CN110998435B - 制造用于光刻设备的表膜的方法 - Google Patents

Abstract

一种制造用于光刻设备的表膜的方法，所述方法包括：使用辐射加热(3)来局部加热所述表膜(4)，且在所述表膜的两侧上同时淀积涂覆材料。还披露了根据这种方法制造的表膜。还披露了在光刻设备中的具有双侧六方氮化硼涂层的多层石墨烯表膜。

Description

制造用于光刻设备的表膜的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月3日提交的欧洲申请17184701.5的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本发明中。

技术领域

本发明涉及一种制造用于光刻设备的表膜的方法、一种用于光刻设备的表膜、以及一种包括表膜的光刻设备及其用途。

背景技术

光刻设备是构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将来自图案形成装置(例如，掩模)的图案投影至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

由光刻设备使用以将图案投影至衬底上的辐射的波长确定可形成在所述衬底上的特征的最小大小。与常规的光刻设备(其可例如使用具有193纳米的波长的电磁辐射)相比，使用EUV辐射(具有在4纳米至20纳米范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可以用以在衬底上形成更小的特征。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。辐射通过所述图案形成装置提供或从其反射出去以在衬底上形成图像。可设置表膜以保护所述图案形成装置免受悬浮粒子以及其它形式的污染物影响。所述图案形成装置的表面上的污染物会引起所述衬底上的制造缺陷。

也可以设置表膜以用于保护除图案形成装置之外的光学部件。也可以使用表膜以在所述光刻设备的彼此密封隔离的区域之间设置用于光刻辐射的通路。表膜也可以用作滤光器，诸如光谱纯度滤光器。

例如，已知表膜可以包括独立式石墨烯薄膜、石墨烯衍生物(包括石墨烯卤化物、石墨烷、富勒烯、碳纳米管)或其它碳基材料。掩模组件可以包括保护图案形成装置(例如，掩模)免受粒子污染物影响的所述表膜。所述表膜可由表膜框架支撑，从而形成表膜组件。可例如通过将表膜边界区域胶合至所述框架来将所述表膜附接至所述框架。所述框架可被永久地或以可释放地附接至图案形成装置。可以通过使石墨烯的薄膜浮在液体表面上且将所述薄膜挖蚀(scoop)至硅框架上来形成独立式石墨烯薄膜。以这种方式形成的薄膜的品质已被认为是可变的且难以控制。此外，难以可靠地产生较大的石墨烯薄膜。

已发现，诸如包括独立式石墨烯薄膜或其它碳基薄膜之类的已知表膜的使用寿命是有限的。

也已发现可以在包含诸如H*和HO*之类的自由基物质的氛围中蚀刻已知表膜，且由此已知表膜可随时间推移随使用而劣化。因为表膜是非常薄的，所以与所述自由基物质的反应可弱化所述表膜且最终导致其失效。

已经研究了改善诸如石墨烯表膜之类的表膜的性能和弹性同时保持表膜材料的期望的物理特性的方式。这可以通过在所述表膜的一侧上生长耐化学和/或耐热层来实现。一个选项是在所述石墨烯的一个面上生长六方氮化硼(h-BN)层。石墨烯与六方氮化硼是在结构上非常类似的互补的二维材料。六方氮化硼具有低介电常数、高温稳定性以及高热导率。所述六方氮化硼是也化学稳定的，且能够抵抗由自由基物质引起的蚀刻。

