JP2819166B2 - 放射光用光学素子の汚れ除去装置および方法 - Google Patents

放射光用光学素子の汚れ除去装置および方法

Info

Publication number
JP2819166B2
JP2819166B2 JP1257079A JP25707989A JP2819166B2 JP 2819166 B2 JP2819166 B2 JP 2819166B2 JP 1257079 A JP1257079 A JP 1257079A JP 25707989 A JP25707989 A JP 25707989A JP 2819166 B2 JP2819166 B2 JP 2819166B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical element
radiation
light
chamber
removing dirt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1257079A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03120387A (ja
Inventor
隆 飯塚
恵明 福田
雅美 林田
正人 新部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP1257079A priority Critical patent/JP2819166B2/ja
Priority to US07/592,302 priority patent/US5145649A/en
Priority to EP90310797A priority patent/EP0421745B1/en
Priority to DE69016147T priority patent/DE69016147T2/de
Publication of JPH03120387A publication Critical patent/JPH03120387A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2819166B2 publication Critical patent/JP2819166B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0006—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 with means to keep optical surfaces clean, e.g. by preventing or removing dirt, stains, contamination, condensation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明の放射光用光学素子の汚れを光化学反応によっ
て除去する装置ならびにその方法に関するものである。
［従来の技術］ 従来、放射光用光学素子においては長時間の使用によ
って素子表面の放射光照射部分に炭素（Ｃ）等が付着し
て特性の劣化を招き、問題となっていた。これに対し従
来、酸素プラズマによって付着炭素を除去する実験が行
なわれている。（APPLIED OPTICS/Vol 26,No.18/15 Sep
tember 1987）。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の汚れ除去方法は酸素プラズマを
用いているため、次のような問題点があった。即ち、プ
ラズマを発生させるための電極等チャンバーの改造やそ
の他の付加装置が必要となり、また素子がプラズマにさ
らされるため汚れ以外の部分がダメージを受ける場合が
あった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、簡便かつ光学素子へのダメージの少ない汚れ除去
装置および方法の提供を目的とする。
［課題を解決するための手段および作用］ 前記目的は、電子蓄積リング放射光装置で通常時に使
用するチャンバーや放射光を汚れ除去の光化学エッチン
グのために有効利用することによって達成される。
光化学エッチングのための装置構成は簡便であり、光
学素子チャンバーには排気系の他にガス導入口と、放射
光入口側に光透過フィルターを増設するだけで良い。
反応機構は、例えば反応ガスとして酸素を使用した場
合、酸素に2537Åより短波長の光を照射することによっ
てオゾンを生成し、これが8500Åより短い光を吸収して
酸素分子と原子状酸素を生成する。この原子状酸素は活
性であるため素子表面の汚れの成分である炭素と反応し
ガスとなって排気される。
このため、素子表面に物理的な力が加わることは無
く、したがって、ダメージを受けることも無い。
［実施例］ 実施例１ 本実施例は本発明の基本的構成を表わす第１図におい
て、放射光用光学素子７として金（Au）をコーティング
した二酸化ケイ素（SiO2）製斜入射鏡を用いて行なっ
た。
電子蓄積リング１より放出された放射光をビームライ
ン２を介して斜入射鏡７に約１年間照射した。この間、
斜入射鏡を設置したチャンバー６は排気口８より排気さ
れ真空度は５×10-9Torr程度に保った。
斜入射鏡設置当時と放射光を約１年間照射した後の反
射率を測定したところ約１年照射後の反射率は設置当時
と比較して平均約80％に低下した。特に炭素の吸収短波
