JPH05313034A - 低損失希土類元素添加光導波路およびその製造方法 - Google Patents
低損失希土類元素添加光導波路およびその製造方法Info
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- JPH05313034A JPH05313034A JP12210692A JP12210692A JPH05313034A JP H05313034 A JPH05313034 A JP H05313034A JP 12210692 A JP12210692 A JP 12210692A JP 12210692 A JP12210692 A JP 12210692A JP H05313034 A JPH05313034 A JP H05313034A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/24—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with nitrogen, e.g. silicon oxy-nitride glasses
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比屈折率差を大きくとれ、低損失化を図るこ
とを可能とする。 【構成】 屈折率がｎW の略矩形状のコア１８の外周を
屈折率がｎC （ｎC ＜ｎW ）のクラッド１９で覆った光
導波路において、上記コア１８の材質に希土類元素イオ
ンを含有したＳｉＯX ＮY ＨZ （ｘ，ｙ＞０，ｚ≧０の
実数）を用いたことを特徴としている。
とを可能とする。 【構成】 屈折率がｎW の略矩形状のコア１８の外周を
屈折率がｎC （ｎC ＜ｎW ）のクラッド１９で覆った光
導波路において、上記コア１８の材質に希土類元素イオ
ンを含有したＳｉＯX ＮY ＨZ （ｘ，ｙ＞０，ｚ≧０の
実数）を用いたことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低損失で高比屈折率差特
性を実現することができる希土類元素添加光導波路およ
びその製造方法に関するものである。
性を実現することができる希土類元素添加光導波路およ
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガラス導波路のコア内に希土類元素を添
加することにより、レーザや光増幅器を実現しようとす
る研究開発が注目されるようになってきた。
加することにより、レーザや光増幅器を実現しようとす
る研究開発が注目されるようになってきた。
【０００３】図６はガラス導波路のコア内に希土類元素
を添加する方法の従来例を示したものである。これは、
（ａ）基板２１上へのバッファ用ガラス多孔質膜２２の
形成、そのバッファ用多孔質膜２２上へのコア用ガラス
多孔質膜２３の形成、及びそのコア用ガラス多孔質膜２
３への希土類元素の添加、（ｂ）ガラス多孔質の加熱透
明化によるバッファ層２４及びコア層２５の形成、
（ｃ）コア層２５上へのコアマスク２６の形成、（ｄ）
コアマスク２６をマスクしたエッチングによるコア２７
の形成、（ｅ）クラッド２８となるガラス多孔質膜２９
の形成、（ｆ）その加熱透明化によるクラッド層２８の
形成、の各工程からなる。すなわち、光が伝搬するコア
２７と該コア２７の周りにクラッド層２８を有するガラ
ス光導波路膜を基板２１上に形成させる工程で得られる
基板２１上のコア用ガラス多孔質膜２２を、希土類元素
と遷移金属元素から選ばれた１種類以上の元素を含む溶
液中に液浸し、該元素をコア用ガラス多孔質膜２３に所
定濃度に添加させ、乾燥，焼結後、フォトリソグラフ
ィ，ドライエッチングプロセスによりコア２７表面上に
クラッド層２８を堆積させてレーザ用、あるいは光増幅
器用希土類元素添加ガラス導波路を得る方法である（特
開平２−２５０８３号公報）。
を添加する方法の従来例を示したものである。これは、
（ａ）基板２１上へのバッファ用ガラス多孔質膜２２の
形成、そのバッファ用多孔質膜２２上へのコア用ガラス
多孔質膜２３の形成、及びそのコア用ガラス多孔質膜２
３への希土類元素の添加、（ｂ）ガラス多孔質の加熱透
明化によるバッファ層２４及びコア層２５の形成、
（ｃ）コア層２５上へのコアマスク２６の形成、（ｄ）
コアマスク２６をマスクしたエッチングによるコア２７
の形成、（ｅ）クラッド２８となるガラス多孔質膜２９
の形成、（ｆ）その加熱透明化によるクラッド層２８の
形成、の各工程からなる。すなわち、光が伝搬するコア
２７と該コア２７の周りにクラッド層２８を有するガラ
ス光導波路膜を基板２１上に形成させる工程で得られる
基板２１上のコア用ガラス多孔質膜２２を、希土類元素
と遷移金属元素から選ばれた１種類以上の元素を含む溶
液中に液浸し、該元素をコア用ガラス多孔質膜２３に所
定濃度に添加させ、乾燥，焼結後、フォトリソグラフ
ィ，ドライエッチングプロセスによりコア２７表面上に
クラッド層２８を堆積させてレーザ用、あるいは光増幅
器用希土類元素添加ガラス導波路を得る方法である（特
開平２−２５０８３号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レーザや光
増幅器を実現するためには、光導波路が低損失であるこ
と、コアとクラッドとの屈折率差（即ち、比屈折率差
Δ）を大きくとれることなどが必要である。しかし、前
述の方法では次のような問題点があり、高効率なレーザ
や光増幅器を実現することが難しい。
増幅器を実現するためには、光導波路が低損失であるこ
と、コアとクラッドとの屈折率差（即ち、比屈折率差
Δ）を大きくとれることなどが必要である。しかし、前
述の方法では次のような問題点があり、高効率なレーザ
や光増幅器を実現することが難しい。
【０００５】(1) 前述の方法でレーザや光増幅器を得る
には、コアの屈折率を高めるために屈折率制御用添加物
を多量に含有させるが、実現可能な比屈折率差Δは最大
１％が限界である。それ以上の値を実現しようとして
も、焼結プロセス時に上記添加物が揮散してしまう。ま
