JP3528305B2 - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JP3528305B2 JP3528305B2 JP04843795A JP4843795A JP3528305B2 JP 3528305 B2 JP3528305 B2 JP 3528305B2 JP 04843795 A JP04843795 A JP 04843795A JP 4843795 A JP4843795 A JP 4843795A JP 3528305 B2 JP3528305 B2 JP 3528305B2
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- electrode
- plasma
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマからイオンビ
ームを引用すイオン源に係り、特に、電極への付着物の
発生を防止し、しかも熱膨張による電極の歪みを防止す
るイオン源に関するものである。
ームを引用すイオン源に係り、特に、電極への付着物の
発生を防止し、しかも熱膨張による電極の歪みを防止す
るイオン源に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板等の対象物にイオンを注入するため
のイオン源は、プラズマ室内でアーク放電によりプラズ
マガスをプラズマ化させ、このプラズマを磁場によりプ
ラズマ室内に閉じ込め、このプラズマを引出し用の電場
で加速してイオンビームとしてプラズマ室外に引き出す
ようになっている。プラズマガスには、水素ガスを混合
することにより希釈したＰＨ3 ／Ｈ2 ，Ｂ2 Ｈ6 ／Ｈ2
などが用いられる。引出し用の電場を得るために、多数
のビーム孔を有する電極でプラズマ室の開口部を覆う。
この電極は、プラズマ室の開口部に直接或いはフランジ
を介してネジ止め等により固定される。また、電極は、
一種類とは限らず、複数の電極を重ねて用いるのが通例
である。
のイオン源は、プラズマ室内でアーク放電によりプラズ
マガスをプラズマ化させ、このプラズマを磁場によりプ
ラズマ室内に閉じ込め、このプラズマを引出し用の電場
で加速してイオンビームとしてプラズマ室外に引き出す
ようになっている。プラズマガスには、水素ガスを混合
することにより希釈したＰＨ3 ／Ｈ2 ，Ｂ2 Ｈ6 ／Ｈ2
などが用いられる。引出し用の電場を得るために、多数
のビーム孔を有する電極でプラズマ室の開口部を覆う。
この電極は、プラズマ室の開口部に直接或いはフランジ
を介してネジ止め等により固定される。また、電極は、
一種類とは限らず、複数の電極を重ねて用いるのが通例
である。
【０００３】近年では、大面積の基板を処理する大口径
のイオン源が望まれており、従って電極も大面積にする
必要が生じている。また、イオン源が円筒状であるのに
対し、電極の形状としては、円形のものや方形のものが
ある。
のイオン源が望まれており、従って電極も大面積にする
必要が生じている。また、イオン源が円筒状であるのに
対し、電極の形状としては、円形のものや方形のものが
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、引出し用の
電極にはイオンが衝突することによる熱が発生する。発
熱による直接の問題点は、電極が熱膨脹して歪んでしま
うことである。電極が歪むと、イオンビームのプロファ
イル（分布）が偏り、基板へのイオン注入が不均一にな
る。
電極にはイオンが衝突することによる熱が発生する。発
熱による直接の問題点は、電極が熱膨脹して歪んでしま
うことである。電極が歪むと、イオンビームのプロファ
イル（分布）が偏り、基板へのイオン注入が不均一にな
る。
【０００５】熱膨脹による電極の歪みを防ぐために熱膨
脹率の小さい材料を使用することは勿論であるが、近年
のように７００ｍｍ角以上の大面積電極となると、熱膨
脹率の小さい材料といえども大きく膨脹するので歪みが
問題となる。また、強制冷却によって熱膨脹をなくすこ
とも考えられているが、直接、冷却水を導入するとその
冷却水がイオン源の汚染原因となったり、冷却水を通し
た冷却用フランジに電極を取り付けるとその位置決めに
困難したりする。
