JP2827959B2 - 集束イオンビーム装置とパターン形成方法 - Google Patents
集束イオンビーム装置とパターン形成方法Info
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- ion beam
- ion gun
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集束イオンビーム装
置、特に真空槽の天井からイオンガンが垂下された集束
イオンビーム装置と、それを用いるパターン形成方法に
関する。
置、特に真空槽の天井からイオンガンが垂下された集束
イオンビーム装置と、それを用いるパターン形成方法に
関する。
【０００２】
【背景技術】ＩＣ、ＬＳＩの製造に不可欠な露光、半導
体基板のイオンエッチングによる加工、リペアのための
半導体膜、導電膜、絶縁膜の成長には集束イオンビーム
装置が多く用いられるようになっている。そして、集束
イオンビーム装置の性能の向上のための技術開発も盛ん
で、その成果の一つが例えば特開昭６３−４３２４９号
公報等により公表されている。
体基板のイオンエッチングによる加工、リペアのための
半導体膜、導電膜、絶縁膜の成長には集束イオンビーム
装置が多く用いられるようになっている。そして、集束
イオンビーム装置の性能の向上のための技術開発も盛ん
で、その成果の一つが例えば特開昭６３−４３２４９号
公報等により公表されている。
【０００３】図３は集束イオンビーム装置の一例を示す
断面図であり、１はイオンガンで、真空槽２の天井に垂
設されている。３は冷凍機、４は該冷凍機３の下端に取
り付けられた絶縁サファイア、５は該絶縁サファイア４
に形成されたガス導入孔、６は該ガス導入孔５に連結さ
れたパイプで、真空槽２の外部からガス導入孔５へイオ
ン源であるヘリウムＨｅガスを供給する。７はヘリウム
Ｈｅガスを下方に噴出するノズルで、絶縁サファイア４
の下端面中央部に開口するガス導入孔５の下端部に形成
されている。８は該ノズル７内に取り付けられたエミッ
ターで、このエミッターの８先端はノズル７の先端から
稍突出せしめられている。９は冷凍機３、絶縁サファイ
ア４、ノズル７及びエミッター８を囲繞して外部から放
射される熱を遮ぎるラディエーションシールド、１０は
ドーナツ状の引き出し電極で、該電極１０と上記エミッ
ター８との間に電圧を印加することによりエミッター８
の先端面からイオンビームを引き出すことができる。
断面図であり、１はイオンガンで、真空槽２の天井に垂
設されている。３は冷凍機、４は該冷凍機３の下端に取
り付けられた絶縁サファイア、５は該絶縁サファイア４
に形成されたガス導入孔、６は該ガス導入孔５に連結さ
れたパイプで、真空槽２の外部からガス導入孔５へイオ
ン源であるヘリウムＨｅガスを供給する。７はヘリウム
Ｈｅガスを下方に噴出するノズルで、絶縁サファイア４
の下端面中央部に開口するガス導入孔５の下端部に形成
されている。８は該ノズル７内に取り付けられたエミッ
ターで、このエミッターの８先端はノズル７の先端から
稍突出せしめられている。９は冷凍機３、絶縁サファイ
ア４、ノズル７及びエミッター８を囲繞して外部から放
射される熱を遮ぎるラディエーションシールド、１０は
ドーナツ状の引き出し電極で、該電極１０と上記エミッ
ター８との間に電圧を印加することによりエミッター８
の先端面からイオンビームを引き出すことができる。
【０００４】以上がイオンガン１の構造の説明である。
次に、該イオンガン１から出射されるイオンビームを集
束し、ブランキングし、偏向するレンズ系について説明
する。１１はイオンビームを集束するコンデンサレン
ズ、１２はアライメントレンズ、１３はブランキング電
極、１４はアパーチャー、１５はアライメント電極、１
６は対物レンズ、１７は偏向レンズであり、これ等の部
材によりレンズ系が構成されている。１８はイオンビー
ムが照射される半導体ウエハである。１９は上記イオン
ガンを各方向に移動してイオンガン１のエミッター８の
レンズ系に対する位置合せを行うためのマニュピレータ
である。
次に、該イオンガン１から出射されるイオンビームを集
束し、ブランキングし、偏向するレンズ系について説明
する。１１はイオンビームを集束するコンデンサレン
ズ、１２はアライメントレンズ、１３はブランキング電
極、１４はアパーチャー、１５はアライメント電極、１
６は対物レンズ、１７は偏向レンズであり、これ等の部
材によりレンズ系が構成されている。１８はイオンビー
ムが照射される半導体ウエハである。１９は上記イオン
