも制御することができる。すなわち、２段階にわた
って制御することができる。
次に、屈折率制御用添加物と希土類元素とを含んだ金
属アルコレート溶液の浸透した試料を乾燥させた後、
（ｃ）に示すように、電気炉６内で加熱する。この加熱
プロセスは、矢印７−１から電気炉内にHeおよびO2ガス
を導入し、矢印７−２方向から排気するようにして行
う。必要に応じ、上記ガスに塩素ガスCl2を重畳させて
もよい。すなわち、脱OH化と多孔質状のガラス膜の透明
ガラス化を行う。
属アルコレート溶液の浸透した試料を乾燥させた後、
（ｃ）に示すように、電気炉６内で加熱する。この加熱
プロセスは、矢印７−１から電気炉内にHeおよびO2ガス
を導入し、矢印７−２方向から排気するようにして行
う。必要に応じ、上記ガスに塩素ガスCl2を重畳させて
もよい。すなわち、脱OH化と多孔質状のガラス膜の透明
ガラス化を行う。
次に、この透明ガラス化したコアガラス膜をホトリソ
グラフィ及びドライエッチングプロセスによりパターン
化し、略矩形状のコア層８を得る（（ｄ））。このコア
層８の屈折率n2はバッファ層２の屈折率n1に対して0.2
〜0.7％程度高い値に設定され、シングルモード伝送用
として作用する。したがって、コア層８の厚み及び高さ
も数μｍから10数μｍの値に設定される。そしてコア層
８内の希土類元素イオンの濃度は数百ppmから数％の範
囲に制御することが可能である。なお、希土類元素イオ
ン濃度が高濃度になると、これによってコア層８の屈折
率も高くなる。このコア層８の屈折率を低くするため
に、ＦあるいはＢさらには両方共に添加する。
グラフィ及びドライエッチングプロセスによりパターン
化し、略矩形状のコア層８を得る（（ｄ））。このコア
層８の屈折率n2はバッファ層２の屈折率n1に対して0.2
〜0.7％程度高い値に設定され、シングルモード伝送用
として作用する。したがって、コア層８の厚み及び高さ
も数μｍから10数μｍの値に設定される。そしてコア層
８内の希土類元素イオンの濃度は数百ppmから数％の範
囲に制御することが可能である。なお、希土類元素イオ
ン濃度が高濃度になると、これによってコア層８の屈折
率も高くなる。このコア層８の屈折率を低くするため
に、ＦあるいはＢさらには両方共に添加する。
次に、（ｅ）に示すように、クラッド層９を被覆する
ことによって導波路の作成が完了する。このクラッド層
９の屈折率n3はバッファ層２のそれと等しいか、あるい
はその近傍の値に選ばれる。なお、基板1,バッファ層
２、コア層８及びクラッド層９の熱膨張係数の値はでき
る限り近い値となるように制御する必要があるが、本発
明の場合、屈折率制御用添加物の種類，量，複数種の組
み合わせ等によって制御することができる。
ことによって導波路の作成が完了する。このクラッド層
９の屈折率n3はバッファ層２のそれと等しいか、あるい
はその近傍の値に選ばれる。なお、基板1,バッファ層
２、コア層８及びクラッド層９の熱膨張係数の値はでき
る限り近い値となるように制御する必要があるが、本発
明の場合、屈折率制御用添加物の種類，量，複数種の組
み合わせ等によって制御することができる。
本発明は上記実施例に限定されない。まず第１図
（ｂ）のプロセスにおいて、多孔質状のガラス膜３中へ
の溶液５を浸透させる方法としては、浸漬法以外に、添
付法，スプレーによる吹付け法などの方法を用いてもよ
い。導波路の構造としては３次元構造のチャンネル型以
外に、２次元構造のスラブ型であってもよい。また上記
実施例で示した埋込み型以外に、リッジ型，装荷型など
の導波路構造を用いてもよい。溶液５として、Siの金属
アルコレート溶液には、Si（OCH3）4,Si（OC2H5）４な
どを用いてもよい。また屈折率制御用添加物の溶液とし
て、Ti（OC2H5）4,B（OC2H5）３などを用いてもよい。
（ｂ）のプロセスにおいて、多孔質状のガラス膜３中へ
の溶液５を浸透させる方法としては、浸漬法以外に、添
付法，スプレーによる吹付け法などの方法を用いてもよ
い。導波路の構造としては３次元構造のチャンネル型以
外に、２次元構造のスラブ型であってもよい。また上記
実施例で示した埋込み型以外に、リッジ型，装荷型など
の導波路構造を用いてもよい。溶液５として、Siの金属
アルコレート溶液には、Si（OCH3）4,Si（OC2H5）４な
どを用いてもよい。また屈折率制御用添加物の溶液とし
て、Ti（OC2H5）4,B（OC2H5）３などを用いてもよい。
［発明の効果］ 本発明によれば、ガラス導波路の屈折率の制御性とよ
り多くの希土類元素の添加量の制御性を共に満足させる
ことができる導波路の製造方法を提供することができ
る。これにより、シングルモード伝搬条件の導波路の実
現と、レーザー，増幅機あるいは増幅機付きの各種光回
路用導波路の実現とを併せて達成することができる。そ
の結果、多機能光デバイスを小形，高信頼，高性能およ
び低コストに実現可能となる。
り多くの希土類元素の添加量の制御性を共に満足させる
ことができる導波路の製造方法を提供することができ
る。これにより、シングルモード伝搬条件の導波路の実
現と、レーザー，増幅機あるいは増幅機付きの各種光回
路用導波路の実現とを併せて達成することができる。そ
の結果、多機能光デバイスを小形，高信頼，高性能およ
び低コストに実現可能となる。
第１図は本発明の希土類元素添加導波路の製造方法に関
する実施例を示した図、第２図は従来のMCVD法による希
土類元素添加光ファイバの製造方法の概略図、第３図は
VAD法を利用した従来の希土類元素添加光ファイバの製
造方法の概略図である。 図中、１は基板、２はバッファ層、３は多孔質状のガラ
ス膜、４は容器、５は屈折率制御用添加物と希土類元素
を含んだ金属アルコレート溶液、６は電気炉、８はコア
層、９はクラッド層を示す。
する実施例を示した図、第２図は従来のMCVD法による希
土類元素添加光ファイバの製造方法の概略図、第３図は
VAD法を利用した従来の希土類元素添加光ファイバの製
造方法の概略図である。 図中、１は基板、２はバッファ層、３は多孔質状のガラ
ス膜、４は容器、５は屈折率制御用添加物と希土類元素
を含んだ金属アルコレート溶液、６は電気炉、８はコア
