JP2017098296A - 光増幅装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】緻密な不純物添加調整技術を必要とすることなく、利得差を抑えた光増幅が可能な光増幅装置を提供する。【解決手段】光増幅装置は、信号光を増幅するための不純物が添加された光ファイバと、励起光を生成する光源と、前記励起光を前記光ファイバのクラッドに入射し、受信する信号光を前記光ファイバのコアに入射する合波手段と、を備えており、前記不純物は、前記コア及び前記クラッドの両方に添加されている。【選択図】図2
Description
本発明は、モード多重を行う光通信システムの光増幅装置に関する。
光通信システムにおいて、1本の光ファイバでの伝送容量を拡大させるための技術の1つとしてモード多重が注目を集めている。モード多重においても、光信号を電気信号に変換することなく光信号のまま増幅を行う光増幅装置の利用が望まれている。モード多重された複数の信号光の光増幅において、各信号光の増幅利得(以下、単に利得と呼ぶ。)の差は少ないことが好ましい。ここで、光増幅において利得は、信号光の空間的な強度分布と、励起光の空間的な強度分布と、光増幅のために光ファイバに添加された不純物、例えば、エルビウム(Er)の空間的な添加分布により決定される。具体的には、これら分布がオーバラップしている所で光増幅が行われる。非特許文献1〜非特許文献3は、モード多重された信号光間の利得差を小さくするため、Erの添加分布をリング状にする構成を開示している。
N. Bai et al.,"Multimode fiber amplifier with tunable modal gain a reconfigurable multimode pump",Opt.Express 19,16601,2011年
Y.Jung et al.,"First demonstration of multimode amplifier for spatial division multiplexed transmission systems" ,ECOC2011,Th.13.K.4,2011年
E.Ip,"Gain Equalization for Few−Mode Fiber Amplifiers Beyond Two Propagating Mode Groups",IEEE Photon. Technol. Lett. 24,1933,2012年
非特許文献1から3に記載の様な不純物添加光ファイバを製造するためには、緻密な不純物添加調整技術が必要となる。また、励起光の強度分布の変換に際して大きな損失が生じるために、高効率な増幅が困難となる。
本発明は、緻密な不純物添加調整技術を必要とすることなく、利得差を抑えた光増幅が可能な光増幅装置を提供するものである。
本発明の一側面によると、光増幅装置は、信号光を増幅するための不純物が添加された光ファイバと、励起光を生成する光源と、前記励起光を前記光ファイバのクラッドに入射し、受信する信号光を前記光ファイバのコアに入射する合波手段と、を備えており、前記不純物は、前記コア及び前記クラッドの両方に添加されていることを特徴とする。
本発明によると、緻密な不純物添加調整技術を必要とすることなく、利得差を抑えた光増幅が可能になる。
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態は例示であり、本発明を実施形態の内容に限定するものではない。また、以下の各図においては、実施形態の説明に必要ではない構成要素については図から省略する。
<第一実施形態>
図1は、本実施形態による光増幅装置の構成図である。モード多重された信号光は、アイソレータ4経由で合波部1に入力される。なお、アイソレータ4は、信号光の入射方向とは逆方向に反射光等が進行することを防止するために設けられる。光源2が生成する励起光も合波部1に入力される。合波部1は、励起光を不純物添加光ファイバ3のクラッドに出力し、信号光を不純物添加光ファイバ3のコアに出力する。つまり、本実施形態による光増幅装置ではクラッド励起を行う。不純物添加光ファイバ3は、光増幅のための不純物が添加された光ファイバであり、以下の説明ではこの不純物がエルビウム(Er)であるものとする。しかしながら、本発明は、光増幅が可能な任意の不純物に対して適用できる。
図1は、本実施形態による光増幅装置の構成図である。モード多重された信号光は、アイソレータ4経由で合波部1に入力される。なお、アイソレータ4は、信号光の入射方向とは逆方向に反射光等が進行することを防止するために設けられる。光源2が生成する励起光も合波部1に入力される。合波部1は、励起光を不純物添加光ファイバ3のクラッドに出力し、信号光を不純物添加光ファイバ3のコアに出力する。つまり、本実施形態による光増幅装置ではクラッド励起を行う。不純物添加光ファイバ3は、光増幅のための不純物が添加された光ファイバであり、以下の説明ではこの不純物がエルビウム(Er)であるものとする。しかしながら、本発明は、光増幅が可能な任意の不純物に対して適用できる。
本実施形態による不純物添加光ファイバ3の屈折率分布を図2(A)に示す。図2(A)に示す様に、不純物添加光ファイバ3のコアの周囲に、コアより屈折率の低い第1クラッドを設け、さらに、第1クラッドの周囲に、第1クラッドより屈折率の低い層(以下、第2クラッドと呼ぶ。)を設ける。励起光は第1クラッドに入射され、第2クラッドにより第1クラッド及びコア内に閉じ込められながら伝搬する。また、本実施形態による不純物添加光ファイバ3におけるEr添加分布を図2(B)に示す。図2(B)に示す様に、本実施形態では、コアのみならず、第1クラッドにもエルビウムを添加する。したがって第1クラッド及びコアを伝搬する励起光は、第1クラッド及びコアに添加されたエルビウムに吸収されそのエネルギー順位を励起させる。信号光は不純物添加光ファイバ3内を伝搬する過程においてエルビウムからのエネルギーを受けて増幅が行われる。
従来では、コアのみにエルビウムを添加していた。しかしながら、本実施形態では、第1クラッドにもエルビウムを添加する。上述した様に、不純物添加光ファイバ3では、エルビウムが添加された位置において励起光と信号光が存在する場合に信号光の増幅が行われる。モード多重においては、信号光の伝搬状態、つまり、例えば、半径方向において信号光が存在する位置はモード毎に異なる。さらには、モードによって信号光は、第1クラッド領域にも漏れ出している。したがって、本実施形態では、各信号光の利得の差を小さくするためにクラッド励起として、さらに、不純物をクラッドにも添加する。この構成により、各信号光の利得の差を小さくすることができる。本実施形態では、従来技術の様に、エルビウムをリング状に添加する必要がなく、よって、製造が簡易になり、かつ、モード多重された信号光間での利得差の小さい光増幅装置を構成できる。なお、図2(B)では、第1クラッドの全域にエルビウムを添加しているが、モード多重された信号光が漏れだしてくる第1クラッドの領域を含む範囲においてエルビウムを添加する構成であっても良い。