た、熱膨張係数の差が大きくなり、基板に反りが生じて
しまい、高寸法制度の光導波路のパターンを加工するこ
とが難しい。
には、コアの屈折率を高めるために屈折率制御用添加物
を多量に含有させるが、実現可能な比屈折率差Δは最大
１％が限界である。それ以上の値を実現しようとして
も、焼結プロセス時に上記添加物が揮散してしまう。ま
た、熱膨張係数の差が大きくなり、基板に反りが生じて
しまい、高寸法制度の光導波路のパターンを加工するこ
とが難しい。
【０００６】(2) 屈折率制御用添加物を多量に添加する
と、コアをドライエッチングプロセスにより凸状パター
ンに加工する際に、ＳｉＯ2 と上記添加物とのエッチン
グ速度の違いによってコア側面が凹凸にエッチング荒れ
を生じ、低損失化が難しいことがわかった。
と、コアをドライエッチングプロセスにより凸状パター
ンに加工する際に、ＳｉＯ2 と上記添加物とのエッチン
グ速度の違いによってコア側面が凹凸にエッチング荒れ
を生じ、低損失化が難しいことがわかった。
【０００７】本発明の目的は、前記した従来技術の課題
を解消し、比屈折率差を大きくとれ、低損失化を図るこ
とを可能にする低損失希土類元素添加光導波路およびそ
の製造方法を提供することにある。
を解消し、比屈折率差を大きくとれ、低損失化を図るこ
とを可能にする低損失希土類元素添加光導波路およびそ
の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の低損失希土類元素添加光導波路は、屈折率
がｎW の略矩形状のコアの外周を屈折率がｎCP（ｐ＝
１，２，…，ｎCP＜ｎW ）のクラッドで覆った光導波路
において、上記コアの材質に希土類元素イオンを含有し
たＳｉＯX ＮY ＨZ （ｘ，ｙ＞０，ｚ≧０の実数）を用
いたものである。また前記コア内にＧｅＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，Ｐ2 Ｏ5 などの酸化物を少なくとも１種添加させる
ことが望ましく、さらに前記クラッドを材質あるいは屈
折率の異なった２層以上の複数層にすることが望まし
い。
に、本発明の低損失希土類元素添加光導波路は、屈折率
がｎW の略矩形状のコアの外周を屈折率がｎCP（ｐ＝
１，２，…，ｎCP＜ｎW ）のクラッドで覆った光導波路
において、上記コアの材質に希土類元素イオンを含有し
たＳｉＯX ＮY ＨZ （ｘ，ｙ＞０，ｚ≧０の実数）を用
いたものである。また前記コア内にＧｅＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，Ｐ2 Ｏ5 などの酸化物を少なくとも１種添加させる
ことが望ましく、さらに前記クラッドを材質あるいは屈
折率の異なった２層以上の複数層にすることが望まし
い。
【０００９】また、本発明の低損失希土類元素添加光導
波路の製造方法は、屈折率がｎW よりも低い値をもつ基
板上、あるいは基板上に形成されたクラッド層上に、気
相化学蒸着により希土類元素イオンを含有した屈折率が
ｎW のコア用のＳｉＯX ＮY ＨZ 膜を形成する工程と、
そのコア膜をフォトリソグラフィ及びドライエッチング
により例えば矩形状パターンに加工する工程と、その加
工したコアパターン表面上に屈折率がｎW よりも低いク
ラッド膜を被覆する工程とからなるものである。
波路の製造方法は、屈折率がｎW よりも低い値をもつ基
板上、あるいは基板上に形成されたクラッド層上に、気
相化学蒸着により希土類元素イオンを含有した屈折率が
ｎW のコア用のＳｉＯX ＮY ＨZ 膜を形成する工程と、
そのコア膜をフォトリソグラフィ及びドライエッチング
により例えば矩形状パターンに加工する工程と、その加
工したコアパターン表面上に屈折率がｎW よりも低いク
ラッド膜を被覆する工程とからなるものである。
【００１０】コアにＳｉＯX ＮY ＨZ を主成分として用
いるので、高屈折率化はＮの含有量によって容易に制御
することができる。すなわち、Ｎの含有量が多い程、屈
折率は高くすることができ、ｙ，ｚの増大につれてｘは
減少する。屈折率が低い程、ｘはｚに近づき、ｙが減少
する。逆に、屈折率が高い程、ｙが増え、ｘは２よりも
小さくなる。Ｈは低温プラズマＣＶＤ法（温度100 〜35
0 ℃）で成膜する場合に含有され、屈折率が高い程減少
し、逆に屈折率が低い程増大するが、その含有量は0.00
1 重量％から数十重量％の範囲である。またこのＨの含
有量は、低温プラズマ雰囲気中で成膜する程多く入り、
高温になる程減少する。それゆえに、ＮとＨの含有量を
調節することにより、屈折率を制御することができる。
その値は1.458 から1.60近くまで制御することができ、
比屈折率差Δで示せば、８％近い値になり、従来の８倍
近い値になる。
いるので、高屈折率化はＮの含有量によって容易に制御
することができる。すなわち、Ｎの含有量が多い程、屈
折率は高くすることができ、ｙ，ｚの増大につれてｘは
減少する。屈折率が低い程、ｘはｚに近づき、ｙが減少
する。逆に、屈折率が高い程、ｙが増え、ｘは２よりも
小さくなる。Ｈは低温プラズマＣＶＤ法（温度100 〜35
0 ℃）で成膜する場合に含有され、屈折率が高い程減少
し、逆に屈折率が低い程増大するが、その含有量は0.00
1 重量％から数十重量％の範囲である。またこのＨの含
有量は、低温プラズマ雰囲気中で成膜する程多く入り、
高温になる程減少する。それゆえに、ＮとＨの含有量を
調節することにより、屈折率を制御することができる。
その値は1.458 から1.60近くまで制御することができ、
比屈折率差Δで示せば、８％近い値になり、従来の８倍
近い値になる。
【００１１】希土類元素イオンの含有は発振及び増幅現
象を誘起する。希土類元素イオンとしては、Ｅｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｐｒ，Ｌａ，Ｔｍなどがあげら
れる。これらの少なくとも１種が含有され、その含有量
は数百ppm から１％の範囲から選ばれる。この希土類元
素イオンは、次に示すような常温では固体の希土類元素
