JPH11145539A - 光ファイバ増幅器 - Google Patents
光ファイバ増幅器Info
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- JPH11145539A JPH11145539A JP9305614A JP30561497A JPH11145539A JP H11145539 A JPH11145539 A JP H11145539A JP 9305614 A JP9305614 A JP 9305614A JP 30561497 A JP30561497 A JP 30561497A JP H11145539 A JPH11145539 A JP H11145539A
- Authority
- JP
- Japan
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- optical fiber
- erbium
- edf
- signal light
- gain
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 短尺化されると共に実用性に優れたエルビウ
ム添加光ファイバ（ＥＤＦ）を備えて、所望の平坦化し
た利得を得ることができる光ファイバ増幅器（ＥＤＦ
Ａ）を提供する。 【解決手段】 エルビウム添加光ファイバ飽和手段８
ａ，９ａによって、ＥＤＦ１を強く飽和させ、信号光の
波長略１５７０〜略１６００ｎｍの範囲において、利得
を平坦化した光増幅を行うと共に、このとき、コア領域
及びクラッド領域の双方にエルビウムを添加しているこ
とで、信号光とエルビウム添加部分との重なり合い部分
を大きくして、単位長さ当たりの利得を増やすように
し、ＥＤＦ１の長さを長くして利得の増加を図るという
必要をなくして、ＥＤＦ１の短尺化を図ると共に、ＥＤ
Ｆ１の長さの短尺化を図るべくホストガラスに例えばフ
ッ化物ガラスを用いるという必要をなくして、ＥＤＦ１
を実用性に優れたものする。
ム添加光ファイバ（ＥＤＦ）を備えて、所望の平坦化し
た利得を得ることができる光ファイバ増幅器（ＥＤＦ
Ａ）を提供する。 【解決手段】 エルビウム添加光ファイバ飽和手段８
ａ，９ａによって、ＥＤＦ１を強く飽和させ、信号光の
波長略１５７０〜略１６００ｎｍの範囲において、利得
を平坦化した光増幅を行うと共に、このとき、コア領域
及びクラッド領域の双方にエルビウムを添加しているこ
とで、信号光とエルビウム添加部分との重なり合い部分
を大きくして、単位長さ当たりの利得を増やすように
し、ＥＤＦ１の長さを長くして利得の増加を図るという
必要をなくして、ＥＤＦ１の短尺化を図ると共に、ＥＤ
Ｆ１の長さの短尺化を図るべくホストガラスに例えばフ
ッ化物ガラスを用いるという必要をなくして、ＥＤＦ１
を実用性に優れたものする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長多重方式の光
伝送システムにおいて、異なる波長を有する複数の信号
光（多波長の信号光）を一括増幅する光ファイバ増幅器
に関するものである。
伝送システムにおいて、異なる波長を有する複数の信号
光（多波長の信号光）を一括増幅する光ファイバ増幅器
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信の大容量高速化に伴い、波長多重
（ＷＤＭ：Wavelength division Multiplexing）伝送方
式に関する研究・開発がなされている。このＷＤＭ伝送
方式において、最も重要な光素子の一つが、多波長の信
号光を一括増幅する光増幅器である。この光増幅器は、
高利得・低雑音であって、信号光波長帯域において、利
得スペクトルが平坦であることが要求されるため、従来
より、希土類元素としてのＥｒ（エルビウム）元素を添
加したエルビウム添加光ファイバ（ＥＤＦ：Er-Doped F
iber）を採用した光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ：Er-Dop
ed Fiber Amplifier）が用いられている。
（ＷＤＭ：Wavelength division Multiplexing）伝送方
式に関する研究・開発がなされている。このＷＤＭ伝送
方式において、最も重要な光素子の一つが、多波長の信
号光を一括増幅する光増幅器である。この光増幅器は、
高利得・低雑音であって、信号光波長帯域において、利
得スペクトルが平坦であることが要求されるため、従来
より、希土類元素としてのＥｒ（エルビウム）元素を添
加したエルビウム添加光ファイバ（ＥＤＦ：Er-Doped F
iber）を採用した光ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ：Er-Dop
ed Fiber Amplifier）が用いられている。
【０００３】上記ＥＤＦは、図６に示すように、コア領
域２１ａと、当該コア領域２１ａの外周に設けられたク
ラッド領域２１ｂと、励起光強度の高いコア領域２１ａ
の中心部分にのみにＥｒが添加されたＥｒ層２２と、か
らなるものである。このＥＤＦにおける信号光強度分布
及び添加Ｅｒ濃度分布を示したのが図７であり、この図
において、横軸はＥＤＦの縦断面における半径方向位置
を表し、縦軸は信号光光強度と添加Ｅｒ濃度をともに表
している。図７より明らかなように、コア領域２１ａの
中心部分にＥｒが一様な濃度で添加されている。
域２１ａと、当該コア領域２１ａの外周に設けられたク
ラッド領域２１ｂと、励起光強度の高いコア領域２１ａ
の中心部分にのみにＥｒが添加されたＥｒ層２２と、か
らなるものである。このＥＤＦにおける信号光強度分布
及び添加Ｅｒ濃度分布を示したのが図７であり、この図
において、横軸はＥＤＦの縦断面における半径方向位置
を表し、縦軸は信号光光強度と添加Ｅｒ濃度をともに表
している。図７より明らかなように、コア領域２１ａの
中心部分にＥｒが一様な濃度で添加されている。
【０００４】ここで、上記ＥＤＦを用いたＥＤＦＡに関
しては、例えば、「M.Fukusima etal."Flat gain Erbiu
m-doped fiber amplifier in 1570nm-1600nm region fo