石墨烯和六方氮化硼层可经由已知的化学气相淀积技术来独立地生长，且可能直接地将h-BN层生长至石墨烯片的一侧上。化学气相淀积中所使用的条件在本领域中是众所周知的。

在一种产生石墨烯的方法中，通过利用经稀释的硝酸(HNO₃∶H₂O比例为1∶3)和去离子水进行洗涤以便去除表面氧化层，来制备包括铜箔(25微米厚度)的支撑表面。经清洁后的铜支撑表面被加载至石英管中且在500mT Ar/H₂气流(15％体积百分比的H₂由85％体积百分比的Ar均衡)的情况下温度升高至约950℃以避免铜的氧化。当温度到达950℃时，切断氩气和氢气，且引入150毫托正己烷蒸气持续约10分钟。接着在500mT Ar/H₂的保护下以50℃/分钟的速率执行快速退火过程。接着将包括石墨烯层的铜支撑件传递至锅炉以生长h-BN层。在800mT Ar/H₂流中在800℃的情况下退火所述样本持续20分钟。所述锅炉接着被加热至约1000℃持续20分钟。通过使用加热带来使前体氨硼烷(NH₃-BH₃)在130℃的情况下升华，且接着通过Ar/H₂气流将所述前体氨硼烷携带至反应区域。在h-BN的生长期间，在约400mT的情况下保持Ar/H2气体的生长。典型的生长时间是约10至约30分钟。在生长之后，使锅炉快速冷却至室温。

为了使所述石墨烯层用作表膜，有必要从上面生长有石墨烯层的支撑表面去除所述石墨烯层。从所述支撑表面去除所述石墨烯层是困难的，且不可避免地对所述石墨烯造成损坏。因而，包括以这种方式形成的h-BN层的石墨烯不适合用作表膜。另外，由于所述石墨烯与所述支撑表面的热膨胀系数的失配，石墨烯薄膜可随增加的温度而收缩。类似的考虑适用于由除石墨烯以外的材料制成的表膜。

由于困难和对所述表膜产生的损坏，不可能通过将石墨烯层附接至支撑表面(诸如铜)来利用h-BN涂覆石墨烯层的一侧、随后从所述支撑表面去除所述石墨烯、翻转所述石墨烯、将石墨烯层重新附接至另一支撑表面、然后在石墨烯的另一侧上淀积h-BN层。

在石墨烯膜上设置h-BN层的方法中，所述石墨烯膜可以被保持在框架中在适当的位置。所述框架附接至加热板，使得所述加热板加热所述框架，这继而加热所述石墨烯，即，主要通过传导来自所述框架的热来加热所述石墨烯。如此，包括所述框架和表膜的整个设备需要被加热直至进行化学气相淀积的温度(约1000℃)。因为所述石墨烯与所述框架具有不同膨胀系数，所以随着温度增加和降低，所述石墨烯和框架膨胀和收缩的不同程度导致在所述石墨烯上产生应变，这引起石墨烯的失效。因而，当前不存在制造用于光刻设备的石墨烯表膜的可接受方式，其中所述石墨烯表膜在所述表膜的两侧上包括至少一个h-BN层。类似地，当前不存在制造用于光刻设备的具有相对大表面区域的表膜的有利方式，其中表膜在其两侧上包括至少一种涂覆材料。

因此期望提供一种用于在表膜的两侧上同时淀积涂覆材料的方法。也期望提供一种表膜，所述表膜在其两侧上包括涂覆材料。特别地，期望提供一种用于在石墨烯表膜的两侧上同时形成h-BN层的方法。也期望提供一种在石墨烯的两侧上包括h-BN涂层的涂覆有h-BN石墨烯表膜。

术语“石墨烯”或“石墨烯衍生物”可以包括单个层(片)和多个层，诸如多达20个石墨烯层。所述表膜的膜越薄，EUV辐射透射率将越高。

尽管本申请总体涉及在光刻设备特别是EUV光刻设备的情境下的表膜，但本发明不仅仅限于表膜和光刻设备，且应理解，本发明的主题可以用于任何其它适合的设备或情形中。

例如，本发明的方法可同等地适用于光谱纯度滤光器。实际的EUV源(诸如使用等离子体来产生EUV辐射的EUV源)不仅发射期望的“带内”EUV辐射，而且还发射不期望的(带外)辐射。这种带外辐射最显著地在深UV(DUV)辐射范围(100至400纳米)内。此外，在一些EUV源(例如激光产生等离子体EUV源)的情况下，来自激光器的辐射(经常在10.6微米)呈现大量的带外辐射。