図4は、エルビウムの添加範囲と、信号光間での利得差(δG)との関係を示している。なお、コアの半径を3μmとし、第1クラッドの半径を67.5μmとし、コアと第1クラッドとの屈折率の差を1%とした。この場合、6つのモードの信号光を伝送可能である。さらに、エルビウムは、コアの中心から横軸で示す半径の範囲において500ppmの濃度で添加した。図4に示す様に、エルビウムを添加する範囲を増加させると信号光間の利得差が減少するのが分かる。なお、半径6.6μmで極小値となり、その後、一旦増加する。しかしながら、図4では示していないが、その後、利得差は一定値に収束する。半径6.6μmで極小値となるのは、各信号光の強度分布の空間的な位置と、エルビウムの添加範囲と、励起光の微妙なバランスによるものである。
<第二実施形態>
続いて、第二実施形態について第一実施形態との相違点を中心に説明する。本実施形態の光増幅装置の構成は図1と同様であり、コアと、第1クラッドと、第2クラッドを設けることについても第一実施形態と同様である。しかしながら、本実施形態では、図3に示す様に、コアに対するエルビウムの添加濃度を、第1クラッドに対するエルビウムの添加濃度よりも高くする。
続いて、第二実施形態について第一実施形態との相違点を中心に説明する。本実施形態の光増幅装置の構成は図1と同様であり、コアと、第1クラッドと、第2クラッドを設けることについても第一実施形態と同様である。しかしながら、本実施形態では、図3に示す様に、コアに対するエルビウムの添加濃度を、第1クラッドに対するエルビウムの添加濃度よりも高くする。
図5は、第1クラッドには、その全体に濃度d1=500ppmでエルビウムを添加し、コアに添加する濃度d2を変化させたときの信号光間での利得差を示している。なお、使用する光フィアバは図4で説明したのと同様である。図5に示す様に、濃度d2が1900ppmのとき、つまり、d2/d1=3.8のときに利得差が最小値となる。なお、上記各数値は例示であり、使用する光ファイバや、多重するモード数によりそれぞれ最適の値が存在する。さらに、最適な値にて使用する必要はなく、第1クラッドに添加する不純物の濃度とその範囲、コアに添加する不純物の濃度については、実際のシステムの要求条件により決定すれば良い。また、本実施形態の構成は、コアに添加する不純物の濃度がクラッドに添加する不純物の濃度より高ければ良く、例えば、コアにおいては、その中心に向かうほど濃度を高くする構成であっても良い。さらに、濃度を増加させる位置は、第1クラッドとコアとの境界とするが、第1クラッドとコアとの境界より第1クラッド側から増加させる構成であっても良い。
Claims (7)
- 信号光を増幅するための不純物が添加された光ファイバと、
励起光を生成する光源と、
前記励起光を前記光ファイバのクラッドに入射し、受信する信号光を前記光ファイバのコアに入射する合波手段と、
を備えており、
前記不純物は、前記コア及び前記クラッドの両方に添加されていることを特徴とする光増幅装置。 - 前記不純物が添加される前記クラッドの領域は、少なくとも、前記信号光が前記コアから漏れだす領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の光増幅装置。
- 前記コアに添加される前記不純物の濃度は、前記クラッドに添加される前記不純物の濃度以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光増幅装置。
- 前記コアに添加される前記不純物の濃度は、前記クラッドに添加される前記不純物の濃度より高いことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光増幅装置。
- 前記コアの中心に添加される前記不純物の濃度は、前記クラッドに添加される前記不純物の濃度より高いことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光増幅装置。
- 前記不純物はエルビウムであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の光増幅装置。
- 前記光ファイバは前記クラッドの周囲に前記クラッドより屈折率の低い層を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の光増幅装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04245690A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ増幅器 |
JPH11145539A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ増幅器 |
US6483974B1 (en) * | 2000-10-24 | 2002-11-19 | Jds Uniphase Corporation | Optical fiber with improved cross-sectional profile and optical gain media using same |
JP2005503008A (ja) * | 2001-09-10 | 2005-01-27 | カール−ツァイス−シュティフトゥング | 少なくとも2層のガラスクラッドを有するガラスファイバ |
JP2015061079A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | オーエフエス ファイテル,エルエルシー | 利得等化数モード・ファイバ増幅器 |
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2015
- 2015-11-18 JP JP2015225612A patent/JP2017098296A/ja active Pending
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