JP2859763B2 - 単一モード伝送用機能性ガラス導波路 - Google Patents
単一モード伝送用機能性ガラス導波路Info
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- JP2859763B2 JP2859763B2 JP22036891A JP22036891A JP2859763B2 JP 2859763 B2 JP2859763 B2 JP 2859763B2 JP 22036891 A JP22036891 A JP 22036891A JP 22036891 A JP22036891 A JP 22036891A JP 2859763 B2 JP2859763 B2 JP 2859763B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブデバイスの
構築に好適な単一モード伝送用機能性ガラス導波路に関
するものである。
構築に好適な単一モード伝送用機能性ガラス導波路に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】光ファイバのコアに希土類元素を添加し
た光ファイバ増幅器や光ファイバレーザーが実現した。
これに伴ない、より小型で多機能性を期待できる導波路
型の増幅器やレーザーの研究が注目されるようになって
きた。
た光ファイバ増幅器や光ファイバレーザーが実現した。
これに伴ない、より小型で多機能性を期待できる導波路
型の増幅器やレーザーの研究が注目されるようになって
きた。
【0003】その一例として、図5に導波路型ガラスレ
ーザーの従来例を示す。これは、基板としてリン酸塩系
レーザーガラス(たとえば、HOYA製,型式LHG
5,Nd添加量:3wt%)を用い、そのガラス基板内
に断面が半円状のチャネル導波路を形成し、この導波路
の入射端に波長 800nmを 85%透過し 1.054μmを99.
9%以上反射する膜を、また、出射端には 1.054μmの
光を 0.3%透過する膜を蒸着した構成である。半円状の
チャネル導波路は、ガラス基板上にTiでマスクパター
ンを設け、その上に拡散源であるAg金属膜を蒸着し、
さらにその上と基板の裏面とに電極としてAu膜を設け
る。そして、これら両Au膜に約 400℃下で電圧を数時
間印加して、AgイオンをTi膜のスリットを通してガ
ラス内に拡散させることで得られている。
ーザーの従来例を示す。これは、基板としてリン酸塩系
レーザーガラス(たとえば、HOYA製,型式LHG
5,Nd添加量:3wt%)を用い、そのガラス基板内
に断面が半円状のチャネル導波路を形成し、この導波路
の入射端に波長 800nmを 85%透過し 1.054μmを99.
9%以上反射する膜を、また、出射端には 1.054μmの
光を 0.3%透過する膜を蒸着した構成である。半円状の
チャネル導波路は、ガラス基板上にTiでマスクパター
ンを設け、その上に拡散源であるAg金属膜を蒸着し、
さらにその上と基板の裏面とに電極としてAu膜を設け
る。そして、これら両Au膜に約 400℃下で電圧を数時
間印加して、AgイオンをTi膜のスリットを通してガ
ラス内に拡散させることで得られている。
【0004】このガラスレーザーにおいては、導波路の
入射端より波長 800nmの励起用半導体レーザー光を入
射させることにより、出射端より波長1.054μmで発振
したレーザ光が出力される。その発振しきい値は 10 m
W以下と低く、また、高い発振効率(〜30%)と高出力
(100 数十mW)とが実現されている。
入射端より波長 800nmの励起用半導体レーザー光を入
射させることにより、出射端より波長1.054μmで発振
したレーザ光が出力される。その発振しきい値は 10 m
W以下と低く、また、高い発振効率(〜30%)と高出力
(100 数十mW)とが実現されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように図5の導波
路型ガラスレーザーでは、高い発振効率と高出力とが実
現される。しかし、今まで実現されているのは、半円状
の導波路径が 90 μm〜200μm、導波路の開口数(N
A)が 0.32 のマルチモードの導波路型ガラスレーザー
であり、導波路径が 10 μm前後からなるシングルモー
ドの導波路型ガラスレーザーはまだ実現されていない。
路型ガラスレーザーでは、高い発振効率と高出力とが実
現される。しかし、今まで実現されているのは、半円状
の導波路径が 90 μm〜200μm、導波路の開口数(N
A)が 0.32 のマルチモードの導波路型ガラスレーザー
であり、導波路径が 10 μm前後からなるシングルモー
ドの導波路型ガラスレーザーはまだ実現されていない。
【0006】この原因には次のような点が考えられる。
【0007】(1) Agイオンをガラス内に拡散させて導
波路を形成する方法では、その導波路径を 10 μm前後