在光刻设备中，出于若干原因而期望光谱纯度。一个原因是抗蚀剂对辐射的带外波长敏感，且因而在若所述抗蚀剂暴露在这样的带外辐射的情况下施加至所述抗蚀剂的图案的图像品质可能会恶化。此外，带外辐射的红外辐射(例如一些激光产生等离子体源中的10.6微米的辐射)引起对所述光刻设备内的所述图案形成装置、衬底以及光学器件的不想要的和不必要的加热。这样的加热可引起这些元件的损坏、它们的使用寿命的劣化、和/或投影于且施加至涂覆有抗蚀剂的衬底上的图案中的缺陷或变形。

例如，典型的光谱纯度滤光器可由涂覆有反射性金属(诸如钼或Ru)的硅薄膜形成。在使用时，典型的光谱纯度滤光器可经受来自例如入射红外及EUV辐射的高热负荷。热负荷可导致光谱纯度滤光器的温度高于800℃，这会导致涂层的最终分层。所述硅薄膜的分层和劣化由于氢气的存在而加速，氢气常常用作在其中使用光谱纯度滤光器以便抑制碎片(例如，从抗蚀剂进行的分子脱气(molecular outgassing)、或粒子碎片等等)进入或离开所述光刻设备的某些部件的环境中的气体。因而，所述光谱纯度滤光器可以用作表膜，且反之亦然。因此，本申请中对“表膜”的提及也指代“光谱纯度滤光器”。尽管在本申请中主要提及表膜，但所有特征可同等地适用于光谱纯度滤光器。

在光刻设备(和/或方法)中，期望最小化用以将图案施加至涂覆有抗蚀剂的衬底的辐射的强度的损失。这种情况的一个原因是：理想地，尽可能多的辐射应可用于将图案施加至衬底，例如以减少曝光时间且增大生产量。同时，期望最小化传递通过所述光刻设备且入射在所述衬底上的不期望的辐射(例如，带外辐射)的量。此外，期望确保在光刻方法或设备中使用的光谱纯度滤光器具有足够的使用寿命，且不会由于所述光谱纯度滤光器可暴露在的高热负荷和/或所述光谱纯度滤光器可暴露在的氢气(等等，诸如自由基物质，包括H*和HO*)而随时间推移快速地劣化。因此期望提供一种改善的(或替代的)光谱纯度滤光器，和例如提供一种适合在光刻设备和/或方法中使用的光谱纯度滤光器。

此外，尽管本申请总体涉及石墨烯表膜，但将了解，可使用任何适合的表膜材料。例如，所述表膜可以包括任何适合的碳基材料，包括石墨烷、石墨烯卤化物、富勒烯、碳纳米管、金属以及金属硅化物，诸如二硅化钼或硅化锆。也将了解，可使用任何适合的涂覆材料，并且提供六方氮化硼作为具体示例。

发明内容

已考虑到在表膜上生长涂覆材料特别是在石墨烯表膜上生长h-BN的已知方法的前述问题来作出本发明。

根据本发明的第一方面，提供一种制造用于光刻设备的表膜的方法，所述方法包括：使用辐射加热来局部加热所述表膜且在所述表膜的两侧上同时淀积涂覆材料。

在所谓的冷壁化学气相淀积(CVD)中，通过感应(即，使电流通过所述衬底自身)来直接地加热其上发生淀积的衬底，或通过与所述衬底成直接热接触的加热器来加热其上发生淀积的衬底。以这种方式，化学气相淀积腔室的全部内容物被加热达到所需温度。然而，所述框架与所述石墨烯表膜或所述石墨烯表膜与所述支撑衬底的不同膨胀系数引起所述框架或支撑衬底与石墨烯表膜发生膨胀的量的差异，这使所述石墨烯表膜上产生应变，且最终损坏所述石墨烯表膜。另外，如上文描述的，当从所述支撑表面去除所述石墨烯时，所述石墨烯将被损坏，从而使其不适合用作表膜。