ガンを各方向に移動してイオンガン１のエミッター８の
レンズ系に対する位置合せを行うためのマニュピレータ
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、集束イオン
ビーム装置のイオンガンは、エミッター８の温度を低く
することによってイオンビームの電流密度を大きくする
ため、冷凍機３の下端部に宙吊りにされた構造になって
おり、冷凍機３より下側の部分の重量が重く、イオンガ
ン１は自己が持つ固有振動数（低い周波数）で振動す
る。この振動の振幅は５０μｍ以上になる場合もある。
そして、このように振動が生じると最終段の対物レンズ
１６を通過したイオンビームの位置がドリフトすること
になるのでイオンビームにより露光することによりパタ
ーニングを行う場合にはパターンが歪んでしまうという
問題をもたらす。そして、振動の振幅が大きい場合には
例えば初段レンズ１１の次のアパーチャーでその孔から
ビームが外れてしまい、その結果ビームが切れてしまう
ということも生じ得る。
ビーム装置のイオンガンは、エミッター８の温度を低く
することによってイオンビームの電流密度を大きくする
ため、冷凍機３の下端部に宙吊りにされた構造になって
おり、冷凍機３より下側の部分の重量が重く、イオンガ
ン１は自己が持つ固有振動数（低い周波数）で振動す
る。この振動の振幅は５０μｍ以上になる場合もある。
そして、このように振動が生じると最終段の対物レンズ
１６を通過したイオンビームの位置がドリフトすること
になるのでイオンビームにより露光することによりパタ
ーニングを行う場合にはパターンが歪んでしまうという
問題をもたらす。そして、振動の振幅が大きい場合には
例えば初段レンズ１１の次のアパーチャーでその孔から
ビームが外れてしまい、その結果ビームが切れてしまう
ということも生じ得る。
【０００６】しかるに、集束イオンビーム装置はビーム
径を０．２μｍ程度に絞って例えば０．３５μｍあるい
はそれ以下の微細ルールでのパターニングを可能にする
ことが期待されており、その期待に応えるためにはイオ
ンガン１の振動の振幅を極力小さくする必要がある。そ
こで、本願発明者は図３において破線で示したようにボ
ルトとナットを組み合せた支持具２０を複数個（例えば
４個）用いて真空槽２内壁面の複数箇所からイオンガン
１（具体的にラディエーションシールド９）を抑えてそ
の位置を固定することにより振動を小さくするという着
想を得てそれを試してみた。
径を０．２μｍ程度に絞って例えば０．３５μｍあるい
はそれ以下の微細ルールでのパターニングを可能にする
ことが期待されており、その期待に応えるためにはイオ
ンガン１の振動の振幅を極力小さくする必要がある。そ
こで、本願発明者は図３において破線で示したようにボ
ルトとナットを組み合せた支持具２０を複数個（例えば
４個）用いて真空槽２内壁面の複数箇所からイオンガン
１（具体的にラディエーションシールド９）を抑えてそ
の位置を固定することにより振動を小さくするという着
想を得てそれを試してみた。
【０００７】しかし、支持具２０を用いて固定しても冷
却すると支持具２０が収縮するので支持具２０による抑
えが効かなくなり、結局、振動抑制効果は得られなかっ
た。というのは、支持具２０を固定する作業は真空槽２
が常温状態のときに行うが、実際に集束イオンビーム装
置を使用するときは真空槽２を真空排気し且つ−２００
℃以下に冷却した状態にする。その結果、肝心の使用時
には支持具２０が収縮してしまい、イオンガン１を抑え
ることができないのである。そこで、本願発明者は冷却
した状態であってもイオンガンの位置を固定できるよう
にすべく思索して本発明を試すに至ったのであり、本発
明は集束イオンビーム装置のイオンガンの振動を、外部
からイオンガンへの熱の侵入を許容することなく有効に
防止することを目的とする。
却すると支持具２０が収縮するので支持具２０による抑
えが効かなくなり、結局、振動抑制効果は得られなかっ
た。というのは、支持具２０を固定する作業は真空槽２
が常温状態のときに行うが、実際に集束イオンビーム装
置を使用するときは真空槽２を真空排気し且つ−２００
℃以下に冷却した状態にする。その結果、肝心の使用時
には支持具２０が収縮してしまい、イオンガン１を抑え
ることができないのである。そこで、本願発明者は冷却
した状態であってもイオンガンの位置を固定できるよう
にすべく思索して本発明を試すに至ったのであり、本発
明は集束イオンビーム装置のイオンガンの振動を、外部
からイオンガンへの熱の侵入を許容することなく有効に