r dense WDM transmission systems",OFC'97,Postdeadl
ine papers 3.1997(古河電工)」（以後、従来例１と呼
ぶ）、「小野 他 ”1.58μｍ帯Ｅｒ添加光ファイバ増
幅器”９７年春季電子情報通信学会総合大会C-3-86(Ｎ
ＴＴ)」（以後、従来例２と呼ぶ）等に記載がなされて
いる。
しては、例えば、「M.Fukusima etal."Flat gain Erbiu
m-doped fiber amplifier in 1570nm-1600nm region fo
r dense WDM transmission systems",OFC'97,Postdeadl
ine papers 3.1997(古河電工)」（以後、従来例１と呼
ぶ）、「小野 他 ”1.58μｍ帯Ｅｒ添加光ファイバ増
幅器”９７年春季電子情報通信学会総合大会C-3-86(Ｎ
ＴＴ)」（以後、従来例２と呼ぶ）等に記載がなされて
いる。
【０００５】上記従来例１では、波長＝１５７０ｎｍ〜
１６００ｎｍの範囲に存在する信号光を増幅する場合に
は、波長１５６４ｎｍの大パワーのダミー信号光を入射
させ、これにより、ＥＤＦを強く飽和させて当該ＥＤＦ
内の長手方向に平均化した反転分布を４０％程度まで低
下させ、上記波長の範囲で利得を平坦化した光増幅を行
えることが述べられている。このとき、上記ＥＤＦを強
く飽和させることにより、単位長当たりの利得が低下す
るため、所望の利得を得るべく、ＥＤＦ長を長く設定す
る必要がある。
１６００ｎｍの範囲に存在する信号光を増幅する場合に
は、波長１５６４ｎｍの大パワーのダミー信号光を入射
させ、これにより、ＥＤＦを強く飽和させて当該ＥＤＦ
内の長手方向に平均化した反転分布を４０％程度まで低
下させ、上記波長の範囲で利得を平坦化した光増幅を行
えることが述べられている。このとき、上記ＥＤＦを強
く飽和させることにより、単位長当たりの利得が低下す
るため、所望の利得を得るべく、ＥＤＦ長を長く設定す
る必要がある。
【０００６】また、上記従来例２では、ＥＤＦを長尺化
することにより、励起光が届かない励起光の弱い領域、
すなわち飽和の強い領域を形成し（ＥＤＦを強く飽和さ
せ）、これにより、上記とほぼ同様な波長帯において、
利得を平坦化した光増幅を行えることが述べられてい
る。このとき、ＥＤＦの単位長当たりの利得は低いた
め、上記ＥＤＦを構成するホストガラスを石英系ガラス
としたもの（石英系ＥＤＦ）では、所望の利得を得るた
めに必要なＥＤＦの長さは、２００ｍ程度であり、上記
ホストガラスをフッ化物ガラスとしたもの（フッ化物Ｅ
ＤＦ）では、石英系ＥＤＦの１／５の長さである４０ｍ
程度であることが述べられている。なお、上記石英系Ｅ
ＤＦでは、利得平坦化の目的で、さらに所定量のＡｌ
（アルミニウム）が添加されている。
することにより、励起光が届かない励起光の弱い領域、
すなわち飽和の強い領域を形成し（ＥＤＦを強く飽和さ
せ）、これにより、上記とほぼ同様な波長帯において、
利得を平坦化した光増幅を行えることが述べられてい
る。このとき、ＥＤＦの単位長当たりの利得は低いた
め、上記ＥＤＦを構成するホストガラスを石英系ガラス
としたもの（石英系ＥＤＦ）では、所望の利得を得るた
めに必要なＥＤＦの長さは、２００ｍ程度であり、上記
ホストガラスをフッ化物ガラスとしたもの（フッ化物Ｅ
ＤＦ）では、石英系ＥＤＦの１／５の長さである４０ｍ
程度であることが述べられている。なお、上記石英系Ｅ
ＤＦでは、利得平坦化の目的で、さらに所定量のＡｌ
（アルミニウム）が添加されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来例
１、２では、所望の利得を得るには、最も多用される石
英系ＥＤＦのままではＥＤＦを長くしなければならず、
短尺化を図れないといった問題があった。
１、２では、所望の利得を得るには、最も多用される石
英系ＥＤＦのままではＥＤＦを長くしなければならず、
短尺化を図れないといった問題があった。
【０００８】また、従来例２のように、ホストガラスを
フッ化物ガラスとすれば、ＥＤＦの短尺化を図れるが、
当該フッ化物ガラスは、信頼性に劣るとともに製造コス
トが高く、実用性に劣るといった問題があった。
フッ化物ガラスとすれば、ＥＤＦの短尺化を図れるが、
当該フッ化物ガラスは、信頼性に劣るとともに製造コス
トが高く、実用性に劣るといった問題があった。
【０００９】本発明は、上記問題点を解消するためにな
されたものであり、短尺化されると共に実用性に優れた
エルビウム添加光ファイバを備えて、所望の平坦化した
利得を得ることができる光ファイバ増幅器を提供するこ
とを目的とする。
されたものであり、短尺化されると共に実用性に優れた
エルビウム添加光ファイバを備えて、所望の平坦化した
利得を得ることができる光ファイバ増幅器を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ファイバ
増幅器は、所定の基準軸に沿って伸びたコア領域、当該
コア領域の外周に設けられたクラッド領域、コア領域及
びクラッド領域の双方にエルビウムを添加することによ
り構成したエルビウム添加部を有するエルビウム添加光
ファイバと、このエルビウム添加光ファイバの入力側及
び出力側の少なくとも一方側に接続されたＷＤＭカプラ
と、このＷＤＭカプラに接続された励起用光源と、エル
ビウム添加光ファイバを飽和させ、信号光の波長略１５
７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲において、光ファイバ
増幅器の利得を平坦化するエルビウム添加光ファイバ飽
和手段と、を具備した。
増幅器は、所定の基準軸に沿って伸びたコア領域、当該
コア領域の外周に設けられたクラッド領域、コア領域及
びクラッド領域の双方にエルビウムを添加することによ
り構成したエルビウム添加部を有するエルビウム添加光
ファイバと、このエルビウム添加光ファイバの入力側及
び出力側の少なくとも一方側に接続されたＷＤＭカプラ
と、このＷＤＭカプラに接続された励起用光源と、エル
ビウム添加光ファイバを飽和させ、信号光の波長略１５
７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲において、光ファイバ
増幅器の利得を平坦化するエルビウム添加光ファイバ飽
和手段と、を具備した。