化合物を加熱して気化させ、低温プラズマ雰囲気中に送
り込んでＳｉＯX ＮY ＨZ 膜中に含有させる。したがっ
て、均一に、かつ多量に添加することが容易である。
象を誘起する。希土類元素イオンとしては、Ｅｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｐｒ，Ｌａ，Ｔｍなどがあげら
れる。これらの少なくとも１種が含有され、その含有量
は数百ppm から１％の範囲から選ばれる。この希土類元
素イオンは、次に示すような常温では固体の希土類元素
化合物を加熱して気化させ、低温プラズマ雰囲気中に送
り込んでＳｉＯX ＮY ＨZ 膜中に含有させる。したがっ
て、均一に、かつ多量に添加することが容易である。
【００１２】希土類元素化合物：Ｍｋ（ＤＰＭ）3 ，Ｍ
ｋ（ＨＦＡ）3 ，Ｍｋ（ＦＯＤ）3 （但し、Ｍｋ：Ｅ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｐｒ，Ｌａ等の希土類元
素） ＤＰＭ：2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione [化学式：（ＣＨ3 ）3 Ｃ−ＣＯ−ＣＨ2 −Ｃ（ＯＨ）
−Ｃ（ＣＨ）3 ] ＨＦＡ：1,1,1,5,5,5-Hexafluoro-2,4-Pentanedione [化学式：ＣＦ3 −ＣＯ−ＣＨ＝Ｃ（ＯＨ）−ＣＦ3 ] ＦＯＤ：1,1,1,2,2,3,3-Heptafluoro-7,7-dimethyl-4,6
-octanedione [化学式：ＣＦ3 −ＣＦ2 −ＣＦ2 −ＣＯ−ＣＨ＝Ｃ
（ＯＨ）−ＣＦ2 −ＣＦ2 −ＣＦ3 ] なお、上記化合物は、通常百数十℃以上の温度で加熱す
ることにより気化する。
ｋ（ＨＦＡ）3 ，Ｍｋ（ＦＯＤ）3 （但し、Ｍｋ：Ｅ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｐｒ，Ｌａ等の希土類元
素） ＤＰＭ：2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione [化学式：（ＣＨ3 ）3 Ｃ−ＣＯ−ＣＨ2 −Ｃ（ＯＨ）
−Ｃ（ＣＨ）3 ] ＨＦＡ：1,1,1,5,5,5-Hexafluoro-2,4-Pentanedione [化学式：ＣＦ3 −ＣＯ−ＣＨ＝Ｃ（ＯＨ）−ＣＦ3 ] ＦＯＤ：1,1,1,2,2,3,3-Heptafluoro-7,7-dimethyl-4,6
-octanedione [化学式：ＣＦ3 −ＣＦ2 −ＣＦ2 −ＣＯ−ＣＨ＝Ｃ
（ＯＨ）−ＣＦ2 −ＣＦ2 −ＣＦ3 ] なお、上記化合物は、通常百数十℃以上の温度で加熱す
ることにより気化する。
【００１３】ＧｅＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｐ2 Ｏ5 等の酸化
物の含有は、エネルギー変換効率の低下防止化、高濃度
希土類元素イオンの活性化、損失及び蛍光特性の修飾化
を行う。この酸化物は、従来はコアの屈折率を高めるた
めの屈折率制御用添加物として用いられていたが、本発
明の光導波路では屈折率の主なる調節はＳｉＯX ＮY Ｈ
Z のＮの含有量で行う。したがって、ＧｅＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 ，Ｐ2 Ｏ5 ，ＣｅＯ2 などは本発明では、励起光の
エネルギー変換効率の低下防止化、高濃度希土類元素イ
オンの活性化，損失及び蛍光特性の修飾化を目的として
最適量だけ少なくとも１種含有させればよい。その含有
量は１０モル％以下が好ましい。なお、従来は上記酸化
物の含有量は１０モル％をはるかに越える値の量であっ
たため、コアをドライエッチングプロセスにより凹凸状
にパターン化する際に、ＳｉＯ2 と上記酸化物とのエッ
チング速度の違いによってコア側面が凹凸にエッチング
荒れを生じ、散乱損失を増大させる要因になっていた。
これに対し、本発明では上記酸化物の含有量は微量であ
るため、エッチング荒れを軽減でき、散乱損失を低減す
ることができる。また本発明の光導波路用コア膜はクリ
ーンな減圧雰囲気下で気相反応により成膜されるので、
不純物の混入がほとんどなく、低損失化を実現すること
ができる。なお、上記酸化物は熱膨張係数，軟化温度等
の物理的特性の調節用としても利用される。
物の含有は、エネルギー変換効率の低下防止化、高濃度
希土類元素イオンの活性化、損失及び蛍光特性の修飾化
を行う。この酸化物は、従来はコアの屈折率を高めるた
めの屈折率制御用添加物として用いられていたが、本発
明の光導波路では屈折率の主なる調節はＳｉＯX ＮY Ｈ
Z のＮの含有量で行う。したがって、ＧｅＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 ，Ｐ2 Ｏ5 ，ＣｅＯ2 などは本発明では、励起光の
エネルギー変換効率の低下防止化、高濃度希土類元素イ
オンの活性化，損失及び蛍光特性の修飾化を目的として
最適量だけ少なくとも１種含有させればよい。その含有
量は１０モル％以下が好ましい。なお、従来は上記酸化
物の含有量は１０モル％をはるかに越える値の量であっ
たため、コアをドライエッチングプロセスにより凹凸状
にパターン化する際に、ＳｉＯ2 と上記酸化物とのエッ
チング速度の違いによってコア側面が凹凸にエッチング
荒れを生じ、散乱損失を増大させる要因になっていた。
これに対し、本発明では上記酸化物の含有量は微量であ
るため、エッチング荒れを軽減でき、散乱損失を低減す
ることができる。また本発明の光導波路用コア膜はクリ
ーンな減圧雰囲気下で気相反応により成膜されるので、
不純物の混入がほとんどなく、低損失化を実現すること
ができる。なお、上記酸化物は熱膨張係数，軟化温度等
の物理的特性の調節用としても利用される。
【００１４】クラッドを１層以外に、２層以上にし、そ
れぞれの層の材料，屈折率を変えることにより、Ｓｉ，
ＧａＡｓなどの半導体基板上、石英系ガラス，ホウケイ
酸ガラスなどのガラス基板上、アルミナ，サファイヤな
どの基板上等に光導波路（コアとクラッドからなる）を