脹率の小さい材料を使用することは勿論であるが、近年
のように７００ｍｍ角以上の大面積電極となると、熱膨
脹率の小さい材料といえども大きく膨脹するので歪みが
問題となる。また、強制冷却によって熱膨脹をなくすこ
とも考えられているが、直接、冷却水を導入するとその
冷却水がイオン源の汚染原因となったり、冷却水を通し
た冷却用フランジに電極を取り付けるとその位置決めに
困難したりする。
【０００６】また、引出し用の電極にはプラズマガスが
付着して膜となり、この付着物が２ｋＶ未満での高電圧
における異常放電の原因となることが知られている。付
着物が発生した電極はクリーニングする必要があるが、
クリーニングは煩わしく、付着物の発生しにくい電極が
望まれている。ところが、電極を冷却した場合に付着物
が顕著に発生することが発見された。このため、前述の
熱膨脹による歪み防止のための冷却と付着物の発生と
が、矛盾しあうことになる。
付着して膜となり、この付着物が２ｋＶ未満での高電圧
における異常放電の原因となることが知られている。付
着物が発生した電極はクリーニングする必要があるが、
クリーニングは煩わしく、付着物の発生しにくい電極が
望まれている。ところが、電極を冷却した場合に付着物
が顕著に発生することが発見された。このため、前述の
熱膨脹による歪み防止のための冷却と付着物の発生と
が、矛盾しあうことになる。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、電極への付着物の発生を防止し、しかも熱包丁によ
る電極の歪みを防止するイオン源を提供することにあ
る。
し、電極への付着物の発生を防止し、しかも熱包丁によ
る電極の歪みを防止するイオン源を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、プラズマを閉じ込めたプラズマ室の開口部
を、イオンビームを引出すための多数のビーム孔を有し
た電極で覆ったイオン源において、上記電極の内周部
に、この電極の中心を通る複数の切り込みを設けたもの
である。
に本発明は、プラズマを閉じ込めたプラズマ室の開口部
を、イオンビームを引出すための多数のビーム孔を有し
た電極で覆ったイオン源において、上記電極の内周部
に、この電極の中心を通る複数の切り込みを設けたもの
である。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】上記切り込みが、ビーム孔で終端してもよ
い。
い。
【００１４】
【００１５】
【作用】上記構成により、電極は、プラズマ室から熱的
に絶縁されているので、発熱が逃げることなく高温に維
持される。付着物は高温のため蒸発する。このとき電極
は熱膨脹するが、熱膨脹を許容して支持されているので
歪みを生じない。
に絶縁されているので、発熱が逃げることなく高温に維
持される。付着物は高温のため蒸発する。このとき電極
は熱膨脹するが、熱膨脹を許容して支持されているので
歪みを生じない。
【００１６】電極を４点で支持することにより接触面積
が小さくなり熱的な絶縁が得られる。また、この４支持
点が縦横の中心線上でそれぞれ中心線方向に自由なの
で、熱膨脹が均等に許容される。
が小さくなり熱的な絶縁が得られる。また、この４支持
点が縦横の中心線上でそれぞれ中心線方向に自由なの
で、熱膨脹が均等に許容される。
【００１７】電極は、支持ピンとＵ溝との掛合により４
点で熱的に絶縁されかつ熱膨脹を許容して支持される。
点で熱的に絶縁されかつ熱膨脹を許容して支持される。
【００１８】電極の外周部で熱膨脹が小さく、電極の内
周部で熱膨脹が大きいとき、電極の周縁のＵ溝が開いて
内周部に生じる歪みを緩和する。
周部で熱膨脹が大きいとき、電極の周縁のＵ溝が開いて
内周部に生じる歪みを緩和する。
【００１９】電極の中心を通る切り込みにより電極が周
方向に分断されているので、温度の偏りのため電極の周
方向に熱膨脹の偏りがあるときでも歪みを生じない。
方向に分断されているので、温度の偏りのため電極の周
方向に熱膨脹の偏りがあるときでも歪みを生じない。
【００２０】切り込みがビーム孔で終端しているので、
切り込みでの応力集中がない。
切り込みでの応力集中がない。
【００２１】電極に支持ピンを立て電極支持板にＵ溝を
設けても、熱膨脹を許容することができる。この場合、