【００１１】この光ファイバ増幅器によれば、エルビウ
ム添加光ファイバ飽和手段により、エルビウム添加光フ
ァイバを強く飽和させる（エルビウム添加光ファイバの
長手方向に平均化した反転分布を低下させる）ため、信
号光の波長略１５７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲にお
いて、平坦化された増幅器利得が得られるようになる。
ここで、従来技術では、ＥＤＦを強く飽和させることに
より単位長当たりの利得が低下するため、所望の利得を
得るべく、ＥＤＦ長を長く設定する必要があったが、一
方、本発明では、エルビウム添加範囲がクラッド領域に
まで広げられるため、信号光とエルビウム添加部分との
重なり合う部分が大きくなり、単位長さ当たりの利得が
増やされるようになる。従って、エルビウム添加光ファ
イバの長さを長くして利得の増加を図るという必要がな
くなり、短尺化が図られるようになると共に、エルビウ
ム添加光ファイバの長さの短尺化を図るべくホストガラ
スに例えばフッ化物ガラスを用いるという必要がなくな
り、信頼性の確保及び製造コストの上昇防止が図られる
ようになる。また、エルビウム添加範囲を広げることに
より単位長さ当たりの利得を増やすようにすれば、短尺
化が図られると共に、この短尺化により背景損失の影響
が低減されるようになる。従って、従来技術のようにエ
ルビウム添加光ファイバの長さを長くすることにより利
得を増やす場合に比して、短尺化により背景損失の影響
が抑えられる分、さらに有利となる。
ム添加光ファイバ飽和手段により、エルビウム添加光フ
ァイバを強く飽和させる（エルビウム添加光ファイバの
長手方向に平均化した反転分布を低下させる）ため、信
号光の波長略１５７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲にお
いて、平坦化された増幅器利得が得られるようになる。
ここで、従来技術では、ＥＤＦを強く飽和させることに
より単位長当たりの利得が低下するため、所望の利得を
得るべく、ＥＤＦ長を長く設定する必要があったが、一
方、本発明では、エルビウム添加範囲がクラッド領域に
まで広げられるため、信号光とエルビウム添加部分との
重なり合う部分が大きくなり、単位長さ当たりの利得が
増やされるようになる。従って、エルビウム添加光ファ
イバの長さを長くして利得の増加を図るという必要がな
くなり、短尺化が図られるようになると共に、エルビウ
ム添加光ファイバの長さの短尺化を図るべくホストガラ
スに例えばフッ化物ガラスを用いるという必要がなくな
り、信頼性の確保及び製造コストの上昇防止が図られる
ようになる。また、エルビウム添加範囲を広げることに
より単位長さ当たりの利得を増やすようにすれば、短尺
化が図られると共に、この短尺化により背景損失の影響
が低減されるようになる。従って、従来技術のようにエ
ルビウム添加光ファイバの長さを長くすることにより利
得を増やす場合に比して、短尺化により背景損失の影響
が抑えられる分、さらに有利となる。
【００１２】このとき、エルビウムのファイバ断面の半
径方向の分布が、入射される信号光のモードフィールド
径より外に及んでいると、上述した信号光とエルビウム
添加部分との重なり合う部分が非常に大きくなるため、
エルビウム添加光ファイバの必要長が非常に短くなり、
ホストガラスを例えばフッ化物ガラスとした場合と同程
度まで短くされるようになる。
径方向の分布が、入射される信号光のモードフィールド
径より外に及んでいると、上述した信号光とエルビウム
添加部分との重なり合う部分が非常に大きくなるため、
エルビウム添加光ファイバの必要長が非常に短くなり、
ホストガラスを例えばフッ化物ガラスとした場合と同程
度まで短くされるようになる。
【００１３】また、このとき、エルビウム添加光ファイ
バを構成するホストガラスが、石英系ガラスであると、
ホストガラスを例えばフッ化物ガラスとした場合に比し
て、信頼性が向上されると共に製造コストが低減される
ようになる。
バを構成するホストガラスが、石英系ガラスであると、
ホストガラスを例えばフッ化物ガラスとした場合に比し
て、信頼性が向上されると共に製造コストが低減される
ようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明にお
いて、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明
を省略する。
の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明にお
いて、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明
を省略する。
【００１５】図１は、本発明に係る光ファイバ増幅器
（ＥＤＦＡ）を表した構成図である。このＥＤＦＡは、
半導体レーザ（図示せず）から出射され、光ファイバ伝
送路２を伝送されてきた多波長の信号光を入力して一括
増幅し、光ファイバ伝送路７に出力するものであり、活
性元素としてエルビウムを添加したエルビウム添加光フ
ァイバ（ＥＤＦ）１の入力には、融着部１０を介して、
ＷＤＭカプラ４の出力が接続されている。このＷＤＭカ
プラ４の一方の入力には、上記ＥＤＦ１に励起光を供給
するための励起用レーザ光源８が接続されていると共
に、他方の入力には、アイソレータ３の出力が接続され
ている。
（ＥＤＦＡ）を表した構成図である。このＥＤＦＡは、
半導体レーザ（図示せず）から出射され、光ファイバ伝
送路２を伝送されてきた多波長の信号光を入力して一括
増幅し、光ファイバ伝送路７に出力するものであり、活
性元素としてエルビウムを添加したエルビウム添加光フ
ァイバ（ＥＤＦ）１の入力には、融着部１０を介して、
ＷＤＭカプラ４の出力が接続されている。このＷＤＭカ
プラ４の一方の入力には、上記ＥＤＦ１に励起光を供給
するための励起用レーザ光源８が接続されていると共
に、他方の入力には、アイソレータ３の出力が接続され
ている。
【００１６】一方、上記ＥＤＦ１の出力には、融着部１
０を介して、ＷＤＭカプラ５の一端子が接続されてお
り、このＷＤＭカプラ５の他方の入力には、上記ＥＤＦ
１に励起光を供給するための励起用レーザ光源９が接続
されていると共に、カプラ５の出力には、アイソレータ
６の入力が接続されている。
