JPH04271328A - 光増幅器用光導波路の製造方法 - Google Patents
光増幅器用光導波路の製造方法Info
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- JPH04271328A JPH04271328A JP3053652A JP5365291A JPH04271328A JP H04271328 A JPH04271328 A JP H04271328A JP 3053652 A JP3053652 A JP 3053652A JP 5365291 A JP5365291 A JP 5365291A JP H04271328 A JPH04271328 A JP H04271328A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信分野における導
波型光部品の製造方法に関するものであり、詳しくは、
１．３μｍ 帯および １．５μｍ 帯における信号
光を増幅する機能を有する導波型光増幅器の製造方法に
関するものである。
波型光部品の製造方法に関するものであり、詳しくは、
１．３μｍ 帯および １．５μｍ 帯における信号
光を増幅する機能を有する導波型光増幅器の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、光通信に重要な １．５μｍ 帯
の光を増幅する導波型光増幅器が開発されている。この
導波型光増幅器は希土類元素であるＥｒの １．５μｍ
帯でのレーザ遷移を利用したものであり、従来の受動
型光導波回路の作製方法と同様、コア用ガラス膜をパタ
ーン化して、上部クラッド層で埋め込む方法により作製
される。図６にＥｒ添加光増幅用光導波回路の作製方法
を示す。まず、Ｓｉ基板１の上に火炎堆積法を用いて下
部クラッド層用石英系ガラス膜２およびコア用Ｅｒ添加
石英系光導波膜６を作製する。次に、コア用Ｅｒ添加石
英系ガラス膜をパターニング技術を用いて矩形の導波路
３にエッチング加工し、さらに上部クラッド層用石英系
ガラス膜４を形成する。 この方法によると、コア部にのみＥｒを添加できるので
、クラッド部を含めた導波路全体に添加する拡散法など
と比べて、小さい励起光で１．５ μｍ 帯の信号光を
増幅させることができる。また、任意の導波路幅をもつ
光導波路を作製することができ、さらに導波路パターン
も任意に形成でき、従来の導波型光部品に用いられてい
る方向性結合器、リング共振器等の導波回路を作製する
ことができる。これらのＥｒ添加導波回路は、光増幅に
より伝搬損失や分割損失を補償することができるので、
極めて有用な光部品である。
の光を増幅する導波型光増幅器が開発されている。この
導波型光増幅器は希土類元素であるＥｒの １．５μｍ
帯でのレーザ遷移を利用したものであり、従来の受動
型光導波回路の作製方法と同様、コア用ガラス膜をパタ
ーン化して、上部クラッド層で埋め込む方法により作製
される。図６にＥｒ添加光増幅用光導波回路の作製方法
を示す。まず、Ｓｉ基板１の上に火炎堆積法を用いて下
部クラッド層用石英系ガラス膜２およびコア用Ｅｒ添加
石英系光導波膜６を作製する。次に、コア用Ｅｒ添加石
英系ガラス膜をパターニング技術を用いて矩形の導波路
３にエッチング加工し、さらに上部クラッド層用石英系
ガラス膜４を形成する。 この方法によると、コア部にのみＥｒを添加できるので
、クラッド部を含めた導波路全体に添加する拡散法など
と比べて、小さい励起光で１．５ μｍ 帯の信号光を
増幅させることができる。また、任意の導波路幅をもつ
光導波路を作製することができ、さらに導波路パターン
も任意に形成でき、従来の導波型光部品に用いられてい
る方向性結合器、リング共振器等の導波回路を作製する
ことができる。これらのＥｒ添加導波回路は、光増幅に
より伝搬損失や分割損失を補償することができるので、
極めて有用な光部品である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、希土類
添加光導波路を用いた光増幅器では、光ファイバ型光増
幅器に比べて、希土類を高濃度添加しなければならず、
従って高い励起光強度が必要となる。ところが、ＬＤ光
源を用いて光増幅を行うには光源の出力に制限があるの
で、単位励起光強度に対する利得を向上させ、高効率に
動作させる必要がある。高効率化の一つの手段として、
Ｅｒ添加ファイバ型光増幅器においては、Ｅｒをコア中
心部に添加したファイバを用いる方法が実現されている
。これは光強度の大きいコア中心部にＥｒを添加するこ