電極支持板を支持する支持リングは円弧部分が熱膨脹に
より径方向に変形するが、その変形方向がＵ溝の方向と
同じであるため、電極には影響しない。
設けても、熱膨脹を許容することができる。この場合、
電極支持板を支持する支持リングは円弧部分が熱膨脹に
より径方向に変形するが、その変形方向がＵ溝の方向と
同じであるため、電極には影響しない。
【００２２】
【実施例】以下本発明の一実施例を添付図面に基づいて
詳述する。
詳述する。
【００２３】図１に示されるように、イオン源は、一側
が開放された有底円筒状のプラズマ発生室１内に、図示
されないプラズマガス注入部より注入されたプラズマガ
スが満たされている。アーク放電のために、カソード電
極であるフィラメント２がプラズマ発生室底部１ａに配
置され、これに対するアノード電極（図示せず）がプラ
ズマ発生室の側壁１ｂに沿って環状に設けられている。
プラズマ発生室の側壁１ｂにはプラズマを閉じ込めるた
めのカスプ磁場３を形成する環状の磁石４が多段に設け
られている。イオンを引き出すための電極５は、イオン
ビームを通過させる多数のビーム孔を有する電極であ
り、プラズマ発生室１の開放された一側を覆うように設
けられている。電極５は、モリブデンからなる。本実施
例では、引出し電極は四重に設けられており、プラズマ
発生室１内側から順に、プラズマグリッド５ａ、引出し
電極５ｂ、減速電極５ｃ、加速電極５ｄとなっている。
が開放された有底円筒状のプラズマ発生室１内に、図示
されないプラズマガス注入部より注入されたプラズマガ
スが満たされている。アーク放電のために、カソード電
極であるフィラメント２がプラズマ発生室底部１ａに配
置され、これに対するアノード電極（図示せず）がプラ
ズマ発生室の側壁１ｂに沿って環状に設けられている。
プラズマ発生室の側壁１ｂにはプラズマを閉じ込めるた
めのカスプ磁場３を形成する環状の磁石４が多段に設け
られている。イオンを引き出すための電極５は、イオン
ビームを通過させる多数のビーム孔を有する電極であ
り、プラズマ発生室１の開放された一側を覆うように設
けられている。電極５は、モリブデンからなる。本実施
例では、引出し電極は四重に設けられており、プラズマ
発生室１内側から順に、プラズマグリッド５ａ、引出し
電極５ｂ、減速電極５ｃ、加速電極５ｄとなっている。
【００２４】電極５のうち、プラズマグリッド５ａ、引
出し電極５ｂは、図２に示されるように、約７００ｍｍ
角の角型の電極であり、約５０００個のビーム孔２１を
有している。これらのビーム孔２１は縦横に互い違い並
べて配置されている。ここで一点鎖線で囲んだ内側を電
極の内周部２２と呼び、外側を外周部２３と呼ぶことに
する。外周部２３には、周縁より内周部２２に向いた複
数のＵ溝２４が設けられている。これらのＵ溝２４のう
ち電極５の縦横の中心線上の４つは、支持用Ｕ溝２４ａ
であり、この電極５の中心に向けて凹んでいる。内周部
２２には、この電極５の中心を通り縦横・斜め方向に４
つの切り込み２５が設けられている。切り込み２５は、
両端ともＡ部を拡大した図３に示されるように、ビーム
孔２１で終端している。
出し電極５ｂは、図２に示されるように、約７００ｍｍ
角の角型の電極であり、約５０００個のビーム孔２１を
有している。これらのビーム孔２１は縦横に互い違い並
べて配置されている。ここで一点鎖線で囲んだ内側を電
極の内周部２２と呼び、外側を外周部２３と呼ぶことに
する。外周部２３には、周縁より内周部２２に向いた複
数のＵ溝２４が設けられている。これらのＵ溝２４のう
ち電極５の縦横の中心線上の４つは、支持用Ｕ溝２４ａ
であり、この電極５の中心に向けて凹んでいる。内周部
２２には、この電極５の中心を通り縦横・斜め方向に４
つの切り込み２５が設けられている。切り込み２５は、
両端ともＡ部を拡大した図３に示されるように、ビーム
孔２１で終端している。
【００２５】この電極５をプラズマ室１の開口部に取り
付ける際には、支持用Ｕ溝２４ａを通しプラズマ室１の
開口部周囲のフランジ１ｃに支持ピンを立てるようにな
っている。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示されるよう
に、支持ピン４１は支持用Ｕ溝２４ａの幅より径が小さ
い。この支持ピン４１の頂部には支持用Ｕ溝２４ａの幅
より径の大きい頭ネジ４２が挿入される。このようにし
