JP2739806B2 - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、石英系材料よりなる光
導波路の製造方法に関する。
導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの大容量化が進むと同時
に、多機能の高度なシステムが求められている一方で、
光ファイバネットワークの低コスト化の要求が強い。光
導波路は光デバイスの小型化、高集積化、低コスト化に
必要不可欠なものであり、カップラー、スイッチ、フィ
ルタ、変調器などの光導波路のみで構成されるデバイス
に加えて、光導波路が形成された基板の上に半導体レー
ザ、半導体光検出器などのデバイスをハイブリッドに実
装して構成される機能デバイスなど、さまざまな検討が
なされている。現在光導波路を形成する材料としては、
石英系、強誘電体系、有機系、半導体系などが主に扱わ
れている。この中で石英系材料を用いた光導波路は導波
光の伝搬損失が最も小さいため、この光導波路を用いる
ことにより低損失デバイスが容易に実現される。また、
大口径Ｓｉ基板を用いることができるため、量産が可能
で低コスト化が実現できる特徴を持っている。
に、多機能の高度なシステムが求められている一方で、
光ファイバネットワークの低コスト化の要求が強い。光
導波路は光デバイスの小型化、高集積化、低コスト化に
必要不可欠なものであり、カップラー、スイッチ、フィ
ルタ、変調器などの光導波路のみで構成されるデバイス
に加えて、光導波路が形成された基板の上に半導体レー
ザ、半導体光検出器などのデバイスをハイブリッドに実
装して構成される機能デバイスなど、さまざまな検討が
なされている。現在光導波路を形成する材料としては、
石英系、強誘電体系、有機系、半導体系などが主に扱わ
れている。この中で石英系材料を用いた光導波路は導波
光の伝搬損失が最も小さいため、この光導波路を用いる
ことにより低損失デバイスが容易に実現される。また、
大口径Ｓｉ基板を用いることができるため、量産が可能
で低コスト化が実現できる特徴を持っている。
【０００３】図３は光導波路の構造を示す断面図であ
り、Ｓｉ基板１上に石英系材料による光導波路（以後、
石英系光導波路と呼ぶ）は、通常、クラッド４−コア３
−クラッド４の３層からなる。低損失光導波路を得るに
はクラッド厚として１０μｍ前後が必要であり、また、
コア厚としては光ファイバとの高効率結合を考慮すると
５μｍ前後が必要である。従って、低損失な光導波路を
実現するためには３層の合計で少なくとも２５μｍ前後
の膜厚が必要となる。
り、Ｓｉ基板１上に石英系材料による光導波路（以後、
石英系光導波路と呼ぶ）は、通常、クラッド４−コア３
−クラッド４の３層からなる。低損失光導波路を得るに
はクラッド厚として１０μｍ前後が必要であり、また、
コア厚としては光ファイバとの高効率結合を考慮すると
５μｍ前後が必要である。従って、低損失な光導波路を
実現するためには３層の合計で少なくとも２５μｍ前後
の膜厚が必要となる。
【０００４】現在、主に検討されている石英系材料の堆
積方法は火焔堆積法やシランガスを用いたＣＶＤ法であ
る。火焔堆積法は石英の粉を基板の上に堆積した後に、
１５００℃前後の熱処理により石英を透明化し、光導波
路を形成する。従って、熱歪が大きいため、石英膜にク
ラックが発生しやすく、６インチなどの大口径Ｓｉ基板
に適用することは困難である。また、半導体レーザなど
のデバイスをＳｉ基板の上に実装するデバイスにおい
て、あらかじめ半導体レーザ用の電極や電気配線などを
Ｓｉ基板に形成しておくことはできない。一方、シラン
ガスを用いたＣＶＤ法は緻密な石英膜が形成できる反
面、膜歪が大きいため、２インチや３インチなどの小口
径のＳｉ基板を用いれば、低損失な光導波路が実現可能
であるが、６から８インチのＳｉ基板を用いた場合の堆
積膜厚の限界は数μｍであり、従って量産が可能で低コ
ストな光導波路デバイスをシランガスを用いたＣＶＤ法
で実現することは困難である。
積方法は火焔堆積法やシランガスを用いたＣＶＤ法であ
る。火焔堆積法は石英の粉を基板の上に堆積した後に、
１５００℃前後の熱処理により石英を透明化し、光導波
路を形成する。従って、熱歪が大きいため、石英膜にク
ラックが発生しやすく、６インチなどの大口径Ｓｉ基板
に適用することは困難である。また、半導体レーザなど
のデバイスをＳｉ基板の上に実装するデバイスにおい
て、あらかじめ半導体レーザ用の電極や電気配線などを
Ｓｉ基板に形成しておくことはできない。一方、シラン
ガスを用いたＣＶＤ法は緻密な石英膜が形成できる反
面、膜歪が大きいため、２インチや３インチなどの小口
径のＳｉ基板を用いれば、低損失な光導波路が実現可能
であるが、６から８インチのＳｉ基板を用いた場合の堆
積膜厚の限界は数μｍであり、従って量産が可能で低コ