とにより、単位励起光強度あたりの増幅度を向上させる
ものである。光導波路においても、同様に導波路中心部
にＥｒを添加すると、増幅度の向上が期待できるが、従
来のＥｒ添加石英系光導波路の製造工程で作製した導波
路では、Ｅｒの分布と屈折率分布が完全に一致しており
、Ｅｒをコア周辺部に対し中心部に多く添加した導波路
を作製することは実際上困難であった。本発明は、これ
らの問題点を鑑みてなされたものであり、その目的は、
高効率で動作する光増幅器用光導波路の製造方法を提供
することにある。
添加光導波路を用いた光増幅器では、光ファイバ型光増
幅器に比べて、希土類を高濃度添加しなければならず、
従って高い励起光強度が必要となる。ところが、ＬＤ光
源を用いて光増幅を行うには光源の出力に制限があるの
で、単位励起光強度に対する利得を向上させ、高効率に
動作させる必要がある。高効率化の一つの手段として、
Ｅｒ添加ファイバ型光増幅器においては、Ｅｒをコア中
心部に添加したファイバを用いる方法が実現されている
。これは光強度の大きいコア中心部にＥｒを添加するこ
とにより、単位励起光強度あたりの増幅度を向上させる
ものである。光導波路においても、同様に導波路中心部
にＥｒを添加すると、増幅度の向上が期待できるが、従
来のＥｒ添加石英系光導波路の製造工程で作製した導波
路では、Ｅｒの分布と屈折率分布が完全に一致しており
、Ｅｒをコア周辺部に対し中心部に多く添加した導波路
を作製することは実際上困難であった。本発明は、これ
らの問題点を鑑みてなされたものであり、その目的は、
高効率で動作する光増幅器用光導波路の製造方法を提供
することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明の光増幅器用光導波路の製造方法は、平面基板
上に下部クラッド用ガラス膜を形成し、この下部クラッ
ド層用ガラス膜上に屈折率を高める元素および希土類元
素を含むコア層用ガラス膜を形成し、パターン化により
このコア層用ガラス膜を矩形のコア部にエッチング加工
し、さらにコア部より屈折率の低い上部クラッド層用ガ
ラス膜を形成して作製する埋め込み型希土類添加光導波
路の製造方法において、上部クラッド層用ガラス膜を形
成した後、埋め込み型希土類添加光導波路を屈折率を高
める元素のガラス中の拡散係数が増大し始める温度以上
の温度ないし基板の融点以下の温度で熱処理し、光導波
路コア部に添加された屈折率を高める元素を、クラッド
部に拡散させてコア部を拡大し、コア中心部に希土類元
素を分布させる。
、本発明の光増幅器用光導波路の製造方法は、平面基板
上に下部クラッド用ガラス膜を形成し、この下部クラッ
ド層用ガラス膜上に屈折率を高める元素および希土類元
素を含むコア層用ガラス膜を形成し、パターン化により
このコア層用ガラス膜を矩形のコア部にエッチング加工
し、さらにコア部より屈折率の低い上部クラッド層用ガ
ラス膜を形成して作製する埋め込み型希土類添加光導波
路の製造方法において、上部クラッド層用ガラス膜を形
成した後、埋め込み型希土類添加光導波路を屈折率を高
める元素のガラス中の拡散係数が増大し始める温度以上
の温度ないし基板の融点以下の温度で熱処理し、光導波
路コア部に添加された屈折率を高める元素を、クラッド
部に拡散させてコア部を拡大し、コア中心部に希土類元
素を分布させる。
【０００５】
【作用】本発明によれば、熱処理することにより、コア
部に添加されている屈折率を高める元素を、クラッド部
に拡散させ、コア部を拡げて光導波路コア中心部に希土
類元素を添加することができる。特に、石英系光導波路
において、Ｐは石英系ガラスの屈折率を高め、かつＥｒ
に比べ原子量が約五分の一でイオン半径が約三分の一と
小さく、ガラス中の拡散係数が大きい元素であり、本発
明に好適である。同様に、石英系ガラスの屈折率を高め
、イオン半径がＰにほぼ等しく、原子量が約２倍である
Ｇｅと希土類元素の組み合わせによる光導波路コア部へ
の添加も、また本発明への適用が可能である。希土類元
素としては、光通信で使用される １．３μｍ 帯およ
び １．５μｍ 帯にレーザ遷移を有するＮｄ， Ｅｒ
のほか、Ｓｍ， Ｈｏ、さらにはＥｒの １．５μｍ
帯レーザ遷移に対して増感作用を有するＹｂ等が挙げら
れる。これらの希土類元素とＰ，Ｇｅ等の屈折率を高め
る元素とは任意に組み合わせて適用することができる。 また、熱処理温度の下限はＰ，Ｇｅ等の屈折率を高める
元素のガラス中の拡散係数が増大し始める１０００℃で
あり、これ以上の温度で加熱することにより実現可能な