て、電極５は、その面に垂直な方向には頭ネジ４２と支
持用Ｕ溝２４ａとによって掛合され、水平な方向には支
持ピン４１と支持用Ｕ溝２４ａとによって掛合される。
支持用Ｕ溝２４ａの凹み方向、即ち電極５の中心線に沿
っては自由であり、電極５は、プラズマ室１に対し縦横
各方向に熱膨脹を許容して支持されていることになる。
付ける際には、支持用Ｕ溝２４ａを通しプラズマ室１の
開口部周囲のフランジ１ｃに支持ピンを立てるようにな
っている。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示されるよう
に、支持ピン４１は支持用Ｕ溝２４ａの幅より径が小さ
い。この支持ピン４１の頂部には支持用Ｕ溝２４ａの幅
より径の大きい頭ネジ４２が挿入される。このようにし
て、電極５は、その面に垂直な方向には頭ネジ４２と支
持用Ｕ溝２４ａとによって掛合され、水平な方向には支
持ピン４１と支持用Ｕ溝２４ａとによって掛合される。
支持用Ｕ溝２４ａの凹み方向、即ち電極５の中心線に沿
っては自由であり、電極５は、プラズマ室１に対し縦横
各方向に熱膨脹を許容して支持されていることになる。
【００２６】次に実施例の作用を述べる。
【００２７】プラズマ室１に閉じ込められたプラズマ６
は電極５によって引き出される。このとき、電極５はイ
オンビームが当たるため加熱される。電極５は、４点で
支持されているので接触面積が小さくプラズマ室１から
熱的に絶縁されている。このため、電極５は高温に維持
される。例えば、プラズマグリッド５ａは８００℃を越
えない程度に維持される。このような高温では、付着物
はいったん発生しても再び蒸発し、電極５表面は清浄に
維持される。電極５表面が清浄であるため、異常放電が
発生せず、イオン源は安定動作する。
は電極５によって引き出される。このとき、電極５はイ
オンビームが当たるため加熱される。電極５は、４点で
支持されているので接触面積が小さくプラズマ室１から
熱的に絶縁されている。このため、電極５は高温に維持
される。例えば、プラズマグリッド５ａは８００℃を越
えない程度に維持される。このような高温では、付着物
はいったん発生しても再び蒸発し、電極５表面は清浄に
維持される。電極５表面が清浄であるため、異常放電が
発生せず、イオン源は安定動作する。
【００２８】また、電極５の４つの支持点が縦横の中心
線上でそれぞれ中心線方向に自由なので、熱膨脹が均等
に許容され、電極５に歪みが生じない。
線上でそれぞれ中心線方向に自由なので、熱膨脹が均等
に許容され、電極５に歪みが生じない。
【００２９】電極５のなかでも内周部２２はイオンビー
ムがよく当たるので、温度が高くなり膨脹する。外周部
２３は内周部２２に比べ温度は上がらず膨脹が小さい。
この内外の膨脹の大きさの違いにより、従来であれば電
極５がその面の方向に波打つなどの歪みを生じ、イオン
ビームのプロファイルに影響が及ぶが、外周部２３に設
けられたＵ溝２４が開く方向に変形するので、こうした
歪みは回避され、プロファイルは良好になる。
ムがよく当たるので、温度が高くなり膨脹する。外周部
２３は内周部２２に比べ温度は上がらず膨脹が小さい。
この内外の膨脹の大きさの違いにより、従来であれば電
極５がその面の方向に波打つなどの歪みを生じ、イオン
ビームのプロファイルに影響が及ぶが、外周部２３に設
けられたＵ溝２４が開く方向に変形するので、こうした
歪みは回避され、プロファイルは良好になる。
【００３０】プラズマ６がプラズマ室１の周方向に偏り
を有するなどの原因により、イオンビームが均一でなく
なると、内周部２２内で温度差が生じ、膨脹の大きさが
偏る。このとき電極５の中心を通る切り込み２５により
電極５が周方向に分断されているので、歪みを生じな
い。また、切り込み２５がビーム孔２１で終端している
ので、切り込み２５端部での応力集中がなく、電極５が
膨脹収縮を繰り返しても割れが進まない。
を有するなどの原因により、イオンビームが均一でなく
なると、内周部２２内で温度差が生じ、膨脹の大きさが
偏る。このとき電極５の中心を通る切り込み２５により
電極５が周方向に分断されているので、歪みを生じな
い。また、切り込み２５がビーム孔２１で終端している
ので、切り込み２５端部での応力集中がなく、電極５が
膨脹収縮を繰り返しても割れが進まない。