０を介して、ＷＤＭカプラ５の一端子が接続されてお
り、このＷＤＭカプラ５の他方の入力には、上記ＥＤＦ
１に励起光を供給するための励起用レーザ光源９が接続
されていると共に、カプラ５の出力には、アイソレータ
６の入力が接続されている。
【００１７】上記アイソレータ３，６は、光を一方向に
のみ透過させるものであって、アイソレータ３は、光フ
ァイバ伝送路２側からＥＤＦ１側への方向には光を通過
させるが、その逆方向には光を通過させないものであ
り、アイソレータ６は、ＥＤＦ１側から光ファイバ伝送
路７側への方向には光を通過させるが、その逆方向には
光を通過させないものである。
のみ透過させるものであって、アイソレータ３は、光フ
ァイバ伝送路２側からＥＤＦ１側への方向には光を通過
させるが、その逆方向には光を通過させないものであ
り、アイソレータ６は、ＥＤＦ１側から光ファイバ伝送
路７側への方向には光を通過させるが、その逆方向には
光を通過させないものである。
【００１８】また、上記ＷＤＭカプラ４は、励起用レー
ザ光源８からの励起光をＥＤＦ１側へ出力すると共に、
アイソレータ３を透過した信号光を入力してＥＤＦ１側
へ通過させる。また、上記ＷＤＭカプラ５は、励起用レ
ーザ光源９からの励起光をＥＤＦ１に出力すると共に、
ＥＤＦ１で増幅された信号光を入力してアイソレータ６
へ通過させる。
ザ光源８からの励起光をＥＤＦ１側へ出力すると共に、
アイソレータ３を透過した信号光を入力してＥＤＦ１側
へ通過させる。また、上記ＷＤＭカプラ５は、励起用レ
ーザ光源９からの励起光をＥＤＦ１に出力すると共に、
ＥＤＦ１で増幅された信号光を入力してアイソレータ６
へ通過させる。
【００１９】上記ＥＤＦ１は、上記励起用レーザ光源
８，９からの励起光（波長１．４８μｍ帯）により双方
向励起され、これにより反転分布が形成される。そし
て、この反転分布が形成されている時に、多波長信号光
（波長１．５８μｍ帯：各信号光の中心波長が略１５７
０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲内にある複数の信号光）
が入力すると、その信号光を一括増幅して出力する。
８，９からの励起光（波長１．４８μｍ帯）により双方
向励起され、これにより反転分布が形成される。そし
て、この反転分布が形成されている時に、多波長信号光
（波長１．５８μｍ帯：各信号光の中心波長が略１５７
０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲内にある複数の信号光）
が入力すると、その信号光を一括増幅して出力する。
【００２０】このＥＤＦ１は、ホストガラスを石英系ガ
ラスとしたものであり、この石英系ガラスは、信頼性が
高く且つ製造コストが安いという特性を有している。
ラスとしたものであり、この石英系ガラスは、信頼性が
高く且つ製造コストが安いという特性を有している。
【００２１】当該ＥＤＦ１は、図２に示すように、所定
の基準軸１ｃに沿って伸び（紙面に垂直な方向に伸
び）、屈折率ｎ1を有するコア領域１ａと、当該コア領
域１ａの外周に設けられ、屈折率ｎ2（＜ｎ1）を有する
クラッド領域１ｂと、後述の所定領域（所定位置）にＥ
ｒが添加されたＥｒ（エルビウム）層１２と、から構成
されており、利得平坦化の目的で、上記Ｅｒ層１２と同
じ領域にさらにＡｌ（アルミニウム）が所定量添加され
ている。
の基準軸１ｃに沿って伸び（紙面に垂直な方向に伸
び）、屈折率ｎ1を有するコア領域１ａと、当該コア領
域１ａの外周に設けられ、屈折率ｎ2（＜ｎ1）を有する
クラッド領域１ｂと、後述の所定領域（所定位置）にＥ
ｒが添加されたＥｒ（エルビウム）層１２と、から構成
されており、利得平坦化の目的で、上記Ｅｒ層１２と同
じ領域にさらにＡｌ（アルミニウム）が所定量添加され
ている。
【００２２】上記Ｅｒ層１２は、図２に示すように、そ
の軸心がコア領域１ａの軸心１ｃと同軸の断面円形状と
なっている。
の軸心がコア領域１ａの軸心１ｃと同軸の断面円形状と
なっている。
【００２３】特に、本実施形態においては、上記Ｅｒ層
１２は、短尺化を図るべく、コア領域１ａ及びクラッド
領域１ｂ、すなわちコア領域１ａの外側部分まで拡大さ
れている。
１２は、短尺化を図るべく、コア領域１ａ及びクラッド
領域１ｂ、すなわちコア領域１ａの外側部分まで拡大さ
れている。
【００２４】このＥＤＦ１における信号光強度分布及び
添加Ｅｒ濃度分布を示したのが図３であり、この図にお
いて、横軸はＥＤＦ１の縦断面における半径方向位置を
表し、縦軸は信号光光強度と添加Ｅｒ濃度をともに表し
ている。図３より明らかなように、コア領域１ａの外側
部分までＥｒが添加されている。
添加Ｅｒ濃度分布を示したのが図３であり、この図にお
いて、横軸はＥＤＦ１の縦断面における半径方向位置を
表し、縦軸は信号光光強度と添加Ｅｒ濃度をともに表し
ている。図３より明らかなように、コア領域１ａの外側
部分までＥｒが添加されている。
【００２５】なお、Ｅｒ層１２は、本実施形態において
は、より好ましいとして、その軸心がコア領域１ａの軸
心１ｃと同軸の断面円形状となっているが、必ずしも断
面円形状でなくても良く、またコア領域１ａの軸心１ｃ
と同軸でなくても良い。
は、より好ましいとして、その軸心がコア領域１ａの軸
心１ｃと同軸の断面円形状となっているが、必ずしも断
面円形状でなくても良く、またコア領域１ａの軸心１ｃ
と同軸でなくても良い。
【００２６】斯くの如く構成されたＥＤＦＡは、以下の
ように作用する。すなわち、図１を参照すれば、励起用
レーザ光源８から出力された励起光がＷＤＭカプラ４を
介してＥＤＦ１に供給され、また励起用レーザ光源９か
ら出力された励起光がＷＤＭカプラ５を介して上記ＥＤ
Ｆ１に供給されている時に、半導体レーザから光ファイ
バ伝送路２を伝送されてきた多波長信号光がＥＤＦＡに
入力すると、その多波長信号光はアイソレータ３を通過
し、ＥＤＦ１に入力して一括増幅される。続いて、この
ＥＤＦ１から出力された多波長信号光は、ＷＤＭカプラ
５、アイソレータ６を順次通過し、光ファイバ伝送路７
に出力される。
ように作用する。すなわち、図１を参照すれば、励起用
レーザ光源８から出力された励起光がＷＤＭカプラ４を
介してＥＤＦ１に供給され、また励起用レーザ光源９か
ら出力された励起光がＷＤＭカプラ５を介して上記ＥＤ
Ｆ１に供給されている時に、半導体レーザから光ファイ