形成することができる。
れぞれの層の材料，屈折率を変えることにより、Ｓｉ，
ＧａＡｓなどの半導体基板上、石英系ガラス，ホウケイ
酸ガラスなどのガラス基板上、アルミナ，サファイヤな
どの基板上等に光導波路（コアとクラッドからなる）を
形成することができる。
【００１５】また、ＳｉＯX ＮY ＨZ 膜は、気相化学蒸
着法（ＣＶＤ法）により基板あるいはクラッド層上に形
成される。例えばＳｉ（ＯＲ）4 （但し、Ｒ：ＣＨ3 ，
Ｃ2 Ｈ5 など）とＭｋ（ＤＰＭ）3 の蒸気とＮ2 Ｏと必
要に応じてＭｅ（ＯＲ）4 （但し、Ｍｅ：Ｇｅ，Ａｌ，
Ｐなど）の蒸気、Ｎ2 を用いてプラズマＣＶＤ法により
数μｍから１０数μｍの膜厚のＳｉＯX ＮY ＨZ 膜が形
成される。このように、コア膜は低温プラズマＣＶＤ法
で成膜されるため、希土類元素イオンを均一に、かつ多
量に添加することができる。
着法（ＣＶＤ法）により基板あるいはクラッド層上に形
成される。例えばＳｉ（ＯＲ）4 （但し、Ｒ：ＣＨ3 ，
Ｃ2 Ｈ5 など）とＭｋ（ＤＰＭ）3 の蒸気とＮ2 Ｏと必
要に応じてＭｅ（ＯＲ）4 （但し、Ｍｅ：Ｇｅ，Ａｌ，
Ｐなど）の蒸気、Ｎ2 を用いてプラズマＣＶＤ法により
数μｍから１０数μｍの膜厚のＳｉＯX ＮY ＨZ 膜が形
成される。このように、コア膜は低温プラズマＣＶＤ法
で成膜されるため、希土類元素イオンを均一に、かつ多
量に添加することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１７】図１は本発明のコア膜を形成する装置の一
例の概略図であり、これは、屈折率がｎW よりも低い値
をもつ基板、あるいは基板上に形成されたクラッド層上
に、コア膜となるＥｒイオンとＧｅＯ2 を含有したＳｉ
ＯX ＮY ＨZ 膜をプラズマＣＶＤ法により成膜するプラ
ズマＣＶＤ装置１の概略図である。
例の概略図であり、これは、屈折率がｎW よりも低い値
をもつ基板、あるいは基板上に形成されたクラッド層上
に、コア膜となるＥｒイオンとＧｅＯ2 を含有したＳｉ
ＯX ＮY ＨZ 膜をプラズマＣＶＤ法により成膜するプラ
ズマＣＶＤ装置１の概略図である。
【００１８】プラズマＣＶＤ装置１の本体２の下部に
は、本体２内を真空に排気する排気装置３が接続されて
いる。この本体２内には、上部と下部に２つの平行平板
電極となるシャワ電極４と下部電極５が設置され、これ
らの電極４，５間に高周波電源６から高周波電圧が印加
されてプラズマ７が発生するようになっている。その上
部のシャワ電極４は、絶縁体８によって本体２と絶縁さ
れていると共に、内部が中空に形成されている。またシ
ャワ電極４には、矢印方向から送られてきたガス（例え
ばＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ，Ｇｅ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ，Ｅｒ
（ＤＰＭ）3 ，Ｎ2 ）を内管９ａを介して導くと共に、
矢印方向から送られてきたＮ2 Ｏを外管９ｂを介して導
く２重管９が接続されている。さらに、シャワ電極４の
下部電極５との対向面には、電極４，５間に２重管９か
らのガスを一様に図示の矢印Ａ方向に示すように噴出す
るための孔１０が多数設けられている。すなわちシャワ
電極４がシャワ構造として構成されている。
は、本体２内を真空に排気する排気装置３が接続されて
いる。この本体２内には、上部と下部に２つの平行平板
電極となるシャワ電極４と下部電極５が設置され、これ
らの電極４，５間に高周波電源６から高周波電圧が印加
されてプラズマ７が発生するようになっている。その上
部のシャワ電極４は、絶縁体８によって本体２と絶縁さ
れていると共に、内部が中空に形成されている。またシ
ャワ電極４には、矢印方向から送られてきたガス（例え
ばＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ，Ｇｅ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ，Ｅｒ
（ＤＰＭ）3 ，Ｎ2 ）を内管９ａを介して導くと共に、
矢印方向から送られてきたＮ2 Ｏを外管９ｂを介して導
く２重管９が接続されている。さらに、シャワ電極４の
下部電極５との対向面には、電極４，５間に２重管９か
らのガスを一様に図示の矢印Ａ方向に示すように噴出す
るための孔１０が多数設けられている。すなわちシャワ
電極４がシャワ構造として構成されている。
【００１９】また、下部電極５の上には基板１１が配置
され、この基板１１は、下部電極５の下に配設されたヒ
ータ１２に電圧１３を印加することによって数百℃に加
熱されるようになっている。このような装置１構成で、
ＥｒイオンとＧｅＯ2 を含有したＳｉＯX ＮY ＨZ 膜は
減圧状態の中で成膜される。なお、図１において、上部
電極４と下部電極５とを反対に取り付け、下方から上方
へガスを吹きつけて成膜するようにしてもよい。
され、この基板１１は、下部電極５の下に配設されたヒ
ータ１２に電圧１３を印加することによって数百℃に加
熱されるようになっている。このような装置１構成で、
ＥｒイオンとＧｅＯ2 を含有したＳｉＯX ＮY ＨZ 膜は
減圧状態の中で成膜される。なお、図１において、上部
電極４と下部電極５とを反対に取り付け、下方から上方
へガスを吹きつけて成膜するようにしてもよい。
【００２０】次に本発明の光導波路の製造方法の一例を
図２を用いて説明する。
図２を用いて説明する。
【００２１】まず図２(a) に示すように、基板上への第
１クラッド膜の形成を行う。この膜形成は図１のプラズ
マＣＶＤ法の他に、減圧ＣＶＤ法，常圧ＣＶＤ法，スパ
ッタリング法などによって行うことができる。次にこの
第１クラッド膜上へ、図１のプラズマＣＶＤ法によって
例えばＥｒイオンとＧｅＯ2 を含有したＳｉＯX ＮY Ｈ
Z 膜（コア膜）を成膜する(b) 。その後、(c) に示すよ
うに、コア膜上にスパッタリング法によってマスク用の
メタル膜（例えばＷＳｉ膜）を形成する。そして(d) 及
び(e) に示すように、フォトリソグラフィ及びドライエ
ッチングプロセスにより、コア膜を矩形状にパターニン
グする。次に(f) に示すように、第２クラッド膜をプラ
ズマＣＶＤ法によって形成し、矩形状パターンの表面を
被覆する。その後のプロセスとして、２通りの方法があ
る。一つは点線Ｂで示すように、すぐに基板を切断、研
磨し、光導波路回路素子とする方法であり、もう一つは
実線Ａで示すように、コア及びクラッドの軟化温度より
も低い温度（800 〜1200℃）で不活性ガスあるいは還元
性ガス雰囲気下により熱処理を行った後に切断、研磨す
る。これにより、図３又は図４に示すように、基板１５
上に形成された屈折率がｎCP1 の第１クラッド１６又は
基板１７上に、屈折率がｎW （ｎW ＞ｎCP1 ）の矩形状
のコア１８を有し、このコア１８の表面を屈折率がｎ
CP2 （ｎCP2＜ｎW ）の第２クラッド１９あるいは第３
クラッド２０で被覆した構造の光導波路が得られる。具
体的には下記〜に述べるような光導波路が得られ
る。尚、〜の光導波路は図３に示す構造で、は図
４に示す構造のものである。
１クラッド膜の形成を行う。この膜形成は図１のプラズ
マＣＶＤ法の他に、減圧ＣＶＤ法，常圧ＣＶＤ法，スパ
ッタリング法などによって行うことができる。次にこの
第１クラッド膜上へ、図１のプラズマＣＶＤ法によって
例えばＥｒイオンとＧｅＯ2 を含有したＳｉＯX ＮY Ｈ
Z 膜（コア膜）を成膜する(b) 。その後、(c) に示すよ
うに、コア膜上にスパッタリング法によってマスク用の
メタル膜（例えばＷＳｉ膜）を形成する。そして(d) 及
び(e) に示すように、フォトリソグラフィ及びドライエ
ッチングプロセスにより、コア膜を矩形状にパターニン
グする。次に(f) に示すように、第２クラッド膜をプラ
ズマＣＶＤ法によって形成し、矩形状パターンの表面を
被覆する。その後のプロセスとして、２通りの方法があ
る。一つは点線Ｂで示すように、すぐに基板を切断、研
磨し、光導波路回路素子とする方法であり、もう一つは
実線Ａで示すように、コア及びクラッドの軟化温度より
も低い温度（800 〜1200℃）で不活性ガスあるいは還元
性ガス雰囲気下により熱処理を行った後に切断、研磨す
る。これにより、図３又は図４に示すように、基板１５
上に形成された屈折率がｎCP1 の第１クラッド１６又は
基板１７上に、屈折率がｎW （ｎW ＞ｎCP1 ）の矩形状
のコア１８を有し、このコア１８の表面を屈折率がｎ
CP2 （ｎCP2＜ｎW ）の第２クラッド１９あるいは第３
クラッド２０で被覆した構造の光導波路が得られる。具
体的には下記〜に述べるような光導波路が得られ
る。尚、〜の光導波路は図３に示す構造で、は図
４に示す構造のものである。
【００２２】：基板１５にはＳｉを、コア１８にＥｒ
イオンとＧｅＯ2 を含有したＳｉＯX ＮY ＨZ を、第１
及び第２クラッド１６，１９にＳｉ基板１５とコア１８
との熱膨張係数の整合と屈折率の調節（ｎCP1 ，ｎCP2
＜ｎW ）、さらには軟化温度の低減によるコア１８及び
基板１５との密着性を良くするためにＰ2 Ｏ5 及びＢ2
Ｏ3 を含有したＳｉＯ2 （あるいはＰ2 Ｏ5 及びＢ2 Ｏ
3 のいずれかを含有したＳｉＯ2 ）をそれぞれ用いた光
導波路。その第１クラッド１６及び第２クラッド１９の
膜厚は５μｍ〜数十μｍの範囲から選ぶが、厚い方が低
損失化の上で好ましい。コア１８の厚みと幅はシングル
モード伝送用の場合には数μｍから１０数μｍの範囲、
マルチモード伝送用の場合には１０数μｍから数十μｍ
の範囲から選ばれる。
イオンとＧｅＯ2 を含有したＳｉＯX ＮY ＨZ を、第１
及び第２クラッド１６，１９にＳｉ基板１５とコア１８
との熱膨張係数の整合と屈折率の調節（ｎCP1 ，ｎCP2
＜ｎW ）、さらには軟化温度の低減によるコア１８及び
基板１５との密着性を良くするためにＰ2 Ｏ5 及びＢ2
Ｏ3 を含有したＳｉＯ2 （あるいはＰ2 Ｏ5 及びＢ2 Ｏ
3 のいずれかを含有したＳｉＯ2 ）をそれぞれ用いた光
導波路。その第１クラッド１６及び第２クラッド１９の
膜厚は５μｍ〜数十μｍの範囲から選ぶが、厚い方が低
損失化の上で好ましい。コア１８の厚みと幅はシングル
モード伝送用の場合には数μｍから１０数μｍの範囲、
マルチモード伝送用の場合には１０数μｍから数十μｍ
の範囲から選ばれる。
【００２３】：基板１５にホウケイ酸ガラスを、コア
１８にＥｒイオンを含有したＳｉＯX ＮY ＨZ をそれぞ
れ用い、低コスト化をねらった光導波路。
１８にＥｒイオンを含有したＳｉＯX ＮY ＨZ をそれぞ
れ用い、低コスト化をねらった光導波路。
【００２４】：基板１５にＳｉを、コア１８にＮｄイ
オンとＧｅＯ2 を添加したＳｉＯX ＮY ＨZ を用い、第
１及び第２クラッド１６，１９との材質及び屈折率を異
ならせた光導波路。つまり第１クラッド１６にＳｉＯ2
を用い、第２クラッド１９にＰ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ
3 （あるいはＰ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 のいずれかを含有
したＳｉＯ2 ）を用いたものである。
オンとＧｅＯ2 を添加したＳｉＯX ＮY ＨZ を用い、第
１及び第２クラッド１６，１９との材質及び屈折率を異
ならせた光導波路。つまり第１クラッド１６にＳｉＯ2
を用い、第２クラッド１９にＰ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ
3 （あるいはＰ2 Ｏ5 およびＢ2 Ｏ3 のいずれかを含有
したＳｉＯ2 ）を用いたものである。
【００２５】：コア１８にＥｒイオンとＡｌ2 Ｏ3 を
添加したＳｉＯX ＮY ＨZ を用い、基板１５に石英系ガ
ラス（例えば、Ｂ，Ｆ，Ｐ，Ｔｉ，Ｇｅなどの屈折率制
御用添加物を少なくとも１種含んだＳｉＯ2 ）を用いた
光導波路。その第１及び第２クラッド１６，１９にも熱
膨張係数及び屈折率調節用のために添加物を含有したＳ
ｉＯ2 が用いられている。
添加したＳｉＯX ＮY ＨZ を用い、基板１５に石英系ガ
ラス（例えば、Ｂ，Ｆ，Ｐ，Ｔｉ，Ｇｅなどの屈折率制
御用添加物を少なくとも１種含んだＳｉＯ2 ）を用いた
光導波路。その第１及び第２クラッド１６，１９にも熱
膨張係数及び屈折率調節用のために添加物を含有したＳ
ｉＯ2 が用いられている。
【００２６】：コア１８にＥｒイオンとＧｅＯ2 とＡ
ｌ2 Ｏ3 を共添加したＳｉＯX ＮY ＨZ を、基板１５に
ホウケイ酸ガラスを用いて低コスト化を図った光導波
路。Ａｌ2 Ｏ3 を共添加することによって増幅器を実現
した場合の増幅帯域幅の広帯域化をねらいとしたもので
ある。
ｌ2 Ｏ3 を共添加したＳｉＯX ＮY ＨZ を、基板１５に
ホウケイ酸ガラスを用いて低コスト化を図った光導波
路。Ａｌ2 Ｏ3 を共添加することによって増幅器を実現
した場合の増幅帯域幅の広帯域化をねらいとしたもので
ある。
【００２７】：コア１８にＥｒイオンとＮｄイオンと
Ａｌ2 Ｏ3 とＣｅＯ2 とを共添加したＳｉＯX ＮY ＨZ
を用いた光導波路。すなわち、ＥｒイオンとＮｄイオン
を含有させることにより、波長1.3 μｍ帯と1.5 μｍと
で共通増幅を可能にし、またＡｌ2 Ｏ3 とＣｅＯ2 とを
共添加することにより、広帯域な光増幅器の実現をめざ
したものである。クラッド２０はこの場合、薄い層が用
いられているが、この厚みは数μｍ以上あればよい。
Ａｌ2 Ｏ3 とＣｅＯ2 とを共添加したＳｉＯX ＮY ＨZ
を用いた光導波路。すなわち、ＥｒイオンとＮｄイオン
を含有させることにより、波長1.3 μｍ帯と1.5 μｍと
で共通増幅を可能にし、またＡｌ2 Ｏ3 とＣｅＯ2 とを
共添加することにより、広帯域な光増幅器の実現をめざ
したものである。クラッド２０はこの場合、薄い層が用
いられているが、この厚みは数μｍ以上あればよい。
【００２８】なお、上記プロセスで第２クラッド膜は、
プラズマＣＶＤ法で、ある程度の膜厚を形成した後に他
の成膜方法（蒸発あるいは減圧ＣＶＤ法，火炎堆積法，
スパッタリング法など）でガラス膜を付加してもよい。
また上記(e) のプロセスにおいて、コアの側面のエッチ
ング荒れについて従来のＧｅＯ2 を１３モル％含有した
ＳｉＯ2 ガラスと、本発明のＧｅＯ2 を２モル％含有し
たＳｉＯX ＮY ＨZ ガラスとを比較した結果、従来のも
のはエッチング側面荒れは300 〜400 Å程度の凹凸であ
ったのに対し、本発明の場合には 200Å以下の凹凸であ
った。これからも本発明の方法が散乱損失の低い光導波
路を実現できることがわかった。
プラズマＣＶＤ法で、ある程度の膜厚を形成した後に他
の成膜方法（蒸発あるいは減圧ＣＶＤ法，火炎堆積法，
スパッタリング法など）でガラス膜を付加してもよい。
また上記(e) のプロセスにおいて、コアの側面のエッチ
ング荒れについて従来のＧｅＯ2 を１３モル％含有した
ＳｉＯ2 ガラスと、本発明のＧｅＯ2 を２モル％含有し
たＳｉＯX ＮY ＨZ ガラスとを比較した結果、従来のも
のはエッチング側面荒れは300 〜400 Å程度の凹凸であ
ったのに対し、本発明の場合には 200Å以下の凹凸であ
った。これからも本発明の方法が散乱損失の低い光導波
路を実現できることがわかった。
【００２９】次に、高屈折率を実現するための成膜条件
の具体例について述べる。図５はＮ2 Ｏ／ＳｉＨ4 比と
屈折率（波長0.63μm での値）との関係を示したもので
ある。同図の特性はいずれもＥｒイオンを含有させない
場合のものであり、○印はＧｅＯ2 を含有させない場
合、×印はＧｅＯ2 を２モル％仕込んだ場合、●印はＧ
ｅＯ2 を５モル％仕込んだ場合の屈折率特性をそれぞれ
示したものである。ＧｅＯ2 を含有させない場合で屈折
率は1.46〜1.68のように広い範囲にわたって変えられる
ことを示している。但し、上記屈折率で、1.57を越える
とＳｉＯX ＮY ＨZ ではなく、ＳｉX ＮY に近い物性と
なるので、本発明の光導波路用としては好ましくない。
Δを８％程度まで大きくとることがでることを示してい
る。ＧｅＯ2 をわずかに含有させることによって屈折率
はわずかに高くなっているが、屈折率自身はＳｉＯX Ｎ
Y ＨZ によって支配的に決まっている。すなわち、Ｇｅ
Ｏ2 は、前述したように励起光のエネルギー変換効率の
低下防止化、高濃度希土類元素イオンの活性化、損失及
び蛍光特性の修飾化を目的にして含有させるので、その
好ましい含有量は１０モル％以下である。
の具体例について述べる。図５はＮ2 Ｏ／ＳｉＨ4 比と
屈折率（波長0.63μm での値）との関係を示したもので
ある。同図の特性はいずれもＥｒイオンを含有させない
場合のものであり、○印はＧｅＯ2 を含有させない場
合、×印はＧｅＯ2 を２モル％仕込んだ場合、●印はＧ
ｅＯ2 を５モル％仕込んだ場合の屈折率特性をそれぞれ
示したものである。ＧｅＯ2 を含有させない場合で屈折
率は1.46〜1.68のように広い範囲にわたって変えられる
ことを示している。但し、上記屈折率で、1.57を越える
とＳｉＯX ＮY ＨZ ではなく、ＳｉX ＮY に近い物性と
なるので、本発明の光導波路用としては好ましくない。
Δを８％程度まで大きくとることがでることを示してい
る。ＧｅＯ2 をわずかに含有させることによって屈折率
はわずかに高くなっているが、屈折率自身はＳｉＯX Ｎ
Y ＨZ によって支配的に決まっている。すなわち、Ｇｅ
Ｏ2 は、前述したように励起光のエネルギー変換効率の
低下防止化、高濃度希土類元素イオンの活性化、損失及
び蛍光特性の修飾化を目的にして含有させるので、その
好ましい含有量は１０モル％以下である。
【００３０】従って、コアの材質に希土類元素イオンを
含有したＳｉＯX ＮY ＨZ （ｘ，ｙ＞０，ｚ≧０の実
数）を用いることにより、比屈折率差を大きくとること
ができるので、励起光の励起効率を大幅に向上させた光
導波路を得られる。また、比屈折率差を大きくとること
ができるので、光導波路回路の超小型化を達成でき、そ
れにより導波路伝搬損失を低減することができる。
含有したＳｉＯX ＮY ＨZ （ｘ，ｙ＞０，ｚ≧０の実
数）を用いることにより、比屈折率差を大きくとること