在热壁CVD中，所述腔室由外部电源加热且所述衬底由来自腔室壁的辐射加热。在热壁CVD中，不存在用于引导所述辐射的装置并且所述壁在所有方向上辐射热能。如此，将所述腔室的全部内容物加热直至所需温度，由于所述表膜与其上支撑有所述表膜的所述框架的不同的热膨胀系数，这可能引起对所述表膜的损坏。

在本发明中，通过使用辐射加热来局部加热所述表膜，已出乎意料地发现有可能利用涂覆材料同时涂覆表膜的两侧。因为同时涂覆所述表膜的两侧，则减小了处理步骤的数目，且所述表膜材料不被损坏，并且因而通过从支撑表面去除表膜材料来使其不可以用作表膜。另外，已出乎意料地发现辐射加热使得所述表膜材料加热直至所需温度以用于使所述涂覆材料淀积，而同时其上支撑有所述表膜的所述框架加热直至更低程度。这意味着所述框架的膨胀程度低于当使用其它类型的加热时观察到的所述框架的膨胀程度，且因此不会损坏所述表膜。在不希望受科学理论约束的情况下，据信，与所述框架的热质量相比较，薄表膜的显著地更低的热质量使得所述表膜比所述框架加热得快得多。另外，所述框架在给定温度的情况下排出热的速率高于所述表膜排出热的速率。因而，即使系统到达稳态，但由于所述表膜与所述框架排出热的速率不同，所述框架将会达到显著地低于所述表膜的平衡温度的平衡温度。如此，所述框架将会膨胀到比其在利用其它加热方法的情况下将会膨胀的程度更低的程度，且因此减小所述表膜上的应变。这允许利用涂覆材料(诸如h-BN)在两侧上同时涂覆所述表膜。利用涂覆材料在两侧上同时涂覆所述表膜也可以允许由涂覆过程在所述表膜中所产生的任何应力在所述表膜的两面之间均衡。当一次涂覆所述表膜的一侧时，这可能引起所述表膜中力的不平衡，所述不平衡可能引起损坏或低劣的性能。在本领域中不实现这种情况。

所述表膜可以包括任何适合的材料。优选地，所述表膜材料包括石墨烯、石墨烷、石墨烯卤化物、富勒烯、碳纳米管、金属以及金属硅化物(诸如二硅化钼或硅化锆)中的至少一种。最优选地，所述表膜是石墨稀表膜。

所述涂覆材料可以包括在光刻设备中在操作条件下化学稳定和/或热稳定的任何适合的材料。优选地，所述涂覆材料是六方氮化硼、石墨烯、以及石墨烯衍生物中的至少一种。最优选地，所述涂覆材料是六方氮化硼。

可使用表膜与涂覆材料的任何适合的组合。例如，可以在金属或金属硅化物表膜上生长石墨烯、石墨烯衍生物、或六方氮化硼涂层。所述涂覆材料大体上不同于所述表膜的膜的材料。

所述辐射加热可由任何适合的装置提供且优选地由激光器和/或红外灯提供。可以选择所述激光器和/或红外灯的功率以将所述表膜加热至在所述表膜上淀积所述涂覆材料(诸如h-BN)所需的温度。

优选地，通过将所述辐射加热引导至所述表膜的表面上来提供所述局部加热，所述表膜可以是石墨烯表膜。来自所述激光器和/或红外灯的光可基本上聚焦在所述表膜上。优选地，所述光不聚焦在支撑所述表膜的所述框架上。以这种方式，仅加热所述表膜且不加热所述框架。因为不加热所述框架，则所述框架不膨胀且在所述表膜中产生张力，由此避免损坏所述表膜。将了解，来自所述激光器和/或红外灯的光中的一些可落在所述框架上，但所述框架与所述表膜之间的热质量的差、以及所述框架与所述表膜排出热的速率的差使得所述表膜加热到比所述框架更高的温度。