バ伝送路２を伝送されてきた多波長信号光がＥＤＦＡに
入力すると、その多波長信号光はアイソレータ３を通過
し、ＥＤＦ１に入力して一括増幅される。続いて、この
ＥＤＦ１から出力された多波長信号光は、ＷＤＭカプラ
５、アイソレータ６を順次通過し、光ファイバ伝送路７
に出力される。
【００２７】このとき、本実施形態においては、エルビ
ウム添加光ファイバ飽和手段として、励起用レーザ光源
８，９からの励起光を弱めてＥＤＦ１を強く飽和させる
励起光調整手段を用いている。この励起光調整手段は、
例えば、励起用レーザ光源８，９にコントローラ８ａ，
９ａを設けて当該コントローラ８ａ，９ａにより電流を
調整して励起光を最適化するというものであり、これに
より、上記ＥＤＦ１が強く飽和し（ＥＤＦ１の長手方向
に平均化した反転分布が低下し）、１．５８μｍ帯の波
長の範囲において、利得を平坦化した光増幅を行うこと
ができる。ここで、本実施形態においては、ＥＤＦ１の
長手方向に平均化した反転分布が４０％程度に最適化し
ている。なお、反転分布の定義式は以下の式（１）で表
される。
ウム添加光ファイバ飽和手段として、励起用レーザ光源
８，９からの励起光を弱めてＥＤＦ１を強く飽和させる
励起光調整手段を用いている。この励起光調整手段は、
例えば、励起用レーザ光源８，９にコントローラ８ａ，
９ａを設けて当該コントローラ８ａ，９ａにより電流を
調整して励起光を最適化するというものであり、これに
より、上記ＥＤＦ１が強く飽和し（ＥＤＦ１の長手方向
に平均化した反転分布が低下し）、１．５８μｍ帯の波
長の範囲において、利得を平坦化した光増幅を行うこと
ができる。ここで、本実施形態においては、ＥＤＦ１の
長手方向に平均化した反転分布が４０％程度に最適化し
ている。なお、反転分布の定義式は以下の式（１）で表
される。
【００２８】 反転分布＝Ｎ2／（Ｎ1＋Ｎ2） …（１） 但し、Ｎ1は基底準位のＥｒ密度をＥＤＦの長手方向に
平均化したもの Ｎ2は励起準位のＥｒ密度をＥＤＦの長手方向に平均化
したもの また、ＥＤＦ１を強く飽和させる他の方法としては、例
えば、従来例１で説明したダミー信号光を入射させる等
の方法がある。
平均化したもの Ｎ2は励起準位のＥｒ密度をＥＤＦの長手方向に平均化
したもの また、ＥＤＦ１を強く飽和させる他の方法としては、例
えば、従来例１で説明したダミー信号光を入射させる等
の方法がある。
【００２９】次に、上記ＥＤＦＡの利得Ｇについて説明
する。上記ＥＤＦＡの利得Ｇは以下の式（２）で表され
る。
する。上記ＥＤＦＡの利得Ｇは以下の式（２）で表され
る。
【００３０】 Ｇ＝ζ・（σe・Ｎ2−σa・Ｎ1）・Ｌ−α・Ｌ …（２） 但し、ζは信号光とＥｒ添加部分との重なりを表す閉じ
込め係数 σeは誘導放出断面積 σaは吸収断面積 Ｎ1は基底準位のＥｒ密度をＥＤＦの長手方向に平均化
したもの Ｎ2は励起準位のＥｒ密度をＥＤＦの長手方向に平均化
したもの ＬはＥＤＦの長さ αは単位長さ当たりの背景損失である。
込め係数 σeは誘導放出断面積 σaは吸収断面積 Ｎ1は基底準位のＥｒ密度をＥＤＦの長手方向に平均化
したもの Ｎ2は励起準位のＥｒ密度をＥＤＦの長手方向に平均化
したもの ＬはＥＤＦの長さ αは単位長さ当たりの背景損失である。
【００３１】ここで、従来技術では、上記利得Ｇを増や
すために、上記ＥＤＦの長さＬを大きくするようにして
いたが、本実施形態では、ＥＤＦの長さＬを大きくする
ことなくＥｒ添加部分の直径（以下Ｅｒ添加径と記す）
を広げ、これにより、上記信号光及び励起光とＥｒ添加
部分との重なりを表す閉じ込め係数ζを大きくして、上
記利得Ｇを増やすようにしている。
すために、上記ＥＤＦの長さＬを大きくするようにして
いたが、本実施形態では、ＥＤＦの長さＬを大きくする
ことなくＥｒ添加部分の直径（以下Ｅｒ添加径と記す）
を広げ、これにより、上記信号光及び励起光とＥｒ添加
部分との重なりを表す閉じ込め係数ζを大きくして、上
記利得Ｇを増やすようにしている。
【００３２】本発明者は、上記作用・効果を確認すべ
く、以下の条件で、図１に示したＥＤＦＡを動作させ
た。すなわち、励起光の波長を１．４８μｍ帯として、
双方向からＥＤＦ１に対して２００ｍＷづつの励起光パ
ワーで供給する一方で、信号光の波長を１５６８、１５
７０、１５７２、１５７４ｎｍの２ｎｍ刻みの４波ＷＤ
Ｍ信号とすると共に、信号光入力を−１０ｄＢｍ／ｃｈ
×４波、すなわちトータル信号光入力を−４ｄＢｍと
し、さらに上記ＷＤＭカプラ４，５として、１．４８／
１．５５μｍＷＤＭカプラを用いた。
く、以下の条件で、図１に示したＥＤＦＡを動作させ
た。すなわち、励起光の波長を１．４８μｍ帯として、
双方向からＥＤＦ１に対して２００ｍＷづつの励起光パ
ワーで供給する一方で、信号光の波長を１５６８、１５
７０、１５７２、１５７４ｎｍの２ｎｍ刻みの４波ＷＤ
Ｍ信号とすると共に、信号光入力を−１０ｄＢｍ／ｃｈ
×４波、すなわちトータル信号光入力を−４ｄＢｍと
し、さらに上記ＷＤＭカプラ４，５として、１．４８／
１．５５μｍＷＤＭカプラを用いた。
【００３３】また、上記ＥＤＦ１としては、以下の表１
に示す諸元のＥＤＦを用いた。
に示す諸元のＥＤＦを用いた。
【００３４】
【表１】
【００３５】なお、表１に示す信号光のモードフィール
ド径（ＭＦＤ）は、波長１５７０ｎｍにおけるものであ
る。また、一般にＭＦＤは、波長にほぼ正比例するの
で、励起光のＭＦＤは、信号光の波長を１５７０ｎｍと
すると、信号光のＭＦＤの１．４８／１．５７倍で与え
られ、この値は、信号光のＭＦＤよりも小さい。
ド径（ＭＦＤ）は、波長１５７０ｎｍにおけるものであ
る。また、一般にＭＦＤは、波長にほぼ正比例するの
で、励起光のＭＦＤは、信号光の波長を１５７０ｎｍと
すると、信号光のＭＦＤの１．４８／１．５７倍で与え
られ、この値は、信号光のＭＦＤよりも小さい。
【００３６】図４及び図５は、Ｅｒ添加径を最大８μｍ
まで変化させた時の最大信号光出力と、ＥＤＦ長との関
係を表したものであり、図４にＥｒ添加径と最大信号光
出力との関係を、図５にＥｒ添加径とＥＤＦ長との関係
を、それぞれ示す。上記最大信号光出力とは、あるＥｒ
添加径のＥＤＦに対して一定の信号光入力と励起光入力
とを与えて、ＥＤＦの長さを変化させた時の光出力の最
大値のことであり、上記ＥＤＦ長とは、上記最大信号光
出力を得るのに必要なＥＤＦの長さのことである。