ができるので、励起光の励起効率を大幅に向上させた光
導波路を得られる。また、比屈折率差を大きくとること
ができるので、光導波路回路の超小型化を達成でき、そ
れにより導波路伝搬損失を低減することができる。
【００３１】また、コアに、ＧｅＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｐ
2 Ｏ5 等の酸化物を少なくとも１種添加することによ
り、その酸化物の含有量は励起光のエネルギー変換効率
の低下防止化、高濃度希土類元素イオンの活性化、損失
及び蛍光特性の修飾化等を目的として最適化を図るよう
に選ぶことができ、結果として高利得光増幅器、高効率
レーザを期待できる。
2 Ｏ5 等の酸化物を少なくとも１種添加することによ
り、その酸化物の含有量は励起光のエネルギー変換効率
の低下防止化、高濃度希土類元素イオンの活性化、損失
及び蛍光特性の修飾化等を目的として最適化を図るよう
に選ぶことができ、結果として高利得光増幅器、高効率
レーザを期待できる。
【００３２】さらに、クラッドが材質あるいは屈折率の
異なった２層以上の複数層からなることにより、クラッ
ドの材質を熱膨張係数、屈折率、軟化温度などについて
最適化することができるので、基板の反りが少なく、コ
ア及び基板との密着性を良くすることが可能となり、低
損失化を実現することができる。また、クラッドの各層
の材料，屈折率を変えることにより、Ｓｉ，ＧａＡｓな
どの半導体基板上、石英系ガラス，ホウケイ酸ガラスな
どのガラス基板上、アルミナ，サファイヤなどの基板上
等に光導波路（コアとクラッドからなる）を形成するこ
とができる。このため、低コストな基板の使用が可能と
なり、一層の低コスト化を期待することができる。さら
に使用目的、用途に応じて基板を選択することができる
ので、より汎用的な光増幅器、レーザなどを実現するこ
とができる。
異なった２層以上の複数層からなることにより、クラッ
ドの材質を熱膨張係数、屈折率、軟化温度などについて
最適化することができるので、基板の反りが少なく、コ
ア及び基板との密着性を良くすることが可能となり、低
損失化を実現することができる。また、クラッドの各層
の材料，屈折率を変えることにより、Ｓｉ，ＧａＡｓな
どの半導体基板上、石英系ガラス，ホウケイ酸ガラスな
どのガラス基板上、アルミナ，サファイヤなどの基板上
等に光導波路（コアとクラッドからなる）を形成するこ
とができる。このため、低コストな基板の使用が可能と
なり、一層の低コスト化を期待することができる。さら
に使用目的、用途に応じて基板を選択することができる
ので、より汎用的な光増幅器、レーザなどを実現するこ
とができる。
【００３３】さらにまた、コアをプラズマＣＶＤ法で形
成することにより、希土類元素イオンを均一に、かつ多
量に添加することができる。なお、従来では、コア内に
希土類元素を均一に、かつ多量に添加することが難し
い。なぜならば、この方法ではガラス多孔質膜中に希土
類元素を含んだ液体を含浸させるので、ガラス多孔質の
厚さ方向に濃度分布をもつ。このコア内での希土類元素
の濃度勾配は励起効率の低下を招くからである。また、
透明で緻密な膜を形成することができるので、従来のよ
うなコア形成時の２回の焼結プロセス（希土類元素が揮
散し易い焼結プロセス）が不要となり、酸化物、希土類
元素イオンの揮散の心配がいらない。さらにユーティリ
ティコストを大幅に低減できるため、低コスト化を期待
できる。さらに、高Δ化により、光導波路型回路を超小
型化することができること、導波路長の大幅な短縮によ
る低損失化を実現できることなどの効果を達成すること
ができる。
成することにより、希土類元素イオンを均一に、かつ多
量に添加することができる。なお、従来では、コア内に
希土類元素を均一に、かつ多量に添加することが難し
い。なぜならば、この方法ではガラス多孔質膜中に希土
類元素を含んだ液体を含浸させるので、ガラス多孔質の
厚さ方向に濃度分布をもつ。このコア内での希土類元素
の濃度勾配は励起効率の低下を招くからである。また、
透明で緻密な膜を形成することができるので、従来のよ
うなコア形成時の２回の焼結プロセス（希土類元素が揮
散し易い焼結プロセス）が不要となり、酸化物、希土類
元素イオンの揮散の心配がいらない。さらにユーティリ
ティコストを大幅に低減できるため、低コスト化を期待
できる。さらに、高Δ化により、光導波路型回路を超小
型化することができること、導波路長の大幅な短縮によ
る低損失化を実現できることなどの効果を達成すること
ができる。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば次のよ
うな効果を発揮する。
うな効果を発揮する。
【００３５】(1) 請求項１に記載の光導波路によれば、
比屈折率差を大きくとることができるので、励起光の励
起効率を大幅に向上させることができる。また、比屈折
率差を大きくとることができるので、光導波路回路の超
小型化を達成でき、それにより導波路伝搬損失を低減す
ることができる。さらに屈折率制御用添加物を多量に添
加する必要がないので、低損失化を図ることが可能とな
る。
比屈折率差を大きくとることができるので、励起光の励
起効率を大幅に向上させることができる。また、比屈折
率差を大きくとることができるので、光導波路回路の超
小型化を達成でき、それにより導波路伝搬損失を低減す
ることができる。さらに屈折率制御用添加物を多量に添
加する必要がないので、低損失化を図ることが可能とな
る。
【００３６】(2) 請求項２に記載の光導波路によれば、
ＧｅＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｐ2 Ｏ5 等の含有量は励起光の
エネルギー変換効率の低下防止化、高濃度希土類元素イ
オンの活性化、損失及び蛍光特性の修飾化等を目的とし
て最適化を図るように選ぶことができる。結果として、
高利得光増幅器、高効率レーザを期待できる。
ＧｅＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｐ2 Ｏ5 等の含有量は励起光の