に精密に制御することがむずかしい。
波路を形成する方法では、その導波路径を 10 μm前後
に精密に制御することがむずかしい。
【0008】(2) NAが 0.32 の場合、比屈折率差Δは
2.2%程度となる。シングルモードの導波路を実現する
には、Δを1%前後にしなければならないが、上記導波
路構造でΔを1%前後にすることはむずかしい。
2.2%程度となる。シングルモードの導波路を実現する
には、Δを1%前後にしなければならないが、上記導波
路構造でΔを1%前後にすることはむずかしい。
【0009】以上のように従来は、導波路の構造パラメ
ータならびに比屈折率差を自由に制御できず、そのた
め、シングルモードのガラスレーザなどアクティブデバ
イスを実現できなかった。
ータならびに比屈折率差を自由に制御できず、そのた
め、シングルモードのガラスレーザなどアクティブデバ
イスを実現できなかった。
【0010】本発明の目的は、前述した従来技術の欠点
を解決し、導波路の構造パラメータを均一に制御したシ
ングルモードの機能性ガラス導波路を提供し、これによ
り導波路型のレーザー、増幅器、共振器などアクティブ
光デバイスの実現を可能とすることにある。
を解決し、導波路の構造パラメータを均一に制御したシ
ングルモードの機能性ガラス導波路を提供し、これによ
り導波路型のレーザー、増幅器、共振器などアクティブ
光デバイスの実現を可能とすることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の単一モード伝送
用機能性ガラス導波路は、希土類元素を含むリン酸塩系
ガラス基板上にAgイオンの添加された略矩形状のコア
を有し、このコアの上面および側面が平坦に保たれ、か
つ、これら上面および側面がコアの屈折率よりも低いク
ラッドで覆われており、かつ、コアの上面および側面と
クラッドとの間には、クラッドの屈折率よりも低屈折率
の層が挿入されているものである。さらに、本発明の導
波路は、その使用に際して、コアの一端より信号光と励
起光を重畳させて伝搬させることにより、そのコアの他
端から増幅された信号光をとりだすように構成されるこ
とが望ましい。また、光分岐・結合素子、光分波素子、
光合波素子などの光受動素子のうち少なくとも1つに構
成されることも好適である。
用機能性ガラス導波路は、希土類元素を含むリン酸塩系
ガラス基板上にAgイオンの添加された略矩形状のコア
を有し、このコアの上面および側面が平坦に保たれ、か
つ、これら上面および側面がコアの屈折率よりも低いク
ラッドで覆われており、かつ、コアの上面および側面と
クラッドとの間には、クラッドの屈折率よりも低屈折率
の層が挿入されているものである。さらに、本発明の導
波路は、その使用に際して、コアの一端より信号光と励
起光を重畳させて伝搬させることにより、そのコアの他
端から増幅された信号光をとりだすように構成されるこ
とが望ましい。また、光分岐・結合素子、光分波素子、
光合波素子などの光受動素子のうち少なくとも1つに構
成されることも好適である。
【0012】
【作用】本発明の単一モード伝送用機能性ガラス導波路
は、従来の導波路にさらに微細加工・ガラス膜堆積を施
すことで製作される構造としたものである。すなわち、
希土類元素を含むリン酸塩系ガラス基板内に従来同様の
拡散プロセスにより半円状の高屈折率部分(チャネル導
波路)を形成したのち、この高屈折率部分をフォトリソ
グラフィとドライエッチングプロセスによりリッジ状
(コア)に加工し、このリッジ表面全体を低屈折率のク
ラッド層で被覆することで得られる。このようなプロセ
スで製作できるため、コアの厚みおよび幅を簡単かつ正
確に10μm以下に制御できる。しかも、外付けのクラ
ッドの屈折率を調整することで、比屈折率差を自由に制
御できるという特徴もある。したがって、構造パラメー
タならびに比屈折率差をともにシングルモード条件に設
定でき、機能性ガラス導波路を単一モード伝送用として
構成することができる。また、以上のように加工された
コアの上面および側面は平坦に保たれ、そのコアとクラ
ッドとの界面では屈折率がステップ状に変化しているの
で、低損失で光の閉じ込めの良いガラス導波路を得るこ
ともできる。さらに、コアの上面および側面とクラッド
との間にクラッドの屈折率よりも低い屈折率を有する層
が挿入されることにより、コア内での励起光の閉じ込め
が良くなり、励起効率が高くなる。
は、従来の導波路にさらに微細加工・ガラス膜堆積を施
すことで製作される構造としたものである。すなわち、
希土類元素を含むリン酸塩系ガラス基板内に従来同様の
拡散プロセスにより半円状の高屈折率部分(チャネル導
波路)を形成したのち、この高屈折率部分をフォトリソ
グラフィとドライエッチングプロセスによりリッジ状
(コア)に加工し、このリッジ表面全体を低屈折率のク
ラッド層で被覆することで得られる。このようなプロセ
スで製作できるため、コアの厚みおよび幅を簡単かつ正
確に10μm以下に制御できる。しかも、外付けのクラ