まで変化させた時の最大信号光出力と、ＥＤＦ長との関
係を表したものであり、図４にＥｒ添加径と最大信号光
出力との関係を、図５にＥｒ添加径とＥＤＦ長との関係
を、それぞれ示す。上記最大信号光出力とは、あるＥｒ
添加径のＥＤＦに対して一定の信号光入力と励起光入力
とを与えて、ＥＤＦの長さを変化させた時の光出力の最
大値のことであり、上記ＥＤＦ長とは、上記最大信号光
出力を得るのに必要なＥＤＦの長さのことである。
【００３７】ここで、通常のＡｌ添加石英系ＥＤＦ（従
来例２に記載のもの）では、Ｅｒ添加径が１．０〜１．
４μｍ程度である。従って、上記動作条件では、図５に
示すように、４５ｍを越えるＥＤＦ長が必要となる。特
に、Ｅｒ添加径を１．０μｍとした場合には、図５に示
すように、１００ｍを越えるＥＤＦ長が必要となる。こ
のとき、７．５ｄＢ／ｋｍ程度の背景損失の影響が現れ
るため、ＥＤＦＡとしての最大信号光出力は、図４に示
すように、低い値となっている。
来例２に記載のもの）では、Ｅｒ添加径が１．０〜１．
４μｍ程度である。従って、上記動作条件では、図５に
示すように、４５ｍを越えるＥＤＦ長が必要となる。特
に、Ｅｒ添加径を１．０μｍとした場合には、図５に示
すように、１００ｍを越えるＥＤＦ長が必要となる。こ
のとき、７．５ｄＢ／ｋｍ程度の背景損失の影響が現れ
るため、ＥＤＦＡとしての最大信号光出力は、図４に示
すように、低い値となっている。
【００３８】一方、図５に示すように、Ｅｒ添加径を広
げれば、ＥＤＦ長を低減できるというのが判る。特に、
Ｅｒ添加径を信号光のＭＦＤと同程度まで広げると、図
５に示すように、ＥＤＦ長は９ｍ程度となり、通常のＡ
ｌ添加石英系ＥＤＦ長の１／５以下となる。これは、従
来例２で説明した、通常のＡｌ添加石英系ＥＤＦに対し
てホストガラスをフッ化物ガラスとした場合と比較して
も、同比率の改善となっている。
げれば、ＥＤＦ長を低減できるというのが判る。特に、
Ｅｒ添加径を信号光のＭＦＤと同程度まで広げると、図
５に示すように、ＥＤＦ長は９ｍ程度となり、通常のＡ
ｌ添加石英系ＥＤＦ長の１／５以下となる。これは、従
来例２で説明した、通常のＡｌ添加石英系ＥＤＦに対し
てホストガラスをフッ化物ガラスとした場合と比較して
も、同比率の改善となっている。
【００３９】すなわち、Ｅｒ添加径を信号光のＭＦＤと
同程度まで広げれば、信頼性に劣ると共に製造コストの
高いフッ化物ＥＤＦを用いることなく、通常の実用性に
優れた石英系ＥＤＦであっても、ＥＤＦ長をフッ化物Ｅ
ＤＦと同程度に短くすることができることになる。さら
にＥｒ添加径を広げれば、図５に示すように、未だ若干
ＥＤＦを短縮することが可能である。
同程度まで広げれば、信頼性に劣ると共に製造コストの
高いフッ化物ＥＤＦを用いることなく、通常の実用性に
優れた石英系ＥＤＦであっても、ＥＤＦ長をフッ化物Ｅ
ＤＦと同程度に短くすることができることになる。さら
にＥｒ添加径を広げれば、図５に示すように、未だ若干
ＥＤＦを短縮することが可能である。
【００４０】そして、このように、Ｅｒ添加径を広げる
ことにより上記係数ζを大きくし、上記利得Ｇを大きく
すれば、ＥＤＦを短尺化できるため、上記背景損失の影
響α・Ｌを低減できる（上記式（２）参照）。従って、
従来技術のようにＥＤＦの長さＬを大きくすることによ
り上記利得Ｇを増やすのに比して、背景損失の影響α・
Ｌを抑えることができる分、さらに有利である。
ことにより上記係数ζを大きくし、上記利得Ｇを大きく
すれば、ＥＤＦを短尺化できるため、上記背景損失の影
響α・Ｌを低減できる（上記式（２）参照）。従って、
従来技術のようにＥＤＦの長さＬを大きくすることによ
り上記利得Ｇを増やすのに比して、背景損失の影響α・
Ｌを抑えることができる分、さらに有利である。
【００４１】因みに、Ｅｒ添加濃度は、現状の製造プロ
セスでは、上記表１に示した値がほぼ限界に当たる濃度
である。また、このＥｒ添加濃度としては、製造上の実
績を考慮すると、１０００ｐｐｍ前後が望ましい。
セスでは、上記表１に示した値がほぼ限界に当たる濃度
である。また、このＥｒ添加濃度としては、製造上の実
績を考慮すると、１０００ｐｐｍ前後が望ましい。
【００４２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であるというのはいうまでもなく、
例えば、上記実施形態においては、ＥＤＦＡを、ＥＤＦ
１の入力側及び出力側の両方から励起光を供給する双方
向励起型としているが、例えば励起用レーザ光源９及び
ＷＤＭカプラ５の無い前方励起や励起用レーザ光源８及
びＷＤＭカプラ４の無い後方励起に対しても同様に適用
できる。
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であるというのはいうまでもなく、
例えば、上記実施形態においては、ＥＤＦＡを、ＥＤＦ
１の入力側及び出力側の両方から励起光を供給する双方
向励起型としているが、例えば励起用レーザ光源９及び
ＷＤＭカプラ５の無い前方励起や励起用レーザ光源８及
びＷＤＭカプラ４の無い後方励起に対しても同様に適用
できる。
【００４３】また、光通信システムでは、シングルモー
ド光ファイバが主流なため、本発明のＥＤＦＡを、シン
グルモード光ファイバの光通信システムに適用するのが
好適であるが、マルチモード光ファイバの光通信システ
ムに対しても適用できる。
ド光ファイバが主流なため、本発明のＥＤＦＡを、シン
グルモード光ファイバの光通信システムに適用するのが
好適であるが、マルチモード光ファイバの光通信システ
ムに対しても適用できる。
【００４４】なお、特開平４−２０９３８号公報には、
活性元素イオンが主として光ファイバのクラッドにドー
プされているものの開示があり、また特開平３−２８９
６３３号公報には、活性元素が主として光ファイバのコ
アとクラッドの境界近傍にドープされているものの開示
があり、また特開平４ー１９９０３１号公報には、光フ
ァイバのクラッドに希土類元素をドープした時でも、一
定程度の光増幅ができるという開示があるが、これら
は、コア領域及びクラッド領域の双方にエルビウムを添
加すると共にエルビウム添加光ファイバを飽和させるこ
とによって、エルビウム添加光ファイバを短尺化すると
共に実用性に優れたものとしつつ、信号光の波長略１５