ストな光導波路デバイスをシランガスを用いたＣＶＤ法
で実現することは困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、従来
の石英系光導波路用の石英系材料の堆積では、大口径Ｓ
ｉ基板上に光導波路形成に必要な厚さの石英系材料を堆
積することは困難であった。また、高温処理が必要なた
め、あらかじめ半導体レーザ用の電極や電気配線などを
Ｓｉ基板に形成しておくことはできないという欠点があ
る。
の石英系光導波路用の石英系材料の堆積では、大口径Ｓ
ｉ基板上に光導波路形成に必要な厚さの石英系材料を堆
積することは困難であった。また、高温処理が必要なた
め、あらかじめ半導体レーザ用の電極や電気配線などを
Ｓｉ基板に形成しておくことはできないという欠点があ
る。
【０００６】本発明の目的は、低温でかつ大口径Ｓｉ基
板上に光導波路形成に必要な厚さの石英系材料が堆積で
きる光導波路の製造方法、また光導波路を形成するＳｉ
に光導波路を形成する前に、あらかじめＭＯＳなどの電
子デバイスや電気配線などの各種の金属パターンを形成
することを可能にする低温で行える光導波路の製造方法
を提供することにある。
板上に光導波路形成に必要な厚さの石英系材料が堆積で
きる光導波路の製造方法、また光導波路を形成するＳｉ
に光導波路を形成する前に、あらかじめＭＯＳなどの電
子デバイスや電気配線などの各種の金属パターンを形成
することを可能にする低温で行える光導波路の製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による光導波路の
製造方法は、石英系材料よりなる光導波路において、常
圧ＣＶＤ法により石英系光導波路材料を堆積する際に、
石英系材料のソースとしてテトラエトキシシラン、テト
ラメチルオルソシリケート、トリエチルボレート、トリ
メチルホスファイト、トリメチルホスフェート、トリエ
チルホスフェート、トリメチルボレート、テトラメトキ
シゲルマニウムのうちの少なくとも１種以上の有機材料
ソースを用いる。また、これらの有機材料ソースをオゾ
ンにより分解し、石英系光導波路材料を堆積する。また
その際に石英系材料に３ｍｏｌ％以上のＰをドーピング
する。
製造方法は、石英系材料よりなる光導波路において、常
圧ＣＶＤ法により石英系光導波路材料を堆積する際に、
石英系材料のソースとしてテトラエトキシシラン、テト
ラメチルオルソシリケート、トリエチルボレート、トリ
メチルホスファイト、トリメチルホスフェート、トリエ
チルホスフェート、トリメチルボレート、テトラメトキ
シゲルマニウムのうちの少なくとも１種以上の有機材料
ソースを用いる。また、これらの有機材料ソースをオゾ
ンにより分解し、石英系光導波路材料を堆積する。また
その際に石英系材料に３ｍｏｌ％以上のＰをドーピング
する。
【０００８】
【作用】本発明による光導波路の製造方法は、テトラエ
トキシシラン、テトラメチルオルソシリケート、トリエ
チルボレート、トリメチルホスファイト、トリメチルホ
スフェート、トリエチルホスフェート、トリメチルボレ
ート、テトラメトキシゲルマニウムなどの有機材料ソー
スを用い、これらの有機材料ソースをオゾンにより分解
し、石英系光導波路材料を堆積する方法を用い、かつ石
英系材料に３ｍｏｌ％以上のＰをドーピングするため、
２００℃から５００℃程度の低温での厚い膜の堆積、並
びに膜歪が小さい膜の堆積が可能になる。
トキシシラン、テトラメチルオルソシリケート、トリエ
チルボレート、トリメチルホスファイト、トリメチルホ
スフェート、トリエチルホスフェート、トリメチルボレ
ート、テトラメトキシゲルマニウムなどの有機材料ソー
スを用い、これらの有機材料ソースをオゾンにより分解
し、石英系光導波路材料を堆積する方法を用い、かつ石
英系材料に３ｍｏｌ％以上のＰをドーピングするため、
２００℃から５００℃程度の低温での厚い膜の堆積、並
びに膜歪が小さい膜の堆積が可能になる。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例に係わる光導波路
の製造方法を示す図である。図１において石英系材料を
堆積するための有機材料ソースは、気体状態で、ヒータ
ー５により２００℃から５００℃程度の加熱された基板
１が設置された常圧反応チャンバー２に運ばれる。同様
にオゾン（Ｏ3 ）及び酸素（Ｏ2 ）も常圧反応チャンバ
ー２に運ばれる。基板１表面で有機材料ソースはオゾン
により分解されるとともに、酸化などの化学反応が起こ
り、基板１表面に石英系材料が堆積される。つまり、常
圧ＣＶＤ法である。
の製造方法を示す図である。図１において石英系材料を
堆積するための有機材料ソースは、気体状態で、ヒータ
ー５により２００℃から５００℃程度の加熱された基板
１が設置された常圧反応チャンバー２に運ばれる。同様
にオゾン（Ｏ3 ）及び酸素（Ｏ2 ）も常圧反応チャンバ