ッドの屈折率を調整することで、比屈折率差を自由に制
御できるという特徴もある。したがって、構造パラメー
タならびに比屈折率差をともにシングルモード条件に設
定でき、機能性ガラス導波路を単一モード伝送用として
構成することができる。また、以上のように加工された
コアの上面および側面は平坦に保たれ、そのコアとクラ
ッドとの界面では屈折率がステップ状に変化しているの
で、低損失で光の閉じ込めの良いガラス導波路を得るこ
ともできる。さらに、コアの上面および側面とクラッド
との間にクラッドの屈折率よりも低い屈折率を有する層
が挿入されることにより、コア内での励起光の閉じ込め
が良くなり、励起効率が高くなる。
【0013】上記導波路を用いれば、たとえば、励起光
と信号光を入力させて信号光を増幅させる光増幅器が可
能となる。この場合、Al、Crなどの添加物をさらに
コア内に含ませれば、光増幅の帯域特性を拡げることも
できる。また、コアの入出力両端面にミラーを形成し入
力側より波長 0.8μmの光を励振すれば、出力側より波
長1.05μm(あるいは 1.3μm帯)で発振した光をとり
だすガラスレーザが可能となる。さらに、上記導波路を
リング状に形成し、このリング状導波路に2つの方向性
結合器を接続し、一方の結合器を介して励起光を結合さ
せれば、他方の結合器よりリングで発振した光をとりだ
すリング共振器が可能となる。以上のように、低損失の
シングルモード導波路の実現により、種々のアクティブ
光デバイスを構築することが可能となる。
と信号光を入力させて信号光を増幅させる光増幅器が可
能となる。この場合、Al、Crなどの添加物をさらに
コア内に含ませれば、光増幅の帯域特性を拡げることも
できる。また、コアの入出力両端面にミラーを形成し入
力側より波長 0.8μmの光を励振すれば、出力側より波
長1.05μm(あるいは 1.3μm帯)で発振した光をとり
だすガラスレーザが可能となる。さらに、上記導波路を
リング状に形成し、このリング状導波路に2つの方向性
結合器を接続し、一方の結合器を介して励起光を結合さ
せれば、他方の結合器よりリングで発振した光をとりだ
すリング共振器が可能となる。以上のように、低損失の
シングルモード導波路の実現により、種々のアクティブ
光デバイスを構築することが可能となる。
【0014】シングルモード導波路の実現は、また、低
損失な光分波素子、光合波素子、光分岐・結合素子など
光受動素子の構築をも可能とする。しかも、これらの素
子の損失を補償した損失補償素子、さらには増幅機能を
もった素子などへの展開も容易である。
損失な光分波素子、光合波素子、光分岐・結合素子など
光受動素子の構築をも可能とする。しかも、これらの素
子の損失を補償した損失補償素子、さらには増幅機能を
もった素子などへの展開も容易である。
【0015】本発明の導波路の別の特徴は、基板として
希土類元素の添加された多成分系のガラスを用いている
ので、将来的に量産が可能で、大幅な低価格化を図れる
ことにある。特に、アクティブ光デバイスを構築する場
合も、基板にイオン拡散、微細加工、ガラス膜堆積プロ
セスを施すだけでよいので、このようなデバイスの価格
低減の効果は顕著である。
希土類元素の添加された多成分系のガラスを用いている
ので、将来的に量産が可能で、大幅な低価格化を図れる
ことにある。特に、アクティブ光デバイスを構築する場
合も、基板にイオン拡散、微細加工、ガラス膜堆積プロ
セスを施すだけでよいので、このようなデバイスの価格
低減の効果は顕著である。
【0016】なお、リン酸塩系ガラス基板に添加する希
土類元素としては、従来添加のNd以外に、Er、Y
b、Sm、Ce、Ho、Tmなどを少なくとも1種含ん
だものでもよい。希土類元素の選定により、光増幅器の
増幅波長帯、ガラスレーザの発振波長帯などを所望に設
定することができる。また、コアに添加するイオンとし
ては、Agイオン以外にNaあるいはTeイオンなどを
用いてもよい。
土類元素としては、従来添加のNd以外に、Er、Y
b、Sm、Ce、Ho、Tmなどを少なくとも1種含ん
だものでもよい。希土類元素の選定により、光増幅器の
増幅波長帯、ガラスレーザの発振波長帯などを所望に設
定することができる。また、コアに添加するイオンとし
ては、Agイオン以外にNaあるいはTeイオンなどを
用いてもよい。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【0018】図1に、本発明の前提となった単一モード
伝送用機能性ガラス導波路の概略図を示す。この機能性
ガラス導波路は、リン酸塩系ガラス基板1上に断面が略
矩形状のコア2を有し、このコア2の上面2aおよび側
面2bがクラッド3で覆われて構成されている。リン酸
塩系ガラス基板1にはあらかじめ希土類元素が添加され
ている。このような基板1の材質としては、HOYA株
式会社製のレーザーガラスLHG5、LHG7、LHG
8、LHG10、あるいはエルビウムレーザーガラスL