防止することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の集束イオンビ
ーム装置は、真空槽の側壁の周方向に離間した位置に、
イオンガンに向けて延びる、長さを外部にて調整可能な
振動防止用の複数の支持具を貫設し、該支持具の内端に
て支持面との間に熱絶縁性材料を挟んで上記イオンガン
を抑えてなることを特徴とする。請求項２パターン形成
方法は、請求項１記載の集束イオンビーム装置を用いる
ことを特徴とする。
ーム装置は、真空槽の側壁の周方向に離間した位置に、
イオンガンに向けて延びる、長さを外部にて調整可能な
振動防止用の複数の支持具を貫設し、該支持具の内端に
て支持面との間に熱絶縁性材料を挟んで上記イオンガン
を抑えてなることを特徴とする。請求項２パターン形成
方法は、請求項１記載の集束イオンビーム装置を用いる
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１の集束イオンビーム装置によれば、冷
却後イオンガンを固定するように各支持具を外部から調
整できるので、各支持具によってイオンガンの振動を有
効に防止することができる。そして、上記各支持具とイ
オンガンとの間に熱絶縁性材料が存在しているので、集
束イオンビーム装置外部からイオンガンへの熱の侵入を
該熱絶縁性材料により阻むことができ、延いては、イオ
ンガンの温度が上昇しそれによってイオンビーム電流が
減少して良好なパターン形成に支障をきたすというおそ
れをなくすことができる。
却後イオンガンを固定するように各支持具を外部から調
整できるので、各支持具によってイオンガンの振動を有
効に防止することができる。そして、上記各支持具とイ
オンガンとの間に熱絶縁性材料が存在しているので、集
束イオンビーム装置外部からイオンガンへの熱の侵入を
該熱絶縁性材料により阻むことができ、延いては、イオ
ンガンの温度が上昇しそれによってイオンビーム電流が
減少して良好なパターン形成に支障をきたすというおそ
れをなくすことができる。
【００１０】請求項２のパターン形成方法によれば、振
動のない状態のイオンガンからのイオンビームによりパ
ターンを形成することができるので、加工精度、成膜精
度を高め、微細なルールでのパターニングをすることが
できる。そして、イオンガンとそれを支持する各支持具
との間には熱絶縁性材料が介在するので、外部からイオ
ンガンへ熱が侵入するのを防止することができ、従っ
て、パターン形成時にイオンビーム電流が低下するとい
うおそれがなく、安定なイオンビーム発生条件下で良好
にパターン形成を行うことができる。
動のない状態のイオンガンからのイオンビームによりパ
ターンを形成することができるので、加工精度、成膜精
度を高め、微細なルールでのパターニングをすることが
できる。そして、イオンガンとそれを支持する各支持具
との間には熱絶縁性材料が介在するので、外部からイオ
ンガンへ熱が侵入するのを防止することができ、従っ
て、パターン形成時にイオンビーム電流が低下するとい
うおそれがなく、安定なイオンビーム発生条件下で良好
にパターン形成を行うことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図１及び図２は本発明集束イオンビーム装置の
一つの実施例を示すもので、図１は装置全体を示す断面
図、図２は支持具を示す拡大断面図である。本集束イオ
ンビーム装置は図３に示した従来の集束イオンビーム装
置とは真空槽２内壁面から内側へ延びる長さを真空槽２
外部にて調整することができる支持具２１を４個用いて
イオンガン１（具体的にはラディエーションシールド
９）の下部を抑えるようにした点で異なっているが、そ
れ以外の点では共通しており、その共通した点について
は既に説明済みなので図１及び図２において図３に使用
したと同じ符号を付して説明は省略し、相違する点につ
いてのみ説明する。
明する。図１及び図２は本発明集束イオンビーム装置の
一つの実施例を示すもので、図１は装置全体を示す断面
図、図２は支持具を示す拡大断面図である。本集束イオ
ンビーム装置は図３に示した従来の集束イオンビーム装
置とは真空槽２内壁面から内側へ延びる長さを真空槽２
外部にて調整することができる支持具２１を４個用いて
イオンガン１（具体的にはラディエーションシールド
９）の下部を抑えるようにした点で異なっているが、そ
れ以外の点では共通しており、その共通した点について
は既に説明済みなので図１及び図２において図３に使用
したと同じ符号を付して説明は省略し、相違する点につ
いてのみ説明する。