時間の熱処理により、所定の屈折率分布を得ることがで
きる。また熱処理温度の上限は基板の融点であり、実用
性の高いＳｉ基板の場合には約１４００℃である。本発
明の方法によれば、熱処理によりパターニング工程で導
波路側壁面のエッチング荒れにより生じる伝搬損失を低
減可能であるという特徴を合わせもつ。また、本発明の
方法は、石英系ガラス中に希土類元素を添加したコア層
をパターニング技術により導波路に加工し、クラッド層
に埋め込むような埋め込み型の導波路構造をもつ光増幅
器において、膜の製造法の如何にかかわらず、火炎堆積
法、プラズマＣＶＤ法等に適用することができる。
部に添加されている屈折率を高める元素を、クラッド部
に拡散させ、コア部を拡げて光導波路コア中心部に希土
類元素を添加することができる。特に、石英系光導波路
において、Ｐは石英系ガラスの屈折率を高め、かつＥｒ
に比べ原子量が約五分の一でイオン半径が約三分の一と
小さく、ガラス中の拡散係数が大きい元素であり、本発
明に好適である。同様に、石英系ガラスの屈折率を高め
、イオン半径がＰにほぼ等しく、原子量が約２倍である
Ｇｅと希土類元素の組み合わせによる光導波路コア部へ
の添加も、また本発明への適用が可能である。希土類元
素としては、光通信で使用される １．３μｍ 帯およ
び １．５μｍ 帯にレーザ遷移を有するＮｄ， Ｅｒ
のほか、Ｓｍ， Ｈｏ、さらにはＥｒの １．５μｍ
帯レーザ遷移に対して増感作用を有するＹｂ等が挙げら
れる。これらの希土類元素とＰ，Ｇｅ等の屈折率を高め
る元素とは任意に組み合わせて適用することができる。 また、熱処理温度の下限はＰ，Ｇｅ等の屈折率を高める
元素のガラス中の拡散係数が増大し始める１０００℃で
あり、これ以上の温度で加熱することにより実現可能な
時間の熱処理により、所定の屈折率分布を得ることがで
きる。また熱処理温度の上限は基板の融点であり、実用
性の高いＳｉ基板の場合には約１４００℃である。本発
明の方法によれば、熱処理によりパターニング工程で導
波路側壁面のエッチング荒れにより生じる伝搬損失を低
減可能であるという特徴を合わせもつ。また、本発明の
方法は、石英系ガラス中に希土類元素を添加したコア層
をパターニング技術により導波路に加工し、クラッド層
に埋め込むような埋め込み型の導波路構造をもつ光増幅
器において、膜の製造法の如何にかかわらず、火炎堆積
法、プラズマＣＶＤ法等に適用することができる。
【０００６】
【実施例】以下、図面により本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
【実施例１】図１に、本発明の実施例における光導波路
の作製過程を示す。ここで、希土類元素としてＥｒを用
い、コア部の屈折率を高めるためＰをコア部に添加した
。まず、Ｓｉ基板１の上に、火炎堆積法により下部クラ
ッド層用石英系ガラス膜２、および膜厚８μｍ 、比屈
折率差 ０．７％、Ｐ２Ｏ５濃度１０ｗｔ％、Ｅｒ濃度
８０００ｐｐｍ のＥｒ添加コア層用石英系ガラス膜を
作製し、パターンニング技術を適用して導波路幅８μｍ
のＥｒ添加光導波路３を形成した。次に、火炎堆積法
を用いて上部クラッド層用石英系ガラス膜４を堆積し透
明化した。さらに、この導波路を基板ごと電気炉に挿入
し、１４００℃に加熱し２時間保持することにより拡散
処理して、Ｅｒ中心添加石英系光導波路５を形成した。
の作製過程を示す。ここで、希土類元素としてＥｒを用
い、コア部の屈折率を高めるためＰをコア部に添加した
。まず、Ｓｉ基板１の上に、火炎堆積法により下部クラ
ッド層用石英系ガラス膜２、および膜厚８μｍ 、比屈
折率差 ０．７％、Ｐ２Ｏ５濃度１０ｗｔ％、Ｅｒ濃度
８０００ｐｐｍ のＥｒ添加コア層用石英系ガラス膜を
作製し、パターンニング技術を適用して導波路幅８μｍ
のＥｒ添加光導波路３を形成した。次に、火炎堆積法
を用いて上部クラッド層用石英系ガラス膜４を堆積し透
明化した。さらに、この導波路を基板ごと電気炉に挿入
し、１４００℃に加熱し２時間保持することにより拡散
処理して、Ｅｒ中心添加石英系光導波路５を形成した。
【０００７】次に、図２に前記方法により作製したＥｒ
添加光導波路断面部のオージェ電子分光による線分析の
結果を示す。Ｅｒの分布範囲が８μｍであるのに対しＰ
は１５μｍ の範囲で分布しており、熱処理することに
より、Ｐが拡散しコア部の中心部にＥｒが添加されてい
ることがわかる。さらに、本発明の製造方法により熱処
理を施して作製されたパターン幅８μｍ を用いたＥｒ
添加石英系光導波路の損失波長特性を図３に示す。λ（