【００３１】以上のように、本発明のイオン源の電極支
持方法によれば、電極への付着物の発生が防止されるの
で、異常放電を発生させずにイオン源が安定動作する時
間が、従来の１００時間程度から５００時間まで延ばす
ことができた。しかも電極が高温になっても熱膨脹によ
る歪みがないので、良好なプロファイルが保たれる。
持方法によれば、電極への付着物の発生が防止されるの
で、異常放電を発生させずにイオン源が安定動作する時
間が、従来の１００時間程度から５００時間まで延ばす
ことができた。しかも電極が高温になっても熱膨脹によ
る歪みがないので、良好なプロファイルが保たれる。
【００３２】なお、本実施例では、４つの電極５のう
ち、プラズマ室１に近く熱負荷の大きいプラズマグリッ
ド５ａ、引出し電極５ｂのみを図２の構造としたが、他
の電極についても図２の構造を取り得る。また、３つの
電極を用いるイオン源において、プラズマ室１に近い電
極のみを図２の構造としてもよい。
ち、プラズマ室１に近く熱負荷の大きいプラズマグリッ
ド５ａ、引出し電極５ｂのみを図２の構造としたが、他
の電極についても図２の構造を取り得る。また、３つの
電極を用いるイオン源において、プラズマ室１に近い電
極のみを図２の構造としてもよい。
【００３３】また、本実施例では、点支持によって熱的
絶縁を図ったが、電極５をセラミックからなる支持部材
を介してプラズマ室１に取り付けてもよい。
絶縁を図ったが、電極５をセラミックからなる支持部材
を介してプラズマ室１に取り付けてもよい。
【００３４】次に他の実施例を説明する。
【００３５】図１のイオン源において、電極５の他の支
持構造は、図５に示されるように、プラズマ室の開口部
に支持リング５１を取り付け、支持リング５１に電極支
持板５２を介して電極５を取り付けている。支持リング
５１は、プラズマ室の開口部を囲む環状の部材であり、
その縦横の中心線（電極５の中心線とは４５°の傾きに
なる）の上に取付け穴５３があり、この取付け穴５３に
固定ボルトを通してプラズマ室１に固定される。この固
定ボルト間に形成される円弧部分５４の中央に電極支持
板５２が固定されている。電極支持板５２は、支持リン
グ５１の中心に向けて所定の長さ突き出している。電極
支持板５２の先端部には径方向外方に凹んだＵ溝５５が
設けられている。このＵ溝５５を通し電極５の外周部の
縦横の中心線上に支持ピン５６が立てられている。支持
ピン５６とＵ溝５５との掛合の仕方は図４において電極
５を電極支持板５２に置き換えたものである。なお、電
極５が角型であるため、支持リング５１の円弧部分５４
との間に隙間が生じるが、この隙間には遮蔽部材を設け
てある。このため引き出されたイオンビームは角型に分
布する。
持構造は、図５に示されるように、プラズマ室の開口部
に支持リング５１を取り付け、支持リング５１に電極支
持板５２を介して電極５を取り付けている。支持リング
５１は、プラズマ室の開口部を囲む環状の部材であり、
その縦横の中心線（電極５の中心線とは４５°の傾きに
なる）の上に取付け穴５３があり、この取付け穴５３に
固定ボルトを通してプラズマ室１に固定される。この固
定ボルト間に形成される円弧部分５４の中央に電極支持
板５２が固定されている。電極支持板５２は、支持リン
グ５１の中心に向けて所定の長さ突き出している。電極
支持板５２の先端部には径方向外方に凹んだＵ溝５５が
設けられている。このＵ溝５５を通し電極５の外周部の
縦横の中心線上に支持ピン５６が立てられている。支持
ピン５６とＵ溝５５との掛合の仕方は図４において電極
５を電極支持板５２に置き換えたものである。なお、電
極５が角型であるため、支持リング５１の円弧部分５４
との間に隙間が生じるが、この隙間には遮蔽部材を設け
てある。このため引き出されたイオンビームは角型に分
布する。
【００３６】この実施例では、電極支持板５２を支持す
る支持リング５１は円弧部分５４が熱膨脹により径方向
に変形する。その変形方向がＵ溝５５の方向と同じであ
るため、各電極支持板５２は電極５の中心線に沿って移
動する。また、電極支持板５２も熱膨脹する。一方、電
極５の熱膨脹により支持ピン５６が電極５の中心線に沿
って移動する。熱膨脹の大きさに差があっても電極５に
歪みは生じない。
る支持リング５１は円弧部分５４が熱膨脹により径方向
に変形する。その変形方向がＵ溝５５の方向と同じであ