【００１２】図面において、２２、２２は真空槽２の側
壁に形成した治具取付孔で、ラジエーションシールド９
の下部と略同じ高さのところにおいて本実施例では４個
中心角で９０°ずつ間隔をおいて形成されているが、図
１には２個の治具取付孔２２、２２のみが現れる。勿
論、治具取付孔２２に取り付けられる支持具２１につい
ても同様である。２３は治具取付孔２２の外周部に一体
に形成された支持具取付フランジで、該フランジ２３に
パッキング２４を介して支持具２１のフランジ２５がね
じ２７によって固定されている。２６はベアリングで、
Ｕ字状のベアリング取付片２７によってフランジ２５に
組み付けられている。２８、２８はベアリング取付片２
７をフランジ２５に固定するねじである。
壁に形成した治具取付孔で、ラジエーションシールド９
の下部と略同じ高さのところにおいて本実施例では４個
中心角で９０°ずつ間隔をおいて形成されているが、図
１には２個の治具取付孔２２、２２のみが現れる。勿
論、治具取付孔２２に取り付けられる支持具２１につい
ても同様である。２３は治具取付孔２２の外周部に一体
に形成された支持具取付フランジで、該フランジ２３に
パッキング２４を介して支持具２１のフランジ２５がね
じ２７によって固定されている。２６はベアリングで、
Ｕ字状のベアリング取付片２７によってフランジ２５に
組み付けられている。２８、２８はベアリング取付片２
７をフランジ２５に固定するねじである。
【００１３】２９は筒状体で、その一端部がフランジ２
５の中心孔に嵌合せしめられている。３０は上記筒状体
２９、ベアリング２６を通された移動軸で、周面に少な
くとも部分的にねじ溝が形成され、このねじ溝がベアリ
ング取付片２７あるいは筒状体２９の中心孔に形成され
た雌ねじに螺合している。しかして、該移動軸３０を外
端部３１において回すと該移動軸３０は回す方向に応じ
て前進あるいは後退する。３２は移動軸２９の内端部に
固着されたテフロンからなる抑え部分で、該抑え部分３
２にてイオンガン１のラジエーションシール９を抑え
る。テフロンは熱絶縁性が高くイオンガン１への外部か
らの熱侵入を防止できるので抑え部分３２に用いられ
る。３３は上記抑え部分３２と筒状体３０との間に介在
せしめられた蛇腹である。
５の中心孔に嵌合せしめられている。３０は上記筒状体
２９、ベアリング２６を通された移動軸で、周面に少な
くとも部分的にねじ溝が形成され、このねじ溝がベアリ
ング取付片２７あるいは筒状体２９の中心孔に形成され
た雌ねじに螺合している。しかして、該移動軸３０を外
端部３１において回すと該移動軸３０は回す方向に応じ
て前進あるいは後退する。３２は移動軸２９の内端部に
固着されたテフロンからなる抑え部分で、該抑え部分３
２にてイオンガン１のラジエーションシール９を抑え
る。テフロンは熱絶縁性が高くイオンガン１への外部か
らの熱侵入を防止できるので抑え部分３２に用いられ
る。３３は上記抑え部分３２と筒状体３０との間に介在
せしめられた蛇腹である。
【００１４】本集束イオンビーム装置によれば真空排
気、冷却を終えた後イオンガン１の下部を４個の支持具
２１によって抑えることによってイオンガン１の下部を
固定することができる。というのは、各支持具２１は移
動軸３０を真空槽２外部からまわすことによって前進、
後退することができるからである。従って、イオンガン
の振動をきわめて小さくすることができる。実際には支
持具を全く用いない場合に存在していた６Ｈｚ、５０μ
ｍの振動を１０分の１（即ち５μｍ）以下の振幅に抑え
ることができた。尚、この支持具２１による抑えはマニ
ピュレータ１９により調整したイオンガン１の位置、向
きを狂わさないように行うことが必要であることはいう
までもない。尚、上記実施例において、支持具２１の数
は４個であったが、必ずしも４個にすることは必要では
なく、例えば３個でも良いし、逆に４個よりも多くして
も良い。
気、冷却を終えた後イオンガン１の下部を４個の支持具
２１によって抑えることによってイオンガン１の下部を
固定することができる。というのは、各支持具２１は移
動軸３０を真空槽２外部からまわすことによって前進、
後退することができるからである。従って、イオンガン
の振動をきわめて小さくすることができる。実際には支
持具を全く用いない場合に存在していた６Ｈｚ、５０μ
ｍの振動を１０分の１（即ち５μｍ）以下の振幅に抑え
ることができた。尚、この支持具２１による抑えはマニ
ピュレータ１９により調整したイオンガン１の位置、向
きを狂わさないように行うことが必要であることはいう
までもない。尚、上記実施例において、支持具２１の数