μｍ ）は波長であり、横軸を １／λ４ としてプロ
ットした損失波長特性を示す。なお比較のため、熱処理
を施していない８μｍ のＥｒ添加石英系光導波路の特
性も破線で示した。熱処理の有無によらず波長０．８０
μｍ 、０．９８μｍ および１．５５μｍ にＥｒに
よる吸収が見られる。熱処理を施していないＥｒ添加光
導波路では波長に依存しない損失が ０．４ｄＢ／ｃｍ
であったものが、本発明でのＥｒ中心添加光導波路では
０．０５ｄＢ／ｃｍに低減している。波長に依存しない
損失は導波路側壁面のエッチング荒れにより生じるもの
であり、本発明の熱処理によって伝搬損失が低減したも
のである。
添加光導波路断面部のオージェ電子分光による線分析の
結果を示す。Ｅｒの分布範囲が８μｍであるのに対しＰ
は１５μｍ の範囲で分布しており、熱処理することに
より、Ｐが拡散しコア部の中心部にＥｒが添加されてい
ることがわかる。さらに、本発明の製造方法により熱処
理を施して作製されたパターン幅８μｍ を用いたＥｒ
添加石英系光導波路の損失波長特性を図３に示す。λ（
μｍ ）は波長であり、横軸を １／λ４ としてプロ
ットした損失波長特性を示す。なお比較のため、熱処理
を施していない８μｍ のＥｒ添加石英系光導波路の特
性も破線で示した。熱処理の有無によらず波長０．８０
μｍ 、０．９８μｍ および１．５５μｍ にＥｒに
よる吸収が見られる。熱処理を施していないＥｒ添加光
導波路では波長に依存しない損失が ０．４ｄＢ／ｃｍ
であったものが、本発明でのＥｒ中心添加光導波路では
０．０５ｄＢ／ｃｍに低減している。波長に依存しない
損失は導波路側壁面のエッチング荒れにより生じるもの
であり、本発明の熱処理によって伝搬損失が低減したも
のである。
【０００８】前記の導波路を用いて １．５μｍ 信号
光の増幅実験を行った。ＬＤからの１．５５μｍ 信号
およびＬＤからの０．９７μｍ の励起光３０ｍＶを、
シングルモードファイバを用いて導波路端面に入射した
。導波路からの出射光を、マルチモードファイバにより
受光し、誘電体ミラーを用いて信号光成分と励起光成分
に分割し、光パワーメータを使って信号光の光強度を測
定した。図４に利得特性の励起光強度依存性を示す。入
射励起光強度５０ｍＶにて信号光強度を３ｄＢ増幅する
ことができた。以上により、本発明で作製した導波路で
は、Ｅｒをコア中心部に添加することができ、光増幅器
に要する励起光強度を低減するうえで有効であることが
明らかとなった。
光の増幅実験を行った。ＬＤからの１．５５μｍ 信号
およびＬＤからの０．９７μｍ の励起光３０ｍＶを、
シングルモードファイバを用いて導波路端面に入射した
。導波路からの出射光を、マルチモードファイバにより
受光し、誘電体ミラーを用いて信号光成分と励起光成分
に分割し、光パワーメータを使って信号光の光強度を測
定した。図４に利得特性の励起光強度依存性を示す。入
射励起光強度５０ｍＶにて信号光強度を３ｄＢ増幅する
ことができた。以上により、本発明で作製した導波路で
は、Ｅｒをコア中心部に添加することができ、光増幅器
に要する励起光強度を低減するうえで有効であることが
明らかとなった。
【０００９】
【実施例２】この実施例では、希土類元素としてＥｒの
代わりにＮｄを添加し、屈折率を高める元素としてＧｅ
を用いた。Ｓｉ基板上にプラズマＣＶＤ法により下部ク
ラッド層用ガラス膜、および導波路断面８μｍ ×８μ
ｍ 、比屈折率差 ０．７％、Ｐ２Ｏ５濃度１０ｗｔ％
、Ｎｄ濃度８０００ｐｐｍ のＮｄ添加光導波路、およ
び上部クラッド層用ガラス膜を形成し、この導波路を基
板ごと電気炉に挿入し、１４００℃に加熱し２時間保持
し拡散処理して、Ｎｄ中心添加石英系光導波路を形成し
た。前記の光導波路を用いてレーザ発振実験を行った。 導波路は長さ５ｃｍである直線状のＮｄ中心添加石英光
導波路を用い、両端面に誘電体多層膜ミラー （励起光
入射側：１．０５μｍ における反射率９９％、レーザ
光出射側：１．０５μｍ における反射率９５％） を
蒸着し、波長０．８１μｍ のＬＤで励起し、波長１．
０５μｍ におけるレーザ発振実験を行った。図５に発
振実験の結果を示す。本発明の製造方法により、従来、
発振閾値が１０ｍｗであったものを８ｍｗに低減でき、
また、スロープ効率を１０％から１２％にまで高効率化
できた。
代わりにＮｄを添加し、屈折率を高める元素としてＧｅ
を用いた。Ｓｉ基板上にプラズマＣＶＤ法により下部ク
ラッド層用ガラス膜、および導波路断面８μｍ ×８μ
ｍ 、比屈折率差 ０．７％、Ｐ２Ｏ５濃度１０ｗｔ％
、Ｎｄ濃度８０００ｐｐｍ のＮｄ添加光導波路、およ
び上部クラッド層用ガラス膜を形成し、この導波路を基
板ごと電気炉に挿入し、１４００℃に加熱し２時間保持
し拡散処理して、Ｎｄ中心添加石英系光導波路を形成し
た。前記の光導波路を用いてレーザ発振実験を行った。 導波路は長さ５ｃｍである直線状のＮｄ中心添加石英光
導波路を用い、両端面に誘電体多層膜ミラー （励起光
入射側：１．０５μｍ における反射率９９％、レーザ
光出射側：１．０５μｍ における反射率９５％） を
蒸着し、波長０．８１μｍ のＬＤで励起し、波長１．
０５μｍ におけるレーザ発振実験を行った。図５に発
振実験の結果を示す。本発明の製造方法により、従来、
発振閾値が１０ｍｗであったものを８ｍｗに低減でき、
また、スロープ効率を１０％から１２％にまで高効率化
できた。
【００１０】以上の実験より、本発明のＮｄ中心添加石
英系光導波路を用いることにより、低発振閾値で高効率
なレーザを実現できることがわかり、導波型レーザや光
増幅器の特性向上に有効であることが判明した。以上の
実施例では、８μｍ 幅の導波路のコア部を、熱処理に
より１５μｍ 幅に拡大させたが、あらかじめ細いコア
部を形成しておき、熱処理することによって通信用光フ
ァイバとの接続特性に優れた単一モード光導波路を実現
することも可能である。
英系光導波路を用いることにより、低発振閾値で高効率
なレーザを実現できることがわかり、導波型レーザや光
増幅器の特性向上に有効であることが判明した。以上の
実施例では、８μｍ 幅の導波路のコア部を、熱処理に
より１５μｍ 幅に拡大させたが、あらかじめ細いコア
部を形成しておき、熱処理することによって通信用光フ
ァイバとの接続特性に優れた単一モード光導波路を実現
することも可能である。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光増幅器
用光導波路の製造方法によれば、以下に列挙する利点が
ある。 （１） コア中心部に希土類元素を添加した光導波路を
作製できるので、希土類添加部の励起光強度を高めるこ
とが可能となり、より小さい励起光強度で動作する光増
幅器を実現できる。 （２） 熱処理により、導波路側壁面のエッチング荒れ
に起因する伝搬損失を低減することができる。
用光導波路の製造方法によれば、以下に列挙する利点が
ある。 （１） コア中心部に希土類元素を添加した光導波路を
作製できるので、希土類添加部の励起光強度を高めるこ
とが可能となり、より小さい励起光強度で動作する光増
幅器を実現できる。 （２） 熱処理により、導波路側壁面のエッチング荒れ
に起因する伝搬損失を低減することができる。
【図１】本発明の実施例１のＥｒ中心添加石英系光導波
路の作製過程を示す図である。
路の作製過程を示す図である。
【図２】本発明の実施例１のＥｒ中心添加石英系光導波
路断面のオージェ電子分光による線分析結果を示す図で
ある。
路断面のオージェ電子分光による線分析結果を示す図で
ある。
【図３】本発明の実施例１のＥｒ中心添加石英系光導波
路の波長損失特性を示す図である。
路の波長損失特性を示す図である。
【図４】本発明の実施例１のＥｒ中心添加石英系光導波
路の励起光強度と利得の関係を示す図である。
路の励起光強度と利得の関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例２のＮｄ中心添加石英系光導波
路を用いたレーザの励起光強度とレーザ発振光強度の関
係を示す図である。
路を用いたレーザの励起光強度とレーザ発振光強度の関
係を示す図である。
【図６】従来のＥｒ添加石英系光導波路の作製過程を示
す図である。
す図である。
１ Ｓｉ基板
２ 下部クラッド層用石英ガラス膜
３ Ｅｒ添加石英系光導波路
４ 上部クラッド層用石英ガラス膜
５ Ｅｒ中心添加石英系光導波路
６ Ｅｒ添加石英系光導波膜
Claims (2)
- 【請求項１】 平面基板上に下部クラッド層用ガラス
膜を形成し、この下部クラッド層用ガラス膜上に屈折率
を高める元素および希土類元素を含むコア層用ガラス膜
を形成し、パターン化によりこのコア層用ガラス膜を矩
形のコア部にエッチング加工し、さらにコア部より屈折
率の低い上部クラッド層用ガラス膜を形成して作製する
埋め込み型希土類添加光導波路の製造方法において、上
部クラッド層用ガラス膜を形成した後、埋め込み型希土
類添加光導波路を、屈折率を高める元素のガラス中の拡
散係数が増大し始める温度以上の温度ないし基板の融点
以下の温度で熱処理し、光導波路コア部に添加された屈
折率を高める元素を、クラッド部に拡散させてコア部を
拡大し、コア中心部に希土類元素を分布させることを特
徴とする光増幅器用光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 平面基板上に下部クラッド層用ガラス
膜を形成し、この下部クラッド層用ガラス膜上に屈折率
を高める元素および希土類元素を含むコア層用ガラス膜
を形成し、パターン化によりこのコア層用ガラス膜を矩
形のコア部にエッチング加工し、さらにコア部より屈折
率の低い上部クラッド層用ガラス膜を形成して作製する
埋め込み型希土類添加光導波路の製造方法において、上
部クラッド層用ガラス膜を形成した後、埋め込み型希土
類添加光導波路を、１０００℃ないし１４００℃の温度
で熱処理し、光導波路コア部に添加された屈折率を高め
る元素を、クラッド部に拡散させてコア部を拡大し、コ
ア中心部に希土類元素を分布させることを特徴とする光
増幅器用光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3053652A JP3067231B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 光増幅器用光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3053652A JP3067231B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 光増幅器用光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271328A true JPH04271328A (ja) | 1992-09-28 |
| JP3067231B2 JP3067231B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=12948808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3053652A Expired - Fee Related JP3067231B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 光増幅器用光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067231B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004006394A1 (ja) * | 2002-07-05 | 2004-01-15 | Nec Corporation | 光導波路及びその製造方法 |
| US6850683B2 (en) * | 2000-07-10 | 2005-02-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Low-loss waveguide and method of making same |
| JP2006074016A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅型アレイ導波路回折格子 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3053652A patent/JP3067231B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6850683B2 (en) * | 2000-07-10 | 2005-02-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Low-loss waveguide and method of making same |
| WO2004006394A1 (ja) * | 2002-07-05 | 2004-01-15 | Nec Corporation | 光導波路及びその製造方法 |
| JP2006074016A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅型アレイ導波路回折格子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3067231B2 (ja) | 2000-07-17 |
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