KR20010047296A - 에어로졸 공정을 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조 방법 - Google Patents

에어로졸 공정을 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20010047296A
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정형곤
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정형곤
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Abstract

본 발명은 에어로졸 공법을 사용하여 코어와 오버클래드가 형성된 평판형 광도파로에 관한 것이다. 에어로졸 공법을 사용하여 도파로의 코어와 오버클래드를 제조하는 경우에 이들 층에 포함된 B2O3, P2O5, GeO2등의 조성을 용이하게 조절하여, 코어 및 오버클래드를 구성하는 유리 박막의 굴절률과 열처리 온도를 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 오버클래드에는 Na2O를 포함시켜 오버클래드의 열처리 온도를 1000oC이하로 낮출 수 있다.

Description

에어로졸 공정을 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조 방법{PLANAR OPTIC WAVEGUIDE USING AEROSOL PROCESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본원 발명은 광통신에 사용되는 소자로서 에어로졸 공정(aerosol process)을 이용하여 제조된 평판형 광도파로와 그 제조 방법을 제공함을 목적으로 한다.
광통신에서 광신호 전송경로는 대부분 광섬유를 사용하고 있으나 다분기 광커플러, WDM(Wavelength Division Multiplex) 소자 등 다수의 채널을 가진 고기능성 소자를 광섬유로 제작하는 것은 기술적으로 한계가 있다. 따라서, 광섬유를 집적화하는 기술은 PLC(Planar Lightwave Circuit)라 지칭되는 광신호의 경로를 평면 기판 상에 구현하는 기법을 사용하고 있다. PLC 기법에 의하여 제조된 평판형 광소자는 반도체, 실리카(silica), 폴리머 등 다양한 소재로 제조될 수 있으나, 실리카의 경우 광섬유와 유사한 재질로 구성되어 전송손실이 낮고 광섬유와의 접속손실이 낮으며, 포토리소그래피, 식각 등 반도체 공정기술을 이용하여 가공할 수 있기 때문에 평판형 광소자의 재료로 널리 사용되고 있다. 본원 발명은 실리카, 특히 실리콘을 기판으로 사용하고 기판 상에 언더클래드(underclad), 코어(core), 오버클래드 (overclad) 등의 실리카 도파막을 에어로졸 공정을 이용하여 증착시킨 평판형 광도파로와 그 제조방법에 관한 것이다.
기판 상에 실리카 도파막을 형성시키는 방법으로는 화염가수분해증착법 (Flame Hydrolysis Deposition; FHD), CVD(Chemical Vapor Deposition), Sol-gel, 분말공정법 등이 사용되고 있다. 이중 FHD법은 CVD등의 방법보다 증착속도가 빠르고 후막 형성이 용이하여 고순도의 실리카를 광섬유 단면의 크기와 유사하게 도파로를 제작할 수 있는 장점이 있어 평판형 도파로의 제작에 널리 사용되고 있다. FHD법에서 실리카 광도파막의 굴절률 및 열처리 온도 등을 제어하기 위한 도펀트로서 B, P, Ge 등의 산화물이 첨가된다. FHD법을 사용하여 광도파로를 제조하는 종래의 기술은 유럽 공개특허 공보 제0 545 432호 및 제0 751 408호 등에 개시되어 있다.
그러나, FHD 공정은 증기압이 높은 염화물 재료를 사용하므로 위험성이 높고, 도파막을 증착하기 위하여 사용되는 화염의 온도가 높아 (1500oC 이상) B, P, Ge 등의 도펀트를 다량으로 첨가하기가 어렵고, 도펀트의 함량을 조절하기가 곤란한 문제점이 있다. 이러한 이유로, FHD법을 사용하여 형성된 언더클래드, 코어 및 오버클래드 도파층의 굴절률, 융점 및 열처리 온도를 제어하기가 어렵다. 특히 오버클래드 층을 FHD법을 사용하여 형성하는 경우에 1100oC 이하의 온도로 오버클래드 층의 열처리 온도를 낮추기가 곤란한데, 오버클래드 층의 도파층의 온도가 높은 경우에는 특히 코어 층의 형태 및 굴절률에 영향을 주어 광신호 처리에 심각한 문제를 일으킬 수 있다. 그 이외에 FHD법은 광증폭소자 등을 제조하기 위하여 광도파층에 증기압이 낮은 알칼리나 알칼리 토류, 그외 희토류 금속의 첨가가 곤란한 문제가 있다.
본원 발명은 에어로졸 공정을 사용하여 평판형 광도파로의 광도파층을 형성함으로써 FHD법의 기술적 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 에어로졸 공정이란 광도파층을 형성하는 전구물질과 도펀트가 포함된 액상의 졸(sol)을 초음파 진동자를 사용하여 에어로졸 입자로 만들고, 에어로졸 입자를 화염으로 산화시켜 기판 상에 증착시키는 방법이다.
에어로졸 공정을 이용하여 광도파로의 코어와 오버클래드를 형성하는 경우에는, B, P 및 Ge 등의 도펀트를 다량 첨가할 수 있고 이들의 함량을 용이하게 조절할 수 있어, 코어 및 오버클래드의 굴절률 및 열처리 온도를 용이하게 조절할 수 있다. 또한, SiO2-B2O3계 유리에 나트륨을 첨가하여 소디움보로실리케이트 유리로 오버클래드를 형성함으로써 1000oC 이하의 온도에서 오버클래드를 열처리할 수 있다. 또한 코어 층의 경우 도펀트의 함량을 조절하여 융점의 범위를 1100oC-1350oC까지 넓힐 수 있어 다양한 기능을 갖는 소재를 개발할 수 있다. 이와 같이, 에어로졸 공정을 사용하여 평판형 광도파로의 도파층을 형성하면 도파층 내의 도펀트의 함량을 보다 용이하고 광범위하게 변화시켜, 도파층의 융점, 열처리 온도, 굴절률을 조절할 수 있고, 오버클래드 층의 열처리에 의한 코어 층의 변형 및 굴절률의 변화를 방지할 수 있는 장점이 있다. 그 밖에도 에어로졸 공정을 사용하여 평판형 광도파로를 제조하는 공정은 위험성이 낮고 다양한 재료를 사용할 수 있으며, 증기압이 낮은 알칼리나 알칼리 토류, 그 밖의 희토류 금속 첨가가 용이한 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 광도파로의 구조를 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 광도파로의 제조에 사용되는 에어로졸 공정 장비의 개략도.
도 3은 (92-x)SiO2-xB2O3-8P2O5유리 박막의 굴절률과 용융온도 (consolidation temperature)를 나타내는 그래프.
도 4는 열처리 온도의 변화에 따른 유리 박막의 굴절률의 변화를 도시한 그래프.
도 5는 GeO2를 첨가하였을 때 굴절률의 변화를 도시한 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 실리콘 기판
20 : 언더클래드
30 : 코어
40 : 오버클래드
50 : 호울더
60 : 기판
70 : 토치
80 : 에어로졸 발생기
90 : X-Y 스테이지
도 1에는 에어로졸 공정을 이용하여 제조된 본 발명의 평면형 광 증폭기가 도시되어 있다. 본 발명의 광 증폭기의 구조를 살펴보면 실리콘 기판(10), 언더클래드(20), 코어(30) 및 오버클래드(40)로 이루어져 있다. 본 발명에 따른 광증폭기 제조 공정을 개략적으로 설명하면 다음과 같다. 먼저 실리콘 기판(10) 위에 공지의 실리카 박막 제조 방법을 이용하여 언더클래드(20)를 형성한다. 언더클래드(20)는 예를 들어 임의의 후막 제작이 용이하고 대량 생산이 가능한 FHD법을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예에서 언더클래드는 90-95 mol%의 SiO2, 0.5-5 mol%의 B2O3, 1-10% mol%의 P2O5의 조성을 가진 보로포스포실리케이트(borophosphosilicate)계 유리 박막으로 구성되고, 이러한 조성을 가진 언더클래드는 1300-1350oC에서 열처리되어 약1.458의 굴절률을 가지도록 형성된다.
언더클래드를 형성한 후에는 에어로졸 공정을 이용하여 언더클래드(20) 위에 보로포스포실리케이트계 유리 박막인 코어 층을 형성한다. 에어로졸 공정을 이용한 코어층 형성 방법을 간략히 설명하면, 에어로졸 공정을 통해 미립자를 언더클래드 위에 증착한 후 열처리 공정(고밀화 공정)을 통해 미립자를 고온에서 녹여서 유리 박막을 형성한다. 코어층 형성 후에는 반도체 공정기술을 사용하여 코어층을 식각하여 광회로 패턴부분(도 1에서는 코어(30) 부분)만 남기게 된다.
코어(30)를 형성한 후에는 에어로졸 공정을 이용하여 언더클래드(20) 및 코어(30) 위에 오버클래드(40)를 형성한다. 본 발명에서는 오버클래드 층 제조시 SiO2-B2O3계 유리에 Na2O를 첨가하여 융점을 낮춤으로써, 1000oC 이하의 온도에서 오버클래드 층을 열처리 할 수 있다. 그 결과 오버클래드 열처리 후에도 코어의 형태에 변형이 생기지 않고 따라서, 제조시 재현성이 높은 광소자를 얻을 수 있었다.
본 발명에서 사용되는 에어로졸 공정이란 액상의 졸(sol)을 초음파 진동자를 사용하여 입자로 만들고 산ㆍ수소 불꽃으로 산화시켜 기판 위에 증착시키는 방법이다. 에어로졸 공정은 FHD법에 비해 도펀트 첨가의 제한이 매우 적어서 B, P, Ge등의 함량을 자유롭게 조절하는 것이 가능하다. B2O3함량은 0.1-60mol%, P2O5의 함량은 0.1-45mol%, GeO2의 함량은 0.1-20mol% 첨가된 비정질의 깨끗한 유리박막을 얻을 수 있다는 것이 실험에 의해 밝혀졌다.
또한 에어로졸 공정에 의하면 저 증기압이고 기체상으로 이송이 곤란한 알칼리 금속 및 중이온인 희토류와 같은 금속을 다량으로 첨가할 수 있다. 따라서, 증기압이 낮은 어븀과 같은 원소가 함유되어야 하는 평판형 광증폭기 제작에 적합한 방법임에도 불구하고 현재까지 많은 연구가 이루어지지 않았다. 이 이외에도 에어로졸 공정은 다음과 같은 장점을 갖는다.
- 광투과 손실이 적은 다성분계 유리 박막 제작이 가능하다.
- 증착 속도가 빠르고 수 내지 수십μm의 후막제작이 용이하다.
- 광섬유와 거의 같은 크기의 소자로 거의 같은 굴절률을 얻을 수 있으므로 광섬유의 접속 손실이 적다.
- 대량 생산이 가능하고 실온에서 제조되므로 경제적이다.
본 발명에서 코어(30) 및 오버클래드(40) 형성에 사용되는, 에어로졸 공정, 즉 에어로졸을 이용한 유리 박막 제조 공정을 자세히 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 소정의 재료(예를 들어 TEOS(tetraethyl orthosilicate), B[(CH3)2CHO]3, H3PO4, Ge(OC2H5)4, HNO3, 메탄올, 증류수 등)를 사용하여 졸 용액을 제조한다. 이를 위하여 먼저 TEOS를 증류수와 메탄올의 몰비가 5:1인 용매에서 1시간 동안 가수분해시킨다. 가수분해 촉매로는 질산을 사용하고 인산의 양이 많은 경우는 질산의 양을 줄인다. 여기에 B[(CH3)2CHO]3, Ge(OC2H5)4를 천천히 첨가하여 자석 교반기로 교반하면서 3시간 동안 반응시킨다. 이 졸 용액의 조성비는 생성하고자 하는 박막의 조성비에 따라 적절히 조절되며, 본 발명의 바람직한 실시예에서 코어층과 오버클래드 생성 시 사용된 졸 용액의 조성비는 표 1과 같다.
코어 오버클래드
SiO2 30-70 mol% 20-50 mol%
B2O3 5-10 mol% 50-80 mol%
P2O5 25-65 mol%
GeO2 +2-12 wt%
Na2O +0.5-5 wt%
코어층의 경우 특히 SiO2의 함량이 40-50 mol%, P2O5의 함량이 45-55 mol%로 하는 것이 바람직하다. 또한 코어층과 언버클래드의 굴절률의 차이를 0.3Δ%로 하고자 할 경우에는 코어층을 형성하는 졸 용액에 2-3wt%의 GeO2를 함유시키고 굴절률의 차이를 0.75Δ%로 하고자 할 경우에는 졸 용액에 10-11wt%의 GeO2를 함유시킨다. 오버클래드의 경우 특히 SiO2의 함량이 20-30 mol%, P2O5의 함량이 70-80 mol%로 하는 것이 바람직하다
다음에는 이 졸 용액을 초음파 진동자가 부착된 용기에 넣고 에어로졸을 만든다. 초음파를 이용하여 에어로졸을 만들 때, 초음파가 액체를 통과하여 액체와 기체의 경계면에 도달하면 그 경계면에서 액체 방울이 생성되는데, 이때 액체 입자의 크기는 액체의 밀도와 표면장력 및 초음파의 각진동수의 함수에 의하여 결정된다. 따라서, 액체의 밀도와 표면장력을 조절함으로써 어어로졸의 크기를 조절할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서 1.5MHz의 초음파가 사용되었고 에어로졸의 크기는 대략 4μm이다.