るため、各電極支持板５２は電極５の中心線に沿って移
動する。また、電極支持板５２も熱膨脹する。一方、電
極５の熱膨脹により支持ピン５６が電極５の中心線に沿
って移動する。熱膨脹の大きさに差があっても電極５に
歪みは生じない。
【００３７】電極５を多段に設ける場合には、電極支持
板５２に紙面方向に高低の異なる段差を設け、各段に電
極５を支持させる。
板５２に紙面方向に高低の異なる段差を設け、各段に電
極５を支持させる。
【００３８】
【発明の効果】本発明は次の如き優れた効果を発揮す
る。
る。
【００３９】（１）電極への付着物の発生が防止されイ
オン源が安定動作する。
オン源が安定動作する。
【００４０】（２）電極に熱膨脹による歪みがないの
で、良好なプロファイルが得られる。
で、良好なプロファイルが得られる。
【００４１】（３）電極の冷却が不要になるので、イオ
ン源の構成が簡素になる。
ン源の構成が簡素になる。
【図１】本発明の一実施例を示すイオン源の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明のイオン源の電極の平面図である。
【図３】本発明のイオン源の電極の部分拡大平面図であ
る。
る。
【図４】本発明のイオン源の電極の部分拡大断面図であ
る。
る。
【図５】本発明のイオン源の他の実施例における電極の
平面図である。
平面図である。
１ プラズマ室
５ 電極
６ プラズマ
２１ ビーム孔
２４ Ｕ溝
２４ａ 支持用Ｕ溝
２５ 切り込み
４１ 支持ピン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中山 隆幸
東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川
島播磨重工業株式会社 東二テクニカル
センター内
(72)発明者 瓦谷 立身
東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川
島播磨重工業株式会社 東二テクニカル
センター内
(72)発明者 上野 光
東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川
島播磨重工業株式会社 東二テクニカル
センター内
(56)参考文献 特開 平４−329249（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−127441（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−114366（ＪＰ，Ａ)
実開 昭57−40246（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/08
H01J 27/08
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマを閉じ込めたプラズマ室の開口
部を、イオンビームを引出すための多数のビーム孔を有
した電極で覆ったイオン源において、上記電極の内周部
に、この電極の中心を通る複数の切り込みを設けたこと
を特徴とするイオン源。 - 【請求項２】 上記切り込みが、ビーム孔で終端してい
ることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04843795A JP3528305B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04843795A JP3528305B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250055A JPH08250055A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3528305B2 true JP3528305B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=12803336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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