ー２に運ばれる。基板１表面で有機材料ソースはオゾン
により分解されるとともに、酸化などの化学反応が起こ
り、基板１表面に石英系材料が堆積される。つまり、常
圧ＣＶＤ法である。
【００１１】ノンドープのＳｉＯ2 （以後、ＮＳＧと呼
ぶ）を堆積するときは、有機材料ソースとしてテトラエ
トキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）やテトラメチル
オルソシリケートなどのＳｉ系の有機材料ソースを用い
る。ＳｉＯ2 に燐（Ｐ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ボロ
ン（Ｂ）などのドーパントをドーピングされた石英系材
料を得るときには、Ｓｉ系の有機材料ソースと各ドーパ
ント系の有機材料ソースとを混合して、同時に常圧反応
チャンバー２に運べば、所望の石英系材料が得られる。
たとえば、ゲルマニウム（Ｇｅ）がドーピングされたＳ
ｉＯ2 （以後、ＧｅＳＧと呼ぶ）を堆積するときは、有
機材料ソースとしてテトラエトキシシランやテトラメチ
ルオルソシリケートなどのＳｉ系の有機材料ソースとテ
トラメトキシゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＣＨ3 ）4 ）など
のＧｅ系の有機材料ソースを同時に反応チャンバー２に
運べば、ＧｅＳＧの堆積が得られる。ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、燐（Ｐ）、ボロン（Ｂ）のドーパントがドーピン
グされたＳｉＯ2 （以後、ＧｅＢＰＳＧと呼ぶ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）のドーパントがドーピング
されたＳｉＯ2 （以後、ＧｅＰＳＧと呼ぶ）、燐
（Ｐ）、ボロン（Ｂ）のドーパントがドーピングされた
ＳｉＯ2 （以後、ＢＰＳＧと呼ぶ）、燐（Ｐ）のドーパ
ントがドーピングされたＳｉＯ2 （以後、ＰＳＧと呼
ぶ）も同様な手法で得られる。Ｂ系の有機ソースとして
はトリエチルボレート（Ｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）、トリメ
チルボレート（Ｂ（ＯＣＨ3 ）3 ）などがあり、Ｐ系の
有機ソースとしてはトリメチルホスファイト（ＰＯ（Ｏ
ＣＨ3 ）3 ）、トリメチルホスフェート（ＰＯ（ＯＣＨ
3 ）3 ）、トリエチルホスフェート（ＰＯ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）3 ）などが用いられる。
ぶ）を堆積するときは、有機材料ソースとしてテトラエ
トキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）やテトラメチル
オルソシリケートなどのＳｉ系の有機材料ソースを用い
る。ＳｉＯ2 に燐（Ｐ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ボロ
ン（Ｂ）などのドーパントをドーピングされた石英系材
料を得るときには、Ｓｉ系の有機材料ソースと各ドーパ
ント系の有機材料ソースとを混合して、同時に常圧反応
チャンバー２に運べば、所望の石英系材料が得られる。
たとえば、ゲルマニウム（Ｇｅ）がドーピングされたＳ
ｉＯ2 （以後、ＧｅＳＧと呼ぶ）を堆積するときは、有
機材料ソースとしてテトラエトキシシランやテトラメチ
ルオルソシリケートなどのＳｉ系の有機材料ソースとテ
トラメトキシゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＣＨ3 ）4 ）など
のＧｅ系の有機材料ソースを同時に反応チャンバー２に
運べば、ＧｅＳＧの堆積が得られる。ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、燐（Ｐ）、ボロン（Ｂ）のドーパントがドーピン
グされたＳｉＯ2 （以後、ＧｅＢＰＳＧと呼ぶ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）のドーパントがドーピング
されたＳｉＯ2 （以後、ＧｅＰＳＧと呼ぶ）、燐
（Ｐ）、ボロン（Ｂ）のドーパントがドーピングされた
ＳｉＯ2 （以後、ＢＰＳＧと呼ぶ）、燐（Ｐ）のドーパ
ントがドーピングされたＳｉＯ2 （以後、ＰＳＧと呼
ぶ）も同様な手法で得られる。Ｂ系の有機ソースとして
はトリエチルボレート（Ｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）、トリメ
チルボレート（Ｂ（ＯＣＨ3 ）3 ）などがあり、Ｐ系の
有機ソースとしてはトリメチルホスファイト（ＰＯ（Ｏ
ＣＨ3 ）3 ）、トリメチルホスフェート（ＰＯ（ＯＣＨ