이렇게 만들어진 에어로졸은 도 2에 도시된 토치(torch; 70)를 이용하여 실리콘 웨이퍼상의 언더클래드 위에(코어층 형성시) 또는 언더클래드 및 코어 위에(오버클래드 생성시) 증착된다. 에어로졸은 아르곤(Ar) 가스에 의해 토치(70)로 이동되고, 산ㆍ수소 불꽃에 의해 산화반응되면서 웨이퍼 호울더(50)에 부착되어 있는 실리콘 웨이퍼(60)에 증착된다. 이때 B2O3와 P2O5의 휘발을 최소화하기 위하여 온도조절기(110)를 사용하여 웨이퍼 호울더(50)가 200oC를 유지하도록 하였다. 또한 박막의 두께가 일정하게 증착되도록 하기 위하여 토치는 컴퓨터(100)를 이용하여 x,y 스테이지(90)상에서 그물망 모양으로 움직이며 산화분말을 증착시킨다.
증착 이후 실리콘 웨이퍼는 열처리 과정을 거치게 된다. 먼저 증착된 분말의 결정수나 유기물을 제거하기 위하여 500oC의 산소분위기(atmosphere)에서 1시간동안 열처리한다. 다음으로는 건조된 박막을 관상로에서 2시간동안 열처리하여 산화분말을 용융시킨다. 이때 용융 온도는 박막의 조성에 따라 달라지는데, 본 발명에서는 코어층의 경우 1300-1330oC, 오버클래드층의 경우 900-1000oC 정도이다. 용융후 공기 중에서 급냉시켜 유리박막을 제작한다.
도 3 내지 도 5는 에어로졸 공정을 사용하여 제조된 유리 박막의 특성을 나타내는 그래프로서, 도 3 및 도 4은 전술한 에어로졸법을 이용하여 (92-x)SiO2-xB2O3-8P2O5유리 조성으로 제조된 박막의 특성을 도시하는 그래프이고, 도 5는 상기 조성에 GeO2를 첨가한 경우 굴절률에 미치는 영향을을 나타내는 그래프이다. 먼저, 도 3은 (92-x)SiO2-xB2O3-8P2O5용액 또는 박막에서 B2O3의 농도에 따른 유리 박막의 굴절률과 용융온도(consolidation temperature)를 나타내는 그래프이다. B2O3의 함량이 20에서 70몰%로 증가함에 따라 굴절률은 1.4589에서 1.4683으로 증가한다. 일반적으로 SiO2-B2O3계에서 B2O3의 함량이 증가함에 따라 굴절률은 감소 후 증가하나 용융 후 서냉하는 경우는 도 3에 도시된 것과 같은 결과를 보인다. 이는 B2O3의 함량이 증가함에 따라 삼각형 구조를 갖는 B2O3가 사면체 구조로 바뀌고 Si를 치환하면서 유리구조가 더 치밀해져 굴절률이 증가되는 것으로 보인다.
유리의 굴절률은 냉각속도와 열처리 조건 등에 따라 달라지는데, 광도파로 제작시 언더클래드 층은 층이 형성된 후 코어층 및 오버클래드층 형성시 두 번 더 열처리 과정을 거치고, 코어는 오버클래드층 형성시 한번 더 열처리 과정을 거치게 된다. 본 발명의 실시예에서, 언더클래드를 1350oC에서 열처리한 후 여기에 코어층을 증착하여 1300-1330oC도에서 열처리 과정을 거친다. 코어층을 식각하여 코어를 형성한 후 오버클래드를 증착하여 900-1000oC도에서 마지막 열처리를 거친다. 따라서 층형성 후 재열 처리에 의한 굴절률의 변화는 매우 중요하다.
도 4은 이와 같은 열처리의 영향을 알아보기 위해 (92-x)SiO2-xB2O3-8P2O5조성을 유리화한 후 공구 중에서 급냉시킨 샘플을 전이온도 이상에서 24시간 열처리하는 실험을 수행한 후 경우, 열처리 온도에 따른 유리 박막 의 굴절률의 변화를 도시한 그래프이다. 전이 온도 부근에서는 굴절률이 급격히 상승하나 900oC 이상에서 열처리하는 경우 굴절률의 변화가 거의 없음을 알 수 있다. 다시 말하면 형성된 언더클래드 층의 굴절률에 영향을 주지 않기 위해서는 코어 및 오버클래드의 열처리 온도가 900oC 이상이어야 한다.
언더클래드 층과 코어사이의 굴절률의 변화율을 Δ%라고 하는데 도 3 내지 도 4에 도시된 실험 결과중에서, 이 값을 가장 크게 하기 위해서 B2O3가 각각 20 및 70 몰%인 경우(x=20, x=70)로 두 층을 제조하면 Δ%는 0.7이 된다. 그러나 이보다 굴절률이 좀더 용이하게 조절될 수 있어야 다양한 소자를 제조할 수 있다. 도 5는 (92-x)SiO2-xB2O3-8P2O5에 x wt%(x= 2 내지 12)의 GeO2를 첨가한 경우의 굴절률을 도시한 그래프이다. 도 5에 따르면 GeO2를 2%에서 12%로 증가시킴에 따라 굴절률이 1.4633에서 1.4716으로 증가하였다. 이와 같이 GeO2를 첨가함으로써 0.3에서 0.75%의 다양한 값의 Δ%를 얻을 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 에어로졸 공정을 이용하여 광 증폭기의 코어층 및 오버클래드를 만들었을 때 각 층의 열처리 온도, 생성된 박막의 조성비(몰 %) 및 생성된 박막의 굴절률은 다음과 같다.
코어 오버클래드
SiO2 50-80 mol% 40-70 mol%
B2O3 0.5 mol% 25-45 mol%
P2O5 20-45 mol%
GeO2 1-10 mol%
Na2O 0.1-5 mol%
열처리온도(oC) 1300-1330 900-1000
굴절률(λ=633nm) 1.4624-1.4690(0.3-0.75Δ%) 1.4575
표 2에 기재된 박막의 조성비는 EPMA(Electron Probe Micro Analysis)법을 이용하여 측정하였다. 본 발명에 의하면 에어로졸 공정을 이용하여 표2에 기재된 범위의 B203, P2O5, GeO2의 조성을 가지는 보로포스포실리케이트계 유리 박막으로 코어를 형성할 수 있다. 종래의 FHD법을 사용하는 경우에는 이러한 조성을 가지는 코어를 형성하는 것이 곤란하였으나, 에어로졸 공정을 사용하여 원하는 코어의 조성을 얻는 것이 가능하였다. 본 발명의 에어로졸 공정에 의하여 형성된 코어는 633nm 파장의 빛에 대하여 1.4624-1.4690의 굴절률을 가져, 앞에서 설명된 언더클래드의 굴절률에 대하여 0.3-0.75Δ%의 굴절률 차이를 보여 평판형 광도파로에서 요구되는 언더클래드와 코어와의 굴절률의 차이를 충족시키는 것으로 나타났다.
도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 코어의 굴절률에 변화가 생기지 않도록 하기 위하여 오버클래드의 열처리 온도는 900oC 이상으로 하였다. 또한 코어의 형태에 변형을 일으키지 않기 위하여는 오버클래드의 열처리 온도는 1100oC 이하로 유지되어야 한다. 본원 발명에서는 에어로졸 공법을 사용하여 오버클래드를 40-70 mol%의 SiO2, 25-45 mol%의 B2O3, 0.1-5 mol%의 Na2O의 조성을 가진 소디움보로실리케이트계 유리 박막으로 형성할 수 있었다. 이러한 조성을 가지는 오버클래드는 언더클래드의 굴절률과 실질적으로 동일한 굴절률을 나타내 광도파관의 요구조건을 충족시킨다. 특히, 본 발명에서는 에어로졸 공법을 사용하여 오버클래드에 0.1-5 mol%의 Na2O를 함유시킴으로써 열처리 온도를 1000oC까지 낮추는 것이 가능하였다. 종래의 FHD법에 의하면 유리에 이러한 범위의 Na2O 성분을 함유시키는 것이 곤란하였다. 오버클래드의 열처리 온도를 900-1000oC 온도로 조절함으로써, 본원 발명은 코어의 굴절률과 형상에 영향을 주지 않으면서 광도파로를 제조함으로써 광도파로의 신뢰성과 제조 효율을 높일 수 있다.