所述辐射加热可由定位在所述腔室内的激光器和/或红外灯提供。在这样的实施例中，所述腔室不需要所述激光和/或红外光可通过的窗。在替代实施例中，所述激光器和/或红外灯定位在所述腔室外部。在这样的实施例中，所述腔室包括窗，所述激光和/或红外光可通过所述窗传递进入所述腔室中并且传递到所述表膜上。

所述表膜优选地被支撑在所述腔室中，优选地由框架支撑。通过在框架中支撑所述表膜，这允许在所述腔室中在正确的方向上保持所述表膜，同时也允许所述涂覆材料触及所述表膜的两侧。优选地，围绕所述表膜的周缘支撑所述表膜。通过基本上围绕其周缘支撑所述表膜，这使所述表膜的中心部分暴露至所述腔室内的氛围且允许涂覆材料层(诸如六方氮化硼的层)同时在两侧上形成。

所述腔室优选地是化学气相淀积腔室。

所述腔室内的氛围优选地包括氢气与氩气的混合物。可使用如本领域中已知的任何适合的氢气与氩气的比率。类似地，可使用如本领域中已知的任何适合的压力和流率。可根据需要修改所述氢气与氩气的比率。包括所述氢气以便与所述腔室内的氛围中的任何氧气进行反应从而保护所述表膜免受氧化。包括所述氩气以便提供惰性氛围。优选地使用氩气，因为氩气比其它稀有气体更便宜，然而可使用其它稀有气体或惰性气体。

优选地，提供包括硼和氮的涂覆材料源。包括硼和氮的所述涂覆材料源优选地是氨硼烷。优选地加热氨硼烷以使得其升华，且气态氨硼烷能够扩散至包围所述石墨烯表膜的氛围中。当所述氨硼烷与被加热的石墨烯表膜接触时，其将分解以形成h-BN层。氨硼烷源可被定位在所述腔室内或可独立于所述腔室而定位，通过任何适合的装置(诸如管道)使气态氨硼烷传递至所述腔室中。优选地，所述表膜是多层石墨烯表膜，但可使用单层石墨烯表膜。将了解，所提供的涂覆材料源将依赖于正在涂布的所述涂覆材料的性质。例如，在所述涂覆层是石墨烯或石墨烯衍生物的情况下，所述涂覆材料源可以包括任何适合的碳源。另外，可加热所述涂覆材料源以使得涂覆材料升华、沸腾、汽化和/或分解，或以其它方式夹带在包围所述表膜的环境中。

根据本发明的第二方面，提供一种用于光刻设备的表膜，所述表膜可由根据本发明的所述第一方面的方法获得或已由根据本发明的所述第一方面的方法获得。

由于用于生产表膜的已知方法的局限性，迄今为止，还没有适合的方式来制造两侧涂覆有涂覆材料的表膜，尤其是适合在光刻设备中使用的表膜。特别地，迄今为止，还没有适合的方式来制造两侧涂覆有h-BN的表膜，尤其是其中所述涂层同时淀积在所述表膜的两侧上。

根据本发明的第三方面，提供一种用于光刻设备的表膜，所述表膜包括至少一个石墨烯层，在所述至少一个石墨烯层的每一侧上涂覆有至少一个六方氮化硼层。

如上文提及的，目前尚没有可能利用六方氮化硼层在两侧上涂覆石墨烯表膜。特别地，先前仅有可能利用六方氮化硼涂覆石墨烯表膜的一侧。即便那样，尚未证实有可能可靠地将在单侧上涂覆有h-BN的石墨烯样本用作表膜，这是因为从所述支撑层去除所述石墨烯层是困难的。另外，即使曾尝试利用h-BN涂覆石墨烯片的两侧，但已知技术使得所述石墨烯损坏，结果是所述石墨烯将不能用作表膜。包括除石墨烯以外的材料的表膜面临着类似的困难。