EG10、LEG20などがある。これらのガラスは、
P2O5、Al2O3、Nb2O5、MgO、CaO、
SnO、BaOからなる基礎ガラスにNd2O3あるい
はEr2O3を0.1〜8モル%加えてなるリン酸塩系
ガラスである。たとえば、型式LHG5のレーザガラス
を用いたとすると、波長1.054μmでの屈折率ns
はns=1.53078である。コア2は上記のリン酸
塩系ガラスにAgイオンを添加してなり、基板1よりも
高い屈折率を有する。たとえば、上記LHG5にAgイ
オンを添加することにより、コア2の屈折率nwは約
1.56になる。クラッド3はコア2の屈折率よりも低
い屈折率の材質からなる。この材質としては、上記リン
酸塩系ガラスの他に、ホウ酸塩系ガラス(たとえば、L
a2O3−BaO−ThO2−B2O3)、ケイ酸塩系
ガラス(K2O−BaO−SiO2、Na2O−CaO
−SiO2、Li2O−CaO−Al2O3−Si
O2、Li2O−BaO−SiO2、Li2O−MgO
−SiO2、K2O−MgO−SiO2など)、さらに
は、SiO2にP、Ge、Al、Ti、Ta、B、Z
n、Sn、Sbなどの屈折率制御用ドーパントを少なく
とも1種含んだガラス膜が用いられる。
伝送用機能性ガラス導波路の概略図を示す。この機能性
ガラス導波路は、リン酸塩系ガラス基板1上に断面が略
矩形状のコア2を有し、このコア2の上面2aおよび側
面2bがクラッド3で覆われて構成されている。リン酸
塩系ガラス基板1にはあらかじめ希土類元素が添加され
ている。このような基板1の材質としては、HOYA株
式会社製のレーザーガラスLHG5、LHG7、LHG
8、LHG10、あるいはエルビウムレーザーガラスL
EG10、LEG20などがある。これらのガラスは、
P2O5、Al2O3、Nb2O5、MgO、CaO、
SnO、BaOからなる基礎ガラスにNd2O3あるい
はEr2O3を0.1〜8モル%加えてなるリン酸塩系
ガラスである。たとえば、型式LHG5のレーザガラス
を用いたとすると、波長1.054μmでの屈折率ns
はns=1.53078である。コア2は上記のリン酸
塩系ガラスにAgイオンを添加してなり、基板1よりも
高い屈折率を有する。たとえば、上記LHG5にAgイ
オンを添加することにより、コア2の屈折率nwは約
1.56になる。クラッド3はコア2の屈折率よりも低
い屈折率の材質からなる。この材質としては、上記リン
酸塩系ガラスの他に、ホウ酸塩系ガラス(たとえば、L
a2O3−BaO−ThO2−B2O3)、ケイ酸塩系
ガラス(K2O−BaO−SiO2、Na2O−CaO
−SiO2、Li2O−CaO−Al2O3−Si
O2、Li2O−BaO−SiO2、Li2O−MgO
−SiO2、K2O−MgO−SiO2など)、さらに
は、SiO2にP、Ge、Al、Ti、Ta、B、Z
n、Sn、Sbなどの屈折率制御用ドーパントを少なく
とも1種含んだガラス膜が用いられる。
【0019】ここで、本導波路をシングルモード伝送用
とするために、コア2の上面2aおよび側面2bが平坦
に保たれ、かつ、厚みw1 および幅w2 がともに 10 μ
m以下とされている。また、クラッド3の屈折率n
C (波長 1.054μmでの値)は下記の数1を満足する範
囲内から選ばれ、コア2との比屈折率差Δが 1.3%未満
の所定値に設定されている。この場合、クラッド3の厚
みTは、3μm以上あればよいが、厚いほど、コア2内
を伝搬する光信号の損失変動および劣化をおさえること
ができるので、好ましい方向である。
とするために、コア2の上面2aおよび側面2bが平坦
に保たれ、かつ、厚みw1 および幅w2 がともに 10 μ
m以下とされている。また、クラッド3の屈折率n
C (波長 1.054μmでの値)は下記の数1を満足する範
囲内から選ばれ、コア2との比屈折率差Δが 1.3%未満
の所定値に設定されている。この場合、クラッド3の厚
みTは、3μm以上あればよいが、厚いほど、コア2内
を伝搬する光信号の損失変動および劣化をおさえること
ができるので、好ましい方向である。
【0020】
【数1】
【0021】次に、図2を用いて本単一モード伝送用機
能性ガラス導波路の製造方法に関する実施例について述
べる。ここで、図2の(a) 〜(c) はいずれも導波路断面
を示したものである。
能性ガラス導波路の製造方法に関する実施例について述
べる。ここで、図2の(a) 〜(c) はいずれも導波路断面
を示したものである。
【0022】まず (a)に示すように、リン酸塩系ガラス
基板1内に従来同様のチャネル導波路を作成する。すな
わち、まず用意されたガラス基板1上にTi膜を形成
し、このTi膜に所定幅のスリットを形成し、その上に
Ag膜を全面蒸着する。次いで、そのAg膜の上とガラ
ス基板1の裏面とにAu膜を形成し、約 400℃の電気炉
内で両Au膜間に電圧を数時間印加する。これにより、
AgイオンがTi膜のスリットを通してガラス内に拡散
され、断面が半円状のAgイオン添加部4 (チャネル導
波路) が形成される。このとき、Agイオン添加部4
は、その半径が最終的に出来上がったコア2の厚みW1
(図1参照) と略等しくなるように形成しておく。
基板1内に従来同様のチャネル導波路を作成する。すな
わち、まず用意されたガラス基板1上にTi膜を形成
し、このTi膜に所定幅のスリットを形成し、その上に
Ag膜を全面蒸着する。次いで、そのAg膜の上とガラ
ス基板1の裏面とにAu膜を形成し、約 400℃の電気炉
内で両Au膜間に電圧を数時間印加する。これにより、
AgイオンがTi膜のスリットを通してガラス内に拡散
され、断面が半円状のAgイオン添加部4 (チャネル導
波路) が形成される。このとき、Agイオン添加部4
は、その半径が最終的に出来上がったコア2の厚みW1
(図1参照) と略等しくなるように形成しておく。
【0023】次に、前記Au、Ag、Ti膜を順に取り
除いたのち、 (b)に示すように、フォトリソグラフィ技
術およびドライエッチング技術を用いて、ガラス基板1
表面を加工し、略矩形状のリッジ導波路にパターン化す
る。つまり、Agイオン添加部4の両側部を落として断
面が略矩形状のコア2を形成する。ここで、基板1上に
残されたリッジ部5の厚みw3 は、コア2の厚みw1 に
対して、w3 ≧w1 となるように、また、幅w2 はw2
≦w1 となるように加工する。この加工に関しては、た
とえば「井本,他:導波路型光合分波器、信学技報OQ
E87−7,1987-04 」に述べられているので、これ以
上の説明は省略する。
除いたのち、 (b)に示すように、フォトリソグラフィ技
術およびドライエッチング技術を用いて、ガラス基板1
表面を加工し、略矩形状のリッジ導波路にパターン化す
る。つまり、Agイオン添加部4の両側部を落として断
面が略矩形状のコア2を形成する。ここで、基板1上に
残されたリッジ部5の厚みw3 は、コア2の厚みw1 に
対して、w3 ≧w1 となるように、また、幅w2 はw2
≦w1 となるように加工する。この加工に関しては、た
とえば「井本,他:導波路型光合分波器、信学技報OQ
E87−7,1987-04 」に述べられているので、これ以
上の説明は省略する。
【0024】最後に (c)に示すように、このリッジ導波
路の全表面をコア2の屈折率nW よりも低い屈折率nC
の材料で被覆し、埋込み型導波路とする。被覆材として
たとえばSiO2 に屈折率制御用のドーパントを少なく
とも1種含んだガラス膜を用いる場合、この材料の被覆
方法としては化学的蒸着法(CVD法)、プラズマCV
D法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、ゾ
ルゲル法、コーティング法などが用いられる。
路の全表面をコア2の屈折率nW よりも低い屈折率nC
の材料で被覆し、埋込み型導波路とする。被覆材として
たとえばSiO2 に屈折率制御用のドーパントを少なく
とも1種含んだガラス膜を用いる場合、この材料の被覆
方法としては化学的蒸着法(CVD法)、プラズマCV
D法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、ゾ
ルゲル法、コーティング法などが用いられる。
【0025】このように、リン酸塩系ガラス基板1にA
gイオンを拡散させて半円状のAgイオン添加部4を形
成し、この添加部4を通常のフォトリソグラフィおよび
ドライエッチングにより加工して、略矩形状のコア2を
形成することにより、構造パラメータが精密にかつ微小
に制御されたコア2を得ることができる。すなわち、コ
ア2を、その厚みw1 と幅w2 がともに 10 μm前後と
なるように形成でき、シングルモード条件を満足させる
ことができる。しかも、コア2の上面2aおよび側面2
bは平坦に加工され、かつ、コア2とクラッド3との界
面では屈折率がステップ状に変化するため、低損失で光
の閉じ込めも良い導波路構造とすることもできる。ま
た、このように形成された矩形状のコア2を、その後ク
ラッド3で被覆することにより、そのクラッド3の屈折
率を調節だけで、比屈折率差Δを自由に制御することが
できる。そのため、この比屈折率差Δをシングルモード
条件である1%前後に調整することもできる。
gイオンを拡散させて半円状のAgイオン添加部4を形
成し、この添加部4を通常のフォトリソグラフィおよび
ドライエッチングにより加工して、略矩形状のコア2を
形成することにより、構造パラメータが精密にかつ微小
に制御されたコア2を得ることができる。すなわち、コ
ア2を、その厚みw1 と幅w2 がともに 10 μm前後と
なるように形成でき、シングルモード条件を満足させる
ことができる。しかも、コア2の上面2aおよび側面2
bは平坦に加工され、かつ、コア2とクラッド3との界
面では屈折率がステップ状に変化するため、低損失で光
の閉じ込めも良い導波路構造とすることもできる。ま
た、このように形成された矩形状のコア2を、その後ク