７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲において、所望の平坦
化した増幅器利得を得ることができるという本発明と
は、全く異なるものである。
活性元素イオンが主として光ファイバのクラッドにドー
プされているものの開示があり、また特開平３−２８９
６３３号公報には、活性元素が主として光ファイバのコ
アとクラッドの境界近傍にドープされているものの開示
があり、また特開平４ー１９９０３１号公報には、光フ
ァイバのクラッドに希土類元素をドープした時でも、一
定程度の光増幅ができるという開示があるが、これら
は、コア領域及びクラッド領域の双方にエルビウムを添
加すると共にエルビウム添加光ファイバを飽和させるこ
とによって、エルビウム添加光ファイバを短尺化すると
共に実用性に優れたものとしつつ、信号光の波長略１５
７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲において、所望の平坦
化した増幅器利得を得ることができるという本発明と
は、全く異なるものである。
【００４５】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り本発明の光フ
ァイバ増幅器は、エルビウム添加光ファイバ飽和手段に
よって、エルビウム添加光ファイバを強く飽和させるた
め、信号光の波長略１５７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範
囲において、利得を平坦化した光増幅を行なうことがで
きる。このとき、コア領域及びクラッド領域の双方にエ
ルビウムを添加しているため、信号光とエルビウム添加
部分との重なり合う部分が大きくなる。このため、単位
長さ当たりの利得が増え、エルビウム添加光ファイバの
長さを長くして利得の増加を図るという必要がない。そ
の結果、エルビウム添加光ファイバの短尺化を図り得る
と共に、エルビウム添加光ファイバの長さの短尺化を図
るべくホストガラスに例えばフッ化物ガラスを用いると
いう必要がなく、エルビウム添加光ファイバを実用性に
優れたものとし得るようになっている。すなわち、短尺
化されると共に実用性に優れたエルビウム添加光ファイ
バを備えて、所望の平坦化した利得を得ることができる
光ファイバ増幅器を提供することができる。
ァイバ増幅器は、エルビウム添加光ファイバ飽和手段に
よって、エルビウム添加光ファイバを強く飽和させるた
め、信号光の波長略１５７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範
囲において、利得を平坦化した光増幅を行なうことがで
きる。このとき、コア領域及びクラッド領域の双方にエ
ルビウムを添加しているため、信号光とエルビウム添加
部分との重なり合う部分が大きくなる。このため、単位
長さ当たりの利得が増え、エルビウム添加光ファイバの
長さを長くして利得の増加を図るという必要がない。そ
の結果、エルビウム添加光ファイバの短尺化を図り得る
と共に、エルビウム添加光ファイバの長さの短尺化を図
るべくホストガラスに例えばフッ化物ガラスを用いると
いう必要がなく、エルビウム添加光ファイバを実用性に
優れたものとし得るようになっている。すなわち、短尺
化されると共に実用性に優れたエルビウム添加光ファイ
バを備えて、所望の平坦化した利得を得ることができる
光ファイバ増幅器を提供することができる。
【００４６】また、エルビウム添加範囲を広げることに
より単位長さ当たりの利得を増やすようにすれば、短尺
化が図られると共に、この短尺化により背景損失の影響
が低減されるようになる。このため、従来技術のように
エルビウム添加光ファイバの長さを長くすることにより
利得を増やす場合に比して、短尺化により背景損失の影
響が抑えられる分、本発明の光ファイバ増幅器は、さら
に有利である。
より単位長さ当たりの利得を増やすようにすれば、短尺
化が図られると共に、この短尺化により背景損失の影響
が低減されるようになる。このため、従来技術のように
エルビウム添加光ファイバの長さを長くすることにより
利得を増やす場合に比して、短尺化により背景損失の影
響が抑えられる分、本発明の光ファイバ増幅器は、さら
に有利である。
【図１】本発明に係る光ファイバ増幅器を表した構成図
である。
である。
【図２】図１中のエルビウム添加光ファイバを表した断
面図である。
面図である。
【図３】エルビウム添加光ファイバにおける信号光強度
及び添加エルビウム濃度を表した分布図である。
及び添加エルビウム濃度を表した分布図である。
【図４】エルビウム添加径と最大信号光出力との関係を
表した特性図である。
表した特性図である。
【図５】エルビウム添加径と最大信号光出力を得るのに
必要なエルビウム添加光ファイバ長との関係を表した特
性図である。
必要なエルビウム添加光ファイバ長との関係を表した特
性図である。
【図６】従来技術におけるエルビウム添加光ファイバを
表した断面図である。
表した断面図である。
【図７】従来技術のエルビウム添加光ファイバにおける
信号光強度及び添加エルビウム濃度を表した分布図であ
る。
信号光強度及び添加エルビウム濃度を表した分布図であ
る。
１…エルビウム添加光ファイバ、１ａ…コア領域、１ｂ
…クラッド領域、１ｃ…基準軸、４，５…ＷＤＭカプ
ラ、８，９…励起用光源、８ａ，９ａ…エルビウム添加
光ファイバ飽和手段、１２…エルビウム添加部。
…クラッド領域、１ｃ…基準軸、４，５…ＷＤＭカプ
ラ、８，９…励起用光源、８ａ，９ａ…エルビウム添加
光ファイバ飽和手段、１２…エルビウム添加部。
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の基準軸に沿って伸びたコア領域、
当該コア領域の外周に設けられたクラッド領域、前記コ
ア領域及び前記クラッド領域の双方にエルビウムを添加
することにより構成したエルビウム添加部を有するエル
ビウム添加光ファイバと、 このエルビウム添加光ファイバの入力側及び出力側の少
なくとも一方側に接続されたＷＤＭカプラと、 このＷＤＭカプラに接続された励起用光源と、 前記エルビウム添加光ファイバを飽和させ、信号光の波
長略１５７０ｎｍ〜略１６００ｎｍの範囲において、光
ファイバ増幅器の利得を平坦化するエルビウム添加光フ
ァイバ飽和手段と、 を具備したことを特徴とする光ファイバ増幅器。 - 【請求項２】 前記エルビウムのファイバ断面の半径方