は４個であったが、必ずしも４個にすることは必要では
なく、例えば３個でも良いし、逆に４個よりも多くして
も良い。
【００１５】そして、抑え部分３２をテフロンの如き熱
絶縁性を有する材料により形成したので、イオンガン１
の振動を複数の支持具２１によって抑えるようにしても
集束イオンビーム装置外部からイオンガン１へ熱が侵入
することを該抑え部分３２によって阻むことができる。
従って、イオンガン１の温度が上昇してイオンビーム電
流が減少するというおそれはなく、安定にイオンビーム
の発生を継続させることができる。
絶縁性を有する材料により形成したので、イオンガン１
の振動を複数の支持具２１によって抑えるようにしても
集束イオンビーム装置外部からイオンガン１へ熱が侵入
することを該抑え部分３２によって阻むことができる。
従って、イオンガン１の温度が上昇してイオンビーム電
流が減少するというおそれはなく、安定にイオンビーム
の発生を継続させることができる。
【００１６】そして、このような集束イオンビーム装置
を用いてＩＣ、ＬＳＩの製造に不可欠な例えば露光、半
導体基板のイオンエッチングによる加工、リペアのため
の半導体膜、導電膜、絶縁膜の成長を行うことによりパ
ターン形成する。すると、イオンガン１が振動しないの
で、従来生じていたイオンガンの振動によりパターンが
歪むという問題がなくなり、例えば０．３５μｍ或いは
それ以下という微細なルールでのパターニングが可能と
なる。しかも、イオンガン１とそれを支持する各支持具
２１との間には熱絶縁性材料からなる抑え部分３２が介
在するので、外部からイオンガン１へ熱が侵入するのを
防止することができ、延いては、安定なイオンビーム発
生条件下でパターン形成を行うことができる。
を用いてＩＣ、ＬＳＩの製造に不可欠な例えば露光、半
導体基板のイオンエッチングによる加工、リペアのため
の半導体膜、導電膜、絶縁膜の成長を行うことによりパ
ターン形成する。すると、イオンガン１が振動しないの
で、従来生じていたイオンガンの振動によりパターンが
歪むという問題がなくなり、例えば０．３５μｍ或いは
それ以下という微細なルールでのパターニングが可能と
なる。しかも、イオンガン１とそれを支持する各支持具
２１との間には熱絶縁性材料からなる抑え部分３２が介
在するので、外部からイオンガン１へ熱が侵入するのを
防止することができ、延いては、安定なイオンビーム発
生条件下でパターン形成を行うことができる。
【００１７】
【発明の効果】請求項１の集束イオンビーム装置によれ
ば、冷却後イオンガンを固定するように各支持具を外部
から調整できるので、各支持具によってイオンガンの振
動を有効に防止することができる。具体的には、従来に
おいて生じていた６Ｈｚ、５０μｍの振動を本集束イオ
ンビーム装置によれば１０分の１（５μｍ）以下の振幅
に抑えることができた。そして、上記各支持具とイオン
ガンとの間に熱絶縁性材料が存在しているので、集束イ
オンビーム装置外部からイオンガンへの熱の侵入を該熱
絶縁性材料により阻むことができ、延いては、イオンガ
ンを所定温度以上に上昇して良好なイオンビーム電流が
減少し良好なパターン形成に支障をきたすというおそれ
をなくすことができる。
ば、冷却後イオンガンを固定するように各支持具を外部
から調整できるので、各支持具によってイオンガンの振
動を有効に防止することができる。具体的には、従来に
おいて生じていた６Ｈｚ、５０μｍの振動を本集束イオ
ンビーム装置によれば１０分の１（５μｍ）以下の振幅
に抑えることができた。そして、上記各支持具とイオン
ガンとの間に熱絶縁性材料が存在しているので、集束イ
オンビーム装置外部からイオンガンへの熱の侵入を該熱
絶縁性材料により阻むことができ、延いては、イオンガ
ンを所定温度以上に上昇して良好なイオンビーム電流が
減少し良好なパターン形成に支障をきたすというおそれ
をなくすことができる。
【００１８】請求項２のパターン形成方法によれば、振
動のない状態のイオンガンからのイオンビームによりパ
ターンを形成することができるので、加工精度、成膜精
度を高め、微細なルールでのパターニングをすることが
できる。そして、イオンガンとそれを支持する各支持具
との間には熱絶縁性材料が介在するので、外部からイオ
ンガンへ熱が侵入するのを防止することができ、延いて
は、安定なイオンビーム発生条件下でパターン形成を行
うことができる。
動のない状態のイオンガンからのイオンビームによりパ
ターンを形成することができるので、加工精度、成膜精
度を高め、微細なルールでのパターニングをすることが
できる。そして、イオンガンとそれを支持する各支持具