通过利用h-BN在两侧上涂覆石墨烯表膜，保护所述石墨烯免受自由基物质的攻击且因此延长所述表膜的使用寿命。另外，利用h-BN涂覆所述石墨烯的两侧提供了所述石墨烯表膜的机械强度增强。在不希望受科学理论约束的情况下，据信所述石墨烯与所述h-BN之间的晶格匹配产生强度增强。

优选地，所述至少一个石墨烯层的每一侧上的所述至少一个六方氮化硼层同时被施加或涂布至所述至少一个石墨烯层。

将h-BN同时施加或涂布至所述石墨烯表膜的两侧允许将h-BN施加或涂布至所述石墨烯层的两侧而不使所述石墨烯层破裂。在现有技术中，仅已知利用h-BN涂覆石墨烯层的一侧。这导致所述石墨烯的一侧易受到自由基的蚀刻的影响。另外，在单侧上涂覆有h-BN的石墨烯比在两侧上涂覆有h-BN的石墨烯在机械性能方面更弱。

将了解，所述石墨烯可以是一层或多层厚。类似地，也将了解，所述h-BN可以是一层或多层厚。

根据本发明的第四方面，提供一种在光刻设备中通过根据本发明的所述第一方面所述的方法来制造的表膜或根据本发明的第二方面或第三方面所述的表膜的用途。

因为尚没有可能制造在所述石墨烯层的两侧上包括h-BN的石墨烯表膜，所以尚没有可能在光刻设备中使用这样的表膜。

根据本发明的第五方面，提供一种用以制造根据本发明的第二方面或第三方面所述的表膜的化学气相淀积(CVD)的用途。

优选地，所述CVD是激光CVD，其利用光来加热待涂覆的衬底。

根据本发明的第六方面，提供一种用于光刻设备的组件，所述组件包括根据本发明的第一方面或第三方面所述的表膜、用于支撑所述表膜的框架、以及附接至所述框架的图案形成装置。

总之，本发明的方法允许制造表膜，特别是石墨烯表膜，所述表膜包括位于所述表膜的任一侧上的涂覆材料，诸如h-BN。得到的表膜适合在光刻设备(诸如以EUV光刻设备为例)中使用。当前尚没有可能制造这样的表膜。根据本发明的方法而制造的所述表膜能够抵抗当所述表膜正在使用中时所实现的高温，且也能够由于在所述表膜的任一侧上的涂覆材料层而抵抗自由基物质或其它反应性物质的攻击。

现将参考石墨烯表膜描述本发明，h-BN层同时淀积在所述表膜的每一侧上。然而，将了解，本发明不限于表膜且同等地适用于光谱纯度滤光器、和除石墨烯以外的芯材料、以及除h-BN以外的涂覆材料。

附图说明

现将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式来描述本发明的实施例，其中：

-图1描绘根据本发明的实施例的包括光刻设备和辐射源的光刻系统；

-图2描绘可以在其中操作本发明的方法且可以在其中形成本发明的表膜的化学气相淀积腔室的示意图。

具体实施方式

图1示出根据本发明的一个实施例的包括根据本发明的第二方面和第三方面的表膜15或根据本发明的第一方面的方法制造的表膜15的光刻系统。所述光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。所述辐射源SO被配置成产生极紫外(EUV)辐射束B。所述光刻设备LA包括照射系统IL、被配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS以及被配置成支撑衬底W的衬底台WT。所述照射系统IL被配置成在所述辐射束B入射在所述图案形成装置MA上之前调节所述辐射束B。所述投影系统被配置成将所述辐射束B(现在被掩模MA形成图案)投影至所述衬底W上。所述衬底W可包括先前形成的图案。在这种情况下，所述光刻设备将被形成图案的辐射束B与先前形成在所述衬底W上的图案对准。在这种实施例中，所述表膜15被描绘成在所述辐射的路径中且保护所述图案形成装置MA。将了解，所述表膜15可被定位在任何所需位置中且可以用以保护所述光刻设备中的反射镜中的任一反射镜。