向の分布は、入射される信号光のモードフィールド径よ
り外に及んでいることを特徴とする請求項１記載の光フ
ァイバ増幅器。 - 【請求項３】 前記エルビウム添加光ファイバを構成す
るホストガラスは、石英系ガラスであることを特徴とす
る請求項１記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項４】 前記エルビウム添加光ファイバ飽和手段
は、前記エルビウム添加光ファイバを飽和させ、当該エ
ルビウム添加光ファイバの長手方向に平均化した反転分
布を略４０％とすることを特徴とする請求項１記載の光
ファイバ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30561497A JP4075113B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 光ファイバ増幅器及びエルビウム添加光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30561497A JP4075113B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 光ファイバ増幅器及びエルビウム添加光ファイバ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145539A true JPH11145539A (ja) | 1999-05-28 |
| JP4075113B2 JP4075113B2 (ja) | 2008-04-16 |
Family
ID=17947266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30561497A Expired - Fee Related JP4075113B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 光ファイバ増幅器及びエルビウム添加光ファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4075113B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6141142A (en) * | 1999-02-19 | 2000-10-31 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising an L-Band optical fiber amplifier |
| JP2005101590A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅用ファイバ、光増幅モジュール、光通信システム及び光増幅方法 |
| JP2007179058A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Furukawa Electric North America Inc | 放物線型プロファイルを有する曲げ補償された光ファイバ |
| JP2010518632A (ja) * | 2007-02-05 | 2010-05-27 | フルカワ エレクトリック ノース アメリカ インコーポレーテッド | 信号のモードとは異なる高次モードにおける励起 |
| JP2015061079A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | オーエフエス ファイテル，エルエルシー | 利得等化数モード・ファイバ増幅器 |
| JP2017098296A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | Kddi株式会社 | 光増幅装置 |
| JP2019121712A (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | 日本電信電話株式会社 | 光増幅器の励起光パワー及び利得過渡応答の計算方法 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP30561497A patent/JP4075113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6141142A (en) * | 1999-02-19 | 2000-10-31 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising an L-Band optical fiber amplifier |
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| JP2010518632A (ja) * | 2007-02-05 | 2010-05-27 | フルカワ エレクトリック ノース アメリカ インコーポレーテッド | 信号のモードとは異なる高次モードにおける励起 |
| JP2010518634A (ja) * | 2007-02-05 | 2010-05-27 | フルカワ エレクトリック ノース アメリカ インコーポレーテッド | 信号のモードと本質的に同一である高次モードにおける励起 |
| JP2015061079A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | オーエフエス ファイテル，エルエルシー | 利得等化数モード・ファイバ増幅器 |
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| JP2019121712A (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | 日本電信電話株式会社 | 光増幅器の励起光パワー及び利得過渡応答の計算方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4075113B2 (ja) | 2008-04-16 |
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