エネルギー変換効率の低下防止化、高濃度希土類元素イ
オンの活性化、損失及び蛍光特性の修飾化等を目的とし
て最適化を図るように選ぶことができる。結果として、
高利得光増幅器、高効率レーザを期待できる。
【００３７】(3) 請求項３に記載の光導波路によれば、
クラッドの材質を熱膨張係数、屈折率、軟化温度などに
ついて最適化することができるので、基板の反りが少な
く、コア及び基板との密着性を良くすることが可能とな
り、低損失化を実現することができる。
クラッドの材質を熱膨張係数、屈折率、軟化温度などに
ついて最適化することができるので、基板の反りが少な
く、コア及び基板との密着性を良くすることが可能とな
り、低損失化を実現することができる。
【００３８】(4) 請求項４に記載の光導波路の製造方法
によれば、コアが化学蒸着法で形成されるので、希土類
元素イオンを均一に、かつ多量に添加することができ
る。
によれば、コアが化学蒸着法で形成されるので、希土類
元素イオンを均一に、かつ多量に添加することができ
る。
【図１】本発明のコア膜形成のためのプラズマＣＶＤ装
置の一例を示した図である。
置の一例を示した図である。
【図２】本発明の光導波路の製造方法の一実施例を示し
た図である。
た図である。
【図３】本発明の光導波路の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の光導波路の他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明のコア膜の屈折率特性の実施例を示した
図である。
図である。
【図６】従来の光導波路の製造方法の概略図である。
１８ コア １９ クラッド
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｚ 8934−4Ｍ 3/17 8934−4Ｍ
Claims (4)
- 【請求項１】 屈折率がｎW の略矩形状のコアの外周を
屈折率がｎC （ｎC ＜ｎW ）のクラッドで覆った光導波
路において、上記コアの材質に希土類元素イオンを含有
したＳｉＯX ＮY ＨZ （ｘ，ｙ＞０，ｚ≧０の実数）を
用いたことを特徴とする低損失希土類元素添加光導波
路。 - 【請求項２】 前記コア内にＧｅＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｐ
2 Ｏ5 などの酸化物を少なくとも１種添加させたことを
特徴とする請求項１記載の低損失希土類元素添加光導波
路。 - 【請求項３】 前記クラッドが材質あるいは屈折率の異
なった２層以上の複数層からなることを特徴とする請求
項１又は２記載の低損失希土類元素添加光導波路。 - 【請求項４】 屈折率がｎW よりも低い値をもつ基板
上、あるいは基板上に形成されたクラッド層上に、気相
化学蒸着により希土類元素イオンを含有した屈折率がｎ
W のコア用のＳｉＯX ＮY ＨZ 膜を形成する工程と、該
コア膜をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによ
り加工する工程と、該加工したコアパターン表面上に屈
折率がｎW よりも低いクラッド膜を被覆する工程とから
なることを特徴とする低損失希土類元素添加光導波路の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12210692A JPH05313034A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 低損失希土類元素添加光導波路およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12210692A JPH05313034A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 低損失希土類元素添加光導波路およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05313034A true JPH05313034A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14827795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12210692A Pending JPH05313034A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 低損失希土類元素添加光導波路およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05313034A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7177517B2 (en) | 2004-02-16 | 2007-02-13 | Omron Corporation | Optical wave guide and the method of propagating light using the same |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP12210692A patent/JPH05313034A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7177517B2 (en) | 2004-02-16 | 2007-02-13 | Omron Corporation | Optical wave guide and the method of propagating light using the same |
| CN1311260C (zh) * | 2004-02-16 | 2007-04-18 | 欧姆龙株式会社 | 光导波路和光传播方法 |
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