層、９はクラッド層を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井本 克之 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日 立電線株式会社電線研究所内 (56)参考文献 特開 平１−219804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−24206（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−146946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−139709（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02B 6/12
Claims (4)
- 【請求項１】SiO2あるいはSiO2に屈折率制御用添加物を
含んだ屈折率n1のバッファ層を形成した基板上に、SiO2
あるいはSiO2に屈折率制御用添加物を含んだ多孔質状の
ガラス膜を形成させ、該多孔質状のガラス膜中に屈折率
制御用添加物と希土類元素とを含んだ金属アルコレート
溶液を含浸させて、該多孔質状のガラス膜中に屈折率制
御用添加物と希土類元素とを含有させ、乾燥、高温熱処
理して屈折率n2（n2＞n1）の透明ガラス膜とすることに
よりコア層の屈折率と希土類元素の添加量とを制御する
ようにしたことを特徴とする希土類元素添加導波路の製
造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の方法で製造した透明ガラス
膜を、ホトリソグラフィ、ドライエッチングプロセスを
用いて略矩形状に加工し、該加工した表面全体を屈折率
がn3（n3＜n2）のガラス層で被覆したことを特徴とする
希土類元素添加導波路の製造方法。 - 【請求項３】上記ガラス膜中に屈折率制御用添加物と希
土類元素を含んだ金属アルコレート溶液を含浸させる方
法として、該溶液中に浸漬させることによって含浸させ
ることを特徴とする請求項１記載の希土類元素添加導波
路の製造方法。 - 【請求項４】上記基板の材質にSiO2あるいはSiO2に屈折
率制御用添加物を含んだ屈折率n1のものを用い、上記バ
ッファ層を該基板で代用したことを特徴とする請求項１
記載の希土類元素添加導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1329602A JP2831407B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP1329602A JP2831407B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03192206A JPH03192206A (ja) | 1991-08-22 |
| JP2831407B2 true JP2831407B2 (ja) | 1998-12-02 |
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ID=18223186
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1329602A Expired - Fee Related JP2831407B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2831407B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027736A1 (fr) * | 2001-09-19 | 2003-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Guide d'onde optique et procede de fabrication associe |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5313198B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-10-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型偏光子 |
| KR101697338B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2017-01-18 | 한국컴포짓 주식회사 | 단차형 선형을 갖는 동력추진 서핑보드 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2718476B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1998-02-25 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路用ガラス薄膜の作製方法 |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP1329602A patent/JP2831407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027736A1 (fr) * | 2001-09-19 | 2003-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Guide d'onde optique et procede de fabrication associe |
| US6996324B2 (en) | 2001-09-19 | 2006-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03192206A (ja) | 1991-08-22 |
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