3 ）3 ）、トリエチルホスフェート（ＰＯ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）3 ）などが用いられる。
【００１２】このような、有機ソースを用いた常圧ＣＶ
Ｄは膜歪が小さく、また２００℃から５００℃程度の低
温での堆積であるので熱的な歪が小さい。従って、光導
波路に必要な２５μｍ程度の厚い膜を堆積できる可能性
がある。発明者はドーパント材、並びにドーパントのド
ーピング量の検討により、石英系材料に３ｍｏｌ％以上
のＰをドーピングすることにより、６インチＳｉ基板に
２５μｍ以上の厚い石英系材料を堆積できることを見い
だした。また、この厚膜を堆積できるのはＰＳＧに限ら
ず、石英系材料に３ｍｏｌ％以上のＰをドーピングして
おけば、ＢやＧｅなどの他のドーパントがドーピングさ
れていても、すなわちＢＰＳＧ、ＧｅＰＳＧ、ＧｅＰＳ
Ｇなどの石英系材料でも、６インチＳｉ基板に２５μｍ
以上の厚い石英系材料を堆積できることを見いだした。
Ｄは膜歪が小さく、また２００℃から５００℃程度の低
温での堆積であるので熱的な歪が小さい。従って、光導
波路に必要な２５μｍ程度の厚い膜を堆積できる可能性
がある。発明者はドーパント材、並びにドーパントのド
ーピング量の検討により、石英系材料に３ｍｏｌ％以上
のＰをドーピングすることにより、６インチＳｉ基板に
２５μｍ以上の厚い石英系材料を堆積できることを見い
だした。また、この厚膜を堆積できるのはＰＳＧに限ら
ず、石英系材料に３ｍｏｌ％以上のＰをドーピングして
おけば、ＢやＧｅなどの他のドーパントがドーピングさ
れていても、すなわちＢＰＳＧ、ＧｅＰＳＧ、ＧｅＰＳ
Ｇなどの石英系材料でも、６インチＳｉ基板に２５μｍ
以上の厚い石英系材料を堆積できることを見いだした。
【００１３】図２は、本発明により６インチＳｉ基板に
３０μｍの厚さで堆積されたＢＰＳＧの膜厚分布を示す
特性図である。（ａ）は膜厚分布を示す斜視図、（ｂ）
は膜厚分布を示す断面図である。
３０μｍの厚さで堆積されたＢＰＳＧの膜厚分布を示す
特性図である。（ａ）は膜厚分布を示す斜視図、（ｂ）
は膜厚分布を示す断面図である。
【００１４】従って、図３の光導波路の断面図におい
て、本発明による光導波路の製造方法を用いた光導波路
では、コア３及びクラッド４の両者の石英系光導波路材
料に３ｍｏｌ％以上のＰをドーピングしている。コアの
屈折率をクラッドに比べて大きくすることは、Ｐ、Ｇ
ｅ、Ｂなどのドーパント量をクラッドに比べて多くして
やれば容易に実現できる。
て、本発明による光導波路の製造方法を用いた光導波路
では、コア３及びクラッド４の両者の石英系光導波路材
料に３ｍｏｌ％以上のＰをドーピングしている。コアの
屈折率をクラッドに比べて大きくすることは、Ｐ、Ｇ
ｅ、Ｂなどのドーパント量をクラッドに比べて多くして
やれば容易に実現できる。
【００１５】以上説明したように、本発明による光導波
路の製造方法では、２００℃から５００℃程度の低温
で、６から８インチの大口径Ｓｉ基板上に光導波路形成
に必要な３０μｍ以上の厚さの石英系材料が堆積でき光
導波路デバイスの大量生産が可能になり、低コスト化が
得られるとともに、大規模な光導波路回路が構成できる
ようになる。また、半導体レーザ、半導体光検出器、光
スイッチをＳｉ基板上にハイブリッドに集積する光ＩＣ
などの製作において、光導波路形成前にＳｉ基板上に電
気配線などの各種の金属パターンやＭＯＳなどの電子デ
バイスをあらかじめ形成することができる。
路の製造方法では、２００℃から５００℃程度の低温
で、６から８インチの大口径Ｓｉ基板上に光導波路形成
に必要な３０μｍ以上の厚さの石英系材料が堆積でき光
導波路デバイスの大量生産が可能になり、低コスト化が
得られるとともに、大規模な光導波路回路が構成できる
ようになる。また、半導体レーザ、半導体光検出器、光
スイッチをＳｉ基板上にハイブリッドに集積する光ＩＣ
などの製作において、光導波路形成前にＳｉ基板上に電
気配線などの各種の金属パターンやＭＯＳなどの電子デ
バイスをあらかじめ形成することができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、６から８インチの大口
径Ｓｉ基板上に光導波路形成に必要な３０μｍ以上の厚
さの石英系材料が堆積でき、光導波路デバイスの大量生
産が可能になり、低コスト化が得られるとともに、大規
模な光導波路回路が構成できるようになる。また、低温
での石英材料の堆積ができるため、半導体レーザ、半導
体光検出器、光スイッチをＳｉ基板上にハイブリッドに
集積する光ＩＣなどの製作において、光導波路形成前に
Ｓｉ基板上に電気配線などの各種の金属パターンやＭＯ
Ｓなどの電子デバイスをあらかじめ形成することができ
る。
径Ｓｉ基板上に光導波路形成に必要な３０μｍ以上の厚
さの石英系材料が堆積でき、光導波路デバイスの大量生
産が可能になり、低コスト化が得られるとともに、大規