본 발명에 따르면, 에어로졸 공정을 이용하여 평판형 광도파로의 코어 및 오버클래드를 제작함으로써 코어 및 오버클래드의 B, P, Ge 등의 성분을 용이하게 조정할 수 있고, 그에 따라 코어 및 오버클래드의 굴절률, 용융온도, 열처리 온도 등을 용이하게 조정할 수 있다. 특히, 본 발명은 에어로졸 공정을 이용하여 오버클래드에 적정비의 B2O3및 Na2O 성분을 함유시켜 오버클래드의 열처리 온도를 900-1000oC 범위로 조절함으로써 오버클래드의 열처리에 의하여 코어의 형상 및 굴절률이 영향을 받지 않도록 하는 효과가 있다.

Claims (21)

  1. 평판형 광도파로에 있어서,
    언더클래드와,
    에어로졸(aerosol) 공정을 이용하여 형성된 코어와,
    에어로졸 공정을 이용하여 상기 언더클래드와 상기 코어 상에 형성된 오버클래드
    를 포함하는 평판형 광도파로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코어의 열처리 온도는 1300-1330oC인 평판형 광도파로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 언더클래드와 상기 코어의 굴절률 변화율은 0.3 내지 0.75Δ%인 평판형 광도파로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 코어는 SiO2, B2O3, P2O5및 GeO2성분을 포함하는 평판형 광도파로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 코어는 SiO2를 50 내지 80 몰%, B2O3를 대략 0.5 몰%, P2O5를 20 내지 45몰%, GeO2를 1 내지 10 몰%를 포함하는 평판형 광도파로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 오버클래드의 열처리 온도는 900-1000oC인 평판형 광도파로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 오버클래드는 SiO2및 B2O3를 포함하는 평판형 광도파로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 오버클래드는 SiO2를 40 내지 70 몰%, B2O3를 25 내지 45 몰% 포함하는 평판형 광도파로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 오버클래드는 Na2O를 더 포함하는 평판형 광도파로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 오버클래드는 Na2O를 0.1 내지 5몰% 포함하는 평판형 광도파로.
  11. 평판형 광 증폭기 제조 방법에 있어서
    실리콘 기판 위에 언더클래드를 형성하는 단계와,
    에어로졸 공정을 이용하여 코어층을 형성하는 단계와,
    상기 코어층을 식각하여 코어를 형성하는 단계와,
    에어로졸 공정을 이용하여 상기 언더클래드와 상기 코어 위에 오버클래드를 형성하는 단계
    룰 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법
  12. 제11항에 있어서, 상기 코어층 형성 단계는
    졸 용액을 형성하는 단계와,
    상기 졸 용액을 이용하여 에어로졸을 형성하는 단계와,
    상기 에어로졸을 상기 언더클래드 상에 증착하는 단계와,
    증착된 에어로졸을 열처리하여 용융시키는 단계와,
    냉각시켜서 유리박막을 형성하는 단계
    를 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법
  13. 제12항에 있어서, 상기 열처리 단계는 1300-1330oC 범위의 온도에서 이루어지는 평판형 광도파로 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 졸 용액은 SiO2, B2O3, P2O5및 GeO2를 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 졸 용액은 SiO2를 30 내지 70 몰%, B2O3를 대략 5몰%, P2O5를 25 내지 65몰%, GeO2를 2 내지 12 wt% 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 오버클래드 형성 단계는
    졸 용액을 형성하는 단계와,
    상기 졸 용액을 이용하여 에어로졸을 형성하는 단계와,
    상기 에어로졸을 상기 코어 및 언더클래드 상에 증착하는 단계와,
    증착된 에어로졸을 열처리하여 용융시키는 단계와,
    냉각시켜서 유리박막을 형성하는 단계
    를 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법
  17. 제16항에 있어서
    상기 열처리 단계는 900-1000oC 범위의 온도에서 이루어지는 광도파로 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 졸 용액은 SiO2및 B2O3를 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 졸 용액은 SiO2를 20 내지 50 몰%, B2O3를 50 내지 80 몰% 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 졸 용액은 Na2O를 더 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 졸 용액은 Na2O를 0.5 내지 5wt% 포함하는 평판형 광도파로 제조 방법.
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