所述辐射源SO、照射系统IL以及投影系统PS可以全部被构造且布置成使得它们可与外部环境隔离。可在辐射源SO中提供处于低于氛围压力的压力的情况下的气体(例如，氢气)。可在照射系统IL和/或所述投影系统PS中提供真空。可在照射系统IL和/或投影系统PS中提供处于充分地低于氛围压力的压力的情况下的少量气体(例如，氢气)。

图1中示出的辐射源SO属于可被称作激光产生等离子体(LPP)源的类型。可以例如是CO₂激光器的激光器1被布置成经由激光束2而将能量沉积至从燃料发射器3提供的燃料(诸如锡(Sn))中。虽然在以下描述中提及了锡，但可使用任何适合的燃料。燃料可以例如呈液体形式，且可以例如是金属或合金。所述燃料发射器3可以包括喷嘴，所述喷嘴被配置成沿朝向等离子体形成区4的轨迹来引导例如呈小滴形式的锡。所述激光束2在等离子体形成区4处入射在锡上。激光能量沉积至锡中会在等离子体形成区4处产生等离子体7。在等离子体的离子的去激发和再结合期间从所述等离子体7发射辐射(包括EUV辐射)。

所述EUV辐射被近法向入射辐射收集器5(有时更通常地被称作法向入射辐射收集器)收集和聚焦。所述收集器5可具有被布置成反射EUV辐射(例如，具有期望的波长(诸如13.5nm)的EUV辐射)的多层结构。所述收集器5可具有椭圆形配置，其具有两个椭圆焦点。第一焦点可位于等离子体形成区4处，且第二焦点可位于中间焦点6处，如下文论述的。

所述激光器1可与所述辐射源SO分离。在这种情况下，所述激光束2可以借助于束递送系统(未示出)而从激光器1传递至所述辐射源SO，所述束递送系统包括例如适合的定向反射镜和/或扩束器，和/或其它光学器件。所述激光器1和所述辐射源SO可一起被认为是辐射系统。

由所述收集器5反射的辐射形成辐射束B。所述辐射束B聚焦在点6处以形成所述等离子体形成区4的图像，所述图像充当用于所述照射系统IL的虚拟辐射源。点6(辐射束B聚焦于点6)可被称作所述中间焦点。所述辐射源SO被布置成使得所述中间焦点6位于所述辐射源的围封结构9中的开口8处或附近。

所述辐射束B从所述辐射源SO传递至所述照射系统IL中，所述照射系统IL被配置成调节所述辐射束。所述照射系统IL可包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。所述琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起向所述辐射束B提供期望的横截面形状和期望的角分布。所述辐射束B从所述照射系统IL传递且入射在由所述支撑结构MT保持的所述图案形成装置MA上。所述图案形成装置MA对所述辐射束B进行反射并且形成图案。作为琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11的补充或替代，所述照射系统IL可以包括其它反射镜或装置。

在从所述图案形成装置MA反射之后，已被形成图案的辐射束B进入所述投影系统PS。所述投影系统包括多个反射镜13、14，所述反射镜被配置成将所述辐射束B投影至由所述衬底台WT保持的衬底W上。所述投影系统PS可以向所述辐射束施加缩减因子，从而形成具有比所述图案形成装置MA上的对应特征更小的特征的图像。例如，可以施加值为4的减小因子。虽然所述投影系统PS在图1中具有两个反射镜13、14，但所述投影系统可包括任何数目的反射镜(例如，六个反射镜)。

图1中示出的所述辐射源SO可包括未图示的部件。例如，光谱滤光器可被设置在所述辐射源中。所述光谱滤光器对EUV辐射可以是大体透射的，但大体阻挡其它波长的辐射(诸如红外线辐射)。实际上，所述光谱滤光器可以是根据本发明的任何方面的表膜。