模な光導波路回路が構成できるようになる。また、低温
での石英材料の堆積ができるため、半導体レーザ、半導
体光検出器、光スイッチをＳｉ基板上にハイブリッドに
集積する光ＩＣなどの製作において、光導波路形成前に
Ｓｉ基板上に電気配線などの各種の金属パターンやＭＯ
Ｓなどの電子デバイスをあらかじめ形成することができ
る。
【図１】本発明による光導波路の製造方法を示す工程図
である。
である。
【図２】本発明により６インチＳｉ基板上に３０μｍの
厚さで堆積された石英系材料の膜厚分布を示す特性図で
ある。
厚さで堆積された石英系材料の膜厚分布を示す特性図で
ある。
【図３】本発明による光導波路の製造方法により形成さ
れる光導波路の構造を示す断面図である。
れる光導波路の構造を示す断面図である。
１ 基板 ２ 反応チャンバー ３ コア ４ クラッド ５ ヒーター
Claims (3)
- 【請求項１】 石英系材料よりなる光導波路の製造方法
において、テトラエトキシシラン、テトラメチルオルソ
シリケート、トリエチルボレート、トリメチルホスファ
イト、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェー
ト、トリメチルボレート、テトラメトキシゲルマニウム
のうちの少なくとも１種以上の有機材料ソースを用い常
圧ＣＶＤ法により石英系光導波路材料を堆積することを
特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の光導波路の製造方法にお
いて、前記有機材料ソースをオゾンにより分解し、石英
系光導波路材料を堆積することを特徴とする光導波路の
製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の光導波路の製造
方法において、光導波路のコア及びクラッドをなす石英
系光導波路材料に３ｍｏｌ％以上の燐（Ｐ）をドーピン
グすることを特徴とする光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5136352A JP2739806B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5136352A JP2739806B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347657A JPH06347657A (ja) | 1994-12-22 |
| JP2739806B2 true JP2739806B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=15173185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5136352A Expired - Lifetime JP2739806B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2739806B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3001406B2 (ja) * | 1995-11-09 | 2000-01-24 | 日本電気株式会社 | 光導波路の製造方法 |
| JP2002274871A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-25 | Asahi Denka Kogyo Kk | 光導波用珪酸系ガラス層の製造方法及びこれに用いられるｃｖｄ原料 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8515814D0 (en) * | 1985-06-21 | 1985-07-24 | British Telecomm | Fabrication of optical waveguides |
| JPS63303305A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-09 | Fujikura Ltd | 石英系薄膜導波路 |
| JP2747352B2 (ja) * | 1990-01-26 | 1998-05-06 | 日立電線株式会社 | 光導波路用ガラス膜の形成方法及び光導波路の製造方法 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5136352A patent/JP2739806B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06347657A (ja) | 1994-12-22 |
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