との間には熱絶縁性材料が介在するので、外部からイオ
ンガンへ熱が侵入するのを防止することができ、延いて
は、安定なイオンビーム発生条件下でパターン形成を行
うことができる。
【図１】本発明集束イオンビーム装置の一つの実施例を
示す、装置全体の断面図である。
示す、装置全体の断面図である。
【図２】上記実施例の支持具の断面図である。
【図３】背景技術を示す集束イオンビーム装置の断面図
である。
である。
【符号の説明】 １ イオンガン ２ 真空槽 ２１ 支持具 ３２ 熱絶縁性材料
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５５１ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 27/00 - 27/26 H01J 37/08 H01J 37/305 H01J 37/317
Claims (2)
- 【請求項１】 真空槽の天井からイオンガンが垂下され
た集束イオンビーム装置において、 真空槽の側壁の周方向に離間した位置に、該側壁内面か
ら上記イオンガンに向けて延びる、長さを外部にて調整
可能な振動防止用の複数の支持具を貫設し、 上記支持具の内端にて支持面との間に熱絶縁性材料を挟
んで上記イオンガンを抑えてなることを特徴とする集束
イオンビーム装置 - 【請求項２】 請求項１記載の集束イオンビーム装置を
用いて、被処理基板へイオンビームを露光して該被処理
基板上にイオンビームの露光によるパターンを形成する
ことを特徴とするパターン形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7104859A JP2827959B2 (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 集束イオンビーム装置とパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7104859A JP2827959B2 (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 集束イオンビーム装置とパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07282759A JPH07282759A (ja) | 1995-10-27 |
| JP2827959B2 true JP2827959B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=14391992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7104859A Expired - Fee Related JP2827959B2 (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 集束イオンビーム装置とパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2827959B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009020150A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Sii Nanotechnology Inc. | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法 |
| EP2068345B1 (en) * | 2007-12-05 | 2016-07-20 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | High resolution gas field ion column with reduced sample load |
| JP5409780B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2014-02-05 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | イオン源、システムおよび方法 |
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1995
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