图2示出CVD腔室1的示意性描绘。在这种实施例中，激光器或红外灯9定位在所述腔室1外部。所述腔室1包括窗2，所述窗2允许来自所述激光器或红外灯9的光3传递至所述腔室1中且落到所述表膜4上。所述表膜4被框架5支撑在适当的位置。光3优选地聚焦在所述表膜4上。所述腔室内有坩锅6，所述坩锅6包含用以涂覆所述表膜4的材料。所述坩锅6可以包括用于保持涂覆材料(优选地是氨硼烷)的任何适合的容器，且存在用于加热氨硼烷且使其升华的加热装置(未示出)。所述设备还包括气体连接件8，氢气与氩气的混合物可传递通过所述气体连接件8进入到所述腔室1中。也设置用于从所述腔室1去除空气或其它气体的泵7。

在使用时，所述石墨烯表膜4被支撑在腔室1内的框架5上。所述腔室被密封，且通过泵7从所述腔室1去除空气。经由气体连接件8将氢气与氩气的混合物泵送至所述腔室1中。所述坩锅6中的氨硼烷被加热至其升华的温度。以这种方式，所述腔室1内的氛围包括气态氨硼烷。辐射热源9照射至所述表膜4上以便将所述表膜4加热至氨硼烷将被分解且在所述表膜4的表面上淀积为h-BN层的温度。当所述气态氨硼烷被分解时，其同时在所述表膜4的两侧上形成h-BN层。所述框架5的温度可能不足以产生待形成的h-BN层。

术语“EUV辐射”可被认为涵盖具有介于4纳米至20纳米的范围内，例如介于13纳米至14纳米的范围内的波长的电磁辐射。EUV辐射可具有小于10纳米(例如介于4纳米至1 0纳米的范围内)的波长，诸如6.7纳米或6.8纳米。

虽然可以在本文中具体参考在光刻设备的情境下的本发明的实施例，但本发明的实施例可以用于其它设备中。本发明的实施例可形成掩模检测设备、量测设备、或测量或处理物体(诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置))的任何设备的部件。这些设备通常可被称作光刻工具。这样的光刻工具可使用真空条件或环境(非真空)条件。

尽管上文已描述本发明的具体实施例，但将了解，可以按照与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。以上描述旨在是说明性的而非限制性的。因而，本领域技术人员将清楚，可以在不背离下文阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (14)

1.一种制造用于光刻设备的表膜的方法，所述方法包括：使用辐射加热来局部加热被支撑在腔室内的框架上的所述表膜，且在所述表膜的两侧上同时淀积涂覆材料，其中，所述涂覆材料不同于所述表膜的材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表膜包括石墨烯、石墨烷、石墨烯衍生物、石墨烯卤化物、富勒烯、碳纳米管、金属、以及金属硅化物中的至少一种，所述金属硅化物包括二硅化钼或硅化锆。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述表膜是石墨烯表膜。

4.根据权利要求1、2或3中任一项所述的方法，其中，所述涂覆材料是六方氮化硼、石墨烯以及石墨烯衍生物中的至少一种。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述辐射加热由激光器和/或红外灯提供。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述辐射加热由设置在所述腔室内部的激光器和/或红外灯提供。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述辐射加热由设置在所述腔室外部的激光器和/或红外灯提供，且所述腔室包括透明窗以允许激光和/或红外光传递至所述腔室中并且至所述表膜上。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，通过将所述辐射加热引导至所述表膜的表面上来提供所述局部加热。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法包括通过所述框架围绕所述表膜的周缘支撑所述表膜。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述腔室是化学气相淀积腔室。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述腔室内的氛围包括氢气与氩气的混合物。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在所述腔室中设置涂覆材料源。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述涂覆材料源包括硼和氮，或其中，所述涂覆材料源包括碳。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述方法包括加热所述涂覆材料源以使得所述涂覆材料升华、汽化、沸腾和/或分解。