ラッド3で被覆することにより、そのクラッド3の屈折
率を調節だけで、比屈折率差Δを自由に制御することが
できる。そのため、この比屈折率差Δをシングルモード
条件である1%前後に調整することもできる。
【0026】なお、上記実施例では、コア2に拡散させ
るイオンとしてAgイオンを用いたが、それに代えて、
Naイオン、Teイオンなどを用いてもよい。たとえ
ば、Naイオンを添加する場合には、NaNO3 を熱拡
散あるいはイオン交換することによって実現できる。
るイオンとしてAgイオンを用いたが、それに代えて、
Naイオン、Teイオンなどを用いてもよい。たとえ
ば、Naイオンを添加する場合には、NaNO3 を熱拡
散あるいはイオン交換することによって実現できる。
【0027】図3は、本発明の単一モード伝送用機能性
ガラス導波路の一実施例を示したものである。これは、
コア2とクラッド3との間にクラッド3の屈折率よりも
低い屈折率の低屈折率層6を設けたものである。これに
よれば、図1に示す導波路と比べて、さらにコア2内で
の励起光の閉じ込めを良くし、励起効率を高めることが
できる。この場合の低屈折率層6は、ガラス基板1上に
略矩形状にコア2を形成したのち、クラッド3よりも低
い屈折率の材料で被覆を施すことにより得られる。な
お、このときの被覆材は上記数1を満足する範囲から、
また、その厚みは0.1μm〜数μmの範囲から選ぶ。
ガラス導波路の一実施例を示したものである。これは、
コア2とクラッド3との間にクラッド3の屈折率よりも
低い屈折率の低屈折率層6を設けたものである。これに
よれば、図1に示す導波路と比べて、さらにコア2内で
の励起光の閉じ込めを良くし、励起効率を高めることが
できる。この場合の低屈折率層6は、ガラス基板1上に
略矩形状にコア2を形成したのち、クラッド3よりも低
い屈折率の材料で被覆を施すことにより得られる。な
お、このときの被覆材は上記数1を満足する範囲から、
また、その厚みは0.1μm〜数μmの範囲から選ぶ。
【0028】図4は、本発明のガラス導波路を用いて構
成した光デバイスの例を示したものであり、同図 (a)は
側面を、 (b)は (a)のA−A断面を示す。これは、光増
幅器の例であり、入力端より波長 0.8μmの励起光 (矢
印17aで示す) と波長 1.054μmの信号光 (矢印16
aで示す) を入射させることにより、出力端より増幅さ
れた信号光と減衰した励起光とをとりだすようにしたも
のである。
成した光デバイスの例を示したものであり、同図 (a)は
側面を、 (b)は (a)のA−A断面を示す。これは、光増
幅器の例であり、入力端より波長 0.8μmの励起光 (矢
印17aで示す) と波長 1.054μmの信号光 (矢印16
aで示す) を入射させることにより、出力端より増幅さ
れた信号光と減衰した励起光とをとりだすようにしたも
のである。
【0029】リン酸塩系ガラス基板11にはNdが含ま
れており、その基板11上には上述の拡散プロセス、フ
ォトリソグラフィおよびドライエッチングプロセスによ
り、4つのコア12a〜12dが形成されている。これ
らコア12a〜12dのうち、コア12a,12bはY
型光結合部14として、コア12cは増幅媒体として、
さらにコア12c,12dは方向性結合型光分離部15
としてそれぞれ機能するように形成されている。Y型光
結合部14は、入力端より別々に入射された信号光と励
起光とを合波してコア12cに伝搬させる機能を、ま
た、方向性結合型光分離部15は、コア12c中を矢印
18方向に伝搬してきた信号光と励起光のうち、信号光
をそのまま通過させ、励起光を分波する機能をもったも
のである。なお、これらに関しても、先に述べた文献
「井本,他:導波路型光合分波器、信学技報OQE87
−7,1987-04 」から容易に実現できる。
れており、その基板11上には上述の拡散プロセス、フ
ォトリソグラフィおよびドライエッチングプロセスによ
り、4つのコア12a〜12dが形成されている。これ
らコア12a〜12dのうち、コア12a,12bはY
型光結合部14として、コア12cは増幅媒体として、
さらにコア12c,12dは方向性結合型光分離部15
としてそれぞれ機能するように形成されている。Y型光
結合部14は、入力端より別々に入射された信号光と励
起光とを合波してコア12cに伝搬させる機能を、ま
た、方向性結合型光分離部15は、コア12c中を矢印
18方向に伝搬してきた信号光と励起光のうち、信号光
をそのまま通過させ、励起光を分波する機能をもったも
のである。なお、これらに関しても、先に述べた文献
「井本,他:導波路型光合分波器、信学技報OQE87
−7,1987-04 」から容易に実現できる。
【0030】矢印16a方向から波長 1.054μmの信号
光を入射させ、矢印17a方向から波長 0.8μmの励起
光を入射させると、これら励起光と信号光とはY型光結
合部14で合流され、コア12c内を伝搬する。このと
き、コア12c内にはNdが添加されているので、この
コア12c内を励起光が伝搬することにより、励起状態
にエネルギーが蓄積される。この状態でさらに信号光が
伝搬されると、上記蓄積されたエネルギーが低いエネル
ギー状態へ誘導され、信号光が増幅される。この増幅さ
れた信号光は、その後方向性結合型光分離部15をその
まま通過して、矢印16b方向に出射される。また、励
起光は、光分離部15でコア12d側に分波されて、矢
印17b方向に出射される。
光を入射させ、矢印17a方向から波長 0.8μmの励起
光を入射させると、これら励起光と信号光とはY型光結
合部14で合流され、コア12c内を伝搬する。このと
き、コア12c内にはNdが添加されているので、この
コア12c内を励起光が伝搬することにより、励起状態
にエネルギーが蓄積される。この状態でさらに信号光が
伝搬されると、上記蓄積されたエネルギーが低いエネル
ギー状態へ誘導され、信号光が増幅される。この増幅さ
れた信号光は、その後方向性結合型光分離部15をその
まま通過して、矢印16b方向に出射される。また、励
起光は、光分離部15でコア12d側に分波されて、矢
印17b方向に出射される。
【0031】このように、本発明単一モード伝送用機能
性ガラス導波路を用いれば、簡単に導波路型光増幅器を
構成することができる。
性ガラス導波路を用いれば、簡単に導波路型光増幅器を
構成することができる。
【0032】なお、本発明の導波路を用いて構成される
光デバイスは、上記実施例に限定されない。たとえば、
図1および図2で示した直線状のコア2を有するガラス
導波路の入出力両端面にミラーを形成し、入力側より波
長 0.8μmの光を励振することにより、出力側より波長
1.05 μm(あるいは 1.3μm帯)で発振した光をとり
だすようにしてもよい。また、Er2 O3 添加のリン酸
塩系ガラス基板を用い、波長 0.8μm、0.98μmおよび
1.48μm帯で励振することにより、1.5 μm帯における
光増幅およびレーザ発振を行うようにしてもよい。さら
に、閉ループのリング状導波路を形成し、このリング状
導波路の外周に2つの方向性結合器を設け、一方の方向
性結合器より励起光をリング状導波路に結合させること
により、他方の方向性結合器よりリング状導波路で発振
した光をとりだすようにしてもよい。
光デバイスは、上記実施例に限定されない。たとえば、
図1および図2で示した直線状のコア2を有するガラス
導波路の入出力両端面にミラーを形成し、入力側より波
長 0.8μmの光を励振することにより、出力側より波長
1.05 μm(あるいは 1.3μm帯)で発振した光をとり
だすようにしてもよい。また、Er2 O3 添加のリン酸
塩系ガラス基板を用い、波長 0.8μm、0.98μmおよび
1.48μm帯で励振することにより、1.5 μm帯における
光増幅およびレーザ発振を行うようにしてもよい。さら
に、閉ループのリング状導波路を形成し、このリング状
導波路の外周に2つの方向性結合器を設け、一方の方向
性結合器より励起光をリング状導波路に結合させること
により、他方の方向性結合器よりリング状導波路で発振
した光をとりだすようにしてもよい。
【0033】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【0034】(1)希土類元素を含むリン酸塩系ガラス
基板上に略矩形状のコアを設け、コアとクラッドとの間
に、さらにクラッドの屈折率よりも低い屈折率の層を挿
入すれば、より一層光の閉じ込め性の向上を図ることが
できる。
基板上に略矩形状のコアを設け、コアとクラッドとの間
に、さらにクラッドの屈折率よりも低い屈折率の層を挿
入すれば、より一層光の閉じ込め性の向上を図ることが
できる。
【0035】
【0036】(2)単一モード伝送用機能性ガラス導波
路の実現により、種々の導波路型アクティブ光デバイス
を構築することができる。しかも、これら光デバイスの
量産化、大幅な低価格化を図ることもできる。
路の実現により、種々の導波路型アクティブ光デバイス
を構築することができる。しかも、これら光デバイスの
量産化、大幅な低価格化を図ることもできる。
【0037】(3)また、単一モード伝送用機能性ガラ
ス導波路の実現により、低損失な光分波素子、光合波素
子、光分岐・結合素子などの光受動素子を構成すること
ができる。
ス導波路の実現により、低損失な光分波素子、光合波素
子、光分岐・結合素子などの光受動素子を構成すること
ができる。
【図1】本発明の前提となった単一モード伝送用機能性
ガラス導波路を示す概略斜視図である。
ガラス導波路を示す概略斜視図である。
【図2】単一モード伝送用機能性ガラス導波路の製造方
法の一例を示す概略工程図である。
法の一例を示す概略工程図である。
【図3】本発明の単一モード伝送用機能性ガラス導波路
の一実施例を示す斜視図である。
の一実施例を示す斜視図である。
【図4】本発明の機能性ガラス導波路を用いて構成した
光増幅器を示す図で、(a)は側面図、(b)は(a)
のA−A矢視断面図である。
光増幅器を示す図で、(a)は側面図、(b)は(a)
のA−A矢視断面図である。
【図5】従来の導波路型ガラスレーザーを示す概略図で
ある。
ある。
1 リン酸塩系ガラス基板 2 コア 2a 上面 2b 側面 3 クラッド 6 低屈折率層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01S 3/094 S (72)発明者 井本 克之 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (56)参考文献 特開 平3−35203(JP,A) 実開 平3−51422(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/07 G02B 6/12 H01S 3/08 H01S 3/094 H01S 3/17
Claims (3)
- 【請求項1】 希土類元素を含むリン酸塩系ガラス基板
上にAgイオンの添加された略矩形状のコアを有し、該
コアの上面および側面が平坦に保たれ、かつ、これら上
面および側面が該コアの屈折率よりも低いクラッドで覆
われている単一モード伝送用機能性ガラス導波路におい
て、前記コアの上面および側面とクラッドとの間にクラ
ッドの屈折率よりも低い屈折率を有する層が挿入されて
いることを特徴とする単一モード伝送用機能性ガラス導
波路。 - 【請求項2】 前記コアの一端より信号光と励起光を重
畳させて伝搬させることにより、該コアの他端より増幅
された信号光をとりだすように構成したことを特徴とす
る請求項1記載の単一モード伝送用機能性ガラス導波
路。 - 【請求項3】 光分岐・結合素子、光分波素子、光合波
素子などの光受動素子のうち少なくとも1つに構成した
ことを特徴とする請求項1または2記載の単一モード伝
送用機能性ガラス導波路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22036891A JP2859763B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 単一モード伝送用機能性ガラス導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22036891A JP2859763B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 単一モード伝送用機能性ガラス導波路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0563257A JPH0563257A (ja) | 1993-03-12 |
JP2859763B2 true JP2859763B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=16750036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22036891A Expired - Fee Related JP2859763B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 単一モード伝送用機能性ガラス導波路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2859763B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003221350A1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-09-22 | Nikon Corporation | Light amplifying device and method of manufacturing the device, light source device using the light amplifying device, light treatment device using the light source device, and exposure device using the light source device |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP22036891A patent/JP2859763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0563257A (ja) | 1993-03-12 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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