長に相当する44Å近傍の波長域では反射率は30％程度に
まで低下した。この原因として斜入射鏡表面への炭素系
の汚れの付着が考えられる。本実施例において、第１図
に示す装置によって汚れの除去を行なった。
まず、ビームライン２に設置された保護用バルブ３と
透過フィルター４を直線導入機によって閉じ、次に装置
側のバルブ９を閉じた後、チャンバー６内にガス導入口
５より酸素ガスを導入した。排気口８の先にはコンダク
タンスを小さくするバルブを設けチャンバー内のガス圧
を2Torrに保った。その後保護用バルブ３を開き、斜入
射鏡表面に透過膜（フィルター）４の透過光を照射し
た。透過フィルター材料としては0.5mm厚の石英板を用
いた。この状態のまま15時間放置した後、クリーニング
を終了し、再度反射率を測定したところ、斜入射鏡設置
当時の95％以上のレベルにまで回復した。
実施例２ 本実施例は、本発明の基本的構成を表わす第１図にお
いて放射光用光学素子７として石英（SiO2）製回折格子
（1200本/mm）を用いて行なった。
電子蓄積リング１より放出された放射光をビームライ
ン２を介して回折格子に約７か月間照射した。この間回
折格子を設置したチャンバー６は５×10-9Torr程度に保
った。
回折格子設置時と放射光照射後で回折格子に垂直方向
から20゜の角度で入射した光の１次回折光を比較したと
ころ、放射光照射後では約10％程度にまで低下した。
これに対し実施例１と同様の方法で汚れの除去を行な
った。透過フィルター材料としては厚さ1mmの石英（SiO
2）板を用い、酸素ガス圧は5Torrとした。フィルター透
過光を回折格子表面に12時間照射し続けた後、透過フィ
ルターをはずして再度回折効率を測定したところ設置当
時の90％のレベルまで回復した。
実施例３ 本実施例では放射光用光学素子として金をコーティン
グした石英（SiO2）製斜入射鏡を用いて行なった。
この斜入射鏡は５×10-9Torr程度に保たれたチャンバ
ー６内に設置され、これに対して約１年間放射光を照射
した。
斜入射鏡の設置時と放射光照射後で反射率を比較した
ところ、放射光照射後は設置時の約80％（平均値）に低
下した。この斜入射鏡に対してヒーターを用いて表面が
200゜になるように加熱した上で実施例１と同様にクリ
ーニングを行なった。その際、チャンバー内の酸素圧力
は2Torrとし、透過膜材料としてはバックエッチによっ
て厚さ0.2μｍにした窒化ケイ素（Si3N4）を用いた。
この状態で12時間放置した後、クリーニングを終了
し、斜入射反射率を測定したところ、設置時の95％以上
（平均値）にまで回復した。
実施例４ 本実施例では放射光用光学素子として白金（Pt）をコ
ーティングした石英（SiO2）製斜入射鏡を用いて行なっ
た。
この斜入射鏡は５×10-9Torrを程度に保たれたチャン
バー６内に設置され、これに対して約１年間、放射光を
照射した。斜入射鏡の設置時と放射光照射後で反射率を
比較したところ、放射光照射後の反射率は平均値で設置
時の75％程度にまで低下した。
この斜入射鏡に対し、チャンバー６内には別途作成し
たオゾンを導入してクリーニングを行なった。チャンバ
ー６内の圧力は2Torr、透過フィルター材としては1mm厚
の石英板を用いた。
この状態で12時間放置した後、クリーニングを終了
し、斜入射反射率を測定したところ、平均値で設置時の
95％以上にまで回復した。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明における放射光用光学素
子の汚れ除去装置および方法を用いることにより、簡単
な構成で素子に損傷を与えることなく、長時間の使用に
よって付着した素子の機能劣化の原因となる炭素を除去
し素子が本来持つ機能を回復させることが可能となる。
本発明においては、炭素等のクリーニング作用が大気
にさらすことなく、真空中で行なわれ、また放射光用光
学素子を取りはずさずにクリーニングできるため、取り
はずし取り付けおよびアライメント等に要する時間を削
減でき、また装置構成および付加装置も簡単なものであ
り、コーティングも含め素子の表面を損傷させることは
ない。したがって、従来あまり考えられていなかった放
射光用光学素子のメンテナンスに対して大きく寄与し、
その結果、機能的にも時間的にもシンクロトロン放射光
の有効利用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明おける装置構成の基本的概略図である。 1:電子蓄積リング、 2:ビームライン、 3:保護用シャッター、 4:透過膜、 5:ガス導入口、 6:チャンバー、 7:放射光用光学素子、 8:排気口、 9:装置側シャッター。
フロントページの続き (72)発明者 新部 正人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−42713（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−77472（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−77475（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−117426（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05H 13/04 C23F 4/00 G02B 27/00

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電子蓄積リングより放出された放射光を導
    入するビームラインと、該放射光が照射される放射光用
    光学素子と、該放射光用光学素子を内部に設置したチャ
    ンバーとを備えた電子蓄積リング放射光装置に設けた前
    記放射光用光学素子の汚れ除去装置であって、該放射光
    に含まれる所望の波長の光を選択して該チャンバーに導
    入するためのフィルター手段と、該チャンバー内に該放
    射光用光学素子の表面の汚れに反応する反応ガスを供給
    するためのガス供給手段と、該チャンバー内を排気する
    ための排気手段とを有することを特徴とする、電子蓄積
    リング放射光装置に用いられる放射光用光学素子の汚れ
    除去装置。
  2. 【請求項２】前記フィルター手段は、石英からなること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射光用光学
    素子の汚れ除去装置。
  3. 【請求項３】前記反応ガスは、酸素ガスもしくはオゾン
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放
    射光用光学素子の汚れ除去装置。
  4. 【請求項４】前記放射光用光学素子は、放射光を反射す
    る斜入射鏡もしくは回折格子であることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の放射光用光学素子の汚れ除去
    装置。
  5. 【請求項５】前記光学素子を加熱するための加熱手段を
    具備したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    放射光用光学素子の汚れ除去装置。
  6. 【請求項６】電子蓄積リングより放出された放射光が照
    射される放射光用光学素子の汚れを除去する方法であっ
    て、該放射光用光学素子を収容したチャンバー内に反応
    ガスを充填し、該チャンバー内に該放射光に含まれる所
    望の波長の光を選択して導入して該反応ガスを活性化さ
    せ、放射光用光学素子の表面から汚れを除去することを
    特徴とする、電子蓄積リング放射光装置に用いられる放
    射光用光学素子の汚れ除去方法。
  7. 【請求項７】前記所望の波長の光は、放射光光源からの
    光を石英からなるフィルターを通してチャンバー内に照
    射することを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の放
    射光用光学素子の汚れ除去方法。
  8. 【請求項８】前記反応ガスとして酸素ガスもしくはオゾ
    ンを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
    の放射光用光学素子の汚れ除去方法。
  9. 【請求項９】前記放射光用光学素子として放射光を反射
    する斜入射鏡もしくは回折格子を用いたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第６項記載の放射光用光学素子の汚れ
    除去方法。
  10. 【請求項１０】前記光学素子を加熱した状態で前記反応
    ガスと反応させることを特徴とする特許請求の範囲第６
    項記載の放射光用光学素子の汚れ除去方法。
JP1257079A 1989-10-03 1989-10-03 放射光用光学素子の汚れ除去装置および方法 Expired - Fee Related JP2819166B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1257079A JP2819166B2 (ja) 1989-10-03 1989-10-03 放射光用光学素子の汚れ除去装置および方法
US07/592,302 US5145649A (en) 1989-10-03 1990-10-02 Apparatus for cleaning an optical element for use with a radiation beam
EP90310797A EP0421745B1 (en) 1989-10-03 1990-10-03 Apparatus for cleaning an optical element for use with a radiation beam.
DE69016147T DE69016147T2 (de) 1989-10-03 1990-10-03 Apparatur zur Reinigung eines optischen Elements in einem Strahlenbündels.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1257079A JP2819166B2 (ja) 1989-10-03 1989-10-03 放射光用光学素子の汚れ除去装置および方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10151931A Division JP3096021B2 (ja) 1998-05-18 1998-05-18 放射光照射装置および方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03120387A JPH03120387A (ja) 1991-05-22
JP2819166B2 true JP2819166B2 (ja) 1998-10-30

Family

ID=17301454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1257079A Expired - Fee Related JP2819166B2 (ja) 1989-10-03 1989-10-03 放射光用光学素子の汚れ除去装置および方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5145649A (ja)
EP (1) EP0421745B1 (ja)
JP (1) JP2819166B2 (ja)
DE (1) DE69016147T2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4238586A1 (de) * 1992-11-16 1994-05-19 Inst Halbleiterphysik Gmbh Vorrichtung zur Feinstreinigung scheibenförmiger Objekte
DE69609161T2 (de) * 1995-01-19 2001-03-22 Gen Probe Inc Amplifikationsoligonukleotide und sonden für borrelia, die mit lyme kranheit assoziiert sind
DE10061248B4 (de) 2000-12-09 2004-02-26 Carl Zeiss Verfahren und Vorrichtung zur In-situ-Dekontamination eines EUV-Lithographiegerätes
US20120113513A1 (en) * 2010-10-22 2012-05-10 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Self-cleaning of optical surfaces in low-pressure reactive gas environments in advanced optical systems
KR102427325B1 (ko) * 2015-06-03 2022-08-01 삼성전자주식회사 노광 장치 및 노광 장치 세정 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6012128A (ja) * 1983-06-30 1985-01-22 Anelva Corp 光化学的表面処理装置
JPS60129136A (ja) * 1983-12-15 1985-07-10 Toshiba Corp 紫外線照射装置
DE3584798D1 (de) * 1984-07-17 1992-01-16 Nec Corp Anreizverfahren und vorrichtung fuer photochemische reaktionen.
JPH0622222B2 (ja) * 1984-09-18 1994-03-23 株式会社東芝 光処理装置
US4555303A (en) * 1984-10-02 1985-11-26 Motorola, Inc. Oxidation of material in high pressure oxygen plasma
EP0250455B1 (en) * 1985-10-29 1991-10-16 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for atomic beam irradiation
JPS63210275A (ja) * 1987-02-24 1988-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ反応装置内を清浄にする方法
US5024968A (en) * 1988-07-08 1991-06-18 Engelsberg Audrey C Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source

Also Published As

Publication number Publication date
DE69016147D1 (de) 1995-03-02
US5145649A (en) 1992-09-08
EP0421745A3 (en) 1991-08-07
EP0421745A2 (en) 1991-04-10
JPH03120387A (ja) 1991-05-22
DE69016147T2 (de) 1995-05-24
EP0421745B1 (en) 1995-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9880476B2 (en) Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus
US8598550B2 (en) Ex-situ removal of deposition on an optical element
KR100852985B1 (ko) 극자외선 리쏘그래피용 자가세정 광학장치
US7959310B2 (en) Optical arrangement and EUV lithography device with at least one heated optical element, operating methods, and methods for cleaning as well as for providing an optical element
JP4430600B2 (ja) 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置
TWI251117B (en) Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system
US20040011381A1 (en) Method for removing carbon contamination from optic surfaces
US20100071720A1 (en) Method and system for removing contaminants from a surface
US6140255A (en) Method for depositing silicon nitride using low temperatures
JP2819166B2 (ja) 放射光用光学素子の汚れ除去装置および方法
JP4790970B2 (ja) 放射線誘起表面汚染の軽減
CN113167942A (zh) 用于反射vuv辐射的光学元件和光学布置
CN110998435B (zh) 制造用于光刻设备的表膜的方法
JP3096021B2 (ja) 放射光照射装置および方法
US9229331B2 (en) EUV mirror comprising an oxynitride capping layer having a stable composition, EUV lithography apparatus, and operating method
JP3077422B2 (ja) Ｘ線露光装置
JP7348294B2 (ja) 表面及び光学アセンブリをｉｎ ｓｉｔｕで動的に保護する方法
US20030064161A1 (en) Method for reducing carbon contamination of multilayer mirrors
JPH0353200A (ja) Ｘ線露光装置の製造方法
JP3052271B2 (ja) Ｘ線ミラー作成法
JP2008182135A (ja) 露光装置、光学機器、露光方法及びデバイス製造方法
JPH043423A (ja) 半導体のパターン形成方法
JPS60236215A (ja) レ−ザｃｖｄ方法
JP2006170812A (ja) 多層膜反射鏡、ｅｕｖ露光装置、及び軟ｘ線光学機器
JPH0536654A (ja) 化